CN104934542A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104934542A CN104934542A CN201410110070.2A CN201410110070A CN104934542A CN 104934542 A CN104934542 A CN 104934542A CN 201410110070 A CN201410110070 A CN 201410110070A CN 104934542 A CN104934542 A CN 104934542A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- electronic barrier
- hole blocking
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子。上述有机电致发光器件，电子阻挡层既可以提高空穴的传输速率，又能将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，空穴阻挡层能够将空穴阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧，从而使激子的复合区域控制在发光层，提高有机电致发光器件的发光效率。此外，还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51Lm/W、寿命大于100小时。
传统的有机电致发光器件中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合的区域不在发光区域，从而使有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；
所述电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，所述第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子；
所述双极性金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述锂盐为氟化锂、碳酸锂、溴化锂或氧化锂；
所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；
所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的所述双极性金属氧化物与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为1nm～5nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物，所述铜化合物为硫化铜、氧化铜或碘化铜；
所述空穴阻挡层的厚度为30nm～60nm。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的所述有机硅小分子与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～15nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；
所述空穴阻挡层的厚度为2nm～10nm。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为15:1～30:1的所述锂盐与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑；
所述空穴阻挡层的厚度为15nm～30nm。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；
所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述电子注入层的材料为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供导电阳极基板；
采用真空蒸镀法在所述导电阳极基板上形成空穴注入层；
采用真空蒸镀法在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
采用热阻蒸镀法在所述空穴传输层上形成电子阻挡层，电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，所述第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子，所述双极性金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述锂盐为氟化锂、碳酸锂、溴化锂或氧化锂，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；
采用真空蒸镀法在所述电子阻挡层上形成发光层；
采用热阻蒸镀法在所述发光层上形成空穴阻挡层；
采用真空蒸镀法在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；
采用真空蒸镀法在所述电子传输层上形成电子注入层；
采用真空蒸镀法在所述电子注入层上形成阴极。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的所述双极性金属氧化物与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为1nm～5nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物，所述铜化合物为硫化铜、氧化铜或碘化铜；
所述空穴阻挡层的厚度为30nm～60nm。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的所述有机硅小分子与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～15nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；
所述空穴阻挡层的厚度为2nm～10nm。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为15:1～30:1的所述锂盐与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑；
所述空穴阻挡层的厚度为15nm～30nm。
在其中一个实施例中，采用热阻蒸镀法在所述空穴传输层上形成电子阻挡层的步骤中，真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s；
采用热阻蒸镀法在所述发光层上形成空穴阻挡层的步骤中，真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
上述有机电致发光器件的电子阻挡层中，双极性金属氧化物可降低空穴的注入势垒，有利于提高空穴的传输速率。锂盐功函数较高，能够将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧。有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧。同时，有机硅小分子是一种空穴传输材料，可提高空穴的传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高。空穴阻挡层可以有效地将空穴阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧。因此，上述有机电致发光器件，通过设置空穴阻挡层和电子阻挡层，既可以提高空穴的传输速率，又可以将激子的复合区域有效控制在发光层，从而提高发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1和对比例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；
图4为实施例5和对比例2制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；
图5为实施例9和对比例3制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的导电阳极基板10、空穴注入层20、空穴传输层30、电子阻挡层40、发光层50、空穴阻挡层60、电子传输层70、电子注入层80和阴极90。
导电阳极基板10包括玻璃和形成于玻璃的一个表面的导电阳极薄膜。导电阳极薄膜为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO）。导电阳极薄膜的厚度为50nm～300nm。优选的，导电阳极薄膜为ITO，厚度为120nm。
空穴注入层20设置在导电阳极薄膜上。空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm。优选的，空穴注入层20的材料为MoO3，厚度为40nm。
空穴传输层30的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm。优选的，空穴传输层30的材料为NPB，厚度为30nm。
电子阻挡层40的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子。
双极性金属氧化物可以为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）。
锂盐可以为氟化锂（LiF）、碳酸锂（Li2CO3）、溴化锂（LiBr）或氧化锂（Li2O）。
有机硅小分子可以为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。
磷光材料可以为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。磷光材料的选择与发光层的发光材料的选择一致。例如，当发光层为蓝色发光材料时对应选择蓝光磷光材料，当发光层为绿色发光材料时对应选择绿光磷光材料。
第一化合物为双极性金属氧化物时，双极性金属氧化物与磷光材料的质量比可以为4:0.1～10:0.1。
第一化合物为锂盐时，锂盐与磷光材料的质量比可以为15:1～30:1。
第一化合物为有机硅小分子时，有机硅小分子与磷光材料的质量比可以为5:1～10:1。
发光层50的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3）。发光层50的厚度为5nm～40nm。优选的，发光层50的材料为Alq3，厚度为35nm。
空穴阻挡层60的材料为混合物D、混合物E或混合物F。
混合物D为二氧化钛与铜化合物的混合物。二氧化钛（TiO2）为市售二氧化钛，粒径在20nm～50nm。铜化合物为硫化铜（CuS）、氧化铜（CuO）或碘化铜（CuI）。
混合物E为铼化合物与双极性有机传输材料的混合物。铼化合物为七氧化二铼（Re2O7）、二氧化铼（ReO2）、三氧化二铼（Re2O3）或三氧化铼（ReO3）。双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪（TRZ4），2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶（2,6Dczppy），3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）(p-TPAm-NTAZ)，2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑(CzOXD)。
混合物F为富勒烯衍生物与磷光材料的混合物。富勒烯衍生物可以为足球烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（P71BM）。磷光材料可以为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。磷光材料的选择与发光层的发光材料的选择一致。例如，当发光层为蓝色发光材料时对应选择蓝光磷光材料，当发光层为绿色发光材料时对应选择绿光磷光材料。
在本实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层40的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的双极性金属氧化物与磷光材料的混合物。电子阻挡层40的厚度为1nm～5nm。空穴阻挡层60的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物。空穴阻挡层60的厚度为30nm～60nm。本实施方式中，电子阻挡层40的双极性金属氧化物可降低空穴的注入势垒，有利于提高空穴的传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高，可提高有机电致发光器件的发光效率。空穴阻挡层60的二氧化钛层比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，提高出光效率。铜化合物能隙较高，可有效提高空穴的注入势垒，使空穴被阻挡在空穴阻挡层60靠近发光层50的一侧，从而提高发光层50的激子复合几率，提高发光效率。
在其他实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层40的材料还可以为质量比为5:1～10:1的有机硅小分子与磷光材料的混合物。电子阻挡层40的厚度可以为5nm～15nm。空穴阻挡层60的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与磷光材料的混合物。空穴阻挡层60的厚度可以为2nm～10nm。该有机电致发光器件的电子阻挡层40的有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层40靠近发光层50的一侧，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变。同时，有机硅小分子本身是一种空穴传输材料，可提高空穴传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高，可提高有机电致发光器件的发光效率。空穴阻挡层60的富勒烯是富电子材料，可提高电子的传输速率。由于磷光材料和发光材料的能级差别不大，空穴阻挡层60掺杂了磷光材料后，能够使空穴阻挡层60与发光层50之间的能级降到了最低，这可使激子的复合区域控制在发光层与空穴阻挡层的边缘，使光色稳定，提高色纯度，提高发光效率。
在另一个实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层40的材料还可以为15:1～30:1的锂盐与磷光材料的混合物。电子阻挡层40的厚度可以为5nm～20nm。空穴阻挡层60的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物。空穴阻挡层60的厚度可以为15nm～30nm。该有机电致发光器件的电子阻挡层40的锂盐功函数较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层40靠近发光层50的一侧，可阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变。掺杂磷光材料后，磷光材料性质稳定，光效较高，可提高器件的发光效率。空穴阻挡层60的铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭。双极性有机传输材料也可阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭，同时也具有传输电子的作用，因此，可进一步提高发光效率。
电子传输层70的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。电子传输层70的厚度为40nm～250nm。优选的，电子传输层70的材料为TPBi，厚度为80nm。
电子注入层80的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm。优选的，电子注入层80的材料为LiF，厚度为1.1nm。
阴极90的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选的，阴极90的材料为Ag，厚度为140nm。
上述有机电致发光器件100的电子阻挡层40中，双极性金属氧化物可降低空穴的注入势垒，有利于提高空穴的传输速率。锂盐功函数较高，能够将电子阻挡在电子阻挡层40靠近发光层50的一侧。有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层40靠近发光层50的一侧。同时，有机硅小分子是一种空穴传输材料，可提高空穴的传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高。空穴阻挡层60可以有效地将空穴阻挡在空穴阻挡层60靠近发光层50的一侧。因此，上述有机电致发光器件100，通过设置电子阻挡层40和空穴阻挡层60，既可以提高空穴的传输速率，又可以将激子的复合区域有效控制在发光层50，从而提高发光效率。
如图2所示，一实施方式的上述有机电致发光器件100的制备方法包括如下步骤：
S110、提供导电阳极基板。
导电阳极基板10包括玻璃和形成于玻璃的一个表面的导电阳极薄膜。导电阳极薄膜为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO）。导电阳极薄膜的厚度为50nm～300nm。优选的，导电阳极薄膜为ITO，厚度为120nm。
导电阳极薄膜采用磁控溅射制备。磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场约为50G～200G，功率密度为1W/cm2～40W/cm2。
在磁控溅射导电阳极薄膜前，先将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。以保证玻璃清洗干净。
S120、采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。
空穴注入层形成于导电阳极薄膜上。
空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm。优选的，空穴注入层20的材料为MoO3，厚度为40nm。
S120中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S130、采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。
空穴传输层30的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm。优选的，空穴传输层30的材料为NPB，厚度为30nm。
S130中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S140、采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。
电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子。
双极性金属氧化物可以为MoO3、WO3或V2O5。
锂盐可以为LiF、Li2CO3、LiBr或Li2O。
有机硅小分子可以为UGH2、UGH3或UGH4。
磷光材料可以为FIrpic、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(piq)3或Ir(ppy)3。磷光材料的选择与发光层的发光材料的选择一致。例如，当发光层为蓝色发光材料时对应选择蓝光磷光材料，当发光层为绿色发光材料时对应选择绿光磷光材料。
电子阻挡层采用热阻蒸镀法进行制备，热阻蒸镀法具有蒸镀速率较快，成膜性好的优点，且对材料的分子结构不容易造成破坏。
S140中，热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S150、采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。
发光层50的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3）。发光层50的厚度为5nm～40nm。优选的，发光层50的材料为Alq3，厚度为35nm。
S150中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S160、采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。
空穴阻挡层的材料为混合物D、混合物E或混合物F。
混合物D为二氧化钛与铜化合物的混合物。二氧化钛（TiO2）为市售二氧化钛，粒径在20nm～50nm。铜化合物为硫化铜（CuS）、氧化铜（CuO）或碘化铜（CuI）。
混合物E为铼化合物与双极性有机传输材料的混合物。铼化合物为七氧化二铼（Re2O7）、二氧化铼（ReO2）、三氧化二铼（Re2O3）或三氧化铼（ReO3）。双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪（TRZ4），2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶（2,6Dczppy），3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）(p-TPAm-NTAZ)，2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑(CzOXD)。
混合物F为富勒烯衍生物与磷光材料的混合物。富勒烯衍生物可以为足球烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（P71BM）。磷光材料可以为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。磷光材料的选择与发光层的发光材料的选择一致。例如，当发光层为蓝色发光材料时对应选择蓝光磷光材料，当发光层为绿色发光材料时对应选择绿光磷光材料。
S160中，热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
空穴阻挡层采用热阻蒸镀法进行制备，热阻蒸镀法具有蒸镀速率较快，成膜性好的优点，且对材料的分子结构不容易造成破坏。
在本实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的双极性金属氧化物与磷光材料的混合物。电子阻挡层的厚度为1nm～5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物。空穴阻挡层的厚度为30nm～60nm。本实施方式中，电子阻挡层的双极性金属氧化物可降低空穴的注入势垒，有利于提高空穴的传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高，可提高有机电致发光器件的发光效率。空穴阻挡层的二氧化钛层比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，提高出光效率。铜化合物能隙较高，可有效提高空穴的注入势垒，使空穴被阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧，从而提高发光层的激子复合几率，提高发光效率。
在其他实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层的材料还可以为质量比为5:1～10:1的有机硅小分子与磷光材料的混合物。电子阻挡层的厚度可以为5nm～15nm。空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与磷光材料的混合物。空穴阻挡层的厚度可以为2nm～10nm。该有机电致发光器件的电子阻挡层的有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变。同时，有机硅小分子本身是一种空穴传输材料，可提高空穴传输速率。磷光材料性质稳定，光效较高，可提高有机电致发光器件的发光效率。空穴阻挡层的富勒烯是富电子材料，可提高电子的传输速率。由于磷光材料和发光材料的能级差别不大，空穴阻挡层掺杂了磷光材料后，能够使空穴阻挡层与发光层之间的能级降到了最低，这可使激子的复合区域控制在发光层与空穴阻挡层的边缘，使光色稳定，提高色纯度，提高发光效率。
在另一个实施方式的有机电致发光器件中，电子阻挡层的材料还可以为15:1～30:1的锂盐与磷光材料的混合物。电子阻挡层的厚度可以为5nm～20nm。空穴阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物。空穴阻挡层的厚度可以为15nm～30nm。该有机电致发光器件的电子阻挡层的锂盐功函数较高，可以将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，可阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变。掺杂磷光材料后，磷光材料性质稳定，光效较高，可提高器件的发光效率。空穴阻挡层的铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭。双极性有机传输材料也可阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭，同时也具有传输电子的作用，因此，可进一步提高发光效率。
S170、采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。
电子传输层70的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。电子传输层70的厚度为40nm～250nm。优选的，电子传输层70的材料为TPBi，厚度为80nm。
S170中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S180、采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。
电子注入层80的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm。优选的，电子注入层80的材料为LiF，厚度为1.1nm。
S180中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
S190、采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极。
阴极90的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选的，阴极90的材料为Ag，厚度为140nm。
S190中，真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件的制备方法，通过在导电阳极基板上依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极得到有机电致发光器件。制备方法简单，容易操作。
下面为具体实施例部分。
实施例1
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为120nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为35nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴传输层的材料为NPB，厚度为48nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子阻挡层的材料为MoO3和Ir(ppy)3的混合物。MoO3和Ir(ppy)3的质量比为6:0.1，厚度为2.5nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。发光层的材料为Alq3，厚度为12nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴阻挡层的材料为TiO2和CuS的混合物，TiO2粒径为30nm。TiO2和CuS的质量比为4:1，厚度为40nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子传输层的材料为TPBi，厚度为195nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子注入层的材料为LiF，厚度为1.2nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度2nm/s。阴极的材料为Ag，厚度为150nm。
图3为实施例1的有机电致发光器件和对比例1的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，曲线1为实施例1的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。曲线2为对比例1的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
从图3可以看到，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比例1的要大。实施例1的最大的流明效率为4.21Lm/W。而对比例1的仅为3.24Lm/W，而且对比例1的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例1的有机电致发光器件的电子阻挡层的MoO3能够降低空穴的注入势垒，提高空穴的传输速率；空穴阻挡层的CuS使空穴被阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧，从而使电子和空穴在发光层复合，提高器件的发光效率和出光效率。
实施例2
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。导电阳极薄膜的材料为IZO，厚度为300nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为20nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子阻挡层的材料为WO3和FIrpic的混合物，WO3和FIrpic的质量比为10:0.1。电子阻挡层的厚度为1nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴阻挡层的材料为TiO2和CuO的混合物，TiO2粒径在20nm。TiO2和CuO的质量比为2:1。空穴阻挡层的厚度为30nnm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子注入层的材料为CsN3，厚度为1nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度10nm/s。阴极的材料为Au，厚度为80nm。
实施例3
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为10W/cm2。导电阳极薄膜的材料为AZO，厚度为150nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为55nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子阻挡层的材料为V2O5和Ir(MDQ)2(acac)的混合物。V2O5和Ir(MDQ)2(acac)的质量比为4:0.1。电子阻挡层的厚度为5nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。发光层的材料为DCJTB，厚度为5nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴阻挡层的材料为TiO2和CuI的混合物，TiO2粒径为50nm。TiO2和CuI的质量比为5:1。空穴阻挡层的厚度为60nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度1nm/s。阴极的材料为Pt，厚度为250nm。
实施例4
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为50nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴注入层的材料为WO3，厚度为80nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子阻挡层的材料为MoO3和Ir(piq)3的混合物。MoO3和Ir(piq)3的质量比为5:0.1。电子阻挡层的厚度为3nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。发光层的材料为ADN，厚度为8nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴阻挡层的材料为TiO2和CuI的混合物，TiO2粒径为40nm。TiO2和CuI的质量比为3.5:1。空穴阻挡层的厚度为60nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子传输层的材料为TAZ，厚度为250nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为0.5nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度6nm/s。阴极的材料为Al，厚度为140nm。
实施例5
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为110nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为30nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴传输层的材料为NPB，厚度为56nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子阻挡层的材料为UGH1和Ir(ppy)3的混合物。UGH1和Ir(ppy)3的质量比为7:1。电子阻挡层的厚度为10nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。发光层的材料为Alq3，厚度为27nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴阻挡层的材料为PC61BM和Ir(ppy)3的混合物。PC61BM和Ir(ppy)3的质量比为5:1。空穴阻挡层的厚度为4nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子传输层的材料为TPBi，厚度为150nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为4nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度2nm/s。阴极的材料为Ag，厚度为150nm。
图4为实施例5的有机电致发光器件和对比例2的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，曲线1为实施例5的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。曲线2为对比例2的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
从图4可以看到，在不同亮度下，实施例5的流明效率都比对比例2的要大。实施例5的最大的流明效率为4.04Lm/W。而对比例2的仅为2.81Lm/W，而且对比例2的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例5的有机电致发光器件的电子阻挡层的UGH1的能级较宽，其LUMO能级较高，能够有效地将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，且UGH1是一种空穴传输材料，能够提高空穴传输速率。空穴阻挡层的PC61BM是富电子材料，能够有效提高电子的传输速率，空穴阻挡层能够将空穴有效的阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧，使激子的复合区域控制在发光层，提高发光效率。
实施例6
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。导电阳极薄膜的材料为AZO，厚度为300nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴注入层的材料为WO3，厚度为20nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子阻挡层的材料为UGH2和FIrpic的混合物。UGH2和FIrpic的质量比为10:1。电子阻挡层的厚度为5nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴阻挡层的材料为C60和FIrpic的混合物。C60和FIrpic的质量比为2:1。空穴阻挡层的厚度为10nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子注入层的材料为LiF，厚度为1nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度10nm/s。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。
实施例7
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2。导电阳极薄膜的材料为IZO，厚度为150nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为55nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子阻挡层的材料为UGH3和Ir(MDQ)2(acac)的混合物。UGH3和Ir(MDQ)2(acac)的质量比为5:1。电子阻挡层的厚度为15nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。发光层的材料为DCJTB，厚度为5nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴阻挡层的材料为C70和Ir(piq)3的混合物。C70和Ir(piq)3的质量比为20:1。空穴阻挡层的厚度为2nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子传输层的材料为TAZ，厚度为40nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子注入层的材料为CsN3，厚度为10nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度1nm/s。阴极的材料为Au，厚度为250nm。
实施例8
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为50nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为80nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴传输层的材料为NPB，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子阻挡层的材料为UGH4和Ir(piq)3的混合物。UGH4和Ir(piq)3的质量比为8:1。电子阻挡层的厚度为12nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。发光层的材料为ADN，厚度为8nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴阻挡层的材料为P71BM和Ir(piq)3的混合物。P71BM和Ir(piq)3的质量比为6:1。空穴阻挡层的厚度为5nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子传输层的材料为TPBi，厚度为250nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子注入层的材料为CsF，厚度为0.5nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度6nm/s。阴极的材料为Al，厚度为140nm。
实施例9
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为110nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为33nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴传输层的材料为NPB，厚度为50nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子阻挡层的材料为LiF和Ir(ppy)3的混合物。LiF和Ir(ppy)3的质量比为20:1。电子阻挡层的厚度为15nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。发光层的材料为Alq3，厚度为21nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。空穴阻挡层的材料为Re2O3和TRZ4的混合物。Re2O3和TRZ4的质量比为7:1。空穴阻挡层的厚度为25nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子传输层的材料为TPBi，厚度为108nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s。电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为2nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为8×10-4Pa，蒸发速度2nm/s。阴极的材料为Ag，厚度为125nm。
图5为实施例9的有机电致发光器件和对比例3的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，曲线1为实施例9的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。曲线2为对比例3的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
从图5可以看到，在不同亮度下，实施例9的流明效率都比对比例3的要大。实施例9的最大的流明效率为3.87Lm/W。而对比例3的仅为2.75Lm/W，而且对比例3的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例9的有机电致发光器件的电子阻挡层的LiF可将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，提高器件的发光效率。空穴阻挡层的Re2O3可以阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，TRZ4还能提高电子传输速率，因此，可进一步提高发光效率。
实施例10
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。导电阳极薄膜的材料为AZO，厚度为300nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为20nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为50nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子阻挡层的材料为Li2CO3和FIrpic的混合物。Li2CO3和FIrpic的质量比为15:1。电子阻挡层的厚度为20nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。空穴阻挡层的材料为Re2O7和2,6Dczppy的混合物。Re2O7和2,6Dczppy的质量比为10:1。空穴阻挡层的厚度为15nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子传输层的材料为TAZ，厚度为250nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s。电子注入层的材料为LiF，厚度为1nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-3Pa，蒸发速度10nm/s。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。
实施例11
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2。导电阳极薄膜的材料为IZO，厚度为150nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为55nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子阻挡层的材料为LiBr和Ir(MDQ)2(acac)的混合物。LiBr和Ir(MDQ)2(acac)的质量比为30:1。电子阻挡层的厚度为5nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。发光层的材料为ADN，厚度为5nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。空穴阻挡层的材料为ReO2和p-TPAm-NTAZ的混合物。ReO2和p-TPAm-NTAZ的质量比为5:1。空穴阻挡层的厚度为30nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度1nm/s。阴极的材料为Au，厚度为250nm。
实施例12
(1)将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃的一个表面采用磁控溅射法制备导电阳极薄膜。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。导电阳极薄膜的材料为ITO，厚度为50nm。
（2）采用真空蒸镀法在导电阳极基板上形成空穴注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴注入层的材料为WO3，厚度为80nm。
（3）采用真空蒸镀法在空穴注入层上形成空穴传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴传输层的材料为NPB，厚度为60nm。
（4）采用热阻蒸镀法在空穴传输层上形成电子阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子阻挡层的材料为Li2O和Ir(piq)3的混合物。Li2O和Ir(piq)3的质量比为22:1。电子阻挡层的厚度为16nm。
（5）采用真空蒸镀法在电子阻挡层上形成发光层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。发光层的材料为DCJTB，厚度为8nm。
（6）采用热阻蒸镀法在发光层上形成空穴阻挡层。热阻蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。空穴阻挡层的材料为ReO3和CzOXD的混合物。ReO3和CzOXD的质量比为9:1。空穴阻挡层的厚度为18nm。
（7）采用真空蒸镀法在空穴阻挡层上形成电子传输层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子传输层的材料为TPBi，厚度为40nm。
（8）采用真空蒸镀法在电子传输层上形成电子注入层。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s。电子注入层的材料为CsN3，厚度为0.5nm。
（9）采用真空蒸镀法在电子注入层上形成阴极，得到有机电致发光器件。真空蒸镀的真空度为2×10-4Pa，蒸发速度6nm/s。阴极的材料为Al，厚度为140nm。
对比例1
对比例1的有机电致发光器件的制备方法和实施例1的制备方法基本相同，其不同之处在于，对比例1的有机电致发光器件的制备方法没有步骤（4）和步骤（6）。步骤（5）中发光层直接形成于空穴传输层上，步骤（7）中电子传输层直接形成于发光层上。
对比例1的有机电致发光器件的结构除了没有电子阻挡层和空穴阻挡层以外，其余同实施例1。
对比例2
对比例2的有机电致发光器件的制备方法和实施例5的制备方法基本相同，其不同之处在于，对比例2的有机电致发光器件的制备方法没有步骤（4）和步骤（6）。步骤（5）中发光层直接形成于空穴传输层上，步骤（7）中电子传输层直接形成于发光层上。
对比例2的有机电致发光器件的结构除了没有电子阻挡层和空穴阻挡层以外，其余同实施例5。
对比例3
对比例3的有机电致发光器件的制备方法和实施例9的制备方法基本相同，其不同之处在于，对比例3的有机电致发光器件的制备方法没有步骤（4）和步骤（6）。步骤（5）中发光层直接形成于空穴传输层上，步骤（7）中电子传输层直接形成于发光层上。
对比例3的有机电致发光器件的结构除了没有电子阻挡层和空穴阻挡层以外，其余同实施例9。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；
所述电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，所述第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子；
所述双极性金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述锂盐为氟化锂、碳酸锂、溴化锂或氧化锂；
所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；
所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的所述双极性金属氧化物与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为1nm～5nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物，所述铜化合物为硫化铜、氧化铜或碘化铜；
所述空穴阻挡层的厚度为30nm～60nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的所述有机硅小分子与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～15nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；
所述空穴阻挡层的厚度为2nm～10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为15:1～30:1的所述锂盐与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑；
所述空穴阻挡层的厚度为15nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；
所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述电子注入层的材料为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供导电阳极基板；
采用真空蒸镀法在所述导电阳极基板上形成空穴注入层；
采用真空蒸镀法在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
采用热阻蒸镀法在所述空穴传输层上形成电子阻挡层，电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，所述第一化合物为双极性金属氧化物、锂盐或有机硅小分子，所述双极性金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述锂盐为氟化锂、碳酸锂、溴化锂或氧化锂，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；
采用真空蒸镀法在所述电子阻挡层上形成发光层；
采用热阻蒸镀法在所述发光层上形成空穴阻挡层；
采用真空蒸镀法在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；
采用真空蒸镀法在所述电子传输层上形成电子注入层；
采用真空蒸镀法在所述电子注入层上形成阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为4:0.1～10:0.1的所述双极性金属氧化物与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为1nm～5nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～5:1的二氧化钛与铜化合物的混合物，所述铜化合物为硫化铜、氧化铜或碘化铜；
所述空穴阻挡层的厚度为30nm～60nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的所述有机硅小分子与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～15nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为2:1～20:1的富勒烯衍生物与所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；
所述空穴阻挡层的厚度为2nm～10nm。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为15:1～30:1的所述锂盐与所述磷光材料的混合物；
所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm；
所述空穴阻挡层的材料为质量比为5:1～10:1的铼化合物与双极性有机传输材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述双极性有机传输材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑；
所述空穴阻挡层的厚度为15nm～30nm。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，
采用热阻蒸镀法在所述空穴传输层上形成电子阻挡层的步骤中，真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s；
采用热阻蒸镀法在所述发光层上形成空穴阻挡层的步骤中，真空度为2×10-3Pa～5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410110070.2A CN104934542A (zh) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410110070.2A CN104934542A (zh) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104934542A true CN104934542A (zh) | 2015-09-23 |
Family
ID=54121609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410110070.2A Pending CN104934542A (zh) | 2014-03-21 | 2014-03-21 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104934542A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018058524A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof |
| CN108461590A (zh) * | 2017-02-20 | 2018-08-28 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| WO2018201563A1 (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN109309165A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光二极管以及有机发光装置 |
| CN109326735A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种有机发光二极管、显示面板和显示装置 |
| CN112952013A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
-
2014
- 2014-03-21 CN CN201410110070.2A patent/CN104934542A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018058524A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof |
| US10270053B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-04-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof |
| CN108461590A (zh) * | 2017-02-20 | 2018-08-28 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| WO2018201563A1 (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN109309165A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光二极管以及有机发光装置 |
| CN109326735A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种有机发光二极管、显示面板和显示装置 |
| US11374191B2 (en) | 2018-09-30 | 2022-06-28 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode, display panel and display device |
| CN112952013A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
| WO2022179152A1 (zh) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104934542A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN102790181A (zh) | 一种叠层穿透式白光有机电致发光器件 | |
| CN104934544A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104934541A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104934543A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| EP2787792A1 (en) | Polymeric electroluminescent device and method for preparing same | |
| CN103594653A (zh) | 一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104183738A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104518108A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104518145A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104659277A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104638142A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104183713A (zh) | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104638164A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104300084A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104183761A (zh) | 倒置有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104051631A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN103137877B (zh) | 电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104934549A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104518148A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104659219A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104518106A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104659273A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104518109A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN104183719A (zh) | 倒置有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150923 |