CN104638196A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物掺杂层与铼化合物层；其中，所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成。本发明有机电致发光器件的电子注入层中，铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成，铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED），其在10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
但在现有的有机电致发光器件中，电子注入层是重要的功能层之一，在制造过程中，由于电子注入层所选材料的隔绝水氧能力不强，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。同时所选材料也不利于有利于电子的注入，故电子的传输速率较低，比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且易使其复合的区域不在发光区域内，从而使发光效率降低。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。
本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物掺杂层与铼化合物层；其中所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑。
所述铷化合物与所述电子传输材料掺杂质量比为4:1～15:1，所述铼化合物与所述荧光发光材料的掺杂质量比为7:1～15:1。
所述铷化合物掺杂层的厚度为10-30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2-10nm。
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）-N，N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；
所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述阴极的材质为银、铝、铂或金。
本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤：（a）在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层；
（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的电子传输层上采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，然后在所述铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备铼化合物掺杂层；其中，
所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑。
（c）在步骤（b）制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
所述磁控溅射设备的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2；所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s。
在所述步骤（b）中，所述热阻蒸镀的蒸镀速率为0.1～1nm/s；所述铷化合物掺杂层的厚度为10-30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2-10nm。
在所述步骤（c）中，所述阴极层的蒸镀速率为1～10nm/s。
与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点：
铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成，铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，且金属离子可进一步加强电子的传输速率，电子传输材料可与铷化合物形成n掺杂，从而提高电子传输速率，同时，铷化合物与电子传输材料的掺杂质量比为4:1～15:1，在这个范围可保证铷化合物的性能的，也可防止电子传输材料过多使材料失去活性，从而不利于传输载流子，另外铷化合物掺杂层的厚度为10～30nm，该厚度适中，即可避免铷化合物掺杂层过厚而使铷化合物掺杂层形成电子缺陷，也可避免铷化合物掺杂层太薄而使铷化合物掺杂层被电流击穿，从而使有机电致发光器件烧坏；
铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，荧光发光材料与发光层的颜色一致，可补充光色，提高发光效率，而铼化合物的HOMO能级较深，可阻挡空穴穿越到阴极，有效避免空穴淬灭现象的产生。这种方法有利于提高器件的发光效率。同时，铼化合物与荧光发光材料的掺杂质量比为7:1～15:1，在这个范围可保证铼化合物的性能的，也可防止荧光发光材料过多使材料失去活性，从而不利于传输载流子，另外铼化合物掺杂层的厚度为2～10nm，该厚度适中，即可避免铼化合物掺杂层过厚而形成电子缺陷，也可避免太薄而使被电流击穿，从而使有机电致发光器件烧坏。
附图说明
图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
具体实施方式
以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
本发明的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
对上述有机电致发光器件的制备方法，具体包括以下步骤：
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、在上述步骤清洁后的玻璃上制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，接着在阳极导电基板上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
3、接着在上述电子传输层上制备电子注入层，电子注入层为铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层组成。
首先采用热阻蒸镀制备所述铷化合物掺杂层，厚度为10-30nm，其为铷化合物与电子传输材料组成。所述铷化合物为碳酸铷（Rb2CO3）、氯化铷（RbCl）、硝酸铷（RbNO3）或硫酸铷（Rb2SO4）。所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、8-羟基喹啉铝（Alq3）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。所述铷化合物与电子传输材料的掺杂质量比为4:1～15:1；
然后采用热阻蒸镀制备所述铼化合物掺杂层，厚度为2-10nm，其为铼化合物与荧光发光材料组成。所述铼化合物层材料为七氧化二铼（Re2O7）、三氧化铼（ReO3）、二氧化铼（ReO2）或氧化二铼（Re2O）。所述荧光发光材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、8-羟基喹啉铝（Alq3）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。所述铼化合物与荧光发光材料掺杂质量比为7:1～15:1，其中荧光发光材料的选择与发光层的材料选择一致，如红光层对应红光材料。
4、最后制备金属阴极。
有机电致发光器件中，其他功能层的材质和厚度如下：
所述玻璃为市售玻璃。
所述阳极导电基板为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），采用磁控溅射制备，厚度为50-300nm，优选为ITO，厚度为100nm。
阳极导电基板包括导电阳极薄膜和玻璃，其导电阳极薄膜的材质为导电氧化物，包括氧化铟锡（ITO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺铟氧化锌（IZO）或掺氟氧化锌（FTO）的任意一种，其基板的材质可为玻璃、塑料或金属，可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中，可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术，在此不再赘述。
所述空穴注入层材料采用三氧化钼（MoO3），还可采用三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20-80nm，优选为MoO3，厚度为25nm。
所述空穴传输材料采用的是1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为50nm。
所述发光层为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5-40nm，优选为BCzVBi，厚度优选为24nm。
所述电子传输层采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40-250nm，优选为Bphen，厚度为150nm。
所述阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80-250nm，优选为Ag，厚度为150nm。
以下以实施例1～4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明：
实施例1
如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：
玻璃/IZO的阳极导电基板101、MoO3材质的空穴注入层102、TAPC材质的空穴传输层103、BCzVBi材质的发光层104、TPBI材质的电子传输层105、Rb2CO3:Alq3材质的铷化合物掺杂层106、ReO3:BCzVBi材质的铼化合物掺杂层107以及Ag材质的阴极层108。铷化合物掺杂层106与铼化合物掺杂层107组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂)。
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、将上述步骤1清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板101。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为BCzVBi且厚度为24nm的发光层104、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层105。
4、然后在上述电子传输层105上依次制备铷化合物掺杂层106与铼化合物掺杂层107：
首先采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层106，材料为Rb2CO3:Alq3，Rb2CO3:Alq3的掺杂质量比为8:1，制得的厚度为25nm；
接着在铷化合物掺杂层106上采用热阻蒸镀制备ReO3:BCzVBi材质的铼化合物掺杂层107，ReO3:BCzVBi的掺杂质量比为1:1，制得的厚度为5nm。
5、最后蒸镀制备金属阴极层108，蒸镀速率为2nm/s，所用材质为银，厚度为80nm，从而得到所需要的电致发光器件。
图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的电流密度与电流效率的关系图。
测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
所述一般器件的结构为普通玻璃/ITO/MoO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsF/Ag。图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线1为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，流明效率为5.75lm/W，而对比例的仅为4.49lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明的电子注入层可阻挡电子注入层以及阴极中的金属离子渗透到有机层中，降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，且可加强电子的传输速率，提高掺杂层的稳定性，可阻挡空穴穿越到阴极，有效避免空穴淬灭现象的产生。这种方法有利于提高器件的发光效率。
实施例2
以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同，故在此不再加图示说明。
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：
玻璃/IZO的阳极导电基板、MoO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、DCJTB材质的发光层、TPBI材质的电子传输层、RbCl:Bphen材质的铷化合物掺杂层、ReO3:BCzVBi材质的铼化合物掺杂层以及Ag材质的阴极层。铷化合物掺杂层和铼化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂)。
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、将上述步骤1清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层、材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷且厚度为50nm的空穴传输层、材料为9,10-二-β-亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层：
首先采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，材料为RbCl:Bphen，RbCl:Bphen的掺杂质量比为15:1，制得的厚度为30nm；
接着在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备Re2O7:DCJTB材质的铼化合物掺杂层，Re2O7:DCJTB的掺杂质量比为7:1，制得的厚度为2nm。
5、最后蒸镀制备金属阴极层，蒸镀速率为2nm/s，所用材质为Pt，厚度为80nm，从而得到所需要的电致发光器件。
实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：
玻璃/ITO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、TPBI材质的电子传输层ReO3:BCzVBi材质的铷化合物掺杂层、ReO2:ADN材质的铼化合物掺杂层以及Ag材质的阴极层。铷化合物掺杂层和铼化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂)。
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、将上述步骤1清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.1nm/s的蒸镀速率和5×10-5Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为WO3，厚度为20nm的空穴注入层、材料为TAPC，厚度为60nm的空穴传输层、材料为ADN，厚度为10nm的发光层、材料为TPBi，厚度为200nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层：
首先采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，材料为ReO3:BCzVBi，ReO3:BCzVBi的掺杂质量比为4:1，制得的厚度为10nm；
接着在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备ReO2:ADN材质的铼化合物掺杂层，ReO2:ADN的掺杂质量比为15:1，制得的厚度为10nm。
5、最后蒸镀制备金属阴极层，蒸镀速率为2nm/s，所用材质为Ag，厚度为100nm，从而得到所需要的电致发光器件。
实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：
玻璃/IZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、Alq3材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、Rb2SO4:TPBi材质的铷化合物掺杂层、Re2O:Alq3材质的铼化合物掺杂层以及Ag材质的阴极层。铷化合物掺杂层和铼化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂)。
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、将上述步骤1清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压、100G的磁场以及30W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为180nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2×10-4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为V2O5，厚度为80nm的空穴注入层、材料为TCTA，厚度为60nm的空穴传输层、材料为Alq3，厚度为40nm的发光层、材料为TAZ，厚度为35nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层：
首先采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，材料为Rb2SO4:TPBi，Rb2SO4:TPBi的掺杂质量比为12:1，制得的厚度为20nm；
接着在铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备Re2O:Alq3材质的铼化合物掺杂层，Re2O:Alq3的掺杂质量比为8:1，制得的厚度为8nm。
5、最后蒸镀制备金属阴极层，蒸镀速率为2nm/s，所用材质为Al，厚度为250nm，从而得到所需要的电致发光器件。
与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点：铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成，铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，且金属离子可进一步加强电子的传输速率，电子传输材料可与铷化合物形成n掺杂，从而提高电子传输速率，铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，荧光发光材料与发光层的颜色一致，可补充光色，提高发光效率，而铼化合物的HOMO能级较深，可阻挡空穴穿越到阴极，有效避免空穴淬灭现象的产生。这种方法有利于提高器件的发光效率。
上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层；其中，所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、 8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、 8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷化合物与所述电子传输材料掺杂质量比为4:1~15:1，所述铼化合物与所述荧光发光材料的掺杂质量比为7:1~15:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷化合物掺杂层的厚度为10-30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2-10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）- N，N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；
所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述阴极的材质为银、铝、铂或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层；
（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的电子传输层上采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，然后在所述铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备铼化合物掺杂层；其中，
所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、 8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、 8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
（c）在步骤（b）制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（a）中，所述磁控溅射设备的加速电压为300~800V，磁场为50~200G，功率密度为1~40 W/cm2；所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（b）中，所述热阻蒸镀的蒸镀速率为0.1~1nm/s；所述铷化合物掺杂层的厚度为10-30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2-10nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。
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