CN104733624A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。这种有机电致发光器件的电子注入层由双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层与低功函数金属层组成，双极性金属氧化物掺杂层由双极性金属氧化物与高功函数金属组成，双极性金属氧化物可降低电子传输层与双极性金属氧化物掺杂层之间的电子注入势垒，提高电子注入效率，高功函数金属成膜后可提高光的反射，提高出光效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。本发明还公开了上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的有机电致发光领域中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因而极易造成激子复合几率的低下，并且使其复合的区域不在发光区域，从而导致发光效率降低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子注入层包括依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层，所述双极性金属氧化物掺杂层与所述电子传输层直接接触；

所述双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物；

所述富勒烯掺杂层的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与所述双极性金属氧化物的混合物；

所述低功函数金属层的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属。

在一个实施例中，所述双极性金属氧化物为MoO₃、WO₃或V₂O₅，所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属为Ag、Al、Pt或Au，所述双极性金属氧化物掺杂层的厚度为20nm～40nm。

在一个实施例中，所述富勒烯及其衍生物为C60、C70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述富勒烯掺杂层的厚度为30nm～80nm。

在一个实施例中，所述功函数为-2eV～-3.5eV的金属为Mg、Sr、Ca或Yb，所述低功函数金属层的厚度为1nm～10nm。

在一个实施例中，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

在一个实施例中，所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm，

在一个实施例中，所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

在一个实施例中，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；

在所述电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层，所述双极性金属氧化物掺杂层、所述富勒烯掺杂层和所述低功函数金属层组成电子注入层，所述双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物，所述富勒烯掺杂层的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与所述双极性金属氧化物的混合物，所述低功函数金属层的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属；

在所述低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。

这种有机电致发光器件的电子注入层由双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层与低功函数金属层组成，双极性金属氧化物掺杂层由双极性金属氧化物与高功函数金属组成，双极性金属氧化物可降低电子传输层与双极性金属氧化物掺杂层之间的电子注入势垒，提高电子注入效率，高功函数金属成膜后可提高光的反射，提高出光效率；富勒烯掺杂层由富勒烯及其衍生物与双极性金属氧化物组成，富勒烯及其衍生物是富电子材料，有利于电子的传输，提高电子传输速率，双极性金属氧化物掺杂后，提高了载流子浓度，从而可进一步提高电子传输速率，从而提高电子-空穴的复合几率；低功函数金属层功函数较低，可降低富勒烯掺杂层与阴极之间的电子注入势垒，提高电子注入效率，从而提高有机电致发光器件的发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；

图3为实施例1和对比例制备得到的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示的一实施方式的有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70和阴极80。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

阳极20可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极20的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极20为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极20的厚度为120nm。

空穴注入层30的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层30的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层30的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层30的厚度为25nm。

空穴传输层40的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层40的材料可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层40的材料为NPB，空穴传输层40的材料为41nm。

发光层50的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层50的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层50的材料为BCzVBi，发光层50的厚度为15nm。

电子传输层60的材料可以为电子传输材料。电子传输层60的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）。在一个较优的实施例中，电子传输层60的材料为TPBI，电子传输层60的厚度为130nm。

电子注入层70包括依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层72、富勒烯掺杂层74和低功函数金属层76，双极性金属氧化物掺杂层72与电子传输层60直接接触。

双极性金属氧化物掺杂层72的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物。双极性金属氧化物掺杂层72的厚度为20nm～40nm。

双极性金属氧化物为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。功函数为-4eV～-5.5eV的金属为Ag、Al、Pt或Au。

富勒烯掺杂层74的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与上述双极性金属氧化物的混合物。富勒烯掺杂层74的厚度为30nm～80nm。

富勒烯及其衍生物为富勒烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC71BM）。

低功函数金属层76的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属。低功函数金属层76的厚度为1nm～10nm。

功函数为-2eV～-3.5eV的金属为镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）或镱（Yb）。

阴极80的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极80的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极80的材料为Ag，阴极80的厚度为95nm。

这种有机电致发光器件的电子注入层70由双极性金属氧化物掺杂层72、富勒烯掺杂层74与低功函数金属层76组成，双极性金属氧化物掺杂层72由双极性金属氧化物与高功函数金属组成，双极性金属氧化物可降低电子传输层60与双极性金属氧化物掺杂层72之间的电子注入势垒，提高电子注入效率，高功函数金属成膜后可提高光的反射，提高出光效率；富勒烯掺杂层74由富勒烯及其衍生物与双极性金属氧化物组成，富勒烯及其衍生物是富电子材料，有利于电子的传输，提高电子传输速率，双极性金属氧化物掺杂后，提高了载流子浓度，从而可进一步提高电子传输速率，从而提高电子-空穴的复合几率；低功函数金属层76功函数较低，可降低富勒烯掺杂层74与阴极80之间的电子注入势垒，提高电子注入效率，从而提高这种有机电致发光器件的发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

如图2所示的上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S10、对基底10进行表面预处理。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

表面预处理的过程具体为：将基底10用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

S20、在基底10上磁控溅射制备阳极20。

阳极20可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极20的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极20为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极20的厚度为120nm。

磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。

S30、在阳极20上依次蒸镀形成空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50和电子传输层60。

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

空穴注入层30的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层30的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层30的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层30的厚度为25nm。

空穴传输层40的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层40的材料可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层40的材料为NPB，空穴传输层40的材料为41nm。

发光层50的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层50的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层50的材料为BCzVBi，发光层50的厚度为15nm。

电子传输层60的材料可以为电子传输材料。电子传输层60的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）。在一个较优的实施例中，电子传输层60的材料为TPBI，电子传输层60的厚度为130nm。

S40、在电子传输层60上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层72、富勒烯掺杂层74和低功函数金属层76。

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层72、富勒烯掺杂层74和低功函数金属层76组成电子注入层70。

双极性金属氧化物掺杂层72的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物。双极性金属氧化物掺杂层72的厚度为20nm～40nm。

双极性金属氧化物为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。功函数为-4eV～-5.5eV的金属为Ag、Al、Pt或Au。

富勒烯掺杂层74的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与上述双极性金属氧化物的混合物。富勒烯掺杂层74的厚度为30nm～80nm。

富勒烯及其衍生物为富勒烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC71BM）。

低功函数金属层76的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属。低功函数金属层76的厚度为1nm～10nm。

功函数为-2eV～-3.5eV的金属为镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）或镱（Yb）。

S50、在低功函数金属层76上蒸镀形成阴极80，得到有机电致发光器件。

阴极80的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

阴极80的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极80的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极80的材料为Ag，阴极80的厚度为95nm。

这种有机电致发光器件的制备方法步骤简单，简便易行，制备得到的有机电致发光器件发光效率较高。

以下为具体实施例，实施例中使用的测试与制备设备包括：沈阳科学仪器研制中心有限公司的高真空镀膜系统（蒸镀），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪（测试电致发光光谱），美国吉时利公司的Keithley2400（测试电学性能），日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计（测试亮度和色度）。

实施例1

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/NPB/BCzVBi/TPBI/WO₃：Ag/C70：MoO₃/Mg/Ag。制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为120nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为25nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为41nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为15nm。电子传输层的材料为TPBI，厚度为130nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层。依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层组成电子注入层。双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为4：1的WO₃和Ag的混合物，厚度为30nm。富勒烯掺杂层的材料为质量比为6：1的C70和MoO₃的混合物，厚度为40nm。低功函数金属层的材料为Mg，厚度为3nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为95nm。

如图3所示的实施例1制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/BCzVBi/TPBi/Cs₂CO₃/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图3可以看出，在相同亮度下，实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。

实施例2

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/V₂O₅/TAPC/ADN/BphenI/MoO₃：Al/C60：WO₃/Ca/Pt。制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为45nm。发光层的材料为ADN，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为65nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层。依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层组成电子注入层。双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2：1的MoO₃和Al的混合物，厚度为40nm。富勒烯掺杂层的材料为质量比为2：1的C60和WO₃的混合物，厚度为30nm。低功函数金属层的材料为Ca，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。

实施例3

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/WO₃/TCTA/Alq₃/TPBI/V₂O₅：Pt/PC61BM：V₂O₅/Sr/Al。制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为40nm。电子传输层的材料为TPBI，厚度为50nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层。依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层组成电子注入层。双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为6：1的V₂O₅和Pt的混合物，厚度为20nm。富勒烯掺杂层的材料为质量比为10：1的PC61BM和V₂O₅的混合物，厚度为80nm。低功函数金属层的材料为Sr，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为250nm。

实施例4

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/TCTA/DCJTB/TAZ/WO₃：Au/PC71BM：V₂O₅/Yb/Au。制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为8nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为200nm。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层。依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层组成电子注入层。双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2.5：1的WO₃和Au的混合物，厚度为38nm。富勒烯掺杂层的材料为质量比为3：1的PC71BM和V₂O₅的混合物，厚度为55nm。低功函数金属层的材料为Yb，厚度为4nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为115nm。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子注入层包括依次层叠的双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层，所述双极性金属氧化物掺杂层与所述电子传输层直接接触；

所述双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物；

所述富勒烯掺杂层的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与所述双极性金属氧化物的混合物；

所述低功函数金属层的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述双极性金属氧化物为MoO₃、WO₃或V₂O₅，所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属为Ag、Al、Pt或Au，所述双极性金属氧化物掺杂层的厚度为20nm～40nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯及其衍生物为C60、C70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述富勒烯掺杂层的厚度为30nm～80nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功函数为-2eV～-3.5eV的金属为Mg、Sr、Ca或Yb，所述低功函数金属层的厚度为1nm～10nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。

10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；

在所述电子传输层上依次蒸镀形成双极性金属氧化物掺杂层、富勒烯掺杂层和低功函数金属层，所述双极性金属氧化物掺杂层、所述富勒烯掺杂层和所述低功函数金属层组成电子注入层，所述双极性金属氧化物掺杂层的材料为质量比为2～6：1的双极性金属氧化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属的混合物，所述富勒烯掺杂层的材料为质量比为2～10：1的富勒烯及其衍生物与所述双极性金属氧化物的混合物，所述低功函数金属层的材料为功函数为-2eV～-3.5eV的金属；以及

在所述低功函数金属层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。