CN110838554B - 有机电致发光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0096346号的优先权,通过引用将上述专利申请的公开内容作为整体结合在此。
技术领域
本公开内容涉及有机电致发光装置。
背景技术
有机电致发光装置是利用有机材料将电能转换为光能的自发光装置。通常,在有机电致发光装置中,有机材料层置于阳极和阴极之间。
当在阳极和阴极之间施加电压时,空穴从阳极注入到有机材料层,电子从阴极注入到有机材料层。当注入的空穴和电子彼此相遇时,会形成激子。当激子下降到基态时可发光。
为了提高有机电致发光装置的效率和稳定性,有机材料层可以具有由不同材料组成的多层结构。例如,有机材料层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
发明内容
本公开内容的一个目的在于提供一种具有改善的电光特性和寿命特性的有机电致发光装置。
本公开内容的目的不限于上述目的。以上未提及的本公开内容的其他目的和优点可以从以下描述中得以理解,并且从本公开内容的实施方式中更清楚地得以理解。此外,将容易理解的是,本公开内容的目的和优点可以通过权利要求中公开的特征及其组合来实现。
在本公开内容的第一方面,提供一种有机电致发光装置,其包括含有基质组合物和窄蓝色掺杂剂(NBD)的第一发光层。NBD是指在蓝色发光波长曲线中其半峰全宽(fullwidth half maximum,FWHM)比常规蓝色掺杂剂的半峰全宽更窄的蓝色掺杂剂。
在一实施方式中,基质组合物含有第一基质化合物和第二基质化合物。第一基质化合物的三线态能级高于NBD的三线态能级。第二基质化合物的三线态能级低于NBD的三线态能级。
在一实施方式中,第一基质化合物的三线态能级可以大于2.5eV,例如,可以在2.7eV至2.8eV的范围内。第二基质化合物的三线态能级可以低于2.4eV,例如,可以在1.8eV至1.9eV的范围内。
在一实施方式中,第一基质化合物的含量低于第二基质化合物的含量。
在一实施方式中,有机电致发光装置可满足等式I:
X+Y=24(等式I)
在等式1中,X表示第一基质化合物的质量与NBD的质量的比率。Y表示第二基质化合物的质量与NBD的质量的比率。Y是14至22的有理数。
例如,Y可以是16至21的有理数。
例如,X和Y之间的比率可以在1:9至4:6的范围内。
在一实例中,第一基质化合物可以是咔唑基化合物。
在一实例中,第二基质化合物是蒽基化合物。
在一实施方式中,NBD可包括至少一种由化学式D表示的化合物:
<化学式D>
在化学式D中,Ra、Rb、Rc、Rd和Re各自独立地表示选自由取代或未取代的C1至C12单价脂族链烃基、取代或未取代的C3至C20单价脂族环烃基、取代或未取代的C6至C60单价芳烃基、取代或未取代的C3至C60单价杂芳烃基、和取代或未取代的C6至C24芳基氨基组成的群组中的一种。在化学式D中,Ra、Rb、Rc、Rd和Re中的至少一个可以与相邻的6元芳环形成稠环。
在一实施方式中,有机电致发光装置包括阳极和阴极。第一发光层置于阳极和阴极之间。
在一实施方式中,第一发光层发出蓝光。有机电致发光装置还可包括第二发光层,其发出波长长于蓝光波长的光。
在这种情况下,有机电致发光装置还可以包括设置在第一发光层和第二发光层之间的电荷生成层。电荷生成层可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。p型电荷生成层可置于在n型电荷生成层和第二发光层之间。
其他实施发射的具体细节包含在详细描述和附图中。
本公开内容可以至少具有以下效果,但不限于此:
本公开内容可以提供具有改善的电光特性和寿命特性的有机电致发光装置。
将结合用于实施本公开内容的具体细节的说明来描述本公开内容的进一步具体效果以及如上所述的效果。
附图说明
图1是根据本公开内容的一个实施方式的有机电致发光显示装置的示意性截面图。
图2是根据本公开内容的一个实施方式的有机电致发光装置的有机材料层的带隙能量图的示意图。
图3是根据本公开内容的一个实施方式的具有多层发光结构的有机电致发光装置的示意图。
图4是图3的多层发光结构组成的有机电致发光装置中所使用的第一堆叠和第二堆叠的示意图。图(A)是第一堆叠的示意图,(B)是第二堆叠的示意图。
图5是示出电流密度和驱动电压之间的关系的曲线图。图5显示出根据实施例1的有机电致发光装置的驱动特性以及根据比较例1和比较例2的有机电致发光装置的驱动特性。
图6是驱动持续时间与L/L0之间的关系的曲线图。L/L0表示当前亮度(L)与初始亮度(L0)的比率。图6示出根据实施例1的有机电致发光装置的寿命特性以及根据比较例1和比较例2的有机电致发光装置的寿命特性。
图7是示出电流密度和驱动电压之间的关系的曲线图。图7示出根据实施例2至4的有机电致发光装置的驱动特性以及根据比较例1的有机电致发光装置的驱动特性。
图8是驱动持续时间与L/L0之间的关系的曲线图。L/L0表示当前亮度(L)与初始亮度(L0)的比率。图8示出根据实施例2至4的有机电致发光装置的寿命特性以及根据比较例1的有机电致发光装置的寿命特性。
图9是示出电流密度和驱动电压之间的关系的曲线图。图9示出根据实施例2、5和6的有机电致发光装置的驱动特性以及根据比较例1的有机电致发光装置的驱动特性。
图10是驱动持续时间与L/L0之间的关系的曲线图。L/L0表示当前亮度(L)与初始亮度(L0)的比率。图10显示出根据实施例2、5和6的有机电致发光装置的寿命特性以及根据比较例1的有机电致发光装置的寿命特性。
图11是示出电流密度和驱动电压之间的关系的曲线图。图11显示出根据实施例2和实施例7的有机电致发光装置的驱动特性以及根据比较例1和比较例3的有机电致发光装置的驱动特性。
图12是驱动持续时间与L/L0之间的关系的曲线图。L/L0表示当前亮度(L)与初始亮度(L0)的比率。图12示出根据实施例2和实施例7的有机电致发光装置的寿命特性以及根据比较例1和比较例3的有机电致发光装置的寿命特性。
图13是示出电流密度和驱动电压之间的关系的曲线图。图13示出根据实施例8的有机电致发光装置的驱动特性以及根据比较例4的有机电致发光装置的驱动特性。
图14是驱动持续时间与L/L0之间的关系的曲线图。L/L0表示当前亮度(L)与初始亮度(L0)的比率。图14示出根据实施例8的有机电致发光装置的寿命特性以及根据比较例4的有机电致发光装置的寿命特性。
具体实施方式
为了说明简单明了,附图中的元件不一定按比例绘制。不同图中的相同附图标记表示相同或相似的元件,因此执行类似的功能。此外,为了简化描述,省略了众所周知的步骤和元件的描述和细节。此外,在本公开内容的以下详细描述中,阐述了许多具体细节以便提供对本公开内容的透彻理解。然而,应理解,可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他情况下,没有详细地描述众所周知的方法、过程、组件和电路,以免不必要地模糊本公开内容的各方面。
以下进一步说明和描述各种实施方式的实例。应理解,本文的描述并非旨在将权利要求限制于所描述的具体实施方式。相反,旨在覆盖可包括在由所附权利要求限定的本公开内容的精神和范围内的替代、修改和等同物。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的,并非旨在限制本公开内容。如本文所用的,单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式,除非上下文另有明确说明。还应理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”指定所述特征、整数、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、操作、元素、组件和/或其中的一部分。如本文所用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何组合和所有组合。当在元素列表之前时,诸如“至少一个”的表达可以修改整个元素列表,和可以不修改列表的单个元素。
应理解,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元素、组件、区域、层和/或部分,但是这些元素、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。使用这些术语以将一个元素、组件、区域、层或部分与另一个元素、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下,下面描述的第一元素、组件、区域、层或部分可以被称为第二元素、组件、区域、层或部分。
此外,还应理解,当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时,第一元件可直接地设置在第二元件上或者可以以第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间而间接地设置在第二元件上。应理解,当元件或层被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件或层时,它可以直接地连接到或耦接到另一个元件或层上,或者可以存在一个或更多的中间元件或层。此外,还应理解,当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时,它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层,或者也可能存在一个或更多的中间元件或层。
除非另外定义,否则本文所用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解,诸如在常用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域的语境中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过于正式的含义,除非本文明确定义。
如本文所用,“Ca至Cb”烃基被定义为具有碳数为“a”或更大且“b”或更小的烃基或烃衍生物基。阶段“a到b”被定义为a或更大且b或更小。如本文所用,相“a和/或b”是指“a”或“b”或“a和b”。
如本文所用,在“取代的”或“未取代的”情形中,术语“取代的”是指烃类化合物或烃类衍生物的至少一个氢被烃基、烃衍生物基、卤素或氰基(-CN)等取代。术语“未取代的”是指指烃类化合物或烃类衍生物的至少一个氢没有被烃基、烃衍生物基、卤素或氰基(-CN)等取代。烃基或烃衍生物基的实例可包括C1至C6烷基、C2至C6烯基、C2至C6炔基、C6至C15芳基、C1至C6烷基氨基、C6至C15芳基氨基、C1至C6烷叉基、和类似物,但不限于此。
在下文中,将参照图1来描述根据本公开内容一实施方式的有机电致发光显示装置。图1示出有机电致发光显示装置1000的示意性横截面。
有机电致发光显示装置1000包含显示区域和在显示区域周围设置的非显示区域,在显示区域中像素以矩阵形式排列。显示区域是指从有机电致发光显示装置1000产生的图像或信息可以被观看者看到的区域。非显示区域是指从有机电致发光显示装置1000产生的图像或信息不能被观看者看到的区域,并且通常被称为边框区域。有机电致发光显示装置1000包括多个像素。图1示出设在有机电致发光显示装置1000中的多个像素中的一个像素。
有机电致发光显示装置1000可以包括电路基板,所述电路基板包括基于像素的有机电致发光装置100和薄膜晶体管Td。有机电致发光装置100电连接到薄膜晶体管Td并产生发光。在有机电致发光装置100中,每个像素包含阳极A、阴极C和有机材料层OG。有机材料层OG设置在阳极A和阴极C之间。当有机电致发光显示装置1000具有朝着阴极C呈现图像的前发光型结构时,阴极C可以以透光型电极来实施,而阳极A可以以反射电极来实施。当有机电致发光显示装置1000具有朝着阳极A呈现图像的后发光型结构时,阳极A可以以透光型电极来实施,而阴极C可以以反射电极来实施。
透光型电极可以由诸如ITO、IZO和ZnO之类的透光金属氧化物制成。例如,反射电极可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca之类的金属制成。
有机材料层OG可以包括空穴传输层(未示出)、发光层(未示出)和电子传输层ETL。空穴传输层(未示出)置于阳极A和发光层(未示出)之间。发光层(未示出)置于空穴传输层(未示出)和电子传输层ETL之间。电子传输层ETL置于发光层(未示出)和阴极C之间。有机材料层OG还可以包括空穴注入层(未示出)。就此而言,空穴注入层(未示出)可以置于阳极A和空穴传输层(未示出)之间。有机材料层OG还可包括电子注入层(未示出)。就此而言,电子注入层(未示出)可以置于电子传输层(未示出)和阴极C之间。
像素限定膜380用于限定像素。像素限定膜380可以设置在阳极A和阴极C之间且在薄膜晶体管Td的顶部上。可以部分地去除像素限定膜380以暴露阳极A的一部分。在像素限定膜380的暴露出阳极A一部分的被部分去除的区域中,有机材料层OG可以设置在其中。
有机电致发光显示装置1000还可以包括封装层390。封装层390可以设置在阴极C上以防止水或类似物从外部进入有机材料层OG。
电路基板可以包括设置在基板301上的驱动电路。具体地,驱动电路可以包括设置在基板301上的驱动薄膜晶体管Td。虽然未示出,但是可以将开关薄膜晶体管等设置在基板301上来构成电路基板。基板301可以实施为透明基板,透明基板通常可以实施为玻璃基板、透明聚合物树脂基板、或诸如此类。可选地,在基板301和驱动薄膜晶体管Td之间插入缓冲层(未示出),以改善基板301的平坦度。缓冲层(未示出)可以由诸如氧化硅之类的无机氧化物或诸如氮化硅之类的无机氮化物构成。
驱动薄膜晶体管Td设置在基板301上。驱动薄膜晶体管Td可以包括半导体层310、第一绝缘膜320、栅极330、第二绝缘膜340、源极352和漏极354。
半导体层310设置在基板301的第一区域上。例如,半导体层310可以由氧化物半导体材料或多晶硅制成。当半导体层310由多晶硅制成时,半导体层310可以包括有源层(未示出)和设置在有源层的两侧中的每一侧处的沟道区(未示出)。
第一绝缘膜320设置在栅极330和基板301之间。第一绝缘膜320的一部分设置在基板301的第一区域中的半导体层310上,而第一绝缘膜320的剩余部分设置在基板301的第二区域中的基板301上。基板301的第一区域和第二区域可以是单独的。如本文所用的,基板301的第一区域可以被定义为其中形成有半导体层310的区域。第一绝缘膜320可以由诸如氧化硅之类的无机氧化物或诸如氮化硅之类的无机氮化物制成。
栅极330设置在第一绝缘膜320上并且与基板301的第一区域中的半导体层310重叠。栅极330可以由诸如铝(Al)和铝合金之类的铝基金属、诸如银(Ag)和银合金之类的银基金属、诸如铜和铜合金之类的铜基金属、诸如钼(Mo)和钼合金之类的钼基金属、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、或诸如此类制成。
第二绝缘膜340设置在第一绝缘膜320和栅极330上。具体地,第二绝缘膜340的一部分设置在第一绝缘膜320上,而第二绝缘膜340的剩余部分设置在栅极330上。第二绝缘膜340可以由如在第一绝缘膜320中的诸如氧化硅之类的无机氧化物或诸如氮化硅之类的无机氮化物制成。
源极352和漏极354设置在第二绝缘膜340上。源极352和漏极354在第二绝缘膜340上彼此分开设置。源极352和漏极354分别通过在第一绝缘膜320中限定的接触孔342和在第二绝缘膜340中限定的接触孔344而连接到半导体层310。源极352和漏极354各自可以由诸如Al、Ag、Mg、Mo、Ti或W之类的金属制成。
有机电致发光显示装置1000还可以包括设置在电路基板和有机电致发光装置100之间的钝化层370。钝化层370可以具有在其中限定的接触孔372,以将阳极A和漏极354彼此连接。
有机电致发光显示装置1000还可以包括滤色器360。就此而言,滤色器360设置在第二绝缘膜340上以与有机材料层OG重叠。钝化层370可以插置在阳极A和滤色器360之间。
有机材料层OG可以包括发光层(未示出)。发光层(未示出)可以包括蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和白色发光层中的至少一个。图2显示出包括发出蓝光的第一发光层的有机材料层OG的带隙能量图的示意图。
参照图1和图2,有机材料层OG包括空穴传输层HTL、第一发光层B-EML和电子传输层ETL。第一发光层B-EML包含基质组合物和窄蓝色掺杂剂(NBD)。基质组合物包含第一基质化合物BH3和第二基质化合物BH1。
在图2中,ET HTL表示空穴传输层HTL的三线态能级。ET ETL表示电子传输层ETL的三线态能级。ET BH3表示第一基质化合物BH3的三线态能级。ET BH1是指第二基质化合物BH1的三线态能级。ET BD表示窄蓝色掺杂剂NBD的三线态能级。
此外,在图2中,ES BH3表示第一基质化合物BH3的单线态能级。ES BH1是指第二基质化合物BH1的单线态能级。ES BD表示窄蓝色掺杂剂NBD的单线态能级。
参照图2,第一基质化合物BH3的三线态能级ET BH3高于窄蓝色掺杂剂NBD的三线态能级ET BD。第二基质化合物BH1的三线态能级ET BH1低于第一基质化合物BH3的三线态能级ET BH3,且低于窄蓝色掺杂剂NBD的三线态能级ET BD。
例如,第一基质化合物BH3的三线态能级ET BH3可以大于2.5eV。第二基质化合物BH1的三线态能级ET BH1可以低于2.4eV。例如,第一基质化合物BH3的三线态能级ET BH3可以在2.7eV至2.8eV的范围内。第二基质化合物BH1的三线态能级ET BH1可以在1.8eV至1.9eV的范围内。
第一基质化合物BH3的实例可包括咔唑基化合物。
咔唑基化合物可包括至少一种由以下化学式C表示的化合物:
<化学式C>
在化学式C中,Rd、Re、Rf和Rg各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C3至C6环烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的C5至C9杂芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的三烷基硅基、和取代或未取代的三芳基硅基组成的群组中的一种。
在化学式C中,m和p各自独立地为1至4的整数。n和o各自独立地为1至3的整数。
在化学式C中,Rx和Ry各自独立地表示取代或未取代的C6至C50单价芳烃基。
咔唑基化合物可包括至少一种由化学式C-1表示的化合物:
<化学式C-1>
在化学式C-1中,Rd、Re、Rf和Rg各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C3至C6环烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的C5至C9杂芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的三烷基硅基、和取代或未取代的三芳基硅基组成的群组中的一种。
在化学式C-1中,m和p各自独立地为1至4的整数。n和o各自独立地为1至3的整数。
在化学式C-1中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、和取代或未取代的二苯并噻吩基组成的群组中的一种。
咔唑基化合物可包括以下化合物中的至少一种:
第二基质化合物BH1的实例可以包括蒽基化合物。
蒽基化合物可包括至少一种由化学式H表示的化合物:
<化学式H>
在化学式H中,Rw和Rz各自独立地表示*-L-Arn,其中*表示与蒽键合的位点。L表示取代或未取代的C6至C30二价芳烃基。Arn表示氢、或者取代或未取代的C6至C50单价芳烃基。
蒽基化合物可包括以下化合物中的至少一种:
窄蓝色掺杂剂NBD是指在蓝色发光波长曲线中其半峰全宽(FWHM)比常规蓝色掺杂剂的半峰全宽更窄的蓝色掺杂剂。窄蓝色掺杂剂NBD的分子结构设计可以限制分子内和/或分子间的相互作用以减小发光波长的半峰全宽(FWHM),导致高纯度蓝光发射。窄蓝色掺杂剂NBD可有助于改善有机电致发光装置的颜色和显色性。
窄蓝色掺杂剂(NBD)可包括至少一种由化学式D表示的化合物:
<化学式D>
在化学式D中,Ra、Rb、Rc、Rd和Re各自独立地表示选自由取代或未取代的C1至C12单价脂族链烃基、取代或未取代的C3至C20单价脂族环烃基、取代或未取代的C6至C60单价芳烃基、取代或未取代的C3至C60单价杂芳烃基、和取代或未取代的C6至C24芳基氨基组成的群组中的一种。在化学式D中,Ra、Rb、Rc、Rd和Re中的至少一个可与相邻的6元芳族环形成稠环。
窄蓝色掺杂剂NBD可包括以下化合物中的至少一种:
第一发光层B-EML中的大多数激子通过基质组合物中的空穴-电子结合而产生。第一发光层B-EML中的一些激子可以通过由化学式D表示的化合物中的空穴-电子结合而产生。由化学式D表示的每种化合物在单线态能量和三线态能量之间可具有小的差值。由化学式D表示的每种化合物的三线态能量可以通过RISC(反向系间窜越)转换成单线态能量以用于发光。由化学式D表示的每种化合物的三线态能量可被传递到基质组合物中相邻基质材料的三线态能量。
为了抑制由化学式D表示的每种化合物的三线态能量被转移到基质材料的三线态能量并且为了使TADF(热激活延迟荧光)特性最大化,第一发光层B-EML包含第一种基质化合物BH3。因为第一基质化合物BH3具有比由化学式D表示的化合物的三线态能级更高的三线态能级,所以第一基质化合物BH3可以抑制由化学式D表示的每种化合物的三线态能量被传递到基质材料的三线态能量的路径,以提高有机电致发光装置的发光效率。
由于其能级和分子结构的特性所致,由化学式D表示的每种化合物可以充当空穴捕获材料。注入第一发光层B-EML的空穴可以直接移动到由化学式D表示的化合物,而不是与电子结合,从而在基质组合物中形成激子。结果,由化学式D表示的化合物可能变得不稳定,因此有机电致发光装置的寿命可能降低。
咔唑基化合物具有高的三线态能量并具有高的空穴迁移率。咔唑基化合物的高空穴迁移率可以防止注入到第一发光层B-EML的空穴直接地移动到由化学式D表示的化合物,或者可以使空穴直接地移动到由化学式D表示的化合物最小化。换句话说,咔唑基化合物可以使注入到第一发光层B-EML的空穴选择性地迁移到基质组合物,因此可以使得在基质组合物中产生激子。
当第一基质化合物BH3包括咔唑基化合物时,可以增加有机场有机电致发光装置(图1中的1000)的寿命。这可能是因为空穴和电子对的形成不仅发生在空穴传输层HTL的外围区域中,而且完全发生在第一发光层B-EML中,因此激子的形成可完全发生在第一发光层B-EML中。
咔唑基化合物的高空穴迁移率可以促进电荷的注入和传输到有机电致发光装置(图1中的100)中。因此,当第一基质化合物BH3包括咔唑基化合物时,有机电致发光装置的驱动电压降低。
本发明人已经确认,有机电致发光装置的驱动电压、电流效率、外量子效率和寿命特性是根据第一基质化合物BH3、第二基质化合物BH1和窄蓝色掺杂剂NBD的组成比率而改变。
第一基质化合物BH3的含量低于第二基质化合物BH1的含量。当第一基质化合物BH3的含量高于第二基质化合物BH1的含量时,有机电致发光器件的电流效率、外量子效率和寿命特性显著低于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。
有机电致发光装置(图1中的100)可满足等式I:
X+Y=24 (等式I)
在等式I中,X是指第一基质化合物BH3的质量与窄蓝色掺杂剂NBD的质量的比率。在等式I中,Y是指第二基质化合物BH1的质量与NBD的质量的比率。例如,当NBD的质量值为1时,X可以是第一基质化合物BH3的质量值。此外,当NBD的质量值为1时,Y可以是第二基质化合物BH1的质量值。
Y具有比X更大的值。当X具有比Y更大的值时,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性显著低于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。
在等式I中,Y是14到22的有理数。当Y小于14时,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性显著低于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。当Y大于22时,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性类似于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。
例如,Y可以是16至21的有理数。当Y是16至21的有理数时,与第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成的情况相比,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性得到极大地改善。此外,当Y为16至21的有理数时,有机电致发光装置的驱动电压降低。
X和Y的比率(下文中称为X:Y)可以在1:9至4:6的范围内。当X:Y大于4:6时,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性显著低于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。
当X:Y小于1:9时,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性类似于当第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成时的情况。
例如,X:Y可以在2:8至3:7的范围内。当X:Y在2:8至3:7的范围内时,与第一发光层B-EML的基质材料仅由第二基质化合物BH1组成的情况相比,有机电致发光装置的电流效率、外量子效率和寿命特性得到极大地改善。此外,当X:Y在2:8至3:7的范围内时,有机电致发光装置的驱动电压降低。
第一发光层B-EML可以包含1重量%至5重量%的NBD。
有机电致发光装置可以实施为白色有机电致发光装置。就此而言,有机电致发光装置可以被设计为例如具有RGB直接堆叠结构、量子阱结构或多层发光结构。
RGB直接堆叠结构包含阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其中发光层具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层直接地垂直堆叠在一起的结构。量子阱结构包含阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其中发光层具有这样一种结构:红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和空穴阻挡层直接地垂直堆叠在一起,而空穴阻挡层插置于红色发光层和绿色发光层之间、以及插置于绿色发光层和蓝色发光层之间。
具有多层发光结构的有机电致发光装置包含阳极、n个堆叠、n-1个电荷生成层(CGL)、和阴极,其中n个堆叠中的每一个都包含空穴传输层、发光层和电子传输层,并且n-1个电荷生成层中的每一个都包含n型电荷生成层和p型电荷生成层。n个堆叠置于阳极和阴极之间。n-1个电荷生成层中的每一个置于n个堆叠的相邻堆叠之间。n个堆叠中的每一个还可以包含空穴注入层、电子注入层、以及诸如此类。n可以是2或更大的自然数。例如,n可以是2到4的自然数。
图3是示出了根据本公开内容的一个实施方式的有机电致发光装置100的示意图。图4分别示出了第一堆叠S1和第二堆叠S2的示意图。在图4中,(A)是第一堆叠S1的示意图,(B)是第二堆叠S2的示意图。
参照图3和图4,下面将描述具有多层发光结构的有机电致发光装置100。
参照图3,有机电致发光装置100包括阳极A、阴极C、堆叠S1、S2和S3,以及电荷生成层CGL1和CGL2。堆叠S1、S2和S3设置在阳极A和阴极C之间。每个电荷生成层CGL1和CGL2设置在堆叠S1、S2和S3中的相邻堆叠之间。具体地,第一电荷生成层CGL1设置在第一堆叠S1和第二堆叠S2之间,而第二电荷生成层CGL2设置在第二堆叠S2和第三堆叠S3之间。
如图4所示,第一堆叠S1包含空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一发光层B-EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。第二堆叠S2包含空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第二发光层R-EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。
空穴注入层HIL在空穴从阳极注入到发光层中起作用。在一个实例中,空穴注入层HIL可包含选自由HAT-CN、CuPu(铜酞菁)、PEDOT(聚3,4-乙撑二氧噻吩)、PEDOT:PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚(苯乙烯磺酸酯)(poly 3,4-ethylenedioxythiophene:poly(styrenesulfonate)))、PANI(聚苯胺)、和NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)组成的群组中的至少一种。
空穴传输层HTL可以用于促进空穴的传输。在一个实例中,空穴传输层HTL可包含选自由NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-双-3-(甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)组成的群组中的至少一种。
电子传输层ETL可以用于促进电子的传输。在一个实例中,电子传输层ETL可包含选自由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq组成的群组中的至少一种。
电子注入层EIL可以用于促进电子的注入。在一个实例中,电子注入层EIL可包含选自由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq组成的群组中的至少一种。
第一发光层B-EML可以实施为用于发出蓝光的蓝色发光层。第二发光层R-EML发出波长比蓝色波长更长的光。在一个实例中,第二发光层R-EML可以实施为红色发光层、绿色发光层和黄绿色发光层。
黄绿色发光层可包含具有优异的空穴传输特性的基质材料和具有优异的电子传输特性的基质材料的组合。通过组合具有不同特性的两种类型的基质材料来控制黄绿色发光层中的电子和空穴的数量之间的平衡可以改善有机电致发光装置100的寿命和效率特性。在黄绿色发光层中的电子和空穴的数量之间的不平衡可能导致特定极性电荷累积在每个功能层的界面处,这可能降低有机电致发光装置100的寿命和效率。具有优异的空穴传输特性的基质材料的实例是CBP,而具有优异的电子传输特性的基质材料的实例是BAlq。
参照图3和图4,第一堆叠S1和第二堆叠S2位于阳极A和阴极C之间。第一堆叠S1置于阳极A和第二堆叠S2之间。第一堆叠S1可以具有这样的结构:其中空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一发光层B-EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL按此顺序从阳极A到阴极C依次地堆叠。第二堆叠S2具有这样的结构:其中空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第二发光层R-EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL以此顺序从第一堆叠S1到阴极C依次地堆叠。
尽管图3和图4中并未示出第三堆叠S3的详细结构,但是第三堆叠S3可以像第二堆叠S2一样包含空穴注入层、空穴传输层、发光层(为了便于描述,称为第三发光层)以发出波长比蓝色波长更长的光、电子传输层和电子注入层。第三堆叠S3具有这样的结构:其中空穴注入层、空穴传输层、第三发光层、电子传输层和电子注入层以此顺序从第二堆叠S2到阴极C依次地堆叠。
再次参照图3,电荷生成层CGL1和CGL2各自可以包含n型电荷生成层n-CGL和p型电荷生成层p-CGL。电荷生成层CGL1和CGL2各自可以控制在堆叠S1、S2和S3中的相邻堆叠之间的电荷平衡。具体地,第一电荷生成层CGL1控制第一堆叠S1和第二堆叠S2之间的电荷平衡,而第二电荷生成层CGL2控制第二堆叠S2和第三堆叠S3之间的电荷平衡。
第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL有助于将电子注入到第一堆叠S1,而第一电荷生成层CGL1的p型电荷生成层p-CGL有助于将空穴注入到第二堆叠S2。第二电荷生成层CGL2的n型电荷生成层n-CGL有助于将电子注入到第二堆叠S2,而第二电荷生成层CGL2的p型电荷生成层p-CGL有助于将空穴注入到第三堆叠S3。
再次参照图3和图4,第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL可以设置在第一堆叠S1和第二堆叠S2之间,而第一电荷生成层CGL1的p型电荷生成层p-CGL可以设置在第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL和第二堆叠S2之间。第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL可以设置在第一发光层B-EML和第二发光层R-EML之间,而第一电荷生成层CGL1的p型电荷生成层p-CGL可以设置在在第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL和第二发光层R-EML之间。第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL可以设置在第一堆叠S1的电子传输层ETL和第二堆叠S2的空穴传输层HTL之间,而第一电荷生成层CGL1的p型电荷生成层p-CGL可以设置在第一电荷生成层CGL1的n型电荷生成层n-CGL和第二堆叠S2的空穴传输层HTL之间。
对于设置在第二堆叠S2和第三堆叠S3之间的第二电荷生成层CGL2,第二电荷生成层CGL2的n型电荷生成层n-CGL可以设置在第二堆叠S2的电子传输层ETL和第三堆叠S3的空穴传输层之间,而第二电荷生成层CGL2的p型电荷生成层p-CGL可以设置在第二电荷生成层CGL2的n型电荷生成层n-CGL和第三堆叠S3的空穴传输层之间。
通过用碱金属或碱土金属掺杂电子传输材料来形成n型电荷生成层n-CGL。电子传输材料可具有包括杂环的稠合芳环。碱金属或碱土金属的实例可包括锂(Li)、钠(Na)、镁(Mg)、钙(Ca)、铯(Cs)、以及诸如此类。p型电荷生成层p-CGL包含空穴传输材料。
在下文中,将描述显示出第一发光层有助于有机电致发光装置的性能改进的对比实验结果。基于根据各实施例制备的有机电致发光装置和根据各比较例制备的有机电致发光装置进行如下的对比实验。
实施例1
在约5×10-6至7×10-6托的真空下,通过从加热的舟皿蒸发,将空穴注入层、空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层和阴极以下列(a)至(f)的顺序沉积到ITO基板上,从而形成有机电致发光装置(ITO/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极)。然后,将该装置从沉积室转移到干燥箱,随后使用UV固化的环氧树脂和吸湿剂进行封装。
ITO基板在使用之前用UV臭氧洗涤,然后装载到蒸发系统中。此后,将ITO基板转移到真空沉积室中,在其中进行以下(a)至(f)以将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极以此顺序沉积在ITO基板上。
<HAT-CN>
<HTL>
第二基质化合物、第一基质化合物和掺杂剂之间的质量比(BH1:BH3:NBD)为19.2:4.8:1。
<BH1>
<BH3>
<NBD>
实施例2
以与实施例1相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于使用BH4代替实施例1中所用的BH3:
<BH4>
实施例3
以与实施例1相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于使用BH5代替实施例1中所用的BH3:
<BH5>
实施例4
以与实施例1相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于使用BH6代替实施例1中所用的BH3:
<BH6>
实施例5
以与实施例2相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH4:NBD)为21.6:2.4:1。
实施例6
以与实施例2相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH4:NBD)为16.8:7.2:1。
实施例7
以与实施例2相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH4:NBD)为14.4:9.6:1。
比较例1
以与实施例1相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH3:NBD)为24:0:1。
比较例2
以与实施例1相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于使用BH2代替实施例1中所用的BH3,不同之处还在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH2:NBD)为19.2:4.8:1。
<BH2>
比较例3
以与实施例2相同的方式制造有机电致发光装置,不同之处在于第二基质化合物、第一基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH4:NBD)为9.6:14.4:1。
表1总结了本实施例和比较例中所用的HTL、ETL、NBD、BH1、BH2、BH3、BH4、BH5、和BH6的HOMO、LUMO和三线态能量T1。
[表1]
HOMO(eV) | LUMO(eV.) | T<sub>1</sub>(eV) | |
HTL | -5.79 | -2.57 | 2.82 |
ETL | -6.21 | -2.73 | 2.67 |
NBD | -5.38 | -2.75 | 2.47 |
BH1 | -6.00 | -2.99 | 1.85 |
BH2 | -5.90 | -2.95 | 1.75 |
BH3 | -5.61 | -2.28 | 2.71 |
BH4 | -5.61 | -2.28 | 2.71 |
BH5 | -5.61 | -2.28 | 2.71 |
BH6 | -5.61 | -2.28 | 2.71 |
试验例1-基于第一基质化合物、第二基质化合物和窄蓝色掺杂剂的组合评价电光
特性
使用比较例1至2的有机电致发光装置和实施例1至4的有机电致发光装置基于第一基质化合物、第二基质化合物和窄蓝色掺杂剂的组合来测量电光特性。将测量结果总结在下表2中。图5至图8显示了示出装置的驱动特性和寿命特性的曲线图。
[表2]
比较例1涉及一种包括由第二基质化合物BH1和窄蓝色掺杂剂NBD组成的蓝色发光层的有机电致发光装置。比较例2涉及一种包括由第二基质化合物BH1、另外的第二基质化合物BH2和窄蓝色掺杂剂NBD组成的蓝色发光层有机电致发光装置。第二基质化合物BH1和另外的第二基质化合物BH2都是蒽基化合物。
各实施例涉及有机电致发光装置,每个有机电致发光装置均包括含有第一基质化合物BH3、BH4、BH5或BH6、第二基质化合物BH1和窄蓝色掺杂剂NBD的蓝色发光层。
表2显示,实施例相较于比较例表现出降低的驱动电压,并且相较于比较例表现出改善的电流效率、外量子效率和寿命。
参照图5,在相同的电流密度下,基于实施例1的有机电致发光装置示出比根据比较例1和比较例2的有机电致发光装置更低的驱动电压。参照图6,与根据比较例1和比较例2的有机电致发光装置相比,根据实施例1的有机电致发光装置显示出寿命的改善。参照图7,在相同的电流密度下,根据实施例2至4的有机电致发光装置显示出比根据比较例1的有机电致发光装置更低的驱动电压。参照图8,与根据比较例1的有机电致发光装置相比,根据实施例2至4的有机电致发光装置显示出改善的寿命。
试验例2-基于第一基质化合物和第二基质化合物之间的组成比评价电光特性
使用比较例1和比较例3的有机电致发光装置和实施例2、5至7的有机电致发光装置基于第一基质化合物和第二基质化合物的组成比观察电光特性变化。表3总结了测量结果。图9至图12显示了示出装置的驱动特性和寿命特性的曲线图。
[表3]
参照表3,实施例2、5和6相较于比较例1和比较例3显示出驱动电压的降低,并且相较于比较例1和比较例3具有改善的电流效率、量子发光效率和寿命。实施例2的第一基质化合物BH4和第二基质化合物BH1的质量比为19.2:4.8。实施例5的第一基质化合物BH4和第二基质化合物BH1的质量比为21.6:2.4。实施例6的第一基质化合物BH4和第二基质化合物BH1的质量比为16.8:7.2。
实施例7的第一基质化合物BH4和第二基质化合物BH1的质量比为14.4:9.6。实施例7相较于比较例1显示出驱动电压的降低,并且具有与比较例1类似的电流效率和量子发光效率,并且相较于比较例1具有略微降低的寿命。比较例1涉及一种包括仅由第二基质化合物BH1和窄蓝色掺杂剂NBD组成的蓝色发光层的有机物电致发光装置。
在比较例3中,第一基质化合物BH4和第二基质化合物BH1的质量比为9.6:14.4,并且第一基质化合物BH4的含量高于第二基质化合物BH1的含量。与实施例相比,比较例3显示出降低的驱动电压,但与实施例相比,比较例3显示出降低的电流效率、外量子效率和寿命特性。
图9示出,在相同电流密度下,根据实施例2、5和6的有机电致发光装置以比根据比较例1的有机电致发光装置更低的驱动电压来驱动。图10示出,与根据比较例1的有机电致发光装置相比,根据实施例2、5和6的有机电致发光装置具有改善的寿命。
图11示出,在相同电流密度下,根据比较例3的有机电致发光装置以比根据实施例7的有机电致发光装置更低的驱动电压来驱动。图12示出,根据比较例3的有机电致发光装置的寿命短于根据实施例7的有机电致发光装置的寿命。
实施例8
以与实施例1相同的方式,将空穴注入层、第一空穴传输层、第一蓝色发光层、第一电子传输层、第一n型电荷生成层、第一p型电荷生成层、第二空穴传输层、黄绿色发光层、第二电子传输层、第二n型电荷生成层、第二p型电荷生成层、第三空穴传输层、第二蓝色发光层、第三电子传输层、电子注入层和阴极以下列(a)至(p)的顺序沉积到ITO基板上,从而制作具有多层发光结构的白色有机电致发光装置
<HAT-CN>
<HTL>
(c)第一蓝色发光层(厚度至):第一蓝色发光层使用第一基质化合物BH3和第二基质化合物BH1。向其中掺杂4%的窄蓝色掺杂剂NBD。第二基质化合物、第一基质化合物和掺杂剂之间的质量比(BH1:BH3:NBD)为19.2:4.8:1。
<BH1>
<BH3>
<NBD>
<ETL>
<BPhen:Li>
<HAT-CN>
<HTL>
<CBP>
<BAlq>
<Ir(btp)2(acac)>
<TPBi>
<BPhen:Li>
<HAT-CN>
<HTL>
(m)第二蓝色发光层(厚度至):第二蓝色发光层使用第一基质化合物BH3和第二基质化合物BH1。向其中掺杂4%的窄蓝色掺杂剂NBD。第二基质化合物、第一基质化合物和掺杂剂之间的质量比(BH1:BH3:NBD)为19.2:4.8:1。
<BH1>
<BH3>
<NBD>
<TPBi>
比较例4
以与实施例8相同的方式制造具有多层发光结构的白色有机电致发光装置,不同之处在于使用BH2代替在实施例8的第一蓝色发光层和第二蓝色发光层中各自所用的BH3,不同之处还在于在比较例4中,第二基质化合物、另外的第二基质化合物和窄蓝色掺杂剂之间的质量比(BH1:BH2:NBD)为19.2:4.8:1。
<BH2>
试验例3-评价三层白光装置的电光特性
使用根据实施例8和比较例4的三层白色有机电致发光装置基于第一基质化合物、第二基质化合物和窄蓝色掺杂剂的组合来测量电光特性。表4总结了测量结果。图13和图14显示了示出装置的驱动特性和寿命特性的曲线图。
[表4]
虽然已经参照附图和实施方式已经描述了本公开内容,但是应理解,本公开内容不限于这些实施方式,而是可以以各种形式来实施。本公开内容所属领域的普通技术人员可以理解的是,在不脱离本公开内容的精神或基本特征的情况下,本公开内容可以以其他特定形式来实施。因此,应理解,如上所述的实施方式在所有方面都是说明性的而非限制性的。
Claims (20)
1.一种有机电致发光装置,包括:
阳极;
阴极;和
第一发光层,所述第一发光层设置在所述阳极和所述阴极之间并且配置为用于发射蓝光,
其中所述第一发光层包括基质组合物和蓝色掺杂剂,
其中所述蓝色掺杂剂包括选自由化学式D表示的化合物,
其中所述第一基质化合物的三线态能级高于所述蓝色掺杂剂的三线态能级,且所述第二基质化合物的三线态能级低于所述蓝色掺杂剂的三线态能级:
<化学式D>
其中,Ra、Rb、Rc、Rd和Re各自独立地表示选自由取代或未取代的C1至C12单价脂族链烃基、取代或未取代的C3至C20单价脂族环烃基、取代或未取代的C6至C60单价芳烃基、取代或未取代的C3至C60单价杂芳烃基、和取代或未取代的C6至C24芳基氨基组成的群组中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中Ra、Rb、Rc、Rd和Re中的至少一个与相邻的6元芳族环形成稠环。
4.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述第一基质化合物的含量低于所述第二基质化合物的含量。
5.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述有机电致发光装置满足等式I:
X+Y=24 (等式I)
其中,X表示所述第一基质化合物的质量与所述蓝色掺杂剂的质量的比率,Y表示所述第二基质化合物的质量与所述蓝色掺杂剂的质量的比率,且Y是14至22的有理数。
6.如权利要求5所述的有机电致发光装置,其中Y是16至21的有理数。
7.如权利要求5所述的有机电致发光装置,其中X和Y之间的比率在1:9至4:6的范围内。
8.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述第一基质化合物的三线态能级在2.7eV至2.8eV的范围内,且所述第二基质化合物的三线态能级在1.8eV至1.9eV的范围内。
9.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述第一基质化合物是咔唑基化合物。
11.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述第二基质化合物是蒽基化合物。
13.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其中所述第一基质化合物是咔唑基化合物,且所述第二基质化合物是蒽基化合物。
14.如权利要求13所述的有机电致发光装置,其中所述咔唑基化合物是由化学式C表示的化合物,且所述蒽基化合物是由化学式H表示的化合物:
<化学式C>
其中在化学式C中,Rd、Re、Rf和Rg各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C3至C6环烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的C5至C9杂芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的三烷基硅基、和取代或未取代的三芳基硅基组成的群组中的一种,
m和p各自独立地为1至4的整数,
n和o各自独立地为1至3的整数,且
Rx和Ry各自独立地表示取代或未取代的C6至C50单价芳烃基;并且
<化学式H>
其中在化学式H中,Rw和Rz各自独立地表示*-L-Arn,其中*表示与蒽键合的位点,
L表示取代或未取代的C6至C30二价芳烃基,且
Arn表示氢、或者取代或未取代的C6至C50单价芳烃基。
15.如权利要求14所述的有机电致发光装置,其中所述由化学式C表示的咔唑基化合物是由化学式C-1表示的化合物:
<化学式C-1>
其中,Rd、Re、Rf和Rg各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C3至C6环烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的C5至C9杂芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的三烷基硅基、和取代或未取代的三芳基硅基组成的群组中的一种,
m和p各自独立地为1至4的整数,
n和o各自独立地为1至3的整数,
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C6烷基、取代或未取代的C6至C15芳基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、和取代或未取代的二苯并噻吩基组成的群组中的一种。
18.如权利要求13所述的有机电致发光装置,其中所述有机电致发光装置满足等式I:
X+Y=24 (等式I)
其中,X表示所述第一基质化合物的质量与所述蓝色掺杂剂的质量的比率,Y表示所述第二基质化合物的质量与所述蓝色掺杂剂的质量的比率,且Y是14至22的有理数。
19.如权利要求18所述的有机电致发光装置,其中Y为16至21的有理数。
20.如权利要求1所述的有机电致发光装置,还包括:
第二发光层,所述第二发光层用于发出波长长于蓝光波长的光;和
电荷生成层,所述电荷生成层包括n型电荷生成层和p型电荷生成层,其中所述电荷生成层设置在所述第一发光层和所述第二发光层之间,且所述p型电荷生成层设置在所述n型电荷生成层和所述第二发光层之间。
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