CN116546833B - 有机发光显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光显示面板及显示装置，有机发光显示面板包括阳极、阴极、堆叠设置于阳极和阴极之间的多个量子阱单元、以及电荷生成层；每一量子阱单元包括发光层和设置于发光层两侧的壁垒层；电荷生成层设置于多个量子阱单元中的其中两个相邻的量子阱单元之间，用于向位于电荷生成层一侧的至少部分量子阱单元的发光层注入电子以及向位于电荷生成层另一侧的至少部分量子阱单元的发光层注入空穴，阳极和阴极中的空穴和电子无需传输到每一个量子阱单元的发光层中，使得空穴和电子的陷获传输难度降低，器件的驱动电流降低，有利于维持载流子平衡，提升了器件效率、延长有机发光显示面板的寿命。

Description

有机发光显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及显示装置。
背景技术
对于有机发光显示面板中的量子点发光二极管，空穴和电子分别从阳极与阴极注入传输，经过空穴传输层和电子传输层后到达发光层进行复合发光。相关技术通过设置层叠设置的多个量子阱单元将空穴和电子完全限制在发光层中，但量子阱单元数量的增加使得器件传输势垒增加，空穴和电子被逐步陷获传输变得越来越困难，导致载流子平衡被打破，降低了器件效率。
因此，亟需提供一种有机发光显示面板及显示装置，来解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板及显示装置，以解决现有的有机发光显示面板及显示装置中，量子阱单元数量的增加导致载流子平衡被打破的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种有机发光显示面板，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
多个量子阱单元，堆叠设置于所述阳极和所述阴极之间，每一所述量子阱单元包括发光层和设置于所述发光层两侧的壁垒层；以及
电荷生成层，设置于所述多个量子阱单元中的其中两个相邻的所述量子阱单元之间，用于向位于所述电荷生成层一侧的至少部分所述量子阱单元的所述发光层注入电子，以及向位于所述电荷生成层另一侧的至少部分所述量子阱单元的所述发光层注入空穴。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述多个量子阱单元中的紧邻所述电荷生成层且靠近所述阳极的所述量子阱单元的所述壁垒层包括第一电子传输层，所述多个量子阱单元的紧邻所述电荷生成层且靠近所述阴极的所述量子阱单元中的所述壁垒层包括第一空穴传输层。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述电荷生成层包括层叠设置的n型电荷生成层和p型电荷生成层；
所述n型电荷生成层设置于所述第一电子传输层和所述p型电荷生成层之间，所述p型电荷生成层设置于所述n型电荷生成层和所述第一空穴传输层之间。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述壁垒层中的主体材料的三线态能级与所述发光层中的主体材料的三线态能级之间的能级差大于0.2eV；且，
所述壁垒层中的主体材料的单线态能级与所述发光层中的主体材料的单线态能级之间的能级差大于0.2eV。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述壁垒层中的主体材料的最高占据分子轨道能级与所述发光层中的主体材料的最高占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV；且，
所述壁垒层中的主体材料的最低占据分子轨道能级与所述发光层中的主体材料的最低占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述壁垒层中的主体材料的三线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层中的主体材料的三线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV；
所述壁垒层中的主体材料的单线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层中的主体材料的单线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述多个量子阱单元包括偶数个所述量子阱单元，位于所述电荷生成层靠近所述阳极的一侧的所述量子阱单元的数量等于位于所述电荷生成层靠近所述阴极的一侧的所述量子阱单元的数量。
根据本发明提供的有机发光显示面板，还包括：
第二空穴传输层，设置于所述阳极靠近所述阴极的一侧；
所述多个量子阱单元中的与所述阳极紧邻设置的所述量子阱单元中的所述壁垒层包括第三空穴传输层，所述多个量子阱单元中的与所述阴极紧邻设置的所述量子阱单元中的所述壁垒层包括第二电子传输层。
根据本发明提供的有机发光显示面板，所述壁垒层的厚度大于或等于2纳米，且小于或等于20纳米。
本发明提供一种显示装置，包括上述有机发光显示面板。
本发明的有益效果为：本发明提供的有机发光显示面板及显示装置，有机发光显示面板包括阳极、阴极和堆叠设置于阳极和所述之间的多个量子阱单元，每一量子阱单元包括发光层和设置于发光层两侧的壁垒层。本发明通过在多个量子阱单元中的其中两个相邻的量子阱单元之间设置电荷生成层，电荷生成层在外加电场的作用下分离出电子和空穴，用于向位于电荷生成层一侧的至少部分量子阱单元的发光层注入电子以及向位于电荷生成层另一侧的至少部分量子阱单元的发光层注入空穴。基于此，阳极和阴极中的空穴和电子无需传输到每一个量子阱单元的发光层中，使得空穴和电子的陷获传输难度降低，器件的驱动电流降低，有利于维持载流子平衡，提升了器件效率、延长了有机发光显示面板的寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的第一种有机发光显示面板的截面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的第二种有机发光显示面板的截面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的电荷生成层的截面结构示意图；
图4是图2中的有机发光显示面板包括6个量子阱单元时的截面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的第三种有机发光显示面板的截面结构示意图；
图6是图5中的有机发光显示面板包括6个量子阱单元时的截面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的第四种有机发光显示面板的截面结构示意图；
图8是图7中的有机发光显示面板包括6个量子阱单元时的第一种截面结构示意图；
图9是图7中的有机发光显示面板包括6个量子阱单元时的第二种截面结构示意图。
附图标记说明：
10、阳极；20、量子阱单元；21、发光层；22、壁垒层；30、阴极；40、电荷生成层；41、n型电荷生成层；42、p型电荷生成层；51、第一空穴传输层；52、第二空穴传输层；53、第三空穴传输层；61、第一电子传输层；62、第二电子传输层；63、第三电子传输层；S1、第一量子阱单元；S2、第二量子阱单元；S3、第三量子阱单元；S4、第四量子阱单元；S5、第五量子阱单元；S6、第六量子阱单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，包括阳极10、阴极30和电荷生成层40。所述阴极30与所述阳极10相对设置，所述多个量子阱单元20堆叠设置于所述阳极10和所述阴极30之间，每一所述量子阱单元20包括发光层21和设置于所述发光层21两侧的壁垒层22。所述壁垒层22用来限制载流子（电子或空穴）在量子阱单元20中运动的区域和能量范围。所述电荷生成层40设置于所述多个量子阱单元20中的其中两个相邻的所述量子阱单元20之间，用于向位于所述电荷生成层40一侧的至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21分别注入电子和空穴，以及向位于所述电荷生成层40另一侧的至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21注入空穴。
需要说明的是，现将本发明实施例中的所述有机发光显示面板的显示发光机理阐述如下：
向所述阳极10施加正电极，向所述阴极30施加负电压，在外加电场的作用下，载流子（包括空穴和电子）从所述阴极30和所述阳极10注入，具体地，空穴从所述阳极10注入并传输至部分所述量子阱单元20的所述发光层21中，电子从所述阴极30注入并传输至部分所述量子阱单元20的所述发光层21中，空穴和电子在所述发光层21内复合形成激子。此外，向所述电荷生成层40施加电压，在外加电场的作用下，电荷生成层40分离出空穴和电子，并将空穴和电子从所述电荷生成层40注入至位于所述电荷生成层40两侧的至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21中，空穴和电子彼此相遇时，在此发光层21内复合形成激子。上述形成的激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给对应所述发光层21的有机发光材料，有机发光材料产生光子，从而实现所述有机发光显示面板显示发光。
本发明实施例采用增设所述电荷生成层40的设计，所述电荷生成层40用于分别注入空穴和电子至至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21。基于此种设计，所述阳极10和所述阴极30注入的空穴和电子无需传输到每一个量子阱单元20的发光层21中，使得空穴和电子的陷获传输难度降低，器件的驱动电流降低，有利于维持所述发光层21中的载流子平衡，提升了器件效率和所述有机发光显示面板的寿命。
在本发明实施例中，所述有机发光显示面板可以为顶发射型显示面板或者底发射型显示面板。当所述有机发光显示面板为顶发射型显示面板时，所述阳极10为反射电极，所述阴极30为透明电极。当所述有机发光显示面板为底发射型显示面板时，所述阳极10为透明电极，所述阴极30为反射电极。可选地，反射电极可以包括金属，金属可以是铝、金或者银等。透明电极可以由诸如ITO、IZO和ZnO之类的透光金属氧化物制成，反射电极可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca之类的金属制成。
在本发明实施例中，所述发光层21的材料包括有机发光材料，所述发光层21可以包括蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和白色发光层中的至少一种。所述发光层21包括主体化合物和掺杂剂材料，相比于使用常规主体材料组合或单一组分主体材料，使用上述特定材料的组合能够明显改善有机电致发光器件综合性能，例如光谱、电压、发光效率和寿命。可选地，在本发明实施例中，所述主体化合物可以包括咔唑基化合物，所述掺杂剂材料可以包括金属配合物、有机配合物或者染料，例如荧光染料、磷光材料等加入不同的掺杂剂可以实现不同色彩的光发射。
在本发明实施例中，相邻两个所述量子阱单元20共用一层所述壁垒层22，即相邻两个所述量子阱单元20的所述发光层21之间设置有一层所述壁垒层22，有利于节省制程。当然地，在其他实施例中，相邻两个所述量子阱单元20也可不共用一层所述壁垒层22。
为了避免载流子不平衡，在本发明实施例中，所述壁垒层22的材料为中性材料，可选地，所述壁垒层22的材料包括mCP（甲基环戊烯醇酮）材料、CBP（4,4-二(9-咔唑)联苯）材料。
需要说明的是，所述壁垒层22的厚度太薄则起不到限制电子、空穴、激子在发光层21当中的作用，所述壁垒层22的厚度太厚则会极大降低向下一层所述量子阱单元20传输电子和空穴的能力，因此，在本发明实施例中，所述量子阱单元20中的所述壁垒层22的厚度大于或等于2纳米，且小于或等于20纳米。
在本发明实施例中，每一所述量子阱单元20的所述壁垒层22的厚度相同，不同的所述量子阱单元20的所述壁垒层22的厚度也相同。每一所述量子阱单元20的所述发光层21的厚度相同，不同的所述量子阱单元20的所述发光层21的厚度也相同。当然地，在其他实施例中，上述厚度也可设计为不相同。
本发明实施例中的所述多个量子阱单元20堆叠形成叠层结构，可以有效地将所述发光层21中的激子均衡分散在不同区域，即使部分载流子未被其中一个所述量子阱单元20所限制，过剩的载流子亦会被下一层的所述量子阱单元20捕获限制，从而能够实现复合发光，有利于提高器件发光效率。此外，所述量子阱单元20包括设置于所述发光层21两侧的所述壁垒层22，第一方面，所述壁垒层22能够防止能量从发光层21扩散到相邻层引起能量损失，从而保证能量的充分利用；第二方面，所述壁垒层22能够将载流子有效地限制在所述发光层21中，使得所述发光层21能够充分利用注入的载流子，有利于提升激子利用率，防止因为单一载流子过剩、激子浓度过大等引起的器件老化与衰减；第三方面，所述壁垒层22能够避免漏电流产生，有利于改善所述有机发光显示面板的寿命。
在本发明实施例中，请参阅图2，图2与图1的不同之处在于，所述多个量子阱单元20中的紧邻所述电荷生成层40且靠近所述阳极10的所述量子阱单元20包括第一电子传输层61，所述多个量子阱单元20中的紧邻所述电荷生成层40且靠近所述阴极30的所述量子阱单元20包括第一空穴传输层51。
可以理解的是，所述第一空穴传输层51用于传输所述电荷生成层40产生的空穴，所述第一电子传输层61用于传输所述电荷生成层40产生的电子，以保证所述电荷生成层40产生的空穴和电子可以分别快速通过所述第一空穴传输层51和所述第一电子传输层61进行传输，避免空穴和电子在所述电荷生成层40处进行复合形成激子，有利于提升器件发光效率。
此外，在本发明实施例中，所述第一空穴传输层51和所述第一电子传输层61起到所述壁垒层22的作用，因此，所述第一空穴传输层51可以作为所述多个量子阱单元20中的紧邻所述电荷生成层40且靠近所述阳极10的所述量子阱单元20的所述壁垒层22，所述第一电子传输层61可以作为所述多个量子阱单元20中的紧邻所述电荷生成层40且靠近所述阴极30的所述量子阱单元20的所述壁垒层22。其中，所述第一空穴传输层51和所述第一电子传输层61用于避免对应的所述量子阱单元20的所述发光层21中的激子传输至所述电荷生成层40，导致所述电荷生成层40处的空穴和电子发生淬灭，有利于提高所述电荷生成层40的稳定性。
在本发明实施例中，所述第一空穴传输层51应选用具有较高的空穴迁移率的材料，所述第一电子传输层61应选用具有较高的电子迁移率的材料。
请参阅图3，在本发明实施例中，所述电荷生成层40包括层叠设置的n型电荷生成层41和p型电荷生成层42。其中，所述n型电荷生成层41设置于所述第一电子传输层61和所述p型电荷生成层42之间，所述p型电荷生成层42设置于所述n型电荷生成层41和所述第一空穴传输层51之间。可以理解的是，所述电荷生成层40可比拟为将所述n型电荷生成层41和所述p型电荷生成层42两个单层器件叠加在一起的叠层结构，在相同亮度下，两个单层器件各占一半亮度的发光，因此，驱动电流可降低为原来的约一半，从而能够有效降低器件的驱动电流，实现器件发光效率翻倍提升，极大地延长了器件的寿命。
需要说明的是，所述n型电荷生成层41是偏电子传输的N型掺杂材料，所述p型电荷生成层42是偏空穴传输的P型掺杂材料。所述n型电荷生成层41和所述p型电荷生成层42共同构成会形成PN结产生偶极子，在电场作用下PN结分离出P型传输空穴、N型传输电子，P型传输空穴向靠近所述阴极30的一侧传输，N型传输电子向靠近所述阳极10的一侧传输。
在本发明实施例中，所述电荷生成层40的材料可以采用电荷生成能力强的材料体系，可选地，所述p型电荷生成层42的材料包括NPB（N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺）:MoO3（三氧化钼）、m-MTDATA（4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺）:HAT-CN（11-六氰基-1）、TCTA（4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺）:WO3（三氧化钨）中的其中一种或多种的组合。所述n型电荷生成层41的材料包括Bepp2（二(2-羟基苯基吡啶)合铍）:Yb（镱）、PO-T2T（2,4,6-三[3-(二苯基膦基)苯基]-1,3,5-三嗪）:LiBphen:Yb（镱）、Bphen（邻二氮菲）:CsCO3（碳酸铯）。
需要说明的是，基于所述电荷生成层40的设置，本发明实施例可以设置较多数量的所述量子阱单元20进行器件效率的改善，在实际操作中，可通过仿真模拟实验来确定所述量子阱单元20的最佳数量。具体地，根据器件电流效率和驱动电压来确定所述量子阱单元20的最佳数量。发明人进行的仿真模拟结果表明，所述量子阱单元20的最佳数量与器件电流效率之间存在一类似抛物线的关系曲线，所述量子阱单元20的最佳数量对应器件电流效率处于最优值，且驱动电压无显著增高时的情况，一般地，驱动电压增高幅值设定为不超过2.5V。
为保证两个发光单元的发光效果一致，在本发明实施例中，将所述量子阱单元20的最佳数量设置为偶数，也就是说，所述多个量子阱单元20包括偶数个所述量子阱单元20，其中，位于所述电荷生成层40靠近所述阳极10的一侧的所述量子阱单元20的数量等于位于所述电荷生成层40靠近所述阴极30的一侧的所述量子阱单元20的数量，如此能够保证从所述电荷生成层40注入至其两侧的载流子的数目一致。
可选地，所述量子阱的数目可以为2，4，6，8等，具体应根据实际情况进行选择。
例如，请参阅图4，图4中的所述量子阱单元20的数目为6，即所述有机发光显示面板包括6个所述量子阱单元20，6个所述量子阱单元20为设置于所述阳极10和所述阴极30之间的第一量子阱单元S1，第二量子阱单元S2，第三量子阱单元S3，第四量子阱单元S4，第五量子阱单元S5，和第六量子阱单元S6。所述电荷生成层40设置于所述第三量子阱单元S3和所述第四量子阱单元S4之间。所述第一空穴传输层51可以作为所述第三量子阱单元S3的所述壁垒层22，所述第一电子传输层61为所述第四量子阱单元S4的所述壁垒层22。
进一步地，所述有机发光显示面板在进行电致发光时会产生两种激子，一种为三线态激子，另一种为单线态激子。其中，单线态激子处于单线态，三线态激子处于三线态。由于所述量子阱单元20的势垒主要来自于所述壁垒层22较高的能级，壁垒较高则会导致器件驱动电压增高，空穴和电子的传输也会随着壁垒的增加被逐步陷获传输变得越来越困难，最终随着量子阱数量超过最佳个数时，电子与空穴平衡被打破。为了保证把电子和空穴限制在所述发光层21中，在本发明实施例中，所述壁垒层22中的主体材料的三线态能级与所述发光层21中的主体材料的三线态能级之间的能级差大于0.2eV；且，所述壁垒层22中的主体材料的单线态能级与所述发光层21中的主体材料的单线态能级之间的能级差大于0.2eV。
也就是说，所述壁垒层22中的主体材料的三线态能级大于所述发光层21中的主体材料的三线态能级，且将两者的能级差控制在一个合适的范围内，使得所述壁垒层22能够将电子和空穴限制在所述发光层21中。进一步地，所述壁垒层22中的主体材料的单线态能级大于所述发光层21中的主体材料的单线态能级，且将两者的能级差控制在一个合适的范围内，使得所述壁垒层22能够将电子和空穴限制在所述发光层21中，减少能量损失，可以提高有器件发光效率。
具体地，所述壁垒层22中的主体材料的三线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层21中的主体材料的三线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV；所述壁垒层22中的主体材料的单线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层21中的主体材料的单线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV。
进一步地，所述壁垒层22中的主体材料的最高占据分子轨道能级（HOMO）与所述发光层21中的主体材料的最高占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV；且，所述壁垒层22中的主体材料的最低占据分子轨道能级（LUMO）与所述发光层21中的主体材料的最低占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV，以进一步保证将电子和空穴限制在所述发光层21中，减少能量损失，有利于提高有器件发光效率。
基于上述描述，在本发明实施例中，所述壁垒层22相对所述发光层21具有更高的单线态能级、三线态能级、LUMO能级、以及HOMO能级，能够保证将电子和空穴限制在所述发光层21中，减少能量损失，有利于提高有器件发光效率。
当然地，所述有机发光显示面板还包括空穴注入层(未示出)和电子注入层(未示出)。所述空穴注入层设置于所述阳极10和多个所述量子阱单元20之间，用于促进空穴的注入。所述电子注入层设置于所述阳极10和多个所述量子阱单元20之间，用于促进电子的注入。如图3所示，所述空穴注入层设置于所述阳极10和所述第一量子阱单元S1之间，所述电子注入层设置于所述阴极30和所述第六量子阱单元S6之间。
所述有机发光显示面板还包括基板和设置于所述基板上的驱动电路层，所述驱动电路层用于驱动显示器件发光，所述驱动电路层位于所述基板和所述阳极10之间，所述驱动电路层包括主动矩阵驱动电路或者被动矩阵驱动电路。另外，所述有机发光显示面板还包括像素定义层和封装层等未图示的其他功能结构。
进一步地，请参阅图5，图5与图2的不同之处在于，所述有机发光显示面板包括第二空穴传输层52，所述第二空穴传输层52设置于所述阳极10靠近所述阴极30的一侧。所述多个量子阱单元20中的与所述阳极10紧邻设置的所述量子阱单元20的所述壁垒层22包括第三空穴传输层53，所述多个量子阱单元20中的与所述阴极30紧邻设置的所述量子阱单元20的所述壁垒层22包括第二电子传输层62。
所述第二空穴传输层52起到传输所述阳极10注入的空穴的作用，所述第二电子传输层62起到传输所述阴极30注入的电子的作用。所述第三空穴传输层53可以起到所述壁垒层22的作用，用于限制激子在所述发光层21中，阻挡激子进行能量传递，减少能量损失，从而提高有机发光器件的发光效率；同时，所述第三空穴传输层53具有较高的LUMO能级以及传输空穴特性，可阻止电子通过所述第三空穴传输层53进行传输。所述第二电子传输层62具有较高的LUMO能级以及传输电子特性，可阻止空穴通过所述第二电子传输层62进行传输。
如图6所示，所述第三空穴传输层53可以作为所述第一量子阱单元S1的壁垒层22，所述第二电子传输层62可以作为所述第六量子阱单元S6的壁垒层22。所述空穴注入层（图中未示出）设置于所述阳极10和所述第二空穴传输层52之间，所述电子注入层（图中未示出）设置于所述阴极30和所述第二电子传输层62之间。
进一步地，请参阅图7，图6与图2的不同之处在于，所述有机发光显示面板还可包括第三电子传输层63，所述第三电子传输层63与所述第二电子传输层62层叠设置，具体地，所述第三电子传输层63设置于所述第二电子传输层62远离所述阴极30的一侧，或者所述第三电子传输层63设置于所述第二电子传输层62与所述阴极30之间。同所述第二空穴传输层52和所述第三空穴传输层53层叠设置形成的双层结构相似，所述第三电子传输层63与所述第二电子传输层62层叠设置形成一双层结构，能够挡激子向功能层进行能量传递，同时阻挡空穴向所述第二电子传输层62或所述第三电子传输层63进行传输。
请参阅图8,当所述第三电子传输层63设置于所述第二电子传输层62远离所述阴极30的一侧时，所述第三电子传输层63作为所述第六量子阱单元S6的壁垒层22；请参阅图9，当所述第三电子传输层63设置于所述第二电子传输层62与所述阴极30之间时，所述第二电子传输层62可以作为所述第六量子阱单元S6的壁垒层22。
本发明实施例还提供一种有机发光显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S1：形成阳极10；
S2：在所述阳极10一侧形成多个量子阱单元20；
S3：在所述量子阱单元20上形成电荷生成层40；
S4：在所述电荷生成层40上形成多个所述量子阱单元20；以及
S5：在所述量子阱单元20上形成阴极30。
其中，所述电荷生成层40形成所述多个量子阱单元20中的其中两个相邻的所述量子阱单元20之间，用于向位于所述电荷生成层40一侧的至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21注入电子，以及向位于所述电荷生成层40另一侧的至少部分所述量子阱单元20的所述发光层21注入空穴。
具体地，S1还包括以下步骤：
S10：提供一基板；
S20：在所述基板上形成驱动电路层；以及
S30：在所述驱动电路层上形成所述阳极10。
本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括处理器和上述实施例中的有机发光显示面板，所述处理器可以包括驱动所述有机发光显示面板发光的驱动芯片等。所述显示装置可以为手机、平板电脑、电子阅读器、电子展示屏、笔记本电脑、手机、增强现实(augmented reality，AR)\虚拟现实(virtual reality，VR)设备、媒体播放器、可穿戴设备、数码相机、车载导航仪等。
有益效果为：本发明提供的有机发光显示面板及显示装置，有机发光显示面板包括阳极、阴极和堆叠设置于阳极和所述之间的多个量子阱单元，每一量子阱单元包括发光层和设置于发光层两侧的壁垒层。本发明通过在多个量子阱单元中的其中两个相邻的量子阱单元之间设置电荷生成层，电荷生成层在外加电场的作用下分离出电子和空穴，分离出的电子注入至位于电荷生成层一侧的至少部分量子阱单元的发光层中，分离出的空穴注入至位于电荷生成层另一侧的至少部分量子阱单元的发光层中，空穴和电子在发光层中复合发光。基于此，阳极和阴极中的空穴和电子无需传输到每一个量子阱单元的发光层中，使得空穴和电子的陷获传输难度降低，器件的驱动电流降低，有利于维持载流子平衡，提升了器件效率和寿命。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：
阳极；
阴极，与所述阳极相对设置；
多个量子阱单元，堆叠设置于所述阳极和所述阴极之间，每一所述量子阱单元包括发光层和设置于所述发光层两侧的壁垒层；以及
电荷生成层，设置于所述多个量子阱单元中的其中两个相邻的所述量子阱单元之间，所述阳极和所述阴极之间仅设置有一个所述电荷生成层，所述电荷生成层靠近所述阳极的一侧和所述电荷生成层靠近所述阴极的一侧分别设置有多个量子阱单元，且位于所述电荷生成层靠近所述阳极的一侧的所述量子阱单元的数量等于位于所述电荷生成层靠近所述阴极的一侧的所述量子阱单元的数量，所述电荷生成层用于向位于所述电荷生成层一侧的多个所述量子阱单元的所述发光层注入电子，以及向位于所述电荷生成层另一侧的多个所述量子阱单元的所述发光层注入空穴；
其中，与所述阳极紧邻设置的量子阱单元中的发光层，和所述阳极之间设置有两个相互接触的空穴传输层；
其中，与所述阴极紧邻设置的量子阱单元中的发光层，和所述阴极之间设置有两个相互接触的电子传输层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述多个量子阱单元中的紧邻所述电荷生成层且靠近所述阳极的所述量子阱单元的所述壁垒层包括第一电子传输层，所述多个量子阱单元的紧邻所述电荷生成层且靠近所述阴极的所述量子阱单元中的所述壁垒层包括第一空穴传输层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述电荷生成层包括层叠设置的n型电荷生成层和p型电荷生成层；
所述n型电荷生成层设置于所述第一电子传输层和所述p型电荷生成层之间，所述p型电荷生成层设置于所述n型电荷生成层和所述第一空穴传输层之间。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述壁垒层中的主体材料的三线态能级与所述发光层中的主体材料的三线态能级之间的能级差大于0.2eV；且，
所述壁垒层中的主体材料的单线态能级与所述发光层中的主体材料的单线态能级之间的能级差大于0.2eV。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述壁垒层中的主体材料的最高占据分子轨道能级与所述发光层中的主体材料的最高占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV；且，
所述壁垒层中的主体材料的最低占据分子轨道能级与所述发光层中的主体材料的最低占据分子轨道能级之间的能级差大于0.2eV。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述壁垒层中的主体材料的三线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层中的主体材料的三线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV；
所述壁垒层中的主体材料的单线态能级范围为2.5eV-6.0eV，所述发光层中的主体材料的单线态能级之间的能级范围为2.0eV-5.0eV。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述壁垒层的厚度大于或等于2纳米，且小于或等于20纳米。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的有机发光显示面板。
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