CN112186117B - 一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法，该交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层；量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜。本发明通过引入介电层，有效阻挡并储存来自电极的载流子，随着交流电压的频率变换对注入器件的电荷进行调控，使器件能够在交流电压驱动下正常工作，而无需增加交‑直流转换装置；通过在量子点发光层中引入有机绝缘聚合物，钝化量子点表面的缺陷，使载流子传输密度得到显著提升，电子和空穴的复合更为充分，从而使发光二极管的发光性能显著提高。

Description

一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，特别是一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(简称QDs)是指尺寸在三个维度上均属于纳米级的固体材料。可通过改变它的尺寸大小和组成元素来控制其发射光谱。因此，改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光覆盖整个可见光区。并且量子点具有发光效率高，稳定性好等优点，在显示领域受到研究者的广泛关注。
量子点发光二极管（简称QLED）是一种以QDs作为发光层的电致发光二极管器件，其具有亮度高，带隙可控，耗能低等一系列的优点而被人们密切关注。一般QLED的器件结构从下至上为阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层。随着人们研究的不断深入，量子点发光二极管的性能有了巨大的提升。所报道的量子点发光二极管的外部量子效率早已接近理论最大值。寿命也超过100000小时。
由上述可知，目前的大多数量子点发光二极管有极为明显的正负极，为典型的直流电驱动型器件，而实际生产生活中的电源为交流电，因此在使用过程中需要额外增加交-直流转换装置，会造成一定程度的能源损耗并且会增加系统集成的复杂程度。另一方面，量子点为无机纳米型材料，其表面及内部存在着不同深度能级的缺陷，这些缺陷会捕获空穴和电子，增加了非辐射复合的机率，影响载流子的传输速率和复合效率，将会严重降低量子点发光二极管的发光效率。
因此，现有技术存在着明显不足，需要提出一种新的技术手段用于解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法，用于解决现有技术中量子点发光二极管一般为直流电驱动型器件，并且无机型量子点表面缺陷态使量子点发光二极管发光性能降低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的第一解决方案为：一种交流驱动型量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层；量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜，量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成。
优选的，量子点溶液中的量子点为II-Ⅵ族化合物构成的核壳结构材料，具体包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的任意一种化合物；量子点溶液中的量子点为III-V族化合物或IV-VI族化合物构成的核壳结构材料，具体包括PbS/ZnS、PbSe/ZnS中的任意一种化合物。
优选的，有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物包括甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种。
优选的，量子点发光层中的量子点和有机绝缘聚合物质量之和占量子点发光层总质量的0.1%~10%，量子点发光层的厚度为1~200nm。
优选的，量子点溶液中的溶剂包括正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种，有机绝缘聚合物溶液中的溶剂包括丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。
为解决上述技术问题，本发明提供的第二解决方案为：一种交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，该制备方法用于制备前述第一解决方案中的交流驱动型量子点发光二极管，其步骤包括：于阳极基板上沉积介电层；于介电层上依次沉积空穴注入层和空穴传输层；制备量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液，混合后涂布于空穴传输层上形成量子点发光层；于量子点发光层上依次沉积电子传输层和金属阴极层，得到交流驱动型量子点发光二极管。
其中，于阳极基板上沉积介电层的步骤前还包括阳极基板预处理步骤，阳极基板预处理步骤具体包括：将阳极基板依次经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗后干燥，并于沉积介电层之前进行紫外-臭氧处理。
优选的，介电层的介电常数为0.1~500，其厚度为0.1~500nm；介电层包括聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种。
优选的，量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；量子点溶液中的溶剂为正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种；有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物为甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种；有机绝缘聚合物溶液中的溶剂为丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。
优选的，空穴注入层包括PEDOT:PSS薄膜、MoO3薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；空穴传输层包括PVK薄膜、TFB薄膜、Poly-TPD薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；电子传输层为ZnO纳米颗粒薄膜或掺镁ZnO纳米颗粒薄膜，其厚度为1~200nm；金属阴极层为低功函数金属材料，包括Al、Ag、Mg、Ca中的任意一种或多种，其厚度为1~500nm。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法，通过引入介电层，有效阻挡并储存来自电极的载流子，随着交流电压的频率变换对注入器件的电荷进行调控，使器件能够在交流电压驱动下正常工作，而无需增加交-直流转换装置；通过在量子点发光层中引入有机绝缘聚合物，钝化量子点表面的缺陷，使载流子传输密度得到显著提升，电子和空穴的复合更为充分，从而使发光二极管的发光性能显著提高。
附图说明
图1是本发明中交流驱动型量子点发光二极管一实施方式的结构示意图；
图2是本发明中交流驱动型量子点发光二极管制备方法一实施方式的工艺流程图；
图3是本发明中实施例1与对比例1关于不同电压下电流密度和亮度的对比图；
图4是本发明中实施例1与对比例1关于电流效率的对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
对于本发明提出的第一解决方案，请参阅图1，图1是本发明中交流驱动型量子点发光二极管一实施方式的结构示意图。本发明中交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板1、介电层2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和金属阴极层7；其中，量子点发光层5是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜，量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物包括甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种，由于在量子点发光层5中引入上述有机绝缘聚合物，利用有机绝缘聚合物使量子点的表面缺陷钝化，提高了载流子传输密度，促进了电子与空穴的复合，从而使发光二极管的发光性能显著提高。
量子点因其粒径小，一般粒径为1-20nm，从而具有独特优越的光学、电子和表面可修饰性等性质，并由于量子点较大的比表面积，使其表面存在着大量的表面态，进而影响量子点的荧光性质。本发明通过包覆有机或者无机壳层可以有效地改善量子点的荧光性质，提高量子效率，增强光电效应，提高其生物相容性，降低其生物毒性。本实施方式中，当量子点溶液中的量子点为II-Ⅵ族化合物构成的核壳结构材料，具体优选为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的任意一种化合物；当量子点溶液中的量子点为III-V族化合物或IV-VI族化合物构成的核壳结构材料，具体优选为PbS/ZnS、PbSe/ZnS中的任意一种化合物；对于其他实施方式来说，可以根据实际需求，选择其他II-Ⅵ族化合物或III-V族化合物或IV-VI族化合物，同时核壳结构也可选择设置为两层以上的核壳结构，在此不做限定。
本实施方式中，量子点发光层中的量子点和有机绝缘聚合物质量之和占量子点发光层总质量的0.1%~10%，量子点发光层的厚度为1~200nm。此外，量子点溶液中的溶剂包括正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种，有机绝缘聚合物溶液中的溶剂包括丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。
对于本发明提出的第二解决方案，请参阅图2，是本发明中交流驱动型量子点发光二极管制备方法一实施方式的工艺流程图。本发明中交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，该制备方法用于制备前述第一解决方案中的交流驱动型量子点发光二极管，其步骤包括：
S1：阳极基板预处理。本步骤中，阳极基板优选为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃、ITO-PET或FTO-PET其中的一种或者多种，将阳极基板依次经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗后干燥备用，并于沉积介电层之前进行紫外-臭氧处理。
S2：于阳极基板上沉积介电层。本步骤中，介电层所采用的材料优选为聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种，其介电常数优选为0.1~500，主要利用了聚偏氟乙烯及其共聚物较高的介电常数，实现对来自电极的载流子进行储存，从而解决了增加交-直流转换装置的问题；将介电层材料均匀涂布在阳极基板上形成薄膜，退火后得到介电层，该介电层的厚度优选为0.1~500nm。
S3：于介电层上依次沉积空穴注入层和空穴传输层。本步骤中，空穴注入层所采用的材料优选为PEDOT:PSS薄膜、MoO3薄膜中的任意一种，将其均匀涂布在介电层上形成薄膜，退火后得到空穴注入层，该空穴注入层的厚度优选为0.1~200nm；空穴传输层所采用的材料包括PVK薄膜、TFB薄膜、Poly-TPD薄膜中的任意一种，将其均匀涂布在介电层上形成薄膜，退火后得到空穴注入层，该空穴传输层的厚度优选为0.1~200nm。
S4：制备量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液，混合后涂布于空穴传输层上形成量子点发光层。本步骤中，先分别制备量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液，量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；量子点溶液中的溶剂为正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种；有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物为甲基丙烯酸甲酯（简称PMMA）、聚乙烯砒咯烷酮（简称PVP）、聚氧化乙烯（简称PEO）中的任意一种或多种；有机绝缘聚合物溶液中的溶剂为丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。然后将量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液混合均匀后，均匀涂布在空穴注入层上形成薄膜，退火后得到量子点发光层；该量子点发光层中的量子点和有机绝缘聚合物质量之和占量子点发光层总质量的0.1%~10%，量子点发光层的厚度为1~200nm。
S5：于量子点发光层上依次沉积电子传输层和金属阴极层，得到交流驱动型量子点发光二极管。本步骤中，电子传输层所采用的材料为ZnO纳米颗粒薄膜或掺镁ZnO纳米颗粒薄膜，采用无水乙醇作为溶剂，与纳米颗粒混合后均匀涂布在量子点发光层上形成薄膜，退火后得到电子传输层，该电子传输层的厚度优选为1~200nm；金属阴极层采用的材料为低功函数金属材料，包括Al、Ag、Mg、Ca中的任意一种或多种，采用蒸镀的方式在电子传输层上沉积金属阴极层，该金属阴极层厚度为1~500nm。
下面通过具体实施例对上述交流驱动型量子点发光二极管的性能进行表征。
实施例1
本实施例方式中制备交流驱动型量子点发光二极管的具体步骤如下：
（1）选取ITO基板作为阳极基板，将ITO基板经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗，烘干后置于洁净环境待用，并且在沉积空穴注入层前进行紫外-臭氧处理。
（2）在进行紫外-臭氧处理后，立即使用匀胶机将PEDOT:PSS（PEDOT是3，4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐）以5000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行150℃的温度退火10分钟，形成空穴注入层。
（3）以TFB（TFB为1,2,4,5-四（三氟甲基）苯）为溶质，以氯苯为溶剂，混合得到10mg/mL的TFB溶液，然后使用匀胶机以3000 rpm的转速旋涂30s成膜，再以120℃的温度退火10分钟，形成空穴传输层。
（4）在本实例中使用的核壳结构为CdSe/CdS/ZnS的量子点，并以正辛烷为溶剂，混合配制30mg/ml的量子点溶液；以PMMA为有机绝缘聚合物，并以氯仿为溶剂，混合配制4mg/ml的PMMA溶液；将量子点溶液与PMMA溶液混合，使量子点和有机绝缘聚合物质量之和占混合溶液总质量的1%，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成量子点发光层。
（5）将ZnMgO纳米颗粒与无水乙醇混合，得到20mg/ml的混合溶液，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成电子传输层。
（6）以Al作为阴极材料，采用热蒸发成膜的方式在真空度为10-4~10-6Pa的蒸镀腔室中蒸镀，先以1Å/s的速度蒸镀30nm，再以2Å/s的速度蒸镀40nm。器件有效面积为0.045cm2，形成金属阴极材料，完成交流驱动型量子点发光二极管的制备。
实施例2
本实施例方式中制备交流驱动型量子点发光二极管的具体步骤如下：
（1）选取ITO基板作为阳极基板，将ITO基板经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗，烘干后置于洁净环境待用，并且在沉积空穴注入层前进行紫外-臭氧处理。
（2）以P(VDF-TrFE-CFE)为溶质，二甲基甲酰胺为溶剂，混合得到浓度为100mg/mL的混合溶液，使用匀胶机以1500 rpm的转速旋涂30s成膜，再以100℃的温度退火30分钟，形成介电层。
（3）将PEDOT:PSS以5000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行150℃的温度退火10分钟，形成空穴注入层。
（4）以TFB为溶质，以氯苯为溶剂，混合得到10mg/mL的TFB溶液，然后使用匀胶机以3000 rpm的转速旋涂30s成膜，再以120℃的温度退火10分钟，形成空穴传输层。
（5）在本实例中使用的核壳结构为CdSe/CdS/ZnS的量子点，并以正辛烷为溶剂，混合配制30mg/ml的量子点溶液；以PMMA为有机绝缘聚合物，并以氯仿为溶剂，混合配制4mg/ml的PMMA溶液；将量子点溶液与PMMA溶液混合，使量子点和有机绝缘聚合物质量之和占混合溶液总质量的1%，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成量子点发光层。
（6）将ZnMgO纳米颗粒与无水乙醇混合，得到20mg/ml的混合溶液，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成电子传输层。
（7）以Al作为阴极材料，采用热蒸发成膜的方式在真空度为10-4~10-6Pa的蒸镀腔室中蒸镀，先以1Å/s的速度蒸镀30nm，再以2Å/s的速度蒸镀40nm。器件有效面积为0.045cm2，形成金属阴极材料，完成交流驱动型量子点发光二极管的制备。
实施例3
本实施例方式中制备交流驱动型量子点发光二极管的具体步骤如下：
（1）选取ITO基板作为阳极基板，将ITO基板经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗，烘干后置于洁净环境待用，并且在沉积空穴注入层前进行紫外-臭氧处理。
（2）以P(VDF-TrFE-CFE)为溶质，二甲基甲酰胺为溶剂，混合得到浓度为100mg/mL的混合溶液，使用匀胶机以1500 rpm的转速旋涂30s成膜，再以100℃的温度退火30分钟，形成介电层。
（3）将PEDOT:PSS以5000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行150℃的温度退火10分钟，形成空穴注入层。
（4）以TFB为溶质，以氯苯为溶剂，混合得到10mg/mL的TFB溶液，然后使用匀胶机以5000 rpm的转速旋涂30s成膜，再以120℃的温度退火10分钟，形成空穴传输层。
（5）在本实例中使用的核壳结构为CdSe/CdS/ZnS的量子点，并以正辛烷为溶剂，混合配制30mg/ml的量子点溶液；以PVP为有机绝缘聚合物，并以氯仿为溶剂，混合配制6mg/ml的PVP溶液；将量子点溶液与PVP溶液混合，使量子点和有机绝缘聚合物质量之和占混合溶液总质量的1.5%，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成量子点发光层。
（6）将ZnMgO纳米颗粒与无水乙醇混合，得到20mg/ml的混合溶液，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成电子传输层。
（7）以Al作为阴极材料，采用热蒸发成膜的方式在真空度为10-4~10-6Pa的蒸镀腔室中蒸镀，先以1Å/s的速度蒸镀30nm，再以2Å/s的速度蒸镀40nm。器件有效面积为0.045cm2，形成金属阴极材料，完成交流驱动型量子点发光二极管的制备。
实施例4
本实施例方式中制备交流驱动型量子点发光二极管的具体步骤如下：
（1）选取ITO基板作为阳极基板，将ITO基板经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗，烘干后置于洁净环境待用，并且在沉积空穴注入层前进行紫外-臭氧处理。
（2）以P(VDF-TrFE-CFE)为溶质，二甲基甲酰胺为溶剂，混合得到浓度为100mg/mL的混合溶液，使用匀胶机以1500 rpm的转速旋涂30s成膜，再以100℃的温度退火30分钟，形成介电层。
（3）将PEDOT:PSS以5000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行150℃的温度退火10分钟，形成空穴注入层。
（4）以TFB为溶质，以氯苯为溶剂，混合得到10mg/mL的TFB溶液，然后使用匀胶机以3000 rpm的转速旋涂30s成膜，再以120℃的温度退火10分钟，形成空穴传输层。
（5）在本实例中使用的核壳结构为CdSe/CdS/ZnS的量子点，并以正辛烷为溶剂，混合配制30mg/ml的量子点溶液；以PEO为有机绝缘聚合物，并以氯仿为溶剂，混合配制4mg/ml的PEO溶液；将量子点溶液与PEO溶液混合，使量子点和有机绝缘聚合物质量之和占混合溶液总质量的1%，使用匀胶机以2500 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成量子点发光层。
（6）将ZnMgO纳米颗粒与无水乙醇混合，得到20mg/ml的混合溶液，使用匀胶机以2000 rpm的转速旋涂30s成膜，再进行100℃的温度退火10分钟，形成电子传输层。
（7）以Al作为阴极材料，采用热蒸发成膜的方式在真空度为10-4~10-6Pa的蒸镀腔室中蒸镀，先以1Å/s的速度蒸镀30nm，再以2Å/s的速度蒸镀40nm。器件有效面积为0.045cm2，形成金属阴极材料，完成交流驱动型量子点发光二极管的制备。
对比例1
本对比例基于实施例1的制备过程，仅在步骤（4）制备过程中仅采用相同的量子点溶液制备量子点发光层，而不引入有机绝缘聚合物溶液，其他步骤保持一致。
将实施例1与对比例1进行发光性能测试，具体测试结果如图3~4所示，其中图3是本发明中实施例1与对比例1关于不同电压下电流密度和亮度的对比图，图4是本发明中实施例1与对比例1关于电流效率的对比图。可以看出，对比例1中未掺入有机绝缘聚合物的量子点发光二极管的最高亮度为27621 cd/m2，最大的电流密度为306 mA/cm2，最大的电流效率可以达到11.94cd/A，点亮电压为2.58V；而实施例1中掺入有机绝缘聚合物的发光二极管的最高亮度可以达到164690cd/m2，最大的电流密度可以达到1226mA/cm2，最大的电流效率可以达到26.26cd/A，点亮电压为2.01V。显然实施例1中掺入有机绝缘聚合物的量子点发光二极管各项发光性能均要优于对比例1中未掺入有机绝缘聚合物的量子点发光二极管，即证明掺入有机绝缘聚合物的量子点发光二极管能够显著提升发光二极管的发光性能。
区别于现有技术的情况，本发明提供了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法，通过引入介电层，有效阻挡并储存来自电极的载流子，随着交流电压的频率变换对注入器件的电荷进行调控，使器件能够在交流电压驱动下正常工作，而无需增加交-直流转换装置；通过在量子点发光层中引入有机绝缘聚合物，钝化量子点表面的缺陷，使载流子传输密度得到显著提升，电子和空穴的复合更为充分，从而使发光二极管的发光性能显著提高。
需要说明的是，以上各实施例均属于同一发明构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层；
所述量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜，所述量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，所述核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；
所述有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物包括甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种。
2.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点为II-Ⅵ族化合物构成的核壳结构材料，具体包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的任意一种化合物；
所述量子点溶液中的量子点为III-V族化合物或IV-VI族化合物构成的核壳结构材料，具体包括PbS/ZnS、PbSe/ZnS中的任意一种化合物。
3.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述介电层包括聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种。
4.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点和有机绝缘聚合物质量之和占所述量子点发光层总质量的0.1%~10%，所述量子点发光层的厚度为1~200nm。
5.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点溶液中的溶剂包括正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种，所述有机绝缘聚合物溶液中的溶剂包括丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。
6.一种如权利要求1~5中任一所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，其步骤包括：
于阳极基板上沉积介电层；
于所述介电层上依次沉积空穴注入层和空穴传输层；
制备量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液，混合后涂布于所述空穴传输层上形成量子点发光层；
于所述量子点发光层上依次沉积电子传输层和金属阴极层，得到交流驱动型量子点发光二极管。
7.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述于阳极基板上沉积介电层的步骤前还包括阳极基板预处理步骤，所述阳极基板预处理步骤具体包括：将所述阳极基板依次经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗后干燥，并于沉积所述介电层之前进行紫外-臭氧处理。
8.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述介电层的介电常数为0.1~500，其厚度为0.1~500nm；
所述介电层包括聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种。
9.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，所述核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；
所述量子点溶液中的溶剂为正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种；
所述有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物为甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种；
所述有机绝缘聚合物溶液中的溶剂为丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。
10.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层包括PEDOT:PSS薄膜、MoO3薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；
所述空穴传输层包括PVK薄膜、TFB薄膜、Poly-TPD薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；
所述电子传输层为ZnO纳米颗粒薄膜或掺镁ZnO纳米颗粒薄膜，其厚度为1~200nm；
所述金属阴极层为低功函数金属材料，包括Al、Ag、Mg、Ca中的任意一种或多种，其厚度为1~500nm。
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