CN113881430A - ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 - Google Patents

ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113881430A
CN113881430A CN202111148896.4A CN202111148896A CN113881430A CN 113881430 A CN113881430 A CN 113881430A CN 202111148896 A CN202111148896 A CN 202111148896A CN 113881430 A CN113881430 A CN 113881430A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dots
pbbr
cspbbr
solution
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111148896.4A
Other languages
English (en)
Inventor
张宇
孙思琦
陆敏
白雪
于伟泳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin University
Original Assignee
Jilin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jilin University filed Critical Jilin University
Priority to CN202111148896.4A priority Critical patent/CN113881430A/zh
Publication of CN113881430A publication Critical patent/CN113881430A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664Halogenides
    • C09K11/665Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明适用于化学领域,提供了一种不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,包括以下步骤:制备Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点:首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,先在真空下加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,先在真空下加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;最后,将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点。

Description

ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的 方法
技术领域
本发明属于化学领域,尤其涉及ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法。
背景技术
全无机卤化铅钙钛矿由于其优异的光电特性,近年来已成为高效光电和光伏器件的热门研究课题。其中零维钙钛矿Cs4PbBr6因其高光致发光量子产率(PLQY)和长期稳定性而受到了极大的关注。
目前有许多研究致力于将不发光的Cs4PbBr6转化为发光的CsPbBr3,主要采用加入过量PbBr2,配体辅助和水诱导等方法。然而,大部分的方法通常存在一些问题,一是转化后的CsPbBr3的PLQY较低,二是会在转化过程中额外引入有毒的Pb2+离子,这会对环境产生的不利影响,大大阻碍了它们的实际应用。另一方面,关于Cs4PbBr6的应用的研究仍然滞后,特别是它们在电致发光LED中的应用。
为避免上述技术问题,确有必要提供一种ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法以克服现有技术中的所述缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,旨在解决传统的将不发光的零维Cs4PbBr6钙钛矿量子点转化为发光的三维CsPbBr3钙钛矿量子点的方法通常存在转化后的CsPbBr3钙钛矿量子点PLQY较低,额外引入有毒的Pb2+离子等问题。
本发明是这样实现的,ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,包括以下步骤:
1)首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
2)其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;
3)最后,将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液(Baytron PVP Al 4083)通过滤头进行旋涂,之后进行退火处理;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的PTAA,之后再进行退火处理,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
进一步的技术方案,在步骤1)中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
进一步的技术方案,在步骤1)和步骤2)中,通入的惰性气体为氮气。
进一步的技术方案,在步骤2)中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1,溴化锌与溴化铅的摩尔比为0~0.75:1。
进一步的技术方案,在步骤3)中,所述离心转速为5000~10000r/min。
进一步的技术方案,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的转速为以4000r/min,PTAA的转速为以2000r/min,量子点的转速为以1000r/min。
进一步的技术方案,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的退火处理具体为在140℃的温度下退火15分钟,PTAA的退火处理具体为在120℃的温度下退火15分钟。
相较于现有技术,本发明的有益效果如下:
本发明提供的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,此方法操作简单,耗时少,耗能低;
本发明方法所制备的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的样品形貌尺寸均一,半峰宽窄,发光色纯度高,量子效率高,导电性高;
本发明利用Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光LED具有高色纯度,实现了9.8cd/A的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于CsPbBr3/Cs4PbBr6的电致发光LED中的最佳性能。
附图说明
图1为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的吸收光谱和光致发光光谱;
图2为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的XRD图谱;
图3为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的透射电镜图像(a-d)以及高分辨透射电子显微镜图像(e-i);
图4为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的时间分辨光致发光光谱图;
图5为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点制备的薄膜的电流-电压曲线;
图6为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的结构图;
图7为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的光致发光光谱和电致发光光谱;
图8为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的亮度-电压-电流密度曲线;
图9为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的电流效率-电流密度-外量子效率曲线。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
实施例1
1)首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
2)其次将0.0042g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.25:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后迅速将溶液水浴冷却到室温;
3)最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液(Baytron PVP Al 4083)通过滤头以4000r/min的转速旋涂50秒,之后在140℃的温度下退火15分钟;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上将溶解在氯苯溶液中的PTAA以2000r/min的转速旋涂50秒,之后再继续在120℃的温度下退火15分钟,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点以1000r/min的转速旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空度为1×10-4torr的真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
实施例2
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.0085g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.50:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
实施例3
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.0126g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.75:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
实施例4
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.028g的溴化铅、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下抽气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
在实施例1、2、3、4,中调节溴化锌的添加量,如图1,2,3所示,引入多量的溴化锌可以促进零维钙钛矿量子点向三维钙钛矿的转变,随着溴化锌加入量的增加,出现了对应于CsPbBr3的吸收峰、光致发光峰、XRD衍射峰以及立方相的形貌,说明了CsPbBr3的形成,并且XRD峰位向大角度发生偏移,与高倍电镜结果显示的晶格收缩结果一致,说明了Zn2+的成功掺杂;如图4所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点的辐射复合速率增大,非辐射复合速率减小,说明量子点的缺陷被钝化,量子产率提高,并在溴化锌与溴化铅的摩尔比例为0.75:1时实现最大量子效率77.5%。此外,如图5所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点制备的薄膜的导电性也得到了提高;进一步地,如图6以及图7所示,利用Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光LED,保持了良好的色纯度;如图8所示,开启电压为3.8V,并在7.5V达到最大亮度4054cd m-2,同时如图9所示,实现了9.8cd/A的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于CsPbBr3/Cs4PbBr6的电致发光LED中的最佳性能。
本发明提供了一种从不发光的零维Cs4PbBr6钙钛矿量子点到绿色荧光的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的转化方法,利用传统的热注入法,在溴化铅,油酸,油胺和十八烯溶剂的前体溶液中加入溴化锌,溴化锌通过插入反应改变反应产物中的原子比例,促进CsPbBr3的形成。其中Zn2+和Pb2+由于相似的离子半径共同占据钙钛矿结构中的B位,过量的Br-离子不仅能促进相转换过程,还能钝化量子点的缺陷,实现了高达77.5%的PLQY。此外,利用ITO玻璃作为底部电极;聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺(PTAA)]作为空穴注入层和空穴传输层;Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层;1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)层作为电子传输层和空穴阻挡层;LiF和Al层作为顶部电极制备的电致发光LED展现出高器件性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
2)其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;
3)将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液通过滤头进行旋涂,之后进行退火处理;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的PTAA,之后再进行退火处理,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
最后将步骤4)中获得的产物转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
2.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤1)中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
3.根据权利要求2所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤1)和步骤2)中,通入的惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤2)中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1,溴化锌与溴化铅的摩尔比为0~0.75:1。
5.根据权利要求3所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤3)中,所述离心转速为5000~10000r/min。
6.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的转速为以4000r/min,PTAA的转速为以2000r/min,量子点的转速为以1000r/min。
7.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的退火处理具体为在140℃的温度下退火15分钟,PTAA的退火处理具体为在120℃的温度下退火15分钟。
CN202111148896.4A 2021-09-28 2021-09-28 ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 Pending CN113881430A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111148896.4A CN113881430A (zh) 2021-09-28 2021-09-28 ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111148896.4A CN113881430A (zh) 2021-09-28 2021-09-28 ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113881430A true CN113881430A (zh) 2022-01-04

Family

ID=79007901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111148896.4A Pending CN113881430A (zh) 2021-09-28 2021-09-28 ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113881430A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114891505A (zh) * 2022-05-26 2022-08-12 天津大学 一种蓝光十二面体钙钛矿量子点材料的制备方法及其应用
CN114891504A (zh) * 2022-05-12 2022-08-12 兰州大学 锶掺杂钙钛矿量子点/介孔二氧化硅复合材料及其制备
CN116769480A (zh) * 2023-06-21 2023-09-19 桑若(厦门)光伏产业有限公司 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SUMIT KUMAR SHARMA ET AL.: "ZnX2 mediated post-synthetic transformation of zero dimensional Cs4PbBr6 nanocrystals for optoelectronic applications", 《NANOSCALE ADVANCES》 *
ZHEN BAO ET AL.: "Highly Luminescent CsPbBr3@Cs4PbBr6 Nanocrystals and Their Application in Electroluminescent Emitters", 《J. PHYS. CHEM. LETT.》 *
ZHEN BAO ET AL.: "Microfluidic synthesis of CsPbBr3/Cs4PbBr6 nanocrystals for inkjet printing of mini-LEDs", 《CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114891504A (zh) * 2022-05-12 2022-08-12 兰州大学 锶掺杂钙钛矿量子点/介孔二氧化硅复合材料及其制备
CN114891505A (zh) * 2022-05-26 2022-08-12 天津大学 一种蓝光十二面体钙钛矿量子点材料的制备方法及其应用
CN116769480A (zh) * 2023-06-21 2023-09-19 桑若(厦门)光伏产业有限公司 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法
CN116769480B (zh) * 2023-06-21 2023-12-05 桑若(厦门)光伏产业有限公司 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10784457B2 (en) Fabricating method of QLED device and QLED device
CN113881430A (zh) ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法
CN111048690B (zh) 蓝光钙钛矿膜及蓝光钙钛矿发光二极管
CN102610725B (zh) 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
Liao et al. Solution-processed small-molecular white organic light-emitting diodes based on a thermally activated delayed fluorescence dendrimer
CN109346616B (zh) 一种白光钙钛矿型电致发光器件以及制备方法
CN111341942B (zh) 一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光led及其制备方法
Meng et al. Combined optimization of emission layer morphology and hole-transport layer for enhanced performance of perovskite light-emitting diodes
CN112993178B (zh) 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法
CN112186117B (zh) 一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法
CN109768172B (zh) 一种双功能电子传输层倒置结构量子点发光器件及其制备方法
CN112993177A (zh) 一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN111463355B (zh) 一种蓝光钙钛矿膜及其应用
CN109786586A (zh) 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用
CN113921732B (zh) 一种基于4-碘-D-苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法
Zhu et al. Fast-response, high-stability, and high-efficiency full-color quantum dot light-emitting diodes with charge storage layer
Gao et al. 84% efficiency improvement in all-inorganic perovskite light-emitting diodes assisted by a phosphorescent material
CN110416420B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN111100152A (zh) 一种蓝光热活化延迟荧光材料、合成方法及电致发光器件
CN112117386B (zh) 一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法
CN113161506B (zh) 一种钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN114665051A (zh) 一种调控发光层的钙钛矿发光二极管制备方法
CN114613926A (zh) 一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法
CN113903867A (zh) 一种电致发光led及其制备方法
Ma et al. 30-Fold efficiency enhancement achieved in the perovskite light-emitting diodes

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220104