CN113881430A - ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 - Google Patents
ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113881430A CN113881430A CN202111148896.4A CN202111148896A CN113881430A CN 113881430 A CN113881430 A CN 113881430A CN 202111148896 A CN202111148896 A CN 202111148896A CN 113881430 A CN113881430 A CN 113881430A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dots
- pbbr
- cspbbr
- solution
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000008859 change Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title claims description 14
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims abstract description 19
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 14
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 claims abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 3
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L Zinc bromide Inorganic materials Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 58
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 38
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 claims description 19
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 16
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 Poly ethylene styrene Polymers 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- 239000000344 soap Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明适用于化学领域,提供了一种不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,包括以下步骤:制备Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点:首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,先在真空下加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,先在真空下加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;最后,将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点。
Description
技术领域
本发明属于化学领域,尤其涉及ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法。
背景技术
全无机卤化铅钙钛矿由于其优异的光电特性,近年来已成为高效光电和光伏器件的热门研究课题。其中零维钙钛矿Cs4PbBr6因其高光致发光量子产率(PLQY)和长期稳定性而受到了极大的关注。
目前有许多研究致力于将不发光的Cs4PbBr6转化为发光的CsPbBr3,主要采用加入过量PbBr2,配体辅助和水诱导等方法。然而,大部分的方法通常存在一些问题,一是转化后的CsPbBr3的PLQY较低,二是会在转化过程中额外引入有毒的Pb2+离子,这会对环境产生的不利影响,大大阻碍了它们的实际应用。另一方面,关于Cs4PbBr6的应用的研究仍然滞后,特别是它们在电致发光LED中的应用。
为避免上述技术问题,确有必要提供一种ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法以克服现有技术中的所述缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,旨在解决传统的将不发光的零维Cs4PbBr6钙钛矿量子点转化为发光的三维CsPbBr3钙钛矿量子点的方法通常存在转化后的CsPbBr3钙钛矿量子点PLQY较低,额外引入有毒的Pb2+离子等问题。
本发明是这样实现的,ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,包括以下步骤:
1)首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
2)其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;
3)最后,将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液(Baytron PVP Al 4083)通过滤头进行旋涂,之后进行退火处理;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的PTAA,之后再进行退火处理,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
进一步的技术方案,在步骤1)中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
进一步的技术方案,在步骤1)和步骤2)中,通入的惰性气体为氮气。
进一步的技术方案,在步骤2)中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1,溴化锌与溴化铅的摩尔比为0~0.75:1。
进一步的技术方案,在步骤3)中,所述离心转速为5000~10000r/min。
进一步的技术方案,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的转速为以4000r/min,PTAA的转速为以2000r/min,量子点的转速为以1000r/min。
进一步的技术方案,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的退火处理具体为在140℃的温度下退火15分钟,PTAA的退火处理具体为在120℃的温度下退火15分钟。
相较于现有技术,本发明的有益效果如下:
本发明提供的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,此方法操作简单,耗时少,耗能低;
本发明方法所制备的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的样品形貌尺寸均一,半峰宽窄,发光色纯度高,量子效率高,导电性高;
本发明利用Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光LED具有高色纯度,实现了9.8cd/A的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于CsPbBr3/Cs4PbBr6的电致发光LED中的最佳性能。
附图说明
图1为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的吸收光谱和光致发光光谱;
图2为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的XRD图谱;
图3为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的透射电镜图像(a-d)以及高分辨透射电子显微镜图像(e-i);
图4为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点的时间分辨光致发光光谱图;
图5为加入不同ZnBr2含量的Cs4PbBr6钙钛矿量子点制备的薄膜的电流-电压曲线;
图6为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的结构图;
图7为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的光致发光光谱和电致发光光谱;
图8为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的亮度-电压-电流密度曲线;
图9为基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED的电流效率-电流密度-外量子效率曲线。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
实施例1
1)首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
2)其次将0.0042g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.25:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后迅速将溶液水浴冷却到室温;
3)最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液(Baytron PVP Al 4083)通过滤头以4000r/min的转速旋涂50秒,之后在140℃的温度下退火15分钟;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上将溶解在氯苯溶液中的PTAA以2000r/min的转速旋涂50秒,之后再继续在120℃的温度下退火15分钟,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点以1000r/min的转速旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空度为1×10-4torr的真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
实施例2
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.0085g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.50:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
实施例3
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.0126g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.75:1)、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
实施例4
首先将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
其次将0.028g的溴化铅、1mL油胺、1mL油酸以及10mL十八烯装入到50mL的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下抽气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8mL前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
其余步骤与实施例1相同。
在实施例1、2、3、4,中调节溴化锌的添加量,如图1,2,3所示,引入多量的溴化锌可以促进零维钙钛矿量子点向三维钙钛矿的转变,随着溴化锌加入量的增加,出现了对应于CsPbBr3的吸收峰、光致发光峰、XRD衍射峰以及立方相的形貌,说明了CsPbBr3的形成,并且XRD峰位向大角度发生偏移,与高倍电镜结果显示的晶格收缩结果一致,说明了Zn2+的成功掺杂;如图4所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点的辐射复合速率增大,非辐射复合速率减小,说明量子点的缺陷被钝化,量子产率提高,并在溴化锌与溴化铅的摩尔比例为0.75:1时实现最大量子效率77.5%。此外,如图5所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点制备的薄膜的导电性也得到了提高;进一步地,如图6以及图7所示,利用Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光LED,保持了良好的色纯度;如图8所示,开启电压为3.8V,并在7.5V达到最大亮度4054cd m-2,同时如图9所示,实现了9.8cd/A的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于CsPbBr3/Cs4PbBr6的电致发光LED中的最佳性能。
本发明提供了一种从不发光的零维Cs4PbBr6钙钛矿量子点到绿色荧光的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的转化方法,利用传统的热注入法,在溴化铅,油酸,油胺和十八烯溶剂的前体溶液中加入溴化锌,溴化锌通过插入反应改变反应产物中的原子比例,促进CsPbBr3的形成。其中Zn2+和Pb2+由于相似的离子半径共同占据钙钛矿结构中的B位,过量的Br-离子不仅能促进相转换过程,还能钝化量子点的缺陷,实现了高达77.5%的PLQY。此外,利用ITO玻璃作为底部电极;聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺(PTAA)]作为空穴注入层和空穴传输层;Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点作为发光层;1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)层作为电子传输层和空穴阻挡层;LiF和Al层作为顶部电极制备的电致发光LED展现出高器件性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
2)其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;
3)将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点;
4)制备基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点的电致发光LED
先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;在处理后的ITO玻璃上将PEDOT:PSS溶液通过滤头进行旋涂,之后进行退火处理;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在PEDOT:PSS薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的PTAA,之后再进行退火处理,最后形成PEDOT:PSS/PTAA层,将PEDOT:PSS/PTAA层作为空穴注入层和空穴传输层;
将步骤3)中制备好的Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点旋涂在PEDOT:PSS/PTAA层上,作为发光层;
最后将步骤4)中获得的产物转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TPBi、LiF和Al层,其中TPBi层作为电子传输层和空穴阻挡层,LiF和Al层作为顶部电极;由此获得基于Zn掺杂的CsPbBr3/Cs4PbBr6钙钛矿量子点电致发光LED。
2.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤1)中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
3.根据权利要求2所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤1)和步骤2)中,通入的惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤2)中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1,溴化锌与溴化铅的摩尔比为0~0.75:1。
5.根据权利要求3所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤3)中,所述离心转速为5000~10000r/min。
6.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的转速为以4000r/min,PTAA的转速为以2000r/min,量子点的转速为以1000r/min。
7.根据权利要求1所述的ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法,其特征在于,在步骤4)中,所述PEDOT:PSS的退火处理具体为在140℃的温度下退火15分钟,PTAA的退火处理具体为在120℃的温度下退火15分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111148896.4A CN113881430A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111148896.4A CN113881430A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113881430A true CN113881430A (zh) | 2022-01-04 |
Family
ID=79007901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111148896.4A Pending CN113881430A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113881430A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114891505A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-12 | 天津大学 | 一种蓝光十二面体钙钛矿量子点材料的制备方法及其应用 |
CN114891504A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-12 | 兰州大学 | 锶掺杂钙钛矿量子点/介孔二氧化硅复合材料及其制备 |
CN116769480A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-19 | 桑若(厦门)光伏产业有限公司 | 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法 |
-
2021
- 2021-09-28 CN CN202111148896.4A patent/CN113881430A/zh active Pending
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
SUMIT KUMAR SHARMA ET AL.: "ZnX2 mediated post-synthetic transformation of zero dimensional Cs4PbBr6 nanocrystals for optoelectronic applications", 《NANOSCALE ADVANCES》 * |
ZHEN BAO ET AL.: "Highly Luminescent CsPbBr3@Cs4PbBr6 Nanocrystals and Their Application in Electroluminescent Emitters", 《J. PHYS. CHEM. LETT.》 * |
ZHEN BAO ET AL.: "Microfluidic synthesis of CsPbBr3/Cs4PbBr6 nanocrystals for inkjet printing of mini-LEDs", 《CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114891504A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-12 | 兰州大学 | 锶掺杂钙钛矿量子点/介孔二氧化硅复合材料及其制备 |
CN114891505A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-12 | 天津大学 | 一种蓝光十二面体钙钛矿量子点材料的制备方法及其应用 |
CN116769480A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-19 | 桑若(厦门)光伏产业有限公司 | 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法 |
CN116769480B (zh) * | 2023-06-21 | 2023-12-05 | 桑若(厦门)光伏产业有限公司 | 一种高稳定钙钛矿异质结量子点的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10784457B2 (en) | Fabricating method of QLED device and QLED device | |
CN113881430A (zh) | ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法 | |
CN111048690B (zh) | 蓝光钙钛矿膜及蓝光钙钛矿发光二极管 | |
CN102610725B (zh) | 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
Liao et al. | Solution-processed small-molecular white organic light-emitting diodes based on a thermally activated delayed fluorescence dendrimer | |
CN109346616B (zh) | 一种白光钙钛矿型电致发光器件以及制备方法 | |
CN111341942B (zh) | 一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光led及其制备方法 | |
Meng et al. | Combined optimization of emission layer morphology and hole-transport layer for enhanced performance of perovskite light-emitting diodes | |
CN112993178B (zh) | 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN112186117B (zh) | 一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN109768172B (zh) | 一种双功能电子传输层倒置结构量子点发光器件及其制备方法 | |
CN112993177A (zh) | 一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
CN111463355B (zh) | 一种蓝光钙钛矿膜及其应用 | |
CN109786586A (zh) | 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用 | |
CN113921732B (zh) | 一种基于4-碘-D-苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法 | |
Zhu et al. | Fast-response, high-stability, and high-efficiency full-color quantum dot light-emitting diodes with charge storage layer | |
Gao et al. | 84% efficiency improvement in all-inorganic perovskite light-emitting diodes assisted by a phosphorescent material | |
CN110416420B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN111100152A (zh) | 一种蓝光热活化延迟荧光材料、合成方法及电致发光器件 | |
CN112117386B (zh) | 一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法 | |
CN113161506B (zh) | 一种钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
CN114665051A (zh) | 一种调控发光层的钙钛矿发光二极管制备方法 | |
CN114613926A (zh) | 一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法 | |
CN113903867A (zh) | 一种电致发光led及其制备方法 | |
Ma et al. | 30-Fold efficiency enhancement achieved in the perovskite light-emitting diodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220104 |