CN110880527B - 一种基于场激发电荷复合型ac-oled结构 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 221
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 22
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 18
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 claims description 3
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 101001091203 Homo sapiens Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase E Proteins 0.000 claims description 3
- 102100034844 Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase E Human genes 0.000 claims description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims description 3
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
Abstract
本发明提出一种基于场激发电荷复合型AC‑OLED结构,可形成AC‑OLED器件最小单元的主体结构,复合型AC‑OLED结构包括以ITO电极基板形成的用于子像素显示的出光面;ITO电极基板表面设有AC‑OLED器件最小单元所需的生长基底和电极;ITO电极基板上覆有多层结构,多层结构自下而上设置有第一绝缘层、复合材料层、发光层、金属薄膜层、第二绝缘层、金属电极层;复合材料层、发光层、金属薄膜层组合为发光组件;第一绝缘层、第二绝缘层形成可驱动发光组件发光的电容器件,外部交流电源的输出端分别与金属电极层、ITO电极基板相连以驱动电容器件;金属电极层还与寻址电路相连以控制AC‑OLED器件最小单元的亮灭状态;本发明能有效克服介质层击穿问题,而且能克服双极性发光层材料的应用局限。
Description
技术领域
本发明涉及交流驱动有机发光二极管器件技术领域,尤其是一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构。
背景技术
直流(DC)驱动的有机发光必须引入直流电源转换器,不可避免地会带来功率损失,为此,研制了交流电压直接驱动的薄膜电致发光器件,交流(AC)驱动的电致发光器件以其无需复杂的后端电子器件而易于集成到交流电力系统中,介电层可以将器件与外界的水分和氧气隔离,有效地避免电荷的积累,从而提高功率效率和使用寿命和器件的稳定性等优点,作为直流驱动有机发光二极管的潜在替代品,近年来备受关注。
场激发交流驱动有机发光器件结构由于需要屏蔽电极载流子的注入,其结构由电极、两层界电常数较大的介质层和双极性材料发射层组成,电极在交流电场的作用下,向介质层充电,电荷堆积在电容结构的有机发光器件的两端形成强电场,器件内双极性发射层材料在强电场作用下,感应产生极性相反的载流子被拉向两极,当交变电场反向时,激子复合使器件发光。但是双极性发射层材料较为局限,而常规材料产生极性相反的载流子需要在极高电场的场作用下才能够实现,对于薄膜形式存在的介质层极易被击穿,从而损坏器件,此外极高电场的激发也增加交流驱动有机发光器件的成本。为解决以上问题,提升交流驱动有机发光器件的竞争能力,扩大发射层材料的选择范围,降低驱动电压成为交流驱动有机发光器件的迫切要求。
综上,有必要提出一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,该器件结构利用能带、能级理论,将能带,能级完美对齐的两种材料叠加,在电场作用下使电子自发流动产生空穴,与来自金属层的电子结合,以激子形式复合发光,当反向电场作用下时,电子、空穴分离使得材料内部电子空穴总量不变,循环发光。该结构打破了双极性发光层材料的局限,扩充了场激发型电荷复合型AC-OLED的材料选择范围,降低了AC-OLED的驱动电压,大大提高了交流驱动的电致发光器件的使用寿命及其市场竞争力。
发明内容
本发明提出一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,能有效克服介质层击穿问题,而且能克服双极性发光层材料的应用局限。
本发明采用以下技术方案。
一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,可形成AC-OLED器件最小单元的主体结构,所述复合型AC-OLED结构包括以ITO电极基板形成的用于子像素显示的出光面;所述ITO电极基板表面设有AC-OLED器件最小单元所需的生长基底和电极;所述ITO电极基板上覆有多层结构,所述多层结构自下而上设置有第一绝缘层、复合材料层、发光层、金属薄膜层、第二绝缘层、金属电极层;所述复合材料层、发光层、金属薄膜层组合为发光组件;所述第一绝缘层、第二绝缘层形成可驱动发光组件发光的电容器件,外部交流电源的输出端分别与金属电极层、ITO电极基板相连以驱动电容器件;所述金属电极层还与寻址电路相连以控制AC-OLED器件最小单元的亮灭状态。
所述第一绝缘层、第二绝缘层为具备高介电常数的薄膜;所述金属薄膜层为AC-OLED器件内部提供负电荷载流子的功能层;所述电容器件在交流驱动的正负周期形成正、负电荷堆积的界面,为发光组件提供较大的电场以激发发光组件内部正、负电荷的产生和迁移,在发光组件内形成载流子并以激子复合的形式使发光层发光。
所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;
当复合材料层置于强电场时,复合材料层的电子由能级或能带处于高层的材料层传输至能级或能带处于低层的材料层,并在能级或能带处于高层的材料层的导带或最高占据分子轨道内形成空穴,其中能级或能带处于高层的材料层与发光层相邻,能级或能带处于低层的材料层与绝缘层相邻,以便复合材料层产生的空穴在电场的作用下直接进入发光层。
所述发光层在交流电驱动的正周期时,将复合材料层和金属薄膜层的载流子复合产生的激子能量转移至掺杂材料中产生光子以发光,发光层在交流驱动负周期下将复合的正、负载流子拉开,并反向传输至复合材料层和金属薄膜层;
所述发光层通过使用不同的发光层材料可以调整发光颜色。
所述ITO基板为在钠钙基玻璃衬底或硼硅基玻璃衬底上通过磁控溅射方法生长的厚度为200埃至300埃的氧化铟锡薄膜,所述ITO基板的方块电阻为20Ω至60Ω,所述ITO基板对波长在380nm至780nm之间的光线的透过率大于等于85%。
所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;所述材料层可以是有机材料层也可以是无机材料层;
所述材料层所用材料可为n型掺杂材料或p型掺杂材料;所述掺杂材料包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP):Li/V2O5、8-羟基喹啉铝(Alq3):Mg/2,3,5,6-四氟-7,7′,8′四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ):4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、酞菁锌(ZnPc):富勒烯(C60)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen):LiF/Al/MoO3、C60/N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB):MoO3或MoO3/TFB中的一种。
所述发光层根据发光单元所属子像素选择所需发光颜色的发光材料;
所述发光层处可发出红光有机荧光的材料为DCM、DCJT、DPP或BDPNTD中的一种;
所述发光层处可发出绿色有机荧光的材料为C-545T(R=R′=H)、C-545TB(R=t-butyl;R′=H)或C-545TB(R=t-H;R′=CH3)中的一种;
所述发光层处可发出蓝色有机荧光材料为TPAXAN、BSF、PPIE或DMOC-DPS中的一种;
所述发光层处的无机量子点发光材料可以选自II-VI族化合物,也可以选自III-V族化合物,无机量子点发光材料优选硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料和砷化铟量子点材料。
所述金属薄膜层的厚度为35nm至60nm之间,其材料为金属铝、银、金、铂、碳纳米管中的一种。
所述金属电极层的膜层厚度为100nm至120nm之间,其材料为金属铝、银、石墨中的一种。
所述复合型AC-OLED结构的制作工艺流程包括以下步骤;
步骤A1、首先将ITO玻璃基片放置于无水乙醇中超声震荡30分钟,其次将基片浸泡于去离子水中10分钟,之后将其放置于烤箱60℃烘烤30分钟;形成ITO电极基板的胚料;
步骤A2、采取自下而上生长不同功能层的方式,根据各功能层材料性质的不同采取磁控溅射、化学气相沉积法或旋涂的方式将各功能层材料以叠层的形式依次生长于ITO玻璃表面,每层功能层生长完成后进行10分钟至30分钟的热烘;
步骤A3、将生长完成的复合型AC-OLED结构与ITO图案化的发光单元进行对照,利用激光刻蚀的方法将每个发光单元彼此隔开,并利用激光切割的方式切取所需要的显示尺寸。
本发明的有益效果在于:本发明所述的基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,器件内部绝缘层隔绝外部电场的载流子注入,因此不需要考虑传统DC-OLED器件载流子注入不平衡的问题,优化了器件结构,此外隔绝层充当电容器,在交流正负周期对器件充电形成强电场,使器件内部产生正负载流子,以激子复合的形式使得发光层发光,复合材料层与金属薄膜层为器件发光提供电性相反的载流子,解决场激发型AC-OLED器件内双极性材料的局限,扩充了场激发型电荷复合型AC-OLED的材料选择范围,降低了AC-OLED的驱动电压,大大提高了交流驱动的电致发光器件的使用寿命及其市场竞争力。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步详细的说明:
附图1是本发明的结构示意图;
附图2是本发明在交流电正周期时各功能层载流子运动示意图;
附图3是本发明在交流电负周期时各功能层载流子运动示意图;
附图4是以本发明所述结构形成的多个发光单元(AC-OLED器件最小单元)在电极基板上的分布示意图;
图中:1-ITO电极基板;2-绝缘层;2a-第一绝缘层;2b-第二绝缘层;3-复合材料层;4-发光层;5-金属薄膜层;6-金属电极层;
301-能级或能带处于低层的材料层;302-能级或能带处于高层的材料层;303-交流电源;304-AC-OLED器件最小单元。
具体实施方式
如图1-4所示,一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,可形成AC-OLED器件最小单元304的主体结构,所述复合型AC-OLED结构包括以ITO电极基板1形成的用于子像素显示的出光面;所述ITO电极基板表面设有AC-OLED器件最小单元所需的生长基底和电极;所述ITO电极基板上覆有多层结构,所述多层结构自下而上设置有第一绝缘层2a、复合材料层3、发光层4、金属薄膜层5、第二绝缘层2b、金属电极层6;所述复合材料层、发光层、金属薄膜层组合为发光组件;所述第一绝缘层、第二绝缘层形成可驱动发光组件发光的电容器件,外部交流电源303的输出端分别与金属电极层、ITO电极基板相连以驱动电容器件;所述金属电极层还与寻址电路相连以控制AC-OLED器件最小单元的亮灭状态。
第一绝缘层、第二绝缘层形成位于发光组件上下两旁的绝缘层2。
所述第一绝缘层、第二绝缘层为具备高介电常数的薄膜;所述金属薄膜层为AC-OLED器件内部提供负电荷载流子的功能层;所述电容器件在交流驱动的正负周期形成正、负电荷堆积的界面,为发光组件提供较大的电场以激发发光组件内部正、负电荷的产生和迁移,在发光组件内形成载流子并以激子复合的形式使发光层发光。
所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;
当复合材料层置于强电场时,复合材料层的电子由能级或能带处于高层的材料层传输至能级或能带处于低层的材料层,并在能级或能带处于高层的材料层的导带或最高占据分子轨道内形成空穴,其中能级或能带处于高层的材料层302与发光层4相邻,能级或能带处于低层的材料层301与绝缘层2相邻,以便复合材料层产生的空穴在电场的作用下直接进入发光层。
所述发光层在交流电驱动的正周期时,将复合材料层和金属薄膜层的载流子复合产生的激子能量转移至掺杂材料中产生光子以发光,发光层在交流驱动负周期下将复合的正、负载流子拉开,并反向传输至复合材料层和金属薄膜层;
所述发光层通过使用不同的发光层材料可以调整发光颜色。
所述ITO基板为在钠钙基玻璃衬底或硼硅基玻璃衬底上通过磁控溅射方法生长的厚度为200埃至300埃的氧化铟锡薄膜,所述ITO基板的方块电阻为20Ω至60Ω,所述ITO基板对波长在380nm至780nm之间的光线的透过率大于等于85%。
所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;所述材料层可以是有机材料层也可以是无机材料层;
所述材料层所用材料可为n型掺杂材料或p型掺杂材料;所述掺杂材料包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP):Li/V2O5、8-羟基喹啉铝(Alq3):Mg/2,3,5,6-四氟-7,7′,8′四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ):4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、酞菁锌(ZnPc):富勒烯(C60)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen):LiF/Al/MoO3、C60/N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB):MoO3或MoO3/TFB中的一种。
所述发光层根据发光单元所属子像素选择所需发光颜色的发光材料;
所述发光层处可发出红光有机荧光的材料为DCM、DCJT、DPP或BDPNTD中的一种;
所述发光层处可发出绿色有机荧光的材料为C-545T(R=R′=H)、C-545TB(R=t-butyl;R′=H)或C-545TB(R=t-H;R′=CH3)中的一种;
所述发光层处可发出蓝色有机荧光材料为TPAXAN、BSF、PPIE或DMOC-DPS中的一种;
所述发光层处的无机量子点发光材料可以选自II-VI族化合物,也可以选自III-V族化合物,无机量子点发光材料优选硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料和砷化铟量子点材料。
所述金属薄膜层的厚度为35nm至60nm之间,其材料为金属铝、银、金、铂、碳纳米管中的一种。
所述金属电极层的膜层厚度为100nm至120nm之间,其材料为金属铝、银、石墨中的一种。
所述复合型AC-OLED结构的制作工艺流程包括以下步骤;
步骤A1、首先将ITO玻璃基片放置于无水乙醇中超声震荡30分钟,其次将基片浸泡于去离子水中10分钟,之后将其放置于烤箱60℃烘烤30分钟;形成ITO电极基板的胚料;
步骤A2、采取自下而上生长不同功能层的方式,根据各功能层材料性质的不同采取磁控溅射、化学气相沉积法或旋涂的方式将各功能层材料以叠层的形式依次生长于ITO玻璃表面,每层功能层生长完成后进行10分钟至30分钟的热烘;
步骤A3、将生长完成的复合型AC-OLED结构与ITO图案化的发光单元进行对照,利用激光刻蚀的方法将每个发光单元彼此隔开,并利用激光切割的方式切取所需要的显示尺寸。
实施例:
在经过清洗烘干后洁净ITO电极基板1上,将介电材料P(VDF-TrFE-CFE)溶解在二甲基甲酰胺浓度为100mg/ml的溶液中通过旋涂条件为1000rpm,100℃,烘烤30分钟生长出厚度为530nm的绝缘层2,之后在高真空蒸发室内以5×10-4Pa的真空环境中,蒸发出厚度为12nm的MoO3复合材料A层301,再将TFB溶解于浓度为8mg/ml的氯苯中,通过旋涂条件为3000rpm,120℃烘烤10分钟生长出厚度为30nm的复合材料B层302,将G-QDs(CdxZn1-xSeyS1-y@ZnS/油酸,QY85%)溶于浓度为10mg/ml的辛烷中,通过旋涂条件为3000rpm,100℃烘烤5分钟生长出厚度为25nm的发光层4,然后通过原子层沉积的方式生长40nm的Al金属薄膜层5,再生长一层P(VDF-TrFE-CFE)绝缘层,再利用原子层沉积100nm的Ag金属电极层6,即可获得AC-OLED器件;
如图2,器件在交流正周期内,复合材料层3将在电场作用下产生空穴,金属薄膜层5产生电子,两者受电场力的作用运动至发光层4,以激子复合的方式发光;
如图3,器件在交流负周期内,发光层4内正、负载流子在电场作用下重新返回到复合材料层3和金属薄膜层5;
如图4,最后利用激光刻蚀的方法,自上而下按照ITO发光单元图形化的形状对器件进行刻蚀,使各发光单元(AC-OLED器件最小单元304)独立。
以上所述仅为本发明的举例说明,对于本领域的技术人员而言,根据本发明的教导,在不脱离本发明的原理和精神的情况下凡依本发明申请专利范围所做的均等变化、修改、替换和变型,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (9)
1.一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,形成AC-OLED器件最小单元的主体结构,其特征在于:所述复合型AC-OLED结构包括以ITO电极基板形成的用于子像素显示的出光面;所述ITO电极基板表面设有AC-OLED器件最小单元所需的生长基底和电极;所述ITO电极基板上覆有多层结构,所述多层结构自下而上设置有第一绝缘层、复合材料层、发光层、金属薄膜层、第二绝缘层、金属电极层;所述复合材料层、发光层、金属薄膜层组合为发光组件;所述第一绝缘层、第二绝缘层形成驱动发光组件发光的电容器件,外部交流电源的输出端分别与金属电极层、ITO电极基板相连以驱动电容器件;所述金属电极层还与寻址电路相连以控制AC-OLED器件最小单元的亮灭状态;
所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;所述材料层是有机材料层或无机材料层;
所述材料层所用材料为n型掺杂材料或p型掺杂材料;所述掺杂材料包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲BCP:Li/V2O5、8-羟基喹啉铝Alq3:Mg/2,3,5,6-四氟-7,7′,8′四氰二甲基对苯醌F4-TCNQ:4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺m-MTDATA、酞菁锌ZnPc:富勒烯C60、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉Bphen:LiF/Al/MoO3、C60/N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺NPB:MoO3或MoO3/TFB中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述第一绝缘层、第二绝缘层为具备高介电常数的薄膜;所述金属薄膜层为AC-OLED器件内部提供负电荷载流子的功能层;所述电容器件在交流驱动的正负周期形成正、负电荷堆积的界面,为发光组件提供电场以激发发光组件内部正、负电荷的产生和迁移,在发光组件内形成载流子并以激子复合的形式使发光层发光。
3.根据权利要求2所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述复合材料层包括以能级、能带相互匹配的两种或两种以上材料成型的两个以上的材料层;
当复合材料层置于强电场时,复合材料层的电子由能级或能带处于高层的材料层传输至能级或能带处于低层的材料层,并在能级或能带处于高层的材料层的导带或最高占据分子轨道内形成空穴,其中能级或能带处于高层的材料层与发光层相邻,能级或能带处于低层的材料层与绝缘层相邻,以便复合材料层产生的空穴在电场的作用下直接进入发光层。
4.根据权利要求2所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述发光层在交流电驱动的正周期时,将复合材料层和金属薄膜层的载流子复合产生的激子能量转移至掺杂材料中产生光子以发光,发光层在交流驱动负周期下将复合的正、负载流子拉开,并反向传输至复合材料层和金属薄膜层;
所述发光层通过使用不同的发光层材料调整发光颜色。
5.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述ITO电极基板为在钠钙基玻璃衬底或硼硅基玻璃衬底上通过磁控溅射方法生长的厚度为200埃至300埃的氧化铟锡薄膜,所述ITO电极基板的方块电阻为20Ω至60Ω,所述ITO电极基板对波长在380nm至780nm之间的光线的透过率大于等于85%。
6.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述发光层根据发光单元所属子像素选择所需发光颜色的发光材料;
所述发光层处可发出红光有机荧光的材料为DCM、DCJT、DPP或BDPNTD中的一种;
所述发光层处可发出绿色有机荧光的材料为C-545T(R=R′=H)、C-545TB(R=t-butyl;R′=H)或C-545TB(R=t-H;R′=CH3)中的一种;
所述发光层处可发出蓝色有机荧光材料为TPAXAN、BSF、PPIE或DMOC-DPS中的一种;
所述发光层处的无机量子点发光材料选自II-VI族化合物或III-V族化合物。
7.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述金属薄膜层的厚度为35nm至60nm之间,其材料为金属铝、银、金、铂、碳纳米管中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述金属电极层的膜层厚度为100nm至120nm之间,其材料为金属铝、银、石墨中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种基于场激发电荷复合型AC-OLED结构,其特征在于:所述复合型AC-OLED结构的制作工艺流程包括以下步骤;
步骤A1、首先将ITO玻璃基片放置于无水乙醇中超声震荡30分钟,其次将基片浸泡于去离子水中10分钟,之后将其放置于烤箱60℃烘烤30分钟;形成ITO电极基板的胚料;
步骤A2、采取自下而上生长不同功能层的方式,根据各功能层材料性质的不同采取磁控溅射、化学气相沉积法或旋涂的方式将各功能层材料以叠层的形式依次生长于ITO玻璃表面,每层功能层生长完成后进行10分钟至30分钟的热烘;
步骤A3、将生长完成的复合型AC-OLED结构与ITO图案化的发光单元进行对照,利用激光刻蚀的方法将每个发光单元彼此隔开,并利用激光切割的方式切取所需要的显示尺寸。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911198595.5A CN110880527B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种基于场激发电荷复合型ac-oled结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911198595.5A CN110880527B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种基于场激发电荷复合型ac-oled结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110880527A CN110880527A (zh) | 2020-03-13 |
CN110880527B true CN110880527B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=69729595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911198595.5A Active CN110880527B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种基于场激发电荷复合型ac-oled结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110880527B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112186117B (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-23 | 江汉大学 | 一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法 |
CN112864336A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件 |
CN113097395A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点发光器件及显示面板 |
CN113409721B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-08-12 | 福州大学 | 一种发光器件电场驱动调制装置 |
CN113013348A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-06-22 | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 | 一种oled器件及光源组件 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104072405A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种电子传输材料及其制备方法和有机电致发光器件 |
CN108997342A (zh) * | 2018-08-20 | 2018-12-14 | 上海大学 | 一种多氮杂螺二芴化合物及含有该化合物的有机光电器件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7772761B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electrophosphorescence device having interfacial layers |
CN104012179A (zh) * | 2011-11-28 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 聚合物电致发光器件及其制备方法 |
CN102694131B (zh) * | 2012-06-04 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911198595.5A patent/CN110880527B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104072405A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种电子传输材料及其制备方法和有机电致发光器件 |
CN108997342A (zh) * | 2018-08-20 | 2018-12-14 | 上海大学 | 一种多氮杂螺二芴化合物及含有该化合物的有机光电器件 |
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Title |
---|
吴晓晓,李福山,吴薇,郭太良.基于石墨烯/PEDOT∶PSS叠层薄膜的柔性OLED器件.发光学报.2014,第35卷(第35期),487-490. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110880527A (zh) | 2020-03-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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