CN101447555B - 基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法 - Google Patents

基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法。该器件两端的阳极和阴极至少有一个是透明的，在阳极和阴极之间有多个有机发光单元，这些有机发光单元从阳极到阴极逐一堆叠，在任意的两个发光单元之间是基于有机半导体异质结电荷产生层，采用该电荷产生层简化了有机电致发光器件的制作工艺，器件的驱动电压大幅度降低，器件的功率效率显著提高。在叠层器件中，有机半导体异质结电荷产生层具有很好的光的透过率，在可见光部分透过率在75％-95％之间，叠层有机电致发光器件的驱动电压小于单元有机电致发光器件工作电压之和的30％，叠层器件的功率效率至少是单元有机电致发光器件的1.5倍。

Description

基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法
技术领域
本发明涉及基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法。
背景技术
有机电致发光显示被视为平板显示器产业中最为热门的新兴显示技术，目前已经得到了广泛的研究。同无机电致发光器件相比，有机电致发光器件具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快、制作工艺简单、成本低，并易实现大面积和柔性显示等诸多优点，因而在过去的20多年中得到了迅速的发展。目前，有机发光显示器件领域的研究早已不限于学术界，几乎所有国际知名的电子大公司以及化学公司都投入巨大的人力和资金进入这一研究领域，呈现研究、开发与产业化齐头并进的局面，有机电致发光显示技术正在飞速迈向产业化。
1987年由柯达公司邓青云等人发明的有机发光二极管(OrganicLight-emitting Diode OLED)是一种双层三明治结构(邓青云，万斯来科，应用物理快报，51期，913页，1987年，C.W.Tang，S.A.VanSlyke，Appl.Phys.Lett.51，pp913，(1987)，美国专利，专利号：4,769,292和4,885,211，U.S.Pat.Nos.4,769,292和4,885,211)，它是由空穴传输层和电子传输/发光层组成，并夹在铟锡氧化物ITO和金属电极之间。多层器件包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及染料掺杂型器件后来也被设计制造出来，通过有机层厚度的优化以及制备工艺的改进，器件的电致发光性能得到了大大的改善。
为了提高有机电致发光器件的性能，叠层有机电致发光器件应运而生。叠层有机电致发光器件是一种将数个发光单元通过电荷产生层串联起来且只由一个外电源控制的有机电致发光器件。与传统的有机电致发光器件相比，叠层有机电致发光器件拥有较高的发光亮度和电流效率，其发光亮度和电流效率随着串联单元的个数的增加可以成倍的增长，而且在相同电流密度下，叠层有机电致发光器件与传统有机电致发光器件的老化性质是一样的，但由于叠层有机电致发光器件的初始亮度比较大，因此，换算成同样初始亮度时，叠层有机电致发光器件的寿命将比传统的有机电致发光器件大大延长。叠层有机电致发光器件的概念是由日本山形大学Kido教授首次提出的，他们采用的电荷产生层是由ITO或五氧化二钒(V2O5)与铯(Cs)掺杂2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻菲咯啉(BCP)组成的双层结构(城户研二等，2003年巴尔的摩信息显示协会国际座谈会，979页。T.Matsumoto，T.Nakada，J.Endo，K.Mori，N.Kavamura，A.Yokoi，and J.Kido，Proceedings of the 2003 Society for Information Display(SID)International Symposium，Baltimore，MD(Society for InformationDisplay，San Jose，CA，2003)，p.979.日本专利，专利号，2003045676A，JP Patent Publication 2003045676A)。
自从2003年由日本山形大学教授城户研二等人首次报道叠层有机电致发光器件的概念以来，这方面的研究已经取得的充足的发展，不同器件结构和不同的发光材料被研究者提出来。这个技术的关键是器件中间起连接作用的电荷产生层的形成，目前，从掺杂到非掺杂作为电荷产生层都有陆续的报道，如Alq3:Li/NPB:FeCl3(廖梁生，克鲁贝克和邓青云，美国物理快报，84期，167页，2004年。L.S.Liao，K.P.Klubek，and C.W.Tang，Appl.Phys.Lett.2004，84，167.美国专利，专利号：6717358，U.S.Pat.No.6,717,358)、Bphen:Li/MoO3(卡诺，霍尔麦斯，孙艺如，佛瑞斯特，先进材料，18期，339页，2006年。HiroshiKanno，Russell J.Holmes，Yiru Sun，Stephane Kena-Cohen，and StephenR.Forrest，Adv.Mater.2006，18，339)、Bphen:Cs/NPB:F4-TCNQ(邱丁一，林春梁，吴忠帜，美国物理快报，88期，111106页，2006年。Ting-Yi Cho，Chun-Liang Lin，and Chung-Chih Wu，Appl.Phys.Lett.2006，88，111106)、LiF/Ca/Ag(孙佳新等，美国物理快报，87期，093504页，2005年。J.X.Sun，X.L.Zhu，H.J.Peng，M.Wong，and H.S.Kwoka，Appl.Phys.Lett.2005，87，093504.)、Alq3:Li/HAT-CN(廖梁生等，先进材料，2期，324页，2008年。Liang-Sheng Liao，Wojciech.K.Slusarek，Tukaram K.Hatwar，Michele L.Ricks，and DustinL.Comfort，Adv.Mater.2008，2，324)。能够看到，用这些电荷产生层制备的叠层有机电致发光器件，其亮度和电流效率都得到了成倍的增加，并且通过发射不同颜色光的单元的叠加还实现了很好的白光有机电致发光器件。然而，目前的叠层有机电致发光器件仍然存在一个重要的问题，也就是亮度和电流效率成倍增加的同时，电压也成倍增加了。这意味着，叠层有机电致发光器件的功率效率并没有得到改善，这在实际应用中特别是在照明应用中是非常不利的，也失去了叠层有机电致发光器件的优点。因此，开发新的电荷产生层，使制备的叠层有机电致发光器件在成倍增加亮度和电流效率的同时，工作电压也要得到大幅度的减低，从而成倍提高功率效率，降低功率损耗，将是该领域重要研究课题。
半导体异质结的概念早在1949年就已经被提出来了，并在无机半导体光电器件中得到了广泛的应用，目前所有高性能无机半导体光电器件都是基于这种半导体异质结结构的。半导体异质结就是两种不同半导体材料组成在一起的一种结构，由于半导体异质结界面能级结构和空间电场的作用，半导体异质结通常具有很好的整流特性、超注入特性、载流子限制效应和量子效应等，使制备的发光二极管、半导体激光器、晶体管和太阳能电池等半导体光电器件性能都得到了显著提高。近年来，半导体异质结的概念也被应用到有机半导体光电器件中，如有机晶体管、有机太阳能电池，并且这种半导体异质结效应也首次在有机晶体管中得到了很好的阐述(闫东航，王海波，杜宝勋著，有机半导体异质结导论，科学出版社，2008年)。研究表明，用这种有机半导体异质结制备的有机光电器件，其性能也得到了明显改善，如采用三层有机异质结薄膜作为中间电极制备的叠层有机光伏电池，其效率得到了显著提高(闫东航，于波，采用三层有机异质结薄膜作为中间电极的叠层有机光伏电池，中国发明专利200710193557.1，申请日2007-12-17)，该类器件采用全有机中间层，具有加工便利的优点；用有机异质结制备的双通道场效应晶体管，迁移率和输出电流也得到了明显改善(王军，王海波，闫铉俊，黄海超和闫东航，有机异质结及其在双通道场效应晶体管中的应用，美国应用物理快报，2005年，87期，093507页(Jun Wang，Haibo Wang，Xuanjun Yan，Haichao Huangand Donghang Yan，Organic heterojunction and its application for doublechannel field-effect transistors，Appl.Phys.Lett.2005，87，093507.)。在半导体异质结太阳能电池器件中，在光照下产生的激子通常是在异质结界面处形成，并在电场的作用下分离、传输和输出并最终形成电流的过程。实际上，叠层有机电致发光器件中在电荷产生层中产生的载流子也应该是个类似的过程，唯一不同的就是在电荷产生层中产生的载流子是在电场的作用下产生的，并在电场的作用下传输和注入的过程。因此，理论上，由这种非掺杂的有机半导体异质结构成的电荷产生层也应该具有其它类型电荷产生层的作用，这方面已经得到了验证，如李述汤等人用酞菁铜和氟代酞菁铜构成的异质结作为电荷产生层制备的蓝光叠层有机电致发光器件，亮度和电流效率的确得到了成倍的增加(李述汤等，酞菁铜和氟代酞菁铜作为纯有机连接单元的蓝光叠层有机电致发光器件，美国应用物理杂志，2007年，101期，014509页(S.L.Lai，M.Y.Chan，M.K.Fung，C.S.Lee，and S.T.Lee，Copperhexadecafluorophthalocyanine and copper phthalocyanine as a pureorganic connecting unit in blue tandem organic light-emitting devices，J.Appl.Phys.2007，101，014509)。然而，和其它类型电荷产生层一样，该器件同样存在由于工作电压成倍增加而功率效率没有得到提高的问题。
发明内容
本发明就是利用有机异质结具有方便加工的优点，采用非掺杂有机半导体异质结做电荷产生层，通过在异质结两侧引入高导电率电荷注入层很好地解决了上述问题。本发明的叠层有机发光电致发光器件，不但亮度和电流效率得到了成倍的增加，由于电压的降低，功率效率也得到了明显改善。
本发明的目的之一是提供基于有机半导体异质结电荷产生层作为中间连接层的叠层有机电致发光器件；
本发明的另一个目的是提供基于有机半导体异质结电荷产生层作为中间连接层的叠层有机电致发光器件的制备方法。
如附图1所示，本发明提供的基于有机半导体异质结电荷产生层作为中间连接层的叠层有机电致发光器件1，其两端分别是阳极3和阴极6，其中至少有一个是透明的；在阳极3和阴极6之间有N个有机发光单元4-m，1≤m≤N，2≤N的整数；这些有机发光单元4-m从阳极到阴极逐一堆叠；他们的编号依次为4-1、4-2、4-3……4-N；从阳极到阴极，4-1是第一个有机发光单元，4-N是第N个有机发光单元，在任意的两个发光单元4-m之间是电荷产生层单元，相对于N个发光单元，共有N-1个电荷产生层连接单元5-j，从阳极到阴极依次命名为5-1、5-2、5-3……5-j，1≤j≤(N-1)；在发光单元4-1和4-2之间是电荷产生层单元5-1，在发光单元4-2和4-3之间是电荷产生层单元5-2，依次类推。在发光单元4-(N-1)和4-N之间是5-(N-1)；
整个叠层有机电致发光器件1通过电线7连接到外部电源8上，当在叠层有机电致发光器件上施加电压，空穴由阳极3注入到发光单元4-1，电子由阴极6注入到发光单元4-N，同时，在电荷产生层单元5-j中产生电子和空穴，并在电场的作用下使产生的电子和空穴分别注入到相应的发光单元中；例如，在电荷产生层单元5-(N-1)产生的电子朝向阳极3方向注入到发光单元4-(N-1)，同样，在电荷产生层单元5-(N-1)产生的空穴朝着阴极6方向注入到发光单元4-N，然后，这些电子和空穴在发光单元中与分别注入的空穴和电子复合发光；
本发明的叠层有机电致发光器件1中每个发光单元都支持电子和空穴传输，叠层有机电致发光器件1结构之一是：空穴传输层/电子传输发光层、空穴传输层/发光层/电子传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层、空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层或空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层；
本发明的叠层有机电致发光器件1，每个发光单元4-m是相同的或是不同的；
本发明采用的发光单元4-m的结构为：空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层；
该叠层有机电致发光器1的电致发光性能进行描述如下：图2显示了该叠层有机电致发光器的发光单元4-m的构成，其由依次连接的空穴注入层4.1、空穴传输层4.2、发光层4.3、电子传输层4.4和电子注入层4.5构成；
所述的每个发光单元4-m的厚度在100至150纳米，每个发光单元4-m中的每个有机层的厚度在30至90纳米；
图3显示了本发明的每个电荷产生层单元5-j的构成，电荷产生层单元5-j由一个n型有机半导体层5.1和一个p型有机半导体层5.2组成；n型有机半导体是指以电子为多数载流子的有机半导体，p型有机半导体是指以空穴为多数载流子的有机半导体；n型有机半导体要具有较低的最低未占据分子轨道能级以及合适的电子亲和势，以利于电子的注入和传输，p型有机半导体要具有较高的最高占据分子轨道能级以及合适的电离化势，以利于空穴的注入和传输，
本发明中所述的的n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级大于4.0eV，p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于5.5eV，但p型有机半导体的最高占据分子轨道能级和n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差要小于1eV。在叠层器件中，n型有机半导体层紧邻电子注入层，p型半导体层紧邻空穴注入层；
每个电荷产生层单元5-j中n型有机半导体的厚度为15至20纳米，p型有机半导体的厚度为10至15纳米；
每个电荷产生层单元5-j中的材料选择都是无毒的，n型有机半导体包括C60及其衍生物；苝的衍生物，优选苝酐(简称PTCDA)或苝二酰胺(简称PTCDI)；p型有机半导体包括金属酞菁类化合物，优选酞菁铜(简称CuPc)或酞菁锌(简称ZnPc)；噻吩类化合物，优选2，5-顺-(4-2苯基)-2噻吩(简称BP2T)；联苯类的并五苯(简称pentacene)或并四苯(简称Tetracene)；
衬底层2是玻璃或者是聚碳酸酯柔性衬底；
阳极层3采用铟锡氧化物(ITO)；
发光单元4-m中的空穴注入层材料是五氧化二钒(V2O5)、三氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)，或是五氧化二钒(V2O5)、三氧化钼(MoO3)和三氧化钨(WO3)掺杂NPB中的任何一种；
发光单元4-m中的空穴注入层材料的厚度为3纳米至20纳米；
发光单元4-m中的空穴传输层材料采用N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(简称NPB)；
发光单元4-m中的空穴传输层材料的厚度为50纳米至90纳米；
发光单元4-m中的发光层材料是单一的有机发光材料，优选8-羟基喹啉铝(简称Alq3)，或有机染料掺杂有机主体材料；所述的掺杂在有机主体材料中的有机染料是一个或多种，所述的有机主体材料也是一种或两种混合物；
其中掺杂的红光有机染料是5，6，11，12-四苯基-萘并萘(简称rubrene)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-吡啶并[3，2，1-ij]喹啉-9-基)-乙烯基]-吡喃-4-内鎓盐烯}-丙二腈(简称DCJTB)；
蓝光有机染料是对-双(对-氮，氮-二苯基-氨基苯乙烯)苯(简称DSA-Ph)；
有机主体材料是8-羟基喹啉铝(简称Alq3)、2-甲基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称MADN)；
发光单元4-m中的发光层中掺杂的有机染料与有机主体材料的重量比控制在0.5％至1％之间；
发光单元4-m中的发光层的厚度为30纳米至40纳米；
发光单元4-m中的电子传输层用的是8-羟基喹啉铝(简称Alq3)。
发光单元4-m中的电子传输层的厚度为10纳米至30纳米；
发光单元4-m中处在电荷产生层n型有机半导体一侧的电子注入层材料采用的是依次蒸镀的0.3nm的氟化锂(LiF)和0.8nm的金属铝(Al)或依次蒸镀的20nm活泼金属Li、Cs掺杂Alq3和0.8nm的Al；
特别指出的是，整个叠层器件的最后一个发光单元4-N，电子注入层采用LiF，或用活泼金属Li或Cs掺杂Alq3；
阴极层6采用金属铝(Al)；
本发明所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为中间连接层的叠层有机电致发光器件的制备方法是：其特征是步骤和条件如下：衬底层2玻璃或聚碳酸酯柔性衬底上的阳极层3采用铟锡氧化物层；先将阳极铟锡氧化物层光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO阳极上蒸镀发光单元一、电荷产生层单元、发光单元二和阴极，其中，发光单元一中空穴注入层采用MoO3、V2O5或WO3，或是MoO3、V2O5或WO3掺杂NPB中的一种；空穴传输层采用NPB；发光层采用C545T掺杂Alq3、DCJTB掺杂Alq3、DCJTB、C545T掺杂Alq3、DSA-ph掺杂MADN、DCJTB、DSA-ph掺杂MADN；电子传输层采用Alq3；电子注入层采用LiF和Al或是活泼金属Li、Cs掺杂Alq3和Al；电荷产生层单元采用n型有机半导体材料和p型有机半导体材料形成的p-n结，n型有机半导体朝向阳极一侧，p型有机半导体朝向阴极一侧；发光单元二中空穴注入层采用MoO3、V2O5或WO3，或是MoO3、V2O5或WO3掺杂NPB中的一种，空穴传输层采用NPB，发光层采用C545T掺杂Alq3、DCJTB掺杂Alq3、DCJTB和C545T共掺杂Alq3、DSA-ph掺杂MADN或DCJTB和DSA-ph共掺杂MADN；电子传输层采用Alq3；电子注入层采用LiF，或Li或Cs掺杂Alq3；阴极层采用金属Al；两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米；发光单元一的总厚度为100至150纳米，电荷产生层单元总厚度为25至35纳米，发光单元二的总厚度为100至150纳米，电子注入层LiF的厚度为1纳米，金属铝的厚度为120纳米；发光单元一和二中空穴注入层MoO3、空穴传输层NPB、电子传输层Alq3以及电荷产生层单元中的n型和p型有机半导体材料的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，发光层中有机染料的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，主体的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，发光层单元一中电子注入层中LiF的蒸发速率控制在0.02纳米每秒，Al的蒸发速率控制在0.1纳米每秒；发光单元二中电子注入层LiF的蒸发速率控制在0.02纳米每秒，Al的蒸发速率控制在1纳米每秒；发光单元一和发光单元二中的空穴注入层和电子注入层掺杂时，金属氧化物或活泼金属和有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸镀，掺杂的金属氧化物与有机主体材料的重量比控制在10-50％，掺杂的活泼金属与有机主体材料的重量比控制在1％-10％；发光单元一和发光单元二中的发光层掺杂时，有机染料和有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸镀，掺杂的有机染料与有机主体材料的重量比控制在0.5-1％；采用两个以上的发光层单元结构，则重复上述方法，依次蒸镀。
有益效果：本发明的优点之一是采用的有机半导体异质结电荷产生层是非掺杂，大大简化了器件的制备工艺；
本发明的优点之二是采用这种非掺杂的有机半导体异质结电荷产生层显著提高了光的透过率，在可见光部分透过率在75％-95％之间；
本发明的优点之三是采用这种非掺杂的有机半导体异质结电荷产生层使得制备的叠层有机电致发光器件的驱动电压小于单元有机电致发光器件工作电压之和的30％，叠层有机电致发光器件的功率效率至少是单元有机电致发光器件的1.5倍。
附图说明
图1是本发明叠层有机电致发光器件的结构示意图。图中，1是本发明的叠层有机电致发光器件；2是玻璃或柔性衬底；3是阳极层；4-1、4-2……4-(N-1)、4-N是发光单元；5-1、5-2……5-(N-1)是电荷产生层单元；6是阴极；7是导线；8是电源。
图2是本发明的发光单元的结构示意图。图中，4-m是本发明的发光单元；4.1是空穴注入层；4.2是空穴传输层；4.3是发光层；4.4是电子传输层；4.5是电子注入层。
图3是本发明的电荷产生层单元的结构示意图。图中，5-j是本发明的电荷产生层单元；5.1是n型有机半导体层；5.2是p型有机半导体层。
图4是本发明的叠层有机电致发光器件的实施例1的电压-电流密度-亮度特性曲线。器件亮度随着电流密度和电压的升高而升高，器件的起亮电压为4.7伏，在电压为18.7伏，电流密度为130.6毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为48000坎德拉每平方米(cd/m2)。
图5是本发明的叠层有机电致发光器件实施例1的电流效率-功率效率-电流密度特性曲线。器件的最高电流效率为39坎德拉每安培(cd/A)，最大的功率效率是25流明每瓦特(1m/W)。
图6是本发明的叠层有机电致发光器件实施例1中的电致发光光谱-电压特性曲线。器件表现出C545T的绿光特征发射，光谱随电压变化不大，器件在15V的驱动电压下，色坐标为(0.32，0.61)，为很好的绿光发射。
具体实施方式
实施例1：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、15纳米的Pentacene p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/C60/Pentacene/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。附图4给出了此叠层有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线，器件亮度随着电流密度和电压的升高而升高，器件的起亮电压为4.7伏，在电压为18.7伏，电流密度为130.6毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为47800坎德拉每平方米(cd/m2)。附图5给出了器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线，器件的最高电流效率为39坎德拉每安培(cd/A)，最大的功率效率是25流明每瓦特(1m/W)，是单个发光单元器件的1.8倍。附图6给出器件的电致发光光谱-驱动电压特性曲线，器件表现出C545T的绿光特征发射，发射波长为520纳米，光谱随电压变化不大，器件在15V的驱动电压下，色坐标为(0.32，0.61)，为很好的绿光发射。
实施例2：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、10纳米的BP2Tp型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/C60/BP2T/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为7548坎德拉每平方米(cd/m2)，器件的最高电流效率为37cd/A，最大的功率效率是23lm/W，是单个发光单元器件的1.7倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为520纳米，光谱随电压变化不大，在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.31，0.60)。
实施例3：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、120纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、10纳米的ZnPcp型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/C60/ZnPc/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为6800坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为36cd/A，最大的功率效率是20lm/W，是单个发光单元器件的1.5倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为522纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.31，0.62)。
实施例4：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀3纳米的WO3空穴注入层、150纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、10纳米的CuPcp型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/WO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/C60/CuPc/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为6000坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为36cd/A，最大的功率效率是27lm/W，是单个发光单元器件的2.0倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为521纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.32，0.62)。
实施例5：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀3纳米的WO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层，15纳米的PTCDA n型有机半导体、10纳米的CuPc p型有机半导体、2纳米的WO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/WO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDA/CuPc/WO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为5700坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为31cd/A，最大的功率效率是25lm/W，是单个发光单元器件的1.8倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为521纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.32，0.62)。
实施例6：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4纳米的V2O5空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、15纳米的PTCDA n型有机半导体、10纳米的Pentacene p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/V2O5/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDA/Pentacene/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为6000坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为36cd/A，最大的功率效率是21lm/W，是单个发光单元器件的1.6倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为521纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.32，0.62)。
实施例7：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4纳米的V2O5空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、15纳米的PTCDA n型有机半导体、10纳米的BP2T p型有机半导体、2.5纳米的V2O5空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/V2O5/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDA/BP2T/V2O5/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为6100坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为32cd/A，最大的功率效率是26lm/W，是单个发光单元器件的1.8倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为524纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.30，0.62)。
实施例8：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀3纳米的V2O5空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、15纳米的PTCDA n型有机半导体、10纳米的ZnPc p型有机半导体、3纳米的V2O5空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/V2O5/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDA/ZnPc/V2O5/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为6100坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为30cd/A，最大的功率效率是20lm/W，是单个发光单元器件的1.5倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为525纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.30，0.63)。
实施例9：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀3纳米的WO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、25纳米的PTCDI n型有机半导体、10纳米的ZnPc p型有机半导体、2纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/WO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDI/ZnPc/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为5720坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为33cd/A，最大的功率效率是21lm/W，是单个发光单元器件的1.6倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为525纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.32，0.63)。
实施例10：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、25纳米的PTCDI n型有机半导体、10纳米的CuPc p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的C545T掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层，1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al/PTCDI/CuPc/MoO3/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为5755坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为33cd/A，最大的功率效率是28lm/W，是单个发光单元器件的1.9倍。器件表现C545T的特征发射，发射波长为525纳米，光谱随电压变化不大。在15V的驱动电压下，器件的色坐标为(0.31，0.63)。
实施例11：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、25纳米的PTCDI n型有机半导体、10纳米的BP2T p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层，1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al/PTCDI/BP2T/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为5.1伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为5600坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为22cd/A，最大的功率效率是18lm/W，是单个发光单元器件的1.8倍。器件表现DCJTB的特征发射，发射波长为612纳米，光谱随电压变化不大。
实施例12：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、25纳米的PTCDI n型有机半导体、10纳米的Pentacene p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al/PTCDI/Pentacene/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.9伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为7000坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为25cd/A，最大的功率效率是18lm/W，是单个发光单元器件的1.8倍。器件表现DCJTB的特征发射，发射波长为613纳米，光谱随电压变化不大。
实施例13：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、10纳米的BP2T p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50nm的NPB空穴传输层、30nm的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al/C60/BP2T/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为5.3伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为4642坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为19cd/A，最大的功率效率是15lm/W，是单个发光单元器件的1.5倍。器件表现DCJTB的特征发射，发射波长为612纳米，光谱随电压变化不大。
实施例14：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、40纳米的DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层、10纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、10纳米的BP2T p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、40纳米的DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层、10纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/MADN:DSA-ph/Alq3/LiF/Al/C60/BP2T/MoO3/NPB/MADN:DSA-ph/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为6.3伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为2400坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为18.2cd/A，最大的功率效率是10.3lm/W，是单个发光单元器件的1.5倍。器件表现DSA-ph的特征发射，发射波长为450纳米，光谱随电压变化不大。
实施例15：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀4.5纳米的MoO3空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层、30纳米的Alq3电子传输层、1.1纳米的LiF/Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、15纳米的Pentacene p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层一、40纳米的DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层二、10纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al/C60/Pentacene/MoO3/NPB/MADN:DSA-ph/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为5.9.伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为3700坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为17cd/A，最大的功率效率是11.6lm/W。器件表现很好的白光发射，光谱随电压变化不大。
实施例16：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀20纳米的MoO3:NPB空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层一、30纳米的Alq3电子传输层、5纳米的Alq3:Li和Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、15纳米的Pentacene p型有机半导体、5纳米的MoO3:NPB空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB掺杂在Alq3中组成的发光层一、40纳米的DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层二、10纳米的Alq3电子传输层、20纳米的电子注入层Alq3:Li、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/MoO3:NPB/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/Alq3:Li/Al/C60/Pentacene/MoO3:NPB/NPB/MADN:DSA-ph/Alq3/Alq3:Li/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为5.9.伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为4500坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为15cd/A，最大的功率效率是12.5lm/W，器件表现很好的白光发射，光谱随电压变化不大。
实施例17：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀10纳米的WO3:NPB空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、30纳米的DCJTB、C545T掺杂在Alq3中组成的发光层一、30纳米的Alq3电子传输层、5纳米的Alq3:Cs和Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、15纳米的Pentacene p型有机半导体、8纳米的MoO3:NPB空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、40纳米的DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层二、10纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/WO3:NPB/NPB/Alq3:DCJTB：C545T/Alq3:Cs/Al/C60/Pentacene/MoO3:NPB/NPB/MADN:DSA-ph/Alq3/Alq3:Cs/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为6伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为3500坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为18.2cd/A，最大的功率效率是11.5lm/W，器件表现很好的白光发射，光谱随电压变化不大。
实施例18：先将ITO玻璃上的阳极层ITO光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO电极上蒸镀16纳米的V2O5:NPB空穴注入层、90纳米的NPB空穴传输层、40纳米的DCJTB、DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层一、10纳米的Alq3电子传输层、8纳米的Alq3:Cs和Al电子注入层、20纳米的C60n型有机半导体、15纳米的Pentacene p型有机半导体、3纳米的MoO3空穴注入层、50纳米的NPB空穴传输层、40纳米的DCJTB、DSA-ph掺杂在MADN中组成的发光层二、10纳米的Alq3电子传输层、1纳米的电子注入层LiF、120纳米的金属阴极Al，其中两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米，从而制备成结构为ITO/V2O5:NPB/NPB/MADN:DSA-ph:DCJTB/Alq3:Cs/Al/C60/Pentacene/MoO3/NPB/MADN:DSA-ph:DCJTB/Alq3/LiF/Al的叠层有机电致发光器件。器件的起亮电压为4.5伏，电流密度为20毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件的亮度为5500坎德拉每平方米(cd/m2)。器件的最高电流效率为23.2cd/A，最大的功率效率是16.5lm/W，是单个发光单元器件的1.8倍。器件表现很好的白光发射，光谱随电压变化不大。

Claims (7)

1.基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征在于，其两端分别是阳极(3)和阴极(6)，其中至少有一个是透明的；在阳极(3)和阴极(6)之间有两个有机发光单元，分别为发光单元一和发光单元二；所述的有机发光单元的结构为：空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层；
所述发光单元一和发光单元二中的有机层厚度中空穴传输层厚度为50纳米-90纳米，发光层厚度为30纳米-40纳米，电子传输层厚度为10纳米-30纳米；所述的有机发光单元是相同的或是不同的；
在两个发光单元之间是电荷产生层单元；电荷产生层单元由一个n型有机半导体层和一个p型有机半导体层组成；
所述的的n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级大于4.0eV，p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于5.5eV，但p型有机半导体的最高占据分子轨道能级和n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差要小于1eV；在叠层器件中，n型有机半导体层紧邻电子注入层，p型半导体层紧邻空穴注入层；所述电荷产生层单元中n型有机半导体层的厚度为15纳米-20纳米，p型有机半导体层的厚度10纳米-15纳米；
衬底层(2)是玻璃或者是聚碳酸酯柔性衬底；
阳极层(3)采用铟锡氧化物；
所述有机发光单元中的空穴注入层材料是五氧化二钒、三氧化钼或三氧化钨；或为五氧化二钒、三氧化钼或三氧化钨掺杂N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺中的任何一种；
发光单元(4-m)中的空穴传输层材料采用N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺；
所述有机发光单元中的发光层材料是单一的有机发光材料为8-羟基喹啉铝，或为有机染料掺杂有机主体材料；所述的掺杂在有机主体材料中的有机染料是一个或多种，所述的有机主体材料也是一种或两种混合物；
其中掺杂的红光有机染料是5，6，11，12-四苯基-萘并萘、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-吡啶并[3，2，1-ij]喹啉-9-基)-乙烯基]-吡喃-4-内鎓盐烯}-丙二腈、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-吡啶并[3，2，1-ij]喹啉-9-基)-乙烯基]-吡喃-4-内鎓盐烯}-丙二腈和4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-[对-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃中的任何一种；
绿光有机染料是10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-(1)-苯并呲喃酮基-(6，7，8-ij)喹嗪-11-酮或喹吖啶；
蓝光有机染料是对-双(对-氮，氮-二苯基-氨基苯乙烯)苯、芘、四叔丁基芘或对-双(对-氮，氮-二苯基-氨基苯乙烯)二苯；
有机主体材料是8-羟基喹啉铝、9，10-二(2-萘基)蒽、2-甲基-9，10-二(2-萘基)蒽或9，10-双-[(2’7’-二叔丁基)-9’，9’-螺二芴]蒽；
所述有机发光单元中的发光层中掺杂的有机染料与有机主体材料的重量比控制在0.5％至1％之间；
所述有机发光单元中的电子传输层用的是8-羟基喹啉铝；
所述有机发光单元中处在电荷产生层n型有机半导体一侧的电子注入层材料采用的是依次蒸镀的0.3nm的氟化锂和0.8nm的金属铝或依次蒸镀的20nm的金属Li或Cs掺杂的8-羟基喹啉铝和0.8nm的Al；
每个电荷产生层单元中的材料选择n型有机半导体C60及其衍生物或苝的衍生物；p型有机半导体为金属酞菁类化合物、噻吩类化合物，或联苯类的并五苯或并四苯；
发光单元二中，电子注入层采用LiF，或用活泼金属Li或Cs掺杂的8-羟基喹啉铝；
阴极层(6)采用金属铝。
2.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征是所述的每个电荷产生层单元中的材料的n型有机半导体为苝酐或苝二酰胺。
3.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征是所述的每个电荷产生层单元中的材料的p型有机半导体为酞菁铜或酞菁锌。
4.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征是所述的电荷产生层单元中的材料的P型有机半导体为噻吩类化合物为2，5-顺-(4-2苯基)-2噻吩。
5.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征是所述的电荷产生层单元中的材料的P型有机半导体为联苯类的并五苯或并四苯。
6.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件，其特征是所述的两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米。
7.如权利要求1所述的基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件的制备方法，其特征是步骤和条件如下：衬底层(2)玻璃或聚碳酸酯柔性衬底上的阳极层(3)采用铟锡氧化物层；先将阳极铟锡氧化物层光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，用氧等离子体处理2分钟后把它转移到真空镀膜系统中，待真空度达到5×10-4帕时，依次在ITO阳极上蒸镀发光单元一、电荷产生层单元、发光单元二和阴极，其中，发光单元一中空穴注入层采用MoO3、V2O5或WO3，或是MoO3、V2O5或WO3掺杂NPB中的一种；
空穴传输层采用NPB；发光层采用C545T掺杂Alq3、DCJTB掺杂Alq3、DCJTB、C545T掺杂Alq3、DSA-ph掺杂MADN、DCJTB、DSA-ph掺杂MADN；电子传输层采用Alq3；电子注入层采用LiF和Al或是活泼金属Li、Cs掺杂Alq3和Al；电荷产生层单元采用n型有机半导体材料和p型有机半导体材料形成的p-n结，n型有机半导体朝向阳极一侧，p型有机半导体朝向阴极一侧；发光层单元二中空穴注入层采用MoO3、V2O5或WO3，或是MoO3、V2O5或WO3掺杂NPB中的一种，空穴传输层采用NPB，发光层采用C545T掺杂Alq3、DCJTB掺杂Alq3、DCJTB和C545T共掺杂Alq3、DSA-ph掺杂MADN或DCJTB和DSA-ph共掺杂MADN；电子传输层采用Alq3；电子注入层采用LiF，或Li或Cs掺杂Alq3；阴极层采用金属Al；两个电极相互交叉部分形成器件的发光区，发光区面积为16平方毫米；发光单元一和发光单元二中的有机层厚度中空穴传输层厚度为50纳米-90纳米，发光层厚度为30纳米-40纳米，电子传输层厚度为10纳米-30纳米；发光单元一和二中空穴注入层MoO3、空穴传输层NPB、电子传输层Alq3以及电荷产生层单元中的n型和p型有机半导体材料的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，发光层中有机染料的蒸发速率控制在0.002纳米每秒，有机主体的蒸发速率控制在0.2纳米每秒，发光单元一中电子注入层中LiF的蒸发速率控制在0.02纳米每秒，Al的蒸发速率控制在0.1纳米每秒；发光单元二中电子注入层LiF的蒸发速率控制在0.02纳米每秒，Al的蒸发速率控制在1纳米每秒；发光单元一和发光单元二中的空穴注入层和电子注入层掺杂时，金属氧化物或活泼金属和有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸镀，掺杂的金属氧化物与有机主体材料的重量比控制在10-50％，掺杂的活泼金属与有机主体材料的重量比控制在1％-10％；发光单元一和发光单元二中的发光层掺杂时，有机染料和有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸镀，掺杂的有机染料与有机主体材料的重量比控制在0.5-1％；采用两个以上的发光单元结构，则重复上述方法，依次蒸镀。
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