CN106098955B - 一种电致发光器件及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 41
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 10
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N lithium;quinoline Chemical group [Li].N1=CC=CC2=CC=CC=C21 ANYCDYKKVZQRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 12
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- CBQYNPHHHJTCJS-UHFFFAOYSA-N Alline Chemical compound C1=CC=C2C3(O)CCN(C)C3NC2=C1 CBQYNPHHHJTCJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明实施例公开了一种电致发光器件及其制作方法。该电致发光器件包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；还包括：位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。该方案中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质；且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可以利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制作方法。
背景技术
现有技术中的有机发光二极管(OrCanic Light-emitting Diode，OLED)器件，包括顶发射型OLED，该顶发射型OLED的光从阴极电极层一侧出射，因而阴极电极层不仅要具有较佳的电子注入能力和较低的方块电阻，还要具有较佳的透过率。
现有的一种阴极电极层是采用低功函数金属(功函数低于4.0eV)和高功函数金属(功函数高于4.0eV)共蒸得到的共蒸膜层，例如，由镁(Mg)和银(Ag)共蒸得到的共蒸膜层，在该共蒸膜层中，为了得到较佳的电子注入能力，增加Mg和Ag的比例，但是透过率会降低，为了保证较佳的透过率，就必须将阴极做的很薄，但是这样会导致方块电阻增加，驱动电压升高，且电压稳定性降低。为了解决该问题，现有技术的方案中，有在阴极电极层上制作石墨烯辅助阴极层的方案，但是由于该石墨烯辅助阴极层的材料与阴极电极层的材料是完全不同的种类，需要不同的工艺制备，导致工艺复杂化，降低了生产效率。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种电致发光器件及其制作方法，用于解决在保证阴极电极层电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻且不增加工艺复杂度的问题。
本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的：
一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；还包括：位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。
较佳地，所述辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。
较佳地，所述共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
较佳地，所述共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.0eV；所述共蒸膜层中的金属的功函数低于4.0eV。
较佳地，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属银Ag或透明金属铝Al。
较佳地，所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag或透明金属Al；所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属镁Mg，金属钙Ca，金属镱Yb或金属钪Sc；所述无机化合物的材料为氟化锂LiF；所述导电有机物的材料为喹啉锂或酞菁类衍生物。
较佳地，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属Mg。
较佳地，所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1～20:1；
所述共蒸膜层的膜层厚度范围是
所述辅助阴极层的膜层厚度范围是
所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30％～50％。
较佳地，所述辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Al，所述无机化合物的材料为LiF。
较佳地，所述辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Al，所述导电有机物的材料为喹啉锂。
较佳地，所述辅助阴极层包覆所述阴极电极层的表面。
较佳地，所述电致发光器件为顶发射型有机发光二极管OLED。
一种电致发光器件的制作方法，该方法包括：
在衬底基板上形成阴极电极层；所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种所述透明金属材料。
较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层之前，该方法还包括：根据所需的所述阴极电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率；
根据预先确定的在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定出的所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度；
根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率；将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度校正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率的差值，以及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预设膜层厚度。
较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层，包括：
根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的共蒸比例在衬底基板上形成所述阴极电极层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括：
根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层。
较佳地，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：蒸镀不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；
在不同共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：在一定共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸镀的阴极电极层的膜层厚度在预设厚度范围内。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制作方法中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质；且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可以利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制作方法流程图；
图4为本发明实施例提供的又一种电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明提供的一种电致发光器件及其制作方法进行更详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供一种电致发光器件，如图1所示，包括位于衬底基板01上的阴极电极层02，阴极电极层02为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；还包括：位于阴极电极层02上的辅助阴极层03，辅助阴极层03的材料为至少一种透明金属材料。
本发明实施例中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质；且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可以利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
较佳地，辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。这样，辅助阴极层采用的透明金属材料与阴极电极层中具有的透明金属材料相同，因而在生产过程中，可以进一步简化工艺，提高生产效率。
具体实施时，较佳地，上述共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物，或功函数低于该共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
本实施例中的共蒸膜层，可以是透明金属材料与无机化合物的共蒸膜层，可以是透明金属材料与导电有机物的共蒸膜层，还可以是透明金属材料与功函数低于该透明金属材料的至少一种金属的共蒸膜层。
具体实施时，较佳地，共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.0eV；共蒸膜层中的金属的功函数低于4.0eV。本实施例中，共蒸膜层中的透明金属材料为高功函数的透明金属材料，共蒸膜层中的金属为低功函数的透明金属材料。
具体实施时，辅助阴极层中的透明金属材料有多种，较佳地，辅助阴极层中的透明金属材料可以为透明金属Ag或透明金属铝(Al)。
具体实施时，较佳地，共蒸膜层中的透明金属材料可以但不限于为透明金属Ag或透明金属Al；功函数低于共蒸膜层中的透明金属材料的金属可以但不限于为金属Mg，金属钙(Ca)，金属镱(Yb)或金属钪(Sc)。本实施例中，共蒸膜层中的透明金属材料Ag和Al为功函数高于4.0eV的透明高功函数金属，可耐腐蚀；共蒸膜层中的金属Mg，Ca，Yb或Sc为功函数低于4.0eV的低功函数金属，可作为电子发射材料。
在一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag；共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，功函数低于共蒸膜层中的透明金属材料为金属Mg。实施中，较佳地，共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1～20:1；共蒸膜层的膜层厚度范围是辅助阴极层的膜层厚度范围是共蒸膜层和辅助阴极层的总透过率的范围是30％～50％。本实施例中，Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围可以有效的保证电子注入能力，且阴极电极层的厚度与现有技术中的膜层厚度范围相比，大大减小了，又由于在阴极电极层上还设置有辅助阴极层，即透明金属Ag膜层，该透明金属Ag膜层在降低方块电阻的同时，又能够保证有较佳的透过率。另外，阴极电极层中有透明金属Ag，辅助阴极层中也利用了透明金属Ag，可以在采用相同的制备工艺。因而，本实施的方案，实现了在保证阴极电极层电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻且不增加工艺复杂度。
较佳地，共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为5:1～10:1。
基于以上相关实施例，无机化合物的材料可以但不限于为氟化锂(LiF)。基于此，在另一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al；共蒸膜层中的透明金属材料为金属Al，无机化合物的材料为LiF。本实施例中，共蒸膜层中的Al与LiF的粒子浓度的共蒸比例范围、膜层厚度范围等等可以根据实际需要设置，在此不做具体限定。
基于以上相关实施例，导电有机物的材料可以但不限于为喹啉锂或酞菁类衍生物。相应的，在又一种可能的实施例中，较佳地，辅助阴极层的透明金属材料为透明金属Al；共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Al，导电有机物的材料为喹啉锂。本实施例中，共蒸膜层中的Al与喹啉锂的粒子浓度的共蒸比例范围、膜层厚度范围等等可以根据实际需要设置，在此不做具体限定。
基于以上任意实施例，较佳地，如图2所示，辅助阴极层03包覆阴极电极层02的表面。这样，辅助阴极层03可以对阴极电极层02起到保护作用。
基于以上任意实施例，较佳地，电致发光器件为顶发射型OLED。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种电致发光器件的制作方法，如图3所示，该方法至少包括如下步骤：
步骤310、在衬底基板上形成阴极电极层；该阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
步骤320、在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层；该辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。
本发明实施例中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提升显示画质；且该辅助阴极层与阴极电极层中均具有透明金属材料，因而在生产过程中，可以利用同一种工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
在制作过程中，对阴极电极层的膜层厚度，辅助阴极层的膜层厚度，阴极电极层和辅助阴极层的总透过率的精确控制，是得到稳定性较佳的器件的重要因素。本发明实施例中，需要按照阴极电极层和辅助阴极层的目标总透过率(即实际需要的总透过率)，分配阴极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚度。因而需要事先对阴极电极层的预设膜层厚度，辅助阴极层的预设膜层厚度，相应的阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率进行校正，以避免影响对器件的其它参数的控制。为了实现对阴极电极层的预设膜层厚度，辅助阴极层的预设膜层厚度，阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率的精准控制，本发明实施例提供了相应的校正方式。具体如下：
较佳地，在衬底基板上形成阴极电极层之前，本发明实施例提供的制作方法还包括：根据所需的阴极电极层和辅助阴极层的目标总透过率，确定阴极电极层的预设透过率和辅助阴极层的预设透过率；
根据预先确定的在不同共蒸比例时阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定出的阴极电极层的预设透过率和辅助阴极层的预设透过率，分别确定阴极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚度；
根据阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据阴极电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率；将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
如果是，则确定阴极电极层的预设膜层厚度和辅助阴极层的预设膜层厚度校正准确，否则，根据实际的总透过率与目标总透过率的差值，以及辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整辅助阴极层的预设膜层厚度。
基于此，相应的，上述步骤310中，在衬底基板上形成阴极电极层，具体可以是：根据校正准确后的阴极电极层的膜层厚度，按照相应的共蒸比例在衬底基板上形成阴极电极层；上述步骤320中，在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，具体可以是：根据校正准确后的辅助阴极层的膜层厚度，在形成有阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层。
其中，辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：蒸镀不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系。
其中，在不同共蒸比例时阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：在一定共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系。其中，蒸镀的阴极电极层的膜层厚度在预设厚度范围内。其中，预设厚度范围可以是较佳地，该预设厚度范围为这样，预设厚度相对较厚，如果阴极电极层发生氧化对膜层厚度的影响也相对较小，可以忽略，得到的拟合关系越准确。
下面以电致发光器件为顶发射型OLED器件为例，对本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制作方法进行更加详细地描述。
本实施例中的电致发光器件的具体结构如图4所示，包括：衬底基板01，依次层叠在衬底基板上的阳极层04、空穴注入层05、空穴传输层06、电致发光层07、电子传输层08、电子注入层09、阴极电极层02、辅助阴极层03、光取出层10。其中，阴极电极层02为金属Mg与透明金属Ag的共蒸膜层，辅助阴极层03为Ag膜层，辅助阴极层03包覆阴极电极层02的表面，以便保护阴极电极层02。
其中，Mg与Ag的共蒸膜层中，Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为5:1～10:1；Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度范围是Ag膜层的膜层厚度范围是Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层的总透过率的范围是30％～50％。
下面对上述图4所示的电致发光器件的制作流程进行具体介绍：
一、预先对Ag膜层的预设膜层厚度，Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度，Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层的实际的总透过率进行校正。
首先，预先确定Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，具体的，蒸镀不同膜层厚度的Ag膜层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合，得到Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系。还要预先确定在实际需要的共蒸比例时Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，具体的，在实际需要的共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的Mg与Ag的共蒸膜层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合，得到Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系。其中，蒸镀的Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度在
然后，根据所需的Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层在500nm的可见光下的目标总透过率，确定Mg与Ag的共蒸膜层的预设透过率和Ag膜层的预设透过率。其中的目标总透过率的范围是30％～50％。基于以上确定的Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，在实际需要的共蒸比例时Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定的Mg与Ag的共蒸膜层的预设透过率和Ag膜层的预设透过率，分别确定Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度、Ag膜层的预设膜层厚度。
在干净的白玻璃上根据确定的Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度，按照相应的共蒸比例形成Mg与Ag的共蒸膜层；根据确定的Ag膜层的预设膜层厚度，在该Mg与Ag的共蒸膜层上蒸镀Ag膜层；利用紫外可见分光光度计，测量Mg与Ag的共蒸膜层以及Ag膜层在500nm可见光下的实际的总透过率；将测量的实际的总透过率与所需的Mg与Ag的共蒸膜层和Ag膜层的目标总透过率进行对比，计算透过率误差；判断该透过率误差是否在预设误差范围内；如果是，则判断确定的Mg与Ag的共蒸膜层的预设膜层厚度和Ag膜层的预设膜层厚度是校正准确的；否则，根据实际的总透过率与目标总透过率的差值，Ag膜层的膜层厚度与透过率的拟合关系，对Ag膜层的预设膜层厚度进行调整，以使得实际的总透过率与目标总透过率相比在预设误差范围内。
二、在上述流程基础上，进行如下制作步骤：
步骤一、在衬底基板上依次形成层叠的阳极层04、空穴注入层05、空穴传输层06、电致发光层07、电子传输层08和电子注入层09。
步骤二、根据实际需要的共蒸比例，以及校正准确后的Mg与Ag的共蒸膜层的膜层厚度，在步骤一形成的衬底基板上蒸镀Mg与Ag的共蒸膜层(即阴极电极层02)。
步骤三、根据校正准确后的Ag膜层的膜层厚度，在蒸镀有Mg与Ag的共蒸膜层的衬底基板上蒸镀包覆该Mg与Ag的共蒸膜层的表面的Ag膜层(即辅助阴极层03)。
步骤四、在Ag膜层上形成光取出层10。
本发明实施例提供的一种电致发光器件及其制作方法中，在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，该辅助阴极层采用透明金属材料，能够较好的满足器件对透过率的需求，可在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，有利于提升驱动电压的稳定性，提供显示画质；且该辅助阴极采用的透明金属材料与阴极电极层中具有的透明金属材料相同，因而在生产过程中，可以利用与该阴极电极层同样的工艺制备，不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (12)
1.一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；其特征在于，还包括：位于所述阴极电极层上且包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
所述电致发光器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极电极层朝向阳极电极层的一侧；
其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。
3.根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.0eV；所述共蒸膜层中的金属的功函数低于4.0eV。
5.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属银Ag或透明金属铝Al。
6.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag或透明金属Al；当所述共蒸膜层包括功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属时，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属镁Mg，金属钙Ca，金属镱Yb或金属钪Sc；当所述共蒸膜层包括无机化合物时，所述无机化合物的材料为氟化锂LiF；当所述共蒸膜层包括导电有机物时，所述导电有机物的材料为喹啉锂或酞菁类衍生物。
7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，当所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属Mg时；
所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1～20:1；
所述共蒸膜层的膜层厚度范围是
所述辅助阴极层的膜层厚度范围是
所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30％～50％。
8.根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为顶发射型有机发光二极管OLED。
9.一种电致发光器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板上形成电子注入层，所述电子注入层位于阴极电极层朝向阳极电极层的一侧；
在所述电子注入层上形成所述阴极电极层；所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层之前，该方法还包括：根据所需的所述阴极电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率；
根据预先确定的在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定出的所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度；
根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率；将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度校正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率的差值，以及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预设膜层厚度。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层，包括：
根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的粒子浓度共蒸比例在衬底基板上形成所述阴极电极层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括：
根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层。
12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：蒸镀不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；
在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：在一定粒子浓度共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸镀的阴极电极层的膜层厚度在预设厚度范围内。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610515980.8A CN106098955B (zh) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | 一种电致发光器件及其制作方法 |
| PCT/CN2017/085531 WO2018001001A1 (zh) | 2016-07-01 | 2017-05-23 | 电致发光器件及其制作方法 |
| US15/574,740 US10673010B2 (en) | 2016-07-01 | 2017-05-23 | Electroluminescent device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610515980.8A CN106098955B (zh) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | 一种电致发光器件及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106098955A CN106098955A (zh) | 2016-11-09 |
| CN106098955B true CN106098955B (zh) | 2019-12-03 |
Family
ID=57211797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610515980.8A Active CN106098955B (zh) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | 一种电致发光器件及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10673010B2 (zh) |
| CN (1) | CN106098955B (zh) |
| WO (1) | WO2018001001A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098955B (zh) * | 2016-07-01 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制作方法 |
| CN106784387A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管、显示基板及显示装置 |
| CN108538905B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled发光器件及oled显示装置 |
| CN109166982A (zh) | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置 |
| CN113053978B (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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| WO2015058571A1 (zh) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制作方法 |
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| KR20160099979A (ko) * | 2015-02-13 | 2016-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104659271B (zh) | 2015-03-17 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置 |
| CN106098955B (zh) | 2016-07-01 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制作方法 |
-
2016
- 2016-07-01 CN CN201610515980.8A patent/CN106098955B/zh active Active
-
2017
- 2017-05-23 WO PCT/CN2017/085531 patent/WO2018001001A1/zh active Application Filing
- 2017-05-23 US US15/574,740 patent/US10673010B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018001001A1 (zh) | 2018-01-04 |
| US20180233693A1 (en) | 2018-08-16 |
| US10673010B2 (en) | 2020-06-02 |
| CN106098955A (zh) | 2016-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |