KR101463469B1 - 전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품 - Google Patents

전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR101463469B1
KR101463469B1 KR1020137009500A KR20137009500A KR101463469B1 KR 101463469 B1 KR101463469 B1 KR 101463469B1 KR 1020137009500 A KR1020137009500 A KR 1020137009500A KR 20137009500 A KR20137009500 A KR 20137009500A KR 101463469 B1 KR101463469 B1 KR 101463469B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
electronic component
growth
growth layer
Prior art date
Application number
KR1020137009500A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130058748A (ko
Inventor
디르크 베커
에르빈 랑
틸로 로이쉬
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20130058748A publication Critical patent/KR20130058748A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101463469B1 publication Critical patent/KR101463469B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 원자층 증착 방법에 의하여 층 구조에 또는 층 구조 상부에 전극 성장층(226)을 도포하는 단계(102); 및 전극 성장층(226)에 전극(232)을 도포하는 단계(104)를 포함할 수 있는 전자 부품(240)을 제조하기 위한 방법(100)에 관한 것이다.

Description

전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품{METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC COMPONENT}
다양한 실시예들은 전자 부품을 제조하기 위한 방법, 및 전자 부품에 관한 것이다.
대면적 응용들에서, 특히, 예를 들어, 상부 컨택(top contact)들로서, 광전자 부품(optoelectronic component)들과 같은 전자 부품들의 얇은 전기적 컨택들은 양호한 에너지 공급(energization) 또는 전도율(conductivity)과, 적절한 경우, 충분한 투명도(transparency)를 전제로 한다.
다양한 실시예들에서, 종래 기술과 비교하여 감소된 두께와, 적절한 경우, 개선된 투명도 및 전도율을 갖는 전극을 포함하는 전자 부품이 제공된다.
다양한 실시예들에서, 전자 부품을 제조하기 위한 방법은, 원자층 증착 방법(atomic layer deposition method)에 의해 층 구조 상에 또는 그 위에 전극 성장층(electrode growth layer)을 도포(apply)하는 단계, 및 전극 성장층 상에 전극을 도포하는 단계를 포함한다.
다양한 실시예들에서, 전자 부품은 기판, 기판 상의 전극 성장층, 및 전극 성장층 상의 전극을 포함한다. 전극 성장층은 원자층 증착층(atomic layer deposition layer)으로서 구현된다.
원자층 증착 방법은 예를 들어, 원자들의 단층(monolayer)들이 개별적으로 도포될 수 있는 임의의 방법을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 다양한 실시예들에서, 원자층 증착 방법은 예로서, 시작 물질들이 주기적으로 차례로 반응 챔버(reaction chamber)에 유입되는 기상 증착 방법(vapor deposition method)을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 다양한 실시예들에서, 원자층 증착 방법의 부분적인 반응들은 자기-제한적(self-limiting)이며, 즉, 부분적인 반응의 시작 물질은 그 자신과 또는 그 자신의 리간드(ligand)들과 반응하지 않으며, 이것은 임의적인 시간 길이 및 가스량으로 부분적인 반응의 층 성장을 원자들의 하나의 단층의 최대까지 제한한다.
이 실시예들의 다양한 구성들은 편리하다면, 전자 부품을 제조하기 위한 방법과, 전자 부품에도 또한 동일한 방식으로 적용가능하다.
성장층을 도포하기 위한 원자층 증착 방법의 이용에 의하여, 다양한 실시예들에서 달성될 수 있는 것은 성장층이 부분적으로 얇게 그리고 높은 층 두께 재현성(reproducibility)으로 증착될 수 있다는 것이다. 원자층 증착 방법의 이용의 또 다른 장점은 중간층이 또 다른 것 위에 하나씩 직접 증착된 복수의 매우 얇은 파일(pile)들(이하에 또한 "나노라미네이트(nanolaminate)", NL이라고도 지칭됨)로 또한 형성될 수도 있다는 점에서 알 수 있다. 그 결과, 성장층(중간층)의 조성(composition) 및 조직(morphology)의 투명한 금속성의 상부 전극으로의 타겟화된 적응이 가능하다. 또한, 스퍼터링 증착(플라즈마(plasma), 복사(radiation), 고속 이온들) 동안에 발생할 수 있는 것과 같은, 유기 시스템(organic system)에 대한 손상을 주는 영향들은 원자층 증착에서 일반적으로 회피된다. 이것은 특히, 유기 광발전 부품(organic photovoltaic component), 예를 들어, 유기 광발전 셀, 또는 예를 들어, 유기 발광 다이오드(OLED : organic light emitting diode)와 같은 유기 광전자 부품의 경우에 유익할 수 있다. 원자층 증착은 특히, 표면들의 균일하고 등각의 코팅(coating)에 의해 추가적으로 구별된다. 그 결과, 중간층, 또는 다시 말해서 전극 성장층(electrode growth layer)이 구현될 수 있어서, 특히, 금속성의 상부 전극 및 그 하부의 유기층들 사이의 재료 교환이 억제된다. 이러한 확산 장벽(diffusion barrier)은 상부 전극 - 유기 시스템 사이의 계면에서의 확산으로 인한 유기 부품의 열화(degration)를 방지한다. 또한, 원자층 증착 방법의 이용에 있어서의 추가적인 장점은 상대적으로 낮은 프로세스 온도들에서 알 수 있으며, 이것은 그 열 부하(thermal loading)에 대하여 프로세싱된 층들을 보호한다.
전극은 양극(anode) 또는 음극(cathode)일 수 있다. 전극은 정공-주입(hole-injecting) 또는 전자-주입(electron-injecting) 기능들을 가질 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 전극 성장층은 0.1 nm 내지 200 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 0.1 nm 내지 10 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 1 nm 내지 8 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 3 nm 내지 3.5 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 1.5 nm 보다 크거나 같은 층 두께로 도포될 수 있다. 다양한 구성들에서, 전극 성장층의 층 두께는 예를 들어, 7 nm 보다 작거나 같을 수 있다.
또한, 전극 성장층을 형성하는 복수의 부분적인 층들은 원자층 증착 방법에 의하여 또 다른 것 위에 하나씩 도포될 수 있다. 부분적인 층들은 모두 함께 명확하게 나노라미네이트(nanolaminate)를 형성한다.
전극 성장층은 원자층 증착 방법에 의하여 증착될 수 있는 하나 또는 복수의 기본적으로 임의적인 재료들로 형성될 수 있거나 이 재료들을 포함할 수 있다. 상기 재료 또는 재료들은 하나의 유전체(dielectric) 또는 복수의 유전체들 및/또는 하나의 전기적 전도성(conductive) 재료 또는 복수의 전기적 전도성 재료들(예를 들어, 금속(들))을 포함할 수 있다. 따라서, 전극 성장층은 예를 들어, 하나의 산화물(oxide) 또는 복수의 산화물들, 하나의 질화물(nitride) 또는 복수의 질화물들, 및/또는 하나의 탄화물(carbide) 또는 복수의 탄화물들을 포함할 수 있다. 예로서, 전극 성장층은 인듐-도핑된(indium-doped) 주석(tin) 산화물로 이루어진 적어도 하나의 층 및 알루미늄-도핑된 아연 산화물로 이루어진 층을 포함한다. 전극 성장층은 투명한 전도성 또는 투명한 비전도성(nonconductive) 산화물들, 예컨대, 예를 들어, 금속 산화물들, 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴(cadmium) 산화물, 티타늄(titanium) 산화물, 인듐(indium) 산화물 또는 인듐-도핑된(indium-doped) 주석 산화물(ITO : indium-doped tin oxide), 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO : aluminum-doped zinc oxide), 2아연 주석 4산화물(dizinc tin tetraoxide)(예를 들어, Zn2SnO4), 카드뮴 주석 산화물(예를 들어, CdSnO3), 아연 주석 3산화물(예를 들어, ZnSnO3), 망간 인듐 산화물(예를 들어, MgIn2O4), 갈륨 인듐 산화물(예를 들어, GaInO3), 아연 인듐 산화물(예를 들어, Zn2In2O5) 또는 인듐 주석 산화물(예를 들어, In4Sn3O12), 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들 또는 투명한 비전도성 산화물들의 혼합물들 및 합금들로부터 선택되는 재료로 형성될 수 있거나 이 재료를 포함할 수 있다. 전극 성장층은 매우 얇은 층이므로, 그것은 반드시 전도성일 필요는 없다. 그러므로, 전극 성장층은 유전체 산화물들, 예컨대, 알루미늄 산화물(예를 들어, Al2O3), 텅스텐 산화물(예를 들어, WO3), 하프늄 산화물(예를 들어, HfO2), 티타늄 산화물(예를 들어, TiO2), 란타늄 산화물(예를 들어, LaO2), 실리콘 산화물(예를 들어, SiO2), 레늄 산화물(예를 들어, Re2O7), 몰리브덴 산화물(예를 들어, MoO3), 바나듐 산화물(예를 들어, V2O5) 등을 포함할 수 있거나, 이러한 것들 그리고 그 혼합물들 및 합금들로 형성될 수 있다. 또한, 성장층은 유전체 질화물들, 예컨대, 예를 들어, 붕소 질화물, 티타늄 질화물, 텅스텐 질화물, 실리콘 질화물, 탄탈륨(tantalum) 질화물, 크롬 질화물, 하프늄 질화물, 란타늄 질화물, 지르코늄(zirconium) 질화물, 또는 그 혼합물들로서 구현될 수 있거나 구현되었을 수도 있다. 또한, 다양한 실시예들에서, 성장층은 유전체 탄화물들, 예컨대, 예를 들어, 붕소 탄화물, 티타늄(titanium) 탄화물, 텅스텐 탄화물, 실리콘 탄화물, 탄탈륨 탄화물, 크롬 탄화물, 하프늄 탄화물, 란타늄 탄화물, 지르코늄 탄화물, 또는 그 혼합물들로서 구현될 수 있거나 구현되었을 수도 있다.
다양한 실시예들에서, 원자층 증착 방법에 의해 증착될 수 있는 임의의 (전기적 전도성 또는 유전체) 재료는 중간층 또는 부분적인 중간층들을 위해 제공될 수 있다.
하나의 구성에서, 전극 성장층의 측방향 전류 전도(lateral current conduction)에 대한 기여는 통상적으로 무시해도 될 정도이다.
전극 성장층의 표면은 예를 들어, 그 위에 증착될 금속층의 균일한 또는 균질(homogeneous)의 증착을 가능하게 하기 위하여 적당한 방식으로 준비되거나 설계될 수 있다. 하나의 실시예에서, 전극 성장층의 표면은 비정질(amorphous)이거나 대체로 비정질인 구조 또는 비정질이거나 대체로 비정질인 표면을 가질 수 있다. 완전 비정질 구조는 예를 들어, X-선 회절(XRD 회절도(diffractogram)들)에 의해 확인될 수 있다(이산적인(discrete) 브래그 반사(Bragg reflection)들은 얻어지지 않음).
또 다른 개발예(development)에 따르면, 30 nm 보다 작거나 같은 층 두께를 갖는 금속층을 도포함으로써 전극이 형성될 수 있다.
금속층은 15 nm 보다 작거나 같은, 예를 들어, 12 nm 보다 작거나 같은 두께를 가질 수 있다.
특히, 금속층의 투명도가 중요한 실시예들에서는, 금속층의 두께가 예를 들어, 14 nm 보다 작거나 같은, 예를 들어, 11 nm 보다 작거나 같을 수 있다. 예를 들어, Ag 층 또는 Ag 합금으로 이루어진 층(예를 들어, Ag-Sm 합금으로 이루어지거나 Ag-Mg 또는 Ag-Ca 또는 AgPdCu 합금으로 이루어진 층)을 포함하는 금속층의 두께는 14 nm 보다 작거나 같은, 특히, 11 nm 보다 작거나 같은, 예를 들어, 대략 9 nm 및 대략 10 nm 사이일 수 있다.
전극 성장층 상에 도포되는, 예를 들어, 성장되는 전극은 금속층으로 구성될 수 있거나, 하나 또는 추가의 층들 또는 기능적인 층들을 포함할 수 있다.
또 다른 개발예에 따르면, 금속층은 ±10 %의 층 두께 균질성(homogeneity)으로, 예를 들어, ±5 %의 층 두께 균질성으로 형성될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "두께 균질성(thickness homogeneity)"은 금속층이 그 실질적 또는 완전한 길이에 걸쳐 사실상 일정한 층 두께, 즉, 예를 들어, ±10 %의 최대 편차를 갖는 층 두께를 가질 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 예를 들어, 특히, 금속층 아래에 배치되는 (얇은) 전극 성장층에 의해 달성될 수 있다. 그러므로, "30 nm 두께" 금속층의 최대 층 두께는 예를 들어, 33 nm의 최대값일 수 있고, "12 nm 두께" 금속층의 최대 층 두께는 예를 들어, 13.2 nm의 최대값일 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전극 성장층 상의 전극의 면저항(sheet resistance)은 6 Ω/□보다 작거나 같다. 면저항은 특히, 5 Ω/□보다 작거나 같을 수 있다. 예로서, 면저항은 4 Ω/□ 및 5 Ω/□의 범위일 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "면저항(sheet resistance)"은 층의 두께에 대한 층의 등방성 비저항(isotropic resistivity)을 나타낸다. 면저항은 예를 들어, 4점 방법(four-point method)의 도움으로 측정될 수 있다. 대안적으로, 면저항은 특수한 반-데르-포우(Van-Der-Pauw) 방법에 의해 또한 측정될 수도 있다.
그러므로, 다양한 실시예들에서, 면저항은 종래 기술에서 그때까지 관례적이었던 것보다 낮을 수 있고, 이때 유사한 전극 층들은 다양한 실시예들에 따라 전극 성장층과는 상이한 기판상에 증착된다. 다양한 실시예들에 따른 어레인지먼트는 예를 들어, 충분한 투명도를 갖는 광전자 부품들에서 얇은 (성장) 전극의 균일한 에너지 공급을 달성하는 것을 가능하게 할 수 있다.
전극의 금속층은 예를 들어, 다음의 금속들: 알루미늄, 바륨(barium), 인듐, 은, 구리, 금, 사마륨(samarium), 마그네슘, 칼슘(calcium) 및 리튬(lithium)과 그 조합(combination)들 중의 적어도 하나를 포함한다. 대안적으로, 금속층은 상기 언급된 금속들 중의 하나로 구성될 수 있거나, 또는 상기 금속들 중의 하나를 포함하거나 복수의 상기 금속들, 예를 들어, 합금으로 이루어진 화합물로 구성될 수 있다.
전극은 투명한 그리고 불투명한(non-transparent) 전자(electronic), 광학(optical), 또는 전기-광학(electro-optical) 부품들에서 이용될 수 있다. 전극 성장층 상에 배치된 전극은 상부 컨택(top contact), 기판 컨택(substrate contact) 및/또는 중간 컨택으로서 이용될 수 있다.
다양한 구성들에서, 전자 부품의 면저항은 8 Ω/□보다 작거나 같은, 예를 들어, 5 Ω/□보다 작거나 같을 수 있다.
전자 부품은 유기 전자 부품(organic electronic component)으로서 형성되거나 형성되었을 수 있다. 이 구성에서는, 게다가, 추가적인 전극과, 전극 및 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층이 전자 부품에서 형성되거나 형성되었을 수 있다.
추가적인 전극은 음극일 수 있다. 전극 및 추가적인 전극은 적당한 방식으로 전기적으로 컨택-접속(contact-connect)될 수 있다.
성장층 상에 배치된 전극 및/또는 추가적인 전극은 위에서 나타낸 바와 같이, 성장 전극으로도 또한 지칭된다. 성장 전극은 양극 또는 음극으로서 제공될 수 있거나 그 일부를 형성할 수 있다.
전극 성장층 상에 배치되지 않은 전극은 금속들 예컨대, 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 크롬, 니켈, 바나듐(vanadium), 칼슘 및 리튬과, 그 조합들 또는 그 화합물, 특히 합금, 그리고 투명한 전도성 산화물들 예컨대, 예를 들어, 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO), 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO), 2아연 주석 4산화물(dizinc tin tetraoxide)(예를 들어, Zn2SnO4), 카드뮴 주석 산화물(예를 들어, CdSnO3), 아연 주석 3산화물(예를 들어, ZnSnO3), 망간 인듐 산화물(예를 들어, MgIn2O4), 갈륨 인듐 산화물(예를 들어, GaInO3), 아연 인듐 산화물(예를 들어, Zn2In2O5) 또는 인듐 주석 산화물(예를 들어, In4Sn3O12), 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들로부터 선택되는 재료로 형성될 수 있거나 이 재료를 포함할 수 있다.
그 결과, 부품은 거기에 제한되지 않으면서, 예를 들어, 광전자 부품으로서, 예를 들어, 유기 전자 부품으로서, 예컨대, 예를 들어, 솔라 셀(solar cell)로서, 포토트랜지스터(phototransistor)로서, 발광 다이오드(light emitting diode) 등으로서, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(OLED : organic light emitting diode)로서 구현될 수 있다.
유기 전자 부품은 예를 들어, 광전자 부품 또는 복사 방사 장치(radiation emitting device)이다.
층 구조는 기판을 가질 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 "기판(substrate)"은 예를 들어, 전자 부품을 위해 통상적으로 이용되는 기판을 포함할 수 있다.
기판은 투명한 기판일 수 있다. 그러나, 기판은 또한 불투명한 기판일 수도 있다. 예로서, 기판은 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 플라스틱 필름(들), 금속, 금속 필름(들), 실리콘 웨이퍼들 또는 일부 다른 적당한 기판 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극 성장층이 기판 위에 직접 배치되지 않는 경우, 금속 기판이 이용된다. 다양한 구성들에서, 기판은 전자 부품의 제조 동안에 모든 다른 층들이 추후에 그 위에 도포되는 층을 의미한다고 이해된다. 이러한 추후의 층들은 예를 들어, 광학 전자 부품 또는 복사 방사 장치에서 복사 방사를 위해 요구되는 층들일 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "층" 또는 "층 구조"는 개별적인 층 또는 복수의 얇은 층들로 이루어진 층 시퀀스(layer sequence)를 나타낼 수 있다. 특히, 기능층들, 예를 들어, 유기 기능층들은 복수의 층들로 형성될 수 있다. 금속층 및 전극 성장층은 단일층(single-layer)이거나 멀티층(multilayer)이다.
본 명세서에서 이용되는 용어 "다른 것 위에 하나씩 배치됨"은 예를 들어, 하나의 층이 또 다른 층 상에 직접적인 기계적 및/또는 전기적 컨택(contact)으로 직접 배치되는 것을 의미한다. 하나의 층은 또한 또 다른 층 상에 간접적으로 배치될 수도 있고, 이 경우, 그 다음 추가 층들이 표시된 층들 사이에 존재할 수 있다. 이러한 층들은 전자 부품의 기능성(functionality) 및 그에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용할 수 있다. 금속층은 매우 일반적으로 전극 성장층 상에 직접 배치된다.
전자 부품에서 제공된 전극 성장층 및 금속층의 조합은 매우 얇은 그리고 동시에 매우 전도성인 컨택으로서, 필요한 경우, 매우 투명한 것으로 또한 추가적으로 구현될 수도 있는 컨택을 제공하는 것을 가능하게 한다.
다양한 구성들에서, 층 구조를 형성하는 것은 기판 상에 추가적인 전극을 형성하는 것과, 추가적인 전극 상에 유기 기능층을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 전극 성장층은 유기 기능층 상에 형성될 수 있다.
전자 부품은 유기 발광 다이오드로서 형성될 수 있다.
또한, 금속층은 전극 성장층 직후에 일시적으로 도포될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 투명한 금속성 상부 전극을 갖는 OLED들의 양호한 투명도, 전도율 및 장기간 안정성은 원자층 증착(ALD : atomic layer deposition)의 도움으로 전극(또한 상부 컨택이라고도 지칭됨) 아래에 성장층(또한 이하에서 중간층이라고도 지칭됨)을 도포함으로써 달성된다. 중간층은 예를 들어, 전도성 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물 또는 알루미늄-도핑된 아연 산화물로 구성될 수 있지만, 비전도성(nonconductive) 산화물들 예컨대, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 란타늄 산화물 및 지르코늄 산화물로 구성된 얇은 층들이 다양한 실시예들에서 또한 제공된다.
"유기 기능층(organic functional layer)"은 예를 들어, 형광성(fluorescent) 및/또는 인광성(phosphorescent) 이미터(emitter)들을 갖는 이미터층들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품 또는 다양한 실시예들에 따른 복사 방사 장치에서 이용될 수 있는 이미터 재료들의 예들은 유기 또는 유기금속성 화합물들 예컨대, 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)의 유도체들(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌 비닐렌)과, 금속 착물(metal complex)들, 예를 들어, 이리듐(iridium) 착물들 예컨대, 청색 인광성 FIrPic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광성 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) 착물)과, 청색 형광성 DPAVBi(4,4-Bis[4-(di-p-tolyamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA(9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2(4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyrane)를 비-폴리머 이미터(non-polymeric emitter)들로서 포함한다. 이러한 비-폴리머 이미터들은 예를 들어, 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 증착될 수 있다.
또한, 특히, 예를 들어, 스핀 코팅(spin coating)과 같은 습식 화학적(wet-chemical) 방법들에 의하여 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 재료들은 매트릭스 재료(matrix material)로 적당한 방식으로 구현될 수 있다.
전자 부품의 이미터층(emitter layer)들의 이미터 재료들은 예를 들어, 전자 부품이 백색 광(white light)을 방사하도록 선택될 수 있다. 이미터층은 상이한 컬러들(예를 들어, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)로 방사하는 복수의 이미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 이미터층은 복수의 부분적인 층들, 예컨대, 청색 형광성 이미터층, 녹색 인광성 이미터층 및 적색 인광성 이미터층으로 또한 구성될 수도 있다. 상이한 컬러들을 혼합함으로써, 백색 컬러의 느낌을 갖는 광의 방사가 될 수 있다. 대안적으로, 또한 상기 층들에 의해 발생된 1차 방사의 빔 경로에 변환 재료(converter material)를 배치하기 위하여 준비가 행해질 수도 있고, 변환 재료는 적어도 부분적으로 1차 복사(primary radiation)를 흡수하고 상이한 파장을 갖는 2차 복사(secondary radiation)를 방사하여, 백색 컬러 느낌은 1차 및 2차 복사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 1차 복사로부터 발생한다.
전자 부품은 전자 부품의 기능성 및 이에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용하는 유기 기능층들을 일반적으로 더 포함할 수 있다.
예로서, 전극 및/또는 추가적인 전극의 기능성 및 효율과, 전하 캐리어(charge carrier) 및 여기자(exciton) 수송의 기능성 및 효율을 개선시키도록 작용하는 유기 기능층들이 선택될 수 있다.
전자 부품은 "하부 이미터(bottom emitter)" 및/또는 "상부 이미터(top emitter)"로서 구현될 수 있다.
하나의 실시예에서, 성장층은 성장 전극으로서 유기 기능층 및 추가적인 전극 사이에 배치된다.
전극 성장층 및 전극의 어레인지먼트는 상부 이미터를 위한 투명한 상부 컨택을 형성할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전극 성장층은 성장 전극으로서 기판 및 제 1 전극 사이에 배치된다. 전극은 이 경우에 양극일 수 있다. 기판은 바람직하게는 투명한 기판, 예컨대, 유리, 석영, 사파이어, 플라스틱 필름 등일 수 있다.
전극 성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 하부 이미터를 위한 투명한 기판 컨택을 형성할 수 있다.
상부 이미터 또는 하부 이미터의 경우, 다양한 실시예들에 따른 성장 전극의 형태인 복사 방사 장치의 하나의 전극은 투명한 것으로서 구현될 수 있고 다른 전극은 반사적(reflective)인 것으로서 구현될 수 있다는 것이 매우 일반적으로 유효하다. 그것에 대한 대안으로서, 두 전극들이 또한 투명한 것으로 구현될 수도 있다.
성장 전극의 금속층은 예를 들어, 투명한 박막(thin-film) 컨택을 형성할 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "하부 이미터"는 전자 부품의 기판 측(substrate side)을 향해 투명한 것으로서 구현되는 실시예를 나타낸다. 예로서, 이 목적을 위하여, 적어도 기판, 전극 및 기판 및 전극 사이에 배치된 전극 성장층은 투명한 것으로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 하부 이미터로서 구현되는 전자 부품은 예를 들어, 전자 부품의 기판 측 상의 유기 기능층들에서 발생되는 복사를 방사할 수 있다.
대안으로서 또는 그것에 부가하여, 다양한 실시예들에 따르면, 전자 부품이 "상부 이미터"로서 구현될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "상부 이미터"는 예를 들어, 전자 부품의 제 2 전극 측을 향해 투명한 것으로서 구현되는 실시예를 나타낸다. 특히, 이 목적을 위하여, 전극 성장층 및 제 2 전극은 투명한 것으로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 상부 이미터로서 구현되는 전자 부품은 예를 들어, 전자 부품의 추가적인 전극 측 상의 유기 기능층들에서 발생되는 복사를 방사할 수 있다.
전극 성장층 및 금속층이 상부 컨택으로서 제공되는 다양한 실시예들에 따라 상부 이미터로서 구성된 전자 부품은 유익하게도 광의 높은 커플링-아웃(coupling-out) 및 라디언스(radiance)의 매우 낮은 각도 의존성을 가질 수 있다. 다양한 실시예들에 따른 복사 방사 장치는 유익하게도, 예를 들어, 실내 조명기구와 같은 조명 시스템들을 위해 이용될 수 있다.
하부 이미터 및 상부 이미터의 조합은 다양한 실시예들에서 유사하게 제공된다. 이러한 실시예의 경우, 전자 부품은 유기 기능층들에서 발생된 광을 두 방향들로, 즉, 기판 측을 향해 그리고 제 2 전극 측을 향해 일반적으로 방사할 수 있다.
추가 실시예에서, 적어도 하나의 제 3 전극은 전극 및 추가적인 전극 사이에 배치되고, 전극 성장층은 기판과 대향하는 제 3 전극 측 상에 배치된다.
"제 3 전극"은 중간 컨택으로서 기능할 수 있다. 그것은 전자 부품의 층들을 통한 전하 수송을 증가시키고 따라서 전자 부품의 효율을 개선시키도록 작용할 수 있다. 제 3 전극은 2극성 층(ambipolar layer)으로서 구성될 수 있고; 그것은 음극 또는 양극으로서 구성될 수 있다.
다음으로, 하나의 실시예에 따른 전극 성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 투명한 중간 컨택을 형성한다.
제 3 전극은 전극 및 추가적인 전극과 같이 전기적으로 컨택-접속된다.
전자 부품의 하나의 개발예에서, 이미터층 및 하나 또는 그보다 많은 추가 유기 기능층들은 유기 기능층들로서 포함된다. 추가 유기 기능층들은 정공 주입층들, 정공 수송층들, 정공 차단층들, 전자 주입층들, 전자 수송층들 및 전자 차단층들로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
적당한 기능층들 및 적당한 유기 기능층들은 그 자체로는 당업자에게 알려져 있다. (유기) 기능층들은 바람직하게는 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 도포될 수 있다. 추가 (유기) 기능층들은 유익하게도 전자 부품의 기능성 및/또는 효율을 개선시킬 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전자 부품은 유기 발광 다이오드(OLED)로서 구현된다.
전자 부품의 하나의 개발예에서, 전자 부품은 대체로 램버시안 방사 특성(Lambertian emission characteristic)을 가진다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "램버시안 방사 특성"은 소위 램버트 이미터(Lambert emitter)의 이상적인 방사 거동(emission behavior)을 나타낸다. 이 경우에 본 명세서에서 지칭된 바와 같은 "대체로" 램버시안 방사 특성은, 특히, 다음의 수학식에 따라 계산되는 방사 특성으로서,
I(θ) = I0 ㆍ cosθ
I0는 표면 법선에 대한 강도(intensity)를 나타내고, θ는 주어진 각도에 대하여, 특히, 각각의 주어진 각도 θ에 대하여 -70°및 +70°사이의 각도에서, 표면 법선에 대한 각도를 나타내는 상기 방사 특성이 상기 언급된 수학식에 따른 강도로부터 10% 이하만큼 벗어나고, 다시 말해서, I(θ) = I0ㆍcosθㆍx이고, x = 90% - 110%인 것을 의미한다.
이러한 방식으로, 모든 방향들에 대해 일정한 전자 부품의 라디언스(radiance) 또는 휘도(luminance)를 달성하는 것이 가능할 수 있어서, 전자 부품은 모든 방향들에서 동등하게 밝게 나타난다. 전자 부품의 밝기(brightness)는 유익하게도, 상기 부품이 관측 방향에 대해 틸트(tilt)되어 있어도 변화하지 않을 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전자 부품의 투명도는 60%보다 크거나 같다. 예로서, 투명도는 65%보다 크거나 같을 수 있다. 투명도는 스캔(scan)되는 미리 정의된 파장 범위들 및 검출되는 복사 방사 장치를 통과하는 광량(quantity of light)에 의한 강도 측정들에 의하여 측정된다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "투명도"는 전자기파(electromagnetic wave)들, 및 특히, 가시광(visible light)을 투과시키기 위한 다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 개별적인 층들의 능력을 나타낸다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 투명도는 적어도 하나의 특정 파장에 대하여 적어도, 매우 일반적으로 60%보다 크고, 바람직하게는 65%보다 크다. 예로서, 대략 400 nm 내지 대략 650 nm의 파장 범위의 적어도 하나의 파장에 대한 투명도는 60%보다 클 수 있고, 예를 들어, 65%보다 클 수 있다.
이에 따라, 다양한 실시예들에 따른 전극 성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 충분한 에너지 공급과 관련하여 종래 기술에 비해 개선되는 투명도를 제공할 수 있다.
추가 실시예에서, 금속층은 전극 성장층 직후에 일시적으로 도포된다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "직후에 일시적으로 도포됨" 또는 바람직하게는 "연속적으로 도포됨"은 전자 부품을 제조하기 위한 프로세스 동안에, 예를 들어, 반응기(reactor)의 변화없이 또는 전극 성장층의 증착 후에 1일 이내에, 금속층이 전극 성장층 직후에 임시적으로 증착되는 것을 의미한다. 전극 성장층 상에서의 금속층의 직접적인 증착은 전극 성장층의 노후화(ageing)를 방지할 수 있고; 예로서, 예를 들어, 비정질 표면의 노후화가 전혀 또는 거의 발생하지 않고, 그 결과, 금속층의 적당한 증착을 위하여 그 비정질 외관(appearance)을 유지하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품은 추가 기능층들, 예컨대, 예를 들어, 반사방지층(antireflection layer)들, 산란층(scattering layer)들, 광의 컬러 변환을 위한 층들 및/또는 기계적 보호층들을 더 포함할 수 있다. 이러한 층들은 예를 들어, 성장 전극의 금속층 상에 배치될 수 있다. 기능층들은 예를 들어, 열 증발에 의하여 증착될 수 있다. 이 층들은 복사 방사 장치의 기능 및 효율을 더욱 개선시킬 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 부품은 기판, 기판 상에 배치된 적어도 하나의 제 1 전극, 및 기판과 대향하는 그 전극 측 상의 (전극) 성장층을 포함한다. 성장층 상에 배치된 전극은 예를 들어, 30 nm보다 작거나 같은 두께를 갖는 금속층을 포함하고 성장층은 10 nm보다 작거나 같은 두께를 갖는다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 "기판"은 예를 들어, 전자 부품을 위해 종래 기술에서 기존에 이용되는 것과 같은 기판을 포함할 수 있다. 기판은 투명한 기판일 수 있다. 그러나, 그것은 또한 불투명한 기판일 수도 있다. 예로서, 기판은 유리, 석영, 사파이어, 플라스틱 필름들, 금속, 금속 필름들, 실리콘 웨이퍼들 또는 일부 다른 적당한 기판 재료를 포함할 수 있다. 금속 기판은 성장층이 그 위에 직접 배치되지 않을 때에만 매우 일반적으로 이용될 것이다. 기판은 특히, 전자 부품의 제조 동안에 모든 다른 층들이 추후에 그 위에 도포되는 층을 의미하는 것으로 이해된다. 이러한 추후의 층들은 예를 들어, 광학 전자 부품 또는 복사 방사 장치에서 복사 방사(radiation emission)를 위해 요구되는 층들일 수 있다.
"제 1 전극"은 양극 또는 음극일 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "성장층"은 금속층을 갖는 전극(이하에는 성장 전극이라고도 또한 지칭됨)이 그 위에 배치되는 층을 나타낸다.
성장층은 투명한 전도성 산화물들 예컨대, 예를 들어, 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO), 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들로부터 선택된 재료로 형성되거나 이 재료를 포함할 수 있다.
성장층의 측방향 전류 전도에 대한 기여는 통상적으로 무시해도 될 정도이다.
성장층은 매우 얇은 층이므로, 그것은 반드시 전도성일 필요가 없다. 그러므로, 성장층은 유전체 산화물들 예컨대, Al2O3, WO3, Re2O7 등을 마찬가지로 포함할 수 있거나 이들로 형성될 수 있다.
성장층은 물리적 기상 증착(physical vapor deposition), 예를 들어, 증발 방법들, 예컨대, 열 증발(thermal evaporation), 전자빔 증발(electron beam evaporation), 레이저 빔 증발(laser beam evaporation), 아크 증발(arc evaporation), 분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy) 등, 스퍼터링(sputtering), 예컨대, 이온빔 보조 증착(ion beam assisted deposition) 등, 또는 이온 도금(ion plating), 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition), 예컨대, 플라즈마 증강 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition) 등, 또는 원자층 증착(atomic layer deposition) 등에 의하여 도포될 수 있다.
성장층의 표면은 예를 들어, 그 위에 증착될 금속층의 균일한 또는 균질의 증착을 가능하게 하기 위하여 적당한 방식으로 준비되거나 설계될 수 있다. 하나의 실시예에서, 성장층의 표면은 비정질 또는 대체로 비정질의 구조, 또는 비정질 또는 대체로 비정질의 표면을 가질 수 있다. 완전 비정질 구조는 예를 들어, X-선 회절(XRD 회절도들)에 의하여 확인될 수 있다(이산적인 브래그 반사들은 얻어지지 않음).
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "금속층"은 대체로 또는 완전히 금속으로 형성되는 층을 나타낸다. 금속층은 성장층 상에 직접 배치된다. 그것은 에피택셜 방식으로 성장층 상에서 성장될 수 있다. 금속층의 두께는 30 nm보다 작거나 같은, 예를 들어, 9 nm 및 10 nm 사이이다.
금속층은 15 nm보다 작거나 같은, 특히, 12 nm보다 작거나 같은 두께를 가질 수 있다. 특히, 금속층의 투명도가 중요한 실시예들에서, 금속층의 두께는 예를 들어, 14 nm보다 작거나 같은, 특히, 11 nm보다 작거나 같을 수 있다. 예로서, Ag 층, 또는 AG 합금으로 이루어진 층(예를 들어, Ag-Sm 합금으로 이루어진 층)을 포함하는 금속층의 두께는 14 nm보다 작거나 같은, 특히, 11 nm보다 작거나 같은, 예를 들어, 대략 9 nm 및 10 nm 사이일 수 있다.
성장 전극은 금속층으로 구성될 수 있거나, 하나 또는 추가 층들 또는 기능층들을 포함할 수 있다.
성장 전극의 금속층은 예를 들어, 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함한다. 대안적으로, 금속층은 상기 언급된 금속들 중의 하나로 구성될 수 있거나, 또는 상기 금속들 중의 하나를 포함하거나 복수의 상기 금속들, 특히, 합금으로 이루어진 화합물로 구성될 수 있다.
성장 전극은 투명한 그리고 불투명한 전자, 광학, 또는 전기-광학 부품들에서 이용될 수 있다. 성장층 상에 배치된 성장 전극은 상부 컨택, 기판 컨택 및/또는 중간 컨택으로서 이용될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "층"은 개별적인 층, 또는 복수의 얇은 층들로 이루어진 층 시퀀스(layer sequence)를 나타낼 수 있다. 예로서, 기능층들, 예를 들어, 유기 기능층들은 복수의 층들로 형성될 수 있다. 금속층 및 성장층은 통상적으로 단일 층이다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "다른 것 위에 하나씩 배치됨"은 하나의 층이 또 다른 층 상에 직접적인 기계적 및/또는 전기적 컨택으로 직접 배치되는 것을 의미한다. 하나의 층은 또한 또 다른 층 상에 간접적으로 배치될 수도 있고, 이 경우, 추가 층들이 표시된 층들 사이에 존재할 수 있다. 이러한 층들은 전자 부품의 기능성(functionality) 및 그에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용할 수 있다. 금속층은 매우 일반적으로 성장층 상에 직접 배치된다.
다양한 실시예들에 따라 전자 부품에서 제공된 성장층 및 금속층의 조합은 매우 얇고 그리고 동시에 매우 전도성인 컨택으로서, 필요한 경우, 매우 투명한 것으로 또한 추가적으로 구현될 수도 있는 상기 컨택을 제공하는 것을 가능하게 한다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 하나의 개발예에서, 성장층은 예를 들어, 1 nm 내지 8 nm의 두께를 가진다. 성장층은 예를 들어, 3 nm 내지 3.5 nm의 두께를 가진다. 특정한 실시예들에서는, 1.5 nm보다 크거나 같은 두께가 유익할 수 있다. 특정 실시예들에서, 성장층의 두께는 예를 들어, 7 nm보다 작거나 같을 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 하나의 실시예에서, 성장층은 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)로 이루어진 층 및 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO)로 이루어진 층으로부터 선택된다.
전자 부품의 하나의 개발예에서, 금속층은 ±10 %, 종종 심지어 ±5 %의 두께 균질성을 가진다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "두께 균질성"은 금속층이 그 실질적인 또는 완전한 길이에 걸쳐 사실상 일정한 층 두께, 즉, 예를 들어, ±10 %의 최대 편차를 갖는 층 두께를 가질 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 예를 들어, 특히, 금속층 아래에 배치되는 (얇은) 성장층에 의해 달성될 수 있다.
그러므로, "30 nm 두께" 금속층의 최대 두께는 예를 들어, 33 nm의 최대값일 수 있고, "12 nm 두께" 금속층의 최대 두께는 예를 들어, 13.2 nm의 최대값일 수 있다.
또 다른 실시예에서, 성장층 상의 성장 전극의 면저항(sheet resistance)은 6 Ω/□보다 작거나 같다. 면저항은 예를 들어, 5 Ω/□보다 작거나 같을 수 있다. 예로서, 면저항은 4 Ω/□ 및 5 Ω/□의 범위일 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "면저항"은 층의 두께에 대한 층의 등방성 비저항(isotropic resistivity)을 나타낸다. 면저항은 예를 들어, 4점 방법(four-point method)의 도움으로 측정될 수 있다. 대안적으로, 면저항은 또한 특수한 반-데르-포우(Van-Der-Pauw) 방법에 의해 측정될 수도 있다.
그러므로, 면저항은 종래 기술에서 그때까지 관례적이었던 것보다 작을 수 있고, 이때 유사한 전극 층들은 다양한 실시예들에 따라 성장층과는 상이한 기판상에 증착된다. 다양한 실시예들에 따른 어레인지먼트는 충분한 투명도를 갖는 광전자 부품들에서 얇은 성장 전극의 균일한 에너지 공급을 달성하는 것을 가능하게 할 수 있다.
추가 실시예에서, 다양한 실시예들에 따른 전자 부품은 유기 전자 부품이고, 제 2 전극과, 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층을 더 포함한다.
유기 전자 부품은 예를 들어, 광전자 부품 또는 복사 방사 장치이다.
"제 1 전극"은 양극일 수 있다. 그것은 정공-주입 기능들을 가질 수 있다.
"제 2 전극"은 음극일 수 있다.
제 1 전극 및 제 2 전극은 적당한 방식으로 전기적으로 컨택-접속된다.
성장층 상에 배치된 제 1 전극 및/또는 제 2 전극은 위에서 나타낸 바와 같이, 성장 전극으로도 또한 지칭된다. 성장 전극은 양극 또는 음극으로서 제공될 수 있거나 그 일부를 형성할 수 있다.
성장층 상에 배치되지 않은 전극은 금속들 예컨대, 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 및 리튬과, 그 조합들 또는 화합물, 특히 합금, 그리고 투명한 전도성 산화물들 예컨대, 예를 들어, 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO), 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들로부터 선택되는 재료로 형성될 수 있거나 이 재료를 포함할 수 있다.
"유기 기능층(organic functional layer)"은 예를 들어, 형광성(fluorescent) 및/또는 인광성(phosphorescent) 이미터(emitter)들을 갖는 이미터층들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품 또는 다양한 실시예들에 따른 복사 방사 장치에서 이용될 수 있는 이미터 재료들의 예들은 유기 또는 유기금속성 화합물들 예컨대, 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)의 유도체들(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌 비닐렌)과, 금속 착물(metal complex)들, 예를 들어, 이리듐(iridium) 착물들 예컨대, 청색 인광성 FIrPic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광성 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6)(Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) 착물)과, 청색 형광성 DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolyamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2 (4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyrane)를 비-폴리머 이미터(non-polymeric emitter)들로서 포함한다. 이러한 비-폴리머 이미터들은 예를 들어, 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 예를 들어, 스핀 코팅(spin coating)과 같은 습식 화학적(wet-chemical) 방법들에 의하여 예를 들어, 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 재료들은 매트릭스 재료(matrix material)로 적당한 방식으로 구현될 수 있다.
전자 부품의 이미터층(emitter layer)들의 이미터 재료들은 예를 들어, 전자 부품이 백색 광(white light)을 방사하도록 선택될 수 있다. 이미터층은 상이한 컬러들(예를 들어, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)로 방사하는 복수의 이미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 이미터층은 복수의 부분적인 층들, 예컨대, 청색 형광성 이미터층, 녹색 인광성 이미터층 및 적색 인광성 이미터층으로 또한 구성될 수도 있다. 상이한 컬러들을 혼합함으로써, 백색 컬러의 느낌을 갖는 광의 방사가 될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 발생된 1차 방사의 빔 경로에 변환 재료(converter material)를 배치하기 위하여 준비가 또한 행해질 수도 있고, 변환 재료는 적어도 부분적으로 1차 복사(primary radiation)를 흡수하고 상이한 파장을 갖는 2차 복사(secondary radiation)를 방사하여, 백색 컬러 느낌은 1차 및 2차 복사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 1차 복사로부터 발생한다.
전자 부품은 전자 부품의 기능성 및 이에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용하는 유기 기능층들을 일반적으로 더 포함할 수 있다.
예로서, 제 1 전극 및/또는 제 2 전극의 기능성 및 효율과, 전하 캐리어(charge carrier) 및 여기자(exciton) 수송의 기능성 및 효율을 개선시키도록 작용하는 유기 기능층들이 선택될 수 있다.
전자 부품은 "하부 이미터(bottom emitter)" 및/또는 "상부 이미터(top emitter)"로서 구현될 수 있다.
하나의 실시예에서, 성장층은 성장 전극으로서 유기 기능층 및 제 2 전극 사이에 배치된다.
제 2 전극은 음극일 수 있다.
성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 상부 이미터를 위한 투명한 상부 컨택을 형성할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 성장층은 성장 전극으로서 기판 및 제 1 전극 사이에 배치된다. 제 1 전극은 이 경우에 양극일 수 있다. 기판은 바람직하게는 투명한 기판, 예컨대, 유리, 석영, 사파이어, 플라스틱 필름 등일 수 있다.
성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 하부 이미터를 위한 투명한 기판 컨택을 형성할 수 있다.
상부 이미터 또는 하부 이미터의 경우, 다양한 실시예들에 따른 성장 전극의 형태인 복사 방사 장치의 하나의 전극은 투명한 것으로서 구현될 수 있고 다른 전극은 반사적(reflective)인 것으로서 구현될 수 있다는 것이 매우 일반적으로 유효하다. 그것에 대한 대안으로서, 두 전극들이 또한 투명한 것으로 구현될 수도 있다.
그러므로, 성장 전극의 금속층은 예를 들어, 투명한 박막(thin-film) 컨택을 형성한다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "하부 이미터"는 전자 부품의 기판 측(substrate side)을 향해 투명한 것으로서 구현되는 실시예를 나타낸다. 예로서, 이 목적을 위하여, 적어도 기판, 제 1 전극과, 기판 및 제 1 전극 사이에 배치된 성장층은 투명한 것으로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 하부 이미터로서 구현되는 전자 부품은 예를 들어, 전자 부품의 기판 측 상의 유기 기능층들에서 발생되는 복사를 방사할 수 있다.
대안으로서 또는 그것에 부가하여, 다양한 실시예들에 따르면, 전자 부품이 "상부 이미터"로서 구현될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "상부 이미터"는 전자 부품의 제 2 전극 측을 향해 투명한 것으로서 구현되는 실시예를 나타낸다. 예를 들어, 이 목적을 위하여, 성장층 및 제 2 전극은 투명한 것으로서 구현될 수 있다. 이에 따라, 상부 이미터로서 구현되는 전자 부품은 예를 들어, 전자 부품의 제 2 전극 측 상의 유기 기능층들에서 발생되는 복사를 방사할 수 있다.
성장층 및 금속층이 상부 컨택으로서 제공되는 다양한 실시예들에 따라 상부 이미터로서 구성된 전자 부품은 광의 높은 커플링-아웃(coupling-out) 및 라디언스(radiance)의 매우 낮은 각도 의존성을 가질 수 있다. 다양한 실시예들에 따른 복사 방사 장치는 예를 들어, 실내 조명기구와 같은 조명 시스템들을 위해 이용될 수 있다.
하부 이미터 및 상부 이미터의 조합은 동일한 방식으로 제공된다. 이러한 실시예의 경우, 전자 부품은 유기 기능층들에서 발생된 광을 두 방향들로, 즉, 기판 측을 향해 그리고 제 2 전극 측을 향해 일반적으로 방사할 수 있다.
추가 실시예에서, 적어도 하나의 제 3 전극은 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 배치되고, 성장층은 기판과 대향하는 제 3 전극 측 상에 배치된다.
"제 3 전극"은 중간 컨택으로서 기능할 수 있다. 그것은 전자 부품의 층들을 통한 전하 수송을 증가시키고, 이에 따라, 전자 부품의 효율을 개선시키도록 작용할 수 있다. 제 3 전극은 2극성 층(ambipolar layer)으로서 구성될 수 있고; 그것은 음극 또는 양극으로서 구성될 수 있다.
다음으로, 본 실시예의 성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 투명한 중간 컨택을 형성한다.
제 3 전극은 제 1 전극 및 제 2 전극과 같이 전기적으로 컨택-접속된다.
전자 부품의 하나의 개발예에서, 이미터층 및 하나 또는 그보다 많은 추가 유기 기능층들은 유기 기능층들로서 포함된다. 추가 유기 기능층들은 정공 주입층들, 정공 수송층들, 정공 차단층들, 전자 주입층들, 전자 수송층들 및 전자 차단층들로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
적당한 기능층들 및 적당한 유기 기능층들은 그 자체로는 당업자에게 알려져 있다. (유기) 기능층들은 바람직하게는 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 도포될 수 있다. 추가 (유기) 기능층들은 유익하게도 전자 부품의 기능성 및/또는 효율을 개선시킬 수 있다.
추가 실시예에서, 전자 부품은 유기 발광 다이오드(OLED)로서 구현된다.
전자 부품의 하나의 개발예에서, 전자 부품은 대체로 램버시안 방사 특성(Lambertian emission characteristic)을 가진다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "램버시안 방사 특성"은 소위 램버트 이미터(Lambert emitter)의 이상적인 방사 거동(emission behavior)을 나타낸다. 이 경우에 본 명세서에서 지칭된 바와 같은 "대체로" 램버시안 방사 특성은, 특히, 다음의 수학식에 따라 계산되는 방사 특성으로서,
I(θ) = I0 ㆍ cosθ
I0는 표면 법선에 대한 강도(intensity)를 나타내고, θ는 주어진 각도에 대하여, 특히, 각각의 주어진 각도 θ에 대하여 -70°및 +70°사이의 각도에서, 표면 법선에 대한 각도를 나타내는 상기 방사 특성이 상기 언급된 수학식에 따른 강도로부터 10% 이하만큼 벗어나고, 다시 말해서, I(θ) = I0ㆍcosθㆍx이고, x = 90% - 110%인 것을 의미한다.
이러한 방식으로, 모든 방향들에 대해 일정한, 다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 라디언스(radiance) 또는 휘도(luminance)를 달성하는 것이 가능할 수 있어서, 전자 부품은 모든 방향들에서 동등하게 밝게 나타난다. 전자 부품의 밝기(brightness)는 상기 부품이 관측 방향에 대해 틸트(tilt)되어 있어도 변화하지 않을 수 있다.
추가 실시예에서, 전자 부품의 투명도는 60%보다 크거나 같다.
예로서, 투명도는 65%보다 크거나 같을 수 있다. 투명도는 스캔(scan)되는 미리 정의된 파장 범위들 및 검출되는 복사 방사 장치를 통과하는 광량(quantity of light)에 의한 강도 측정들에 의하여 측정된다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "투명도"는 전자기파(electromagnetic wave)들, 및 특히, 가시광(visible light)을 투과(transmit)시키기 위한 다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 개별적인 층들의 능력을 나타낸다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 투명도는 적어도 하나의 특정 파장에 대하여 적어도, 매우 일반적으로 60%보다 크고, 바람직하게는 65%보다 크다. 예로서, 대략 400 nm 내지 대략 650 nm의 파장 범위의 적어도 하나의 파장에 대한 투명도는 60%보다 클 수 있고, 바람직하게는, 65%보다 클 수 있다.
이에 따라, 다양한 실시예들에 따른 성장층 및 성장 전극의 어레인지먼트는 충분한 에너지 공급과 관련하여 종래 기술에 비해 개선되는 투명도를 제공할 수 있다.
추가 실시예에서, 성장층은 스퍼터링에 의하여 도포된다. 성장층은 예를 들어, 대향 타겟 스퍼터링(facing target sputtering) 또는 중공 음극 스퍼터링(hollow cathode sputtering)에 의하여 도포될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "대향 타겟 스퍼터링"은 폐쇄된 에피택셜 층들이 얻어질 수 있게 하는 단일-스테이지 프로세스(single-stage process)를 나타낸다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "중공 음극 스퍼터링"은 타겟 재료로 구성된 중공 음극을 갖는 중공 음극 스퍼터링 설치(hollow cathode sputtering installation)를 이용하는 스퍼터링 방법을 나타낸다. 1 Pa 미만의 압력에서 통상적으로 진행하는 스퍼터링 방법들에 비해, 타겟으로부터 반사된 활성(energetic)의 중성 입자들과 층의 충돌이 실제로 발생하지 않으므로, 중공 음극 스퍼터링의 경우에 성장층의 개선된 속성들이 얻어질 수 있다.
대향 타겟 스퍼터링 또는 중공 음극 스퍼터링에 의하여 증착된 성장층은 매우 일반적으로 대체로 비정질인 외관 또는 대체로 비정질인 표면을 가진다. 이러한 방식으로, 본 발명의 전자 부품을 위한 투명한 컨택을 제공하기 위하여, 얇은 금속층은 이러한 비정질 표면 상에 특히 양호하게 증착될 수 있다. 스퍼터링에 의하여 도포된 층들은 매우 일반적으로 스퍼터링을 위해 이용되는 프로세스 가스(예를 들어, 아르곤(argon))를 포함하는 함유물들을 가진다.
성장층을 도포하기 위한 스퍼터링 방법을 이용함으로써, 과도하게 높은 온도들에서 열 증발로부터 발생할 수 있는 비-화학량론적(non-stochiometric) 층들의 증착을 회피하는 것이 가능하고, 이 경우, 스퍼터링 플라즈마로부터의 다양한 영향들로 인해, 코팅 시간이 증가함에 따라 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)의 경우에 종종 발생하는 그 하부의 층들에 대한 손상은 다양한 실시예들에 따라 제공되는 매우 얇은 성장층으로 인해 회피될 수 있다.
스퍼터링에 의하여 성장층을 도포함으로써, 이에 따라, 유익하게도, 성장층의 손상없는(damage-free) 및/또는 화학량론적 적용을 달성하는 것이 가능하다. 이것은 예를 들어, 유기 발광 다이오드들의 경우에 존재하는 것과 같은 감지 구조들을 코팅할 때에 유익할 수 있다.
본 발명의 추가 실시예에서, 금속층은 성장층 직후에 임시적으로 도포된다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같은 용어 "직후에 일시적으로 도포됨" 또는 바람직하게는 "연속적으로 도포됨"은 전자 부품을 제조하기 위한 프로세스 동안에, 예를 들어, 반응기(reactor)의 변화없이 또는 성장층의 증착 후에 1일 이내에, 금속층이 성장층 직후에 임시적으로 증착되는 것을 의미한다.
성장층 상에서의 금속층의 직접적인 증착은 전극 성장층의 노후화(ageing)를 방지할 수 있고; 예로서, 예를 들어, 비정질 표면의 노후화가 전혀 또는 거의 발생하지 않고, 그 결과, 금속층의 적당한 증착을 위하여 그 비정질 외관(appearance)을 유지하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품은 추가 기능층들, 예컨대, 예를 들어, 반사방지층(antireflection layer)들, 산란층(scattering layer)들, 광의 컬러 변환을 위한 층들 및/또는 기계적 보호층들을 더 포함할 수 있다. 이러한 층들은 예를 들어, 성장 전극의 금속층 상에 배치될 수 있다. 기능층들은 바람직하게는, 열 증발에 의하여 증착될 수 있다. 이 층들은 복사 방사 장치의 기능 및 효율을 더욱 개선시킬 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전기적 컨택은 전자 부품에서 이용하거나 전자 부품과 함께 이용하기에 적당하다.
다양한 실시예들에 따른 전기적 컨택은 기판, 기판 상에 배치된 적어도 하나의 제 1 전극, 및 기판과 대향하는 그 전극 측 상의 성장층을 포함하고, 성장층 상에 배치된 전극은 30 nm보다 작거나 같은 두께를 갖는 금속층을 포함하고, 성장층은 10 nm보다 작거나 같은 두께를 가진다.
다양한 실시예들에 따라 전자 컨택과 함께 얻어질 수 있는 대체로 모든 장점들은 다양한 실시예들에 따라 전기적 컨택과 함께 이미 얻어질 수 있으므로, 추가 구성들에 대하여, 반복을 회피하기 위하여, 이에 대하여 상기 설명들을 참조한다.
얇은 성장층 상에 금속층을 증착함으로써, 전극 성장 전극이 균일하게, 부드럽게, 그리고 대체로 균질하게 구현되는 것이 가능하다. 이러한 이유 때문에, 예를 들어, 상기 전극 성장 전극은 종래 기술에 따른 것보다 상당히 더 얇게 만들어질 수 있다. 따라서, 종래의 기술에서 이용되는 바와 같이, 15 Ω/□보다 큰 전도율을 갖는 투명한 전도성 산화물들 또는 적어도 20 nm의 두께를 갖는 얇은 금속층들 중의 어느 하나로 구성된 투명한 컨택들과 달리, 심지어 대면적 응용들에서도 높은 투명도 및 양호한 에너지 공급을 달성하는 것이 가능하다.
따라서, 투명도가 필수적인 다양한 실시예들에 따른 전자 부품들에서는, 예를 들어, 충분한 전도율 및 이와 동시에 우수한 투명도를 제공하기 위하여, 전극 성장층 상에 증착된 금속층이 충분히 얇고, 부드럽고 폐쇄된 방식으로 형성될 수 있으므로, 투명한 금속성 컨택들의 투명도 및 전도율 사이에서 절충을 행하는 것이 가능하다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고 이하에서 더욱 상세하게 설명된다.
도면들에서:
도 1은 하나의 실시예에 따른 전자 부품을 제조하기 위한 방법을 예시하는 순서도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2e는 전자 부품의 제조 동안에 시간에 있어서 상이한 지점들에서 하나의 실시예에 따른 전자 부품의 개략적으로 간략화된 단면도들을 부분적인 단면으로 도시한다.
도 3a 내지 도 3e는 전자 부품의 제조 동안에 시간에 있어서 상이한 지점들에서 또 다른 실시예에 따른 전자 부품의 개략적으로 간략화된 측면도들을 부분적인 단면으로 도시한다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 전자 부품의 개략적으로 간략화된 측면도를 부분적인 단면으로 도시한다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 전자 부품의 개략적으로 간략화된 측면도를 부분적인 단면으로 도시한다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 전자 부품의 개략적으로 간략화된 측면도를 부분적인 단면으로 도시한다.
도 7은 유리 기판 상에 증착된 얇은 은(silver) 층의 SEM 현미경 사진을 도시한다.
도 8은 기존의 유기 시스템 지지체 상에 증착된 얇은 은 층의 SEM 현미경 사진을 도시한다.
도 9는 ITO 성장층 상에 본 발명에 따라 증착된 얇은 은 층의 SEM 현미경 사진을 도시한다.
도 10은 도 4로부터 도 6까지 은 층들의 투명도의 측정 결과를 도시하는 그래프를 도시한다.
도 11은 하나의 실시예에 따른 전기-광학 부품의 방사 특성들을 도시한다.
다음의 상세한 설명에서는, 이 명세서의 일부를 구성하며 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 예시하는 목적들을 위하여 도시하는 첨부 도면들을 참조한다. 이와 관련하여, 예를 들어, "상부에서", "하부에서", "전면에서", "후면에서", "전방", "후방" 등과 같은 방향 용어는 설명된 도면(들)의 방위를 참조하여 이용된다. 실시예들의 부품들은 다수의 상이한 방위들에서 위치되므로, 방향 용어는 예시의 목적들을 위하여 이용되고, 어떤것이든 임의의 방식으로 제한되지 않는다. 다른 실시예들이 이용될 수 있고 본 발명의 보호 범위로부터 이탈하지 않으면서 구조적 또는 논리적 변화들이 행해질 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 특히 달리 표시되지 않으면, 본 명세서에서 설명된 상이한 실시예들의 특징들은 서로 조합될 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 그러므로, 다음의 상세한 설명은 제한적인 의미로 해석되지 않아야 하고, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
이 설명의 상황에서, 용어들 "접속된" 및 "결합된"은 직접 및 간접 접속과, 직접 또는 간접 결합을 모두 설명하기 위하여 이용된다. 도면들에서, 동일하거나 유사한 구성요소들에는, 이것이 편리한 한에 있어서 동일한 참조 부호들이 제공된다.
다양한 실시예들은 원자층 증착(또한 원자층 에피택시라고도 지칭됨)의 도움으로 하나 또는 복수의 얇은 투명한 금속 산화물 층들의 삽입에 의하여 그 투명도, 전도율 및 장기간 안정성에 대하여, 유기 광전자 부품들 상의 투명한 금속 전극들의 최적화를 설명한다.
도 1은 하나의 실시예에 따른 전자 부품을 제조하기 위한 방법을 예시하는 순서도(100)를 도시한다. 다양한 실시예들에 따르면, 102에서, 전극 성장층은 원자층 증착 방법에 의하여 층 구조 상에 또는 그 위에 도포될 수 있다. 또한, 104에서, 전극(또한 성장 전극이라고도 지칭됨)은 전극 성장층 상에 도포될 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 전자 부품의 제조 동안에 시간에 있어서 상이한 지점들에서 하나의 실시예에 따른 전자 부품, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(OLED : organic light emitting diode)의 개략적으로 간략화된 측면도들을 부분적인 단면으로 도시한다.
도 2a의 제 1 부분적인 구조(200)에서 도시되는 바와 같이, 이하에서 하부 전극(204)이라고도 지칭되는 제 1 전극(204)이 기판(202) 상에 도포, 예를 들어, 증착된다. 기판(202)은 투명한 기판(202)일 수 있다. 그러나, 기판(202)은 또한 불투명한 기판(202)일 수도 있다. 예로서, 기판은 유리, 석영, 사파이어, 플라스틱 필름(들), 금속, 금속 필름(들), 실리콘 웨이퍼들 또는 일부 다른 적당한 기판 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이하에서 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이, 전극 성장층이 그 위에 직접 배치되지 않을 경우, 금속 기판이 이용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하부 전극(204)은 예를 들어, 양극(anode)일 수 있고, 예를 들어, 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)로 형성되었을 수 있거나 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 기판(202) 및/또는 제 1 전극(204)은 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(204)은 스퍼터링에 의하여 또는 열 증발에 의하여 도포될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(204)은 대략 5 nm 내지 대략 30 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10 nm 내지 대략 20 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
도 2b의 제 2 부분적인 구조(210)에서 도시되는 바와 같이, 예를 들어, 형광성 및/또는 인광성 이미터층과 같이, 전하 수송 및 광 발생을 위한 하나 또는 복수의 유기 기능층들(212)이 제 1 부분적인 구조(200)에 도포된다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품, 예를 들어, OLED에서 제공될 수 있는 이미터 재료들의 예들은 유기 또는 유기금속성 화합물들 예컨대, 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)의 유도체들(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌 비닐렌)과, 금속 착물(metal complex)들, 예를 들어, 이리듐(iridium) 착물들 예컨대, 청색 인광성 FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광성 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6)(Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) 착물)과, 청색 형광성 DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolyamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2 (4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyrane)를 비-폴리머 이미터(non-polymeric emitter)들로서 포함한다. 이러한 비-폴리머 이미터들은 예를 들어, 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 특히, 예를 들어, 스핀 코팅과 같은 습식 화학적 방법들에 의하여 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 재료들은 매트릭스 재료로 적당한 방식으로 구현될 수 있다.
전자 부품의 이미터층들의 이미터 재료들은 예를 들어, 전자 부품이 백색 광을 방사하도록 선택될 수 있다. 이미터층은 상이한 컬러들(예를 들어, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)을 방사하는 복수의 이미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 이미터층은 또한 복수의 부분적인 층들, 예컨대, 청색 형광성 이미터층, 녹색 인광성 이미터층 및 적색 인광성 이미터층으로 구성될 수도 있다. 상이한 컬러들을 혼합함으로써, 백색 컬러 느낌을 갖는 광의 방사가 될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 발생된 1차 방사(primary emission)의 빔 경로에 변환 재료(converter material)를 배치하기 위하여 준비가 또한 행해질 수도 있고, 변환 재료는 적어도 부분적으로 1차 복사(primary radiation)를 흡수하고 상이한 파장을 갖는 2차 복사(secondary radiation)를 방사하여, 백색 컬러 느낌은 1차 및 2차 복사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 1차 복사로부터 발생한다.
예를 들어, 전자 부품의 기능성 및 이에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용하는 추가 유기 기능층들을 제공하는 것이 가능하다.
대안적인 실시예들에서는, 발광 기능층들, 예를 들어, 유기 기능층들의 임의의 적당한 형태가 제공될 수 있고 본 발명은 기능층(들)의 특정한 유형으로 제한되지 않는다고 지적되고 있다.
도 2c의 제 3 부분적인 구조(220)에서 도시되는 바와 같이, 하나 또는 복수의 투명한 중간 전극들(또한 이하에서 하나 또는 복수의 전극 성장층(들)이라고도 지칭됨)이 제 2 부분적인 구조(210)에 도포된다. 다양한 실시예들에서, 적어도 하나의 중간층은 원자층 증착 방법에 의하여 도포된다. 적어도 하나의 중간층 또는 복수의 중간층들에 의해 형성된 중간층 적층체(stack)(226)는 나노미터(nanometer) 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 0.1 nm 내지 대략 200 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 1 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 3 nm 내지 대략 3.5 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 1.5 nm보다 크거나 같은 층 두께를 가질 수 있다. 전극 성장층(들)의 층 두께는 다양한 구성들의 각각의 경우에 있어서 또는 전체에 걸쳐 예를 들어, 7 nm보다 작거나 같을 수 있다. 도 2c는 원자층 증착 방법에 의하여 각각의 경우에 도포되거나 도포되었던 복수의 부분적인 중간층들(222, 224)을 갖는 중간층 적층체(226)를 예시한다. 다양한 실시예들에서는, 복수의 상이한 재료들, 예를 들어, 2개의 상이한 재료들이 제공될 수 있고, 각각의 재료는 각각의 부분적인 중간층(222, 224)을 형성한다. 다양한 실시예들에서, 각각의 부분적인 중간층들(222, 224)은 원자층 증착 방법에 의하여 각각 대안적으로 증착된 상이한 재료들로부터 증착될 수 있다. 따라서, 예로서, 제 1 부분적인 중간층(222)은 (예를 들어, 유기 기능층(들)(212)의 자유 표면(free surface) 상으로) 수 나노미터의 층 두께로, 예를 들어, 대략 2 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 3 nm 내지 대략 7 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 4 nm 내지 대략 6 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 5 nm의 층 두께로, 제 1 재료(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 원자층 증착 방법에 의한 증착을 위해 적당한 일부 다른 재료, 예를 들어, 아연 산화물)로 증착될 수 있다. 또한, 예로서, 제 1 부분적인 중간층(222) 상으로, 수 나노미터의 층 두께로, 예를 들어, 대략 0.5 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 1 nm 내지 대략 5 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 1.5 nm 내지 대략 3 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 2 nm의 층 두께로, 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 원자층 증착 방법에 의한 증착을 위해 적당한 일부 다른 재료, 예를 들어, 아연 산화물)로 이루어진 제 2 부분적인 중간층(224)을 증착하는 것이 가능하다. 다음으로, 제 2 부분적인 중간층(224) 상으로 추가 제 1 부분적인 중간층(222)을 증착하고, 추가 제 1 부분적인 중간층(222) 상으로 추가 제 2 부분적인 중간층(224)을 증착하는 등등과 같이 하는 것이 다시 한번 가능하다. 복수의 부분적인 중간층 적층체들(각각의 부분적인 중간층 적층체는 제 1 부분적인 중간층(222) 및 제 2 부분적인 중간층(224)을 포함할 수 있음)의 형성은 원칙적으로 희망하는 바와 같이 자주 반복될 수 있고; 예로서, (중간층 적층체의 희망하는 전체 두께에 따라) 2개, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개 또는 더 많은 부분적인 중간층 적층체들을 제공하는 것이 가능하다. 원자층 증착 방법은 각각의 희망하는 재료를 선택적으로 증착하기 위하여 대응하는 수의 횟수가 반복적으로 수행된다.
4개의 부분적인 중간층 적층체들은 도 2c에 도시된 실시예에서 제공된다. 일반적인 유효성을 제한하지 않으면서, 다양한 실시예들에서, 제 1 부분적인 중간층(222)은 아연 산화물(예를 들어, 대략 5 nm의 층 두께를 가짐)로 형성될 수 있고, 제 2 부분적인 중간층(224)은 알루미늄 산화물(예를 들어, 대략 2 nm의 층 두께를 가짐)로 형성될 수 있다. 이에 따라, 이 실시예에서는 대략 28 nm의 중간층 적층체(226)의 전체 층 두께가 된다.
다양한 실시예들에서, 모든 부분적인 중간층들(222, 224)과, 이에 따라, 예를 들어, 또한 아연 산화물 및 또한 알루미늄 산화물도 원자층 증착 방법에 의하여 증착된다.
다양한 실시예들에서, 부분적인 중간층들 또는 중간층은 예를 들어, 전도성 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐-도핑된 주석 산화물 또는 그 합금들로 구성될 수 있거나, 하나 또는 복수의 이 재료들을 포함할 수 있다. 부분적인 중간층들 또는 중간층은 매우 얇게 만들어질 수 있다(하나의 원자층이 100 nm까지임). 충분히 얇은 층들이 주어지면, 다양한 실시예들에서는, OLED와 병렬인 기생 전류 경로가 무시될 수 있으므로, 하나의 중간층 또는 전도성 산화물들로 이루어진 복수의 부분적인 중간층들을 마스킹(masking) 없이 증착하는 것이 가능하다. 원자층 증착 층들은 매우 얇게 만들어질 수 있으므로, 중간층 또는 부분적인 중간층들을 위한 유전체 산화물들의 이용은 다양한 실시예들에서 또한 제공되고, 이것은 이들이 OLED의 에너지 공급을 위하여 적절한 직렬 전기 저항을 초래하지 않기 때문이다. 다양한 실시예들에서 원자층 증착 중간층 또는 원자층 증착 부분적인 중간층들을 위해 제공되는 유전체 산화물들의 예들은 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 란타늄 산화물 및 지르코늄 산화물 또는 그 합금들이다.
원칙적으로, 중간층 또는 부분적인 중간층들의 실시예를 위하여, 상기 언급된 재료들의 임의의 조합들이 가능하다. 재료들 및 층 두께의 선택에 의하여, 중간층 또는 부분적인 중간층들은 그 기능의 측면에서 유기 재료들 및 투명한 금속성 상부 전극에 적응될 수 있다.
도 2d의 제 4 부분적인 구조(230)에서 도시되는 바와 같이, 예를 들어, 제 2 전극(232)의 형태인, 투명한 전기적 전도성(예를 들어, 금속성) 상부 컨택(232)은 성장층 또는 성장층 적층체를 명확하게 형성하거나 형성하는 중간층(또는 중간층 적층체(226))의 자유 표면 상으로 증착된다. 제 2 전극(232)은 30 nm보다 작거나 같은 층 두께를 갖는 (예를 들어, 광학적으로 투명한) 금속층을 도포함으로써 형성될 수 있다.
금속층은 다음의 금속들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다: 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 구리, 금, 마그네슘, 사마륨, 백금, 팔라듐(palladium), 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들, 또는 이 금속, 또는 이 금속으로 이루어지거나 복수의 이 금속들, 예를 들어, 합금으로 이루어진 화합물.
예를 들어, 제 1 전극(204)이 양극일 경우, 금속층을 포함하는 제 2 전극(232)은 음극이다. 이 경우, 전극 성장층(226)은 기판(202)과 대향하는 제 2 전극(232) 측 상에 배치된다.
다양한 실시예들에서, 투명한 금속성 상부 전극(232)은 은(silver)으로 이루어지거나 그것으로 구성된 10 nm 두께 층을 가지며, 투명한 금속성 상부 전극(232)은 열 증발에 의하여 도포될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(232)은 스퍼터링에 의하여 또한 도포될 수도 있다. 다양한 실시예들에서, 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(232)은 대략 5 nm 내지 대략 30 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10 nm 내지 대략 20 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
도 2e의 제 5 부분적인 구조(240)에서 도시되는 바와 같이, 광을 커플링 아웃하기 위한 광학 적응층(optical adapting layer)(242)은 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(232)의 자유 표면 상으로 도포, 예를 들어, 증착되거나 스퍼터링된다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 구현예로서 도 2e에서 예시된 OLED는 상부/하부 이미터(emitter)로서 구성된다.
도 3a 내지 도 3e는 전자 부품의 제조 동안에 시간에 있어서 상이한 지점들에서 하나의 실시예에 따른 전자 부품, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(OLED)의 개략적으로 간략화된 측면도들을 부분적인 단면으로 도시한다.
도 3a의 제 1 부분적인 구조(300)에서 도시되는 바와 같이, 하나 또는 복수의 투명한 중간층들(또한 이하에서 하나 또는 복수의 전극 성장층(들)이라고도 지칭됨)이 기판(302)에 도포된다.
기판(302)은 투명한 기판(302)일 수 있다. 그러나, 기판(302)은 또한 불투명한 기판(302)일 수도 있다. 예로서, 기판은 유리, 석영, 사파이어, 플라스틱 필름(들), 금속, 금속 필름(들), 실리콘 웨이퍼들 또는 일부 다른 적당한 기판 재료를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 적어도 하나의 중간층은 원자층 증착 방법에 의하여 도포된다. 적어도 하나의 중간층 또는 복수의 중간층들에 의해 형성된 중간층 적층체(308)는 나노미터 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 0.1 nm 내지 대략 200 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 1 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 3 nm 내지 대략 3.5 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 1.5 nm보다 크거나 같은 층 두께를 가질 수 있다. 전극 성장층(들)의 층 두께는 각각의 경우에 있어서 또는 다양한 구성들의 전체에 걸쳐 예를 들어, 7 nm보다 작거나 같을 수 있다. 도 3a는 원자층 증착 방법에 의하여 각각의 경우에 있어서 도포되거나 도포되었던 복수의 부분적인 중간층들(304, 306)을 갖는 중간층 적층체(308)를 예시한다. 다양한 실시예들에서, 복수의 상이한 재료들, 예를 들어, 2개의 상이한 재료들이 제공될 수 있고, 각각의 재료는 각각의 부분적인 중간층(304, 306)을 형성한다. 다양한 실시예들에서, 각각의 부분적인 중간층들(304, 306)은 원자층 증착 방법에 의하여 대안적으로 각각 증착된 상이한 재료들로부터 증착될 수 있다. 따라서, 예로서, 제 1 부분적인 중간층(304)은 (예를 들어, 기판(302)의 자유 표면 상으로) 수 나노미터의 층 두께로, 예를 들어, 대략 2 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 3 nm 내지 대략 7 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 4 nm 내지 대략 6 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 5 nm의 층 두께로, 제 1 재료(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물 또는 원자층 증착 방법에 의한 증착을 위하여 적당한 일부 다른 재료, 예를 들어, 아연 산화물)로부터 증착될 수 있다.
또한, 예로서, 제 1 부분적인 중간층(304) 상으로, 예를 들어 수 나노미터의 층 두께로, 예를 들어, 대략 0.5 nm 내지 대략 8 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 1 nm 내지 대략 5 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 1.5 nm 내지 대략 3 nm 범위의 층 두께로, 예를 들어, 대략 2 nm의 층 두께로, 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 원자층 증착 방법에 의한 증착을 위해 적당한 일부 다른 재료, 예를 들어, 아연 산화물)로 이루어진 제 2 부분적인 중간층(306)을 증착하는 것이 가능하다. 다음으로, 제 2 부분적인 중간층(306) 상으로 추가 제 1 부분적인 중간층(304)을 증착하고, 추가 제 1 부분적인 중간층(304) 상으로 추가 제 2 부분적인 중간층(306)을 증착하는 등등과 같이 하는 것이 다시 한번 가능하다. 복수의 부분적인 중간층 적층체들(각각의 부분적인 중간층 적층체는 제 1 부분적인 중간층(304) 및 제 2 부분적인 중간층(306)을 포함할 수 있음)의 형성은 원칙적으로 희망하는 바와 같이 자주 반복될 수 있고; 예로서, (중간층 적층체의 희망하는 전체 두께에 따라) 2개, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개 또는 더 많은 부분적인 중간층 적층체들을 제공하는 것이 가능하다. 원자층 증착 방법은 각각의 희망하는 재료를 선택적으로 증착하기 위하여 대응하는 수의 횟수가 반복적으로 수행된다.
4개의 부분적인 중간층 적층체들은 도 3a에 도시된 실시예에서 제공된다. 일반적인 유효성을 제한하지 않으면서, 다양한 실시예들에서, 제 1 부분적인 중간층(304)은 아연 산화물(예를 들어, 대략 5 nm의 층 두께를 가짐)로 형성될 수 있고, 제 2 부분적인 중간층(306)은 알루미늄 산화물(예를 들어, 대략 2 nm의 층 두께를 가짐)로 형성될 수 있다. 이에 따라, 이 실시예에서는 대략 28 nm의 중간층 적층체(308)의 전체 층 두께가 된다.
다양한 실시예들에서, 모든 부분적인 중간층들(304, 306)과, 이에 따라, 예를 들어, 또한 아연 산화물 및 또한 알루미늄 산화물도 원자층 증착 방법에 의하여 증착된다.
다양한 실시예들에서, 부분적인 중간층들 또는 중간층은 예를 들어, 전도성 금속 산화물들 예컨대, 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐-도핑된 주석 산화물 또는 그 합금들로 구성될 수 있거나, 하나 또는 복수의 이 재료들을 포함할 수 있다. 부분적인 중간층들 또는 중간층은 매우 얇게 만들어질 수 있다(하나의 원자층이 100 nm까지임). 충분히 얇은 층들이 주어지면, 다양한 실시예들에서는, OLED와 병렬인 기생 전류 경로가 무시될 수 있으므로, 하나의 중간층 또는 전도성 산화물들로 이루어진 복수의 부분적인 중간층들을 마스킹(masking) 없이 증착하는 것이 가능하다. 원자층 증착 층들은 매우 얇게 만들어질 수 있으므로, 중간층 또는 부분적인 중간층들을 위한 유전체 산화물들의 이용은 다양한 실시예들에서 또한 제공되고, 이것은 이들이 OLED의 에너지 공급을 위하여 적절한 직렬 전기 저항을 초래하지 않기 때문이다. 다양한 실시예들에서 원자층 증착 중간층 또는 원자층 증착 부분적인 중간층들을 위해 제공되는 유전체 산화물들의 예들은 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 란타늄 산화물 및 지르코늄 산화물 또는 그 합금들이다.
원칙적으로, 중간층 또는 부분적인 중간층들의 실시예를 위하여, 상기 언급된 재료들의 임의의 조합들이 가능하다. 아래에서 훨씬 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 재료들 및 층 두께의 선택에 의하여, 중간층 또는 부분적인 중간층들은 그 기능의 측면에서 형성될 투명한 금속성 제 1 전극에 적응될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 원자층 증착 방법에 의하여 증착될 수 있는 임의의 (전기적 전도성 또는 유전체) 재료는 중간층 또는 부분적인 중간층들을 위해 제공될 수 있다.
도 3b의 제 2 부분적인 구조(310)에서 도시되는 바와 같이, 이하에서 하부 전극(310)이라고도 또한 지칭되는 제 1 전극(310)이 중간층 또는 중간층 적층체(308)의 자유 표면 상으로 도포, 예를 들어, 증착된다.
다양한 실시예들에서, 하부 전극(310)은 예를 들어, 양극일 수 있고, 예를 들어, 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)로 형성되었을 수 있거나 형성될 수 있고, 또는 다음의 금속들 중의 하나를 포함할 수 있다: 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들, 또는 이 금속, 또는 이 금속으로 이루어지거나 복수의 이 금속들, 예를 들어, 합금으로 이루어진 화합물.
다양한 실시예들에서, 기판(302) 및/또는 제 1 전극(312)은 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(312)은 스퍼터링에 의하여 또는 열 증발에 의하여 도포될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(312)은 대략 5 nm 내지 대략 30 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10 nm 내지 20 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
도 3c의 제 3 부분적인 구조(320)에서 도시되는 바와 같이, 예를 들어, 형광성 및/또는 인광성 이미터층과 같이, 전하 수송 및 광 발생을 위한 하나 또는 복수의 유기 기능층들(322)이 제 1 전극(312)에 도포된다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품, 예를 들어, OLED에서 제공될 수 있는 이미터 재료들의 예들은 유기 또는 유기금속성 화합물들 예컨대, 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)의 유도체들(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌 비닐렌)과, 금속 착물(metal complex)들, 예를 들어, 이리듐(iridium) 착물들 예컨대, 청색 인광성 FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광성 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6)(Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) 착물)과, 청색 형광성 DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolyamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2 (4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyrane)를 비-폴리머 이미터(non-polymeric emitter)들로서 포함한다. 이러한 비-폴리머 이미터들은 예를 들어, 열 증발(thermal evaporation)에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 특히, 예를 들어, 스핀 코팅과 같은 습식 화학적 방법들에 의하여 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 재료들은 매트릭스 재료로 적당한 방식으로 구현될 수 있다.
전자 부품의 이미터층들의 이미터 재료들은 예를 들어, 전자 부품이 백색 광을 방사하도록 선택될 수 있다. 이미터층은 상이한 컬러들(예를 들어, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)을 방사하는 복수의 이미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 이미터층은 또한 복수의 부분적인 층들, 예컨대, 청색 형광성 이미터층, 녹색 인광성 이미터층 및 적색 인광성 이미터층으로 구성될 수도 있다. 상이한 컬러들을 혼합함으로써, 백색 컬러 느낌을 갖는 광의 방사가 될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 발생된 1차 방사(primary emission)의 빔 경로에 변환 재료(converter material)를 배치하기 위하여 준비가 또한 행해질 수도 있고, 변환 재료는 적어도 부분적으로 1차 복사(primary radiation)를 흡수하고 상이한 파장을 갖는 2차 복사(secondary radiation)를 방사하여, 백색 컬러 느낌은 1차 및 2차 복사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 1차 복사로부터 발생한다.
예를 들어, 전자 부품의 기능성 및 이에 따른 효율을 더욱 개선시키도록 작용하는 추가 유기 기능층들을 제공하는 것이 가능하다.
대안적인 실시예들에서는, 발광 기능층들, 예를 들어, 유기 기능층들의 임의의 적당한 형태가 제공될 수 있고 본 발명은 기능층(들)의 특정한 유형에 제한되지 않는다고 지적되고 있다.
도 3d의 제 4 부분적인 구조(330)에서 도시되는 바와 같이, 예를 들어, 제 2 전극(332)의 형태인, 투명한 전기적 전도성(예를 들어, 금속성) 상부 컨택(332)은 제 3 부분적인 구조의 자유 표면 상으로, 더욱 정확하게는, 하나 또는 복수의 유기 기능층들(322) 상으로 증착된다. 제 2 전극(332)은 30 nm보다 작거나 같은 층 두께를 갖는 (예를 들어, 광학적으로 투명한) 금속층을 도포함으로써 형성될 수 있다.
금속층은 다음의 금속들 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다: 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들, 또는 이 금속, 또는 이 금속으로 이루어지거나 복수의 이 금속들, 예를 들어, 합금으로 이루어진 화합물.
예를 들어, 제 1 전극(312)이 양극일 경우, 금속층을 포함하는 제 2 전극(332)은 음극이다.
다양한 실시예들에서, 투명한 금속성 상부 전극(332)은 은(silver)으로 이루어지거나 그것으로 구성된 10 nm 두께 층을 가지며, 투명한 금속성 상부 전극(332)은 열 증발에 의하여 도포될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(332)은 스퍼터링에 의하여 또한 도포될 수도 있다. 다양한 실시예들에서, 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(332)은 대략 5 nm 내지 대략 30 nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10 nm 내지 대략 20 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
도 3e의 제 5 부분적인 구조(340)에서 도시되는 바와 같이, 광을 커플링 아웃하기 위한 광학 적응층(optical adapting layer)(342)은 투명한 전기적 전도성 상부 컨택(332)의 자유 표면 상으로 도포, 예를 들어, 증착되거나 스퍼터링된다.
다양한 실시예들에 따른 전자 부품의 구현예로서 도 3e에서 예시된 OLED는 하부 이미터(emitter)로서 구성된다.
다양한 실시예들에서, 전자 부품의 제 1 전극 아래 및 제 2 전극 아래 둘 모두에서 전극 성장층 또는 전극 성장층 적층체를 제공하기 위하여 준비가 행해질 수 있다.
도 4는 상부/하부 이미터로서 구성되는, 하나의 실시예에 따른 전자 부품(400)의 개략적으로 간략화된 측면도를 도시한다.
제 1 전극(404)은 기판(402), 예를 들어, 유리 기판 상에 배치된다. 제 1 전극(404)은 예를 들어, 양극일 수 있고, 예를 들어, 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 형광성 및/또는 인광성 이미터층과 같은 유기 기능층(406)이 제 1 전극(404) 상에 배치된다.
성장층(408)은 유기 기능층(406) 상에 배치된다. 성장층(408)은 예를 들어, 3 nm 두께일 수 있고, 대향 타겟 스퍼터링에 의하여 증착될 수 있다.
예를 들어, 10 nm 두께의 금속층(410)의 형태인 성장 전극은 성장층(408) 상에 제 2 전극으로서 증착된다. 금속층(410)은 예를 들어, 스퍼터링에 의하여 증착될 수 있다.
제 1 전극(404)이 양극일 경우, 금속층(410)을 포함하는 제 2 전극(412)은 음극이다. 이 경우, 성장층(408)은 기판(402)과 대향하는 예를 들어, 제 2 전극(412) 측 상에 배치된다.
도 5는 하부 이미터로서 구성되는, 또 다른 실시예에 따른 전자 부품(500)의 개략적으로 간략화된 측면도를 도시한다.
성장층(504)은 유리 기판과 같은 기판(502) 상에 배치되고, 제 1 전극(510)으로서의 금속층(508) 형태인 성장 전극은 성장층(504) 상에 배치된다. 제 1 전극(510)은 양극으로서 구성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 성장층(504)은 기판(502)과 대향하는 제 1 전극(510)의 측 상에 배치된다.
성장층(504)은 성장층이 그 위에 도포된 표면을 개선시키도록, 즉, 전자 부품(500)의 개선된 에너지 공급 및 개선된 투명도를 가능하게 하기 위하여 금속층(508)이 얇게, 부드럽게 그리고 균질하게 증착될 수 있도록 표면을 처리하도록 작용할 수 있다.
유기 기능층(512)은 금속층(508) 상에 배치된다. 유기 기능층(512)은 이미터층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극(514)은 유기 기능층(512) 상에 배치된다. 제 1 전극(510)이 양극일 경우, 제 2 전극(514)은 음극이다. 그것은 예를 들어, 기존의 20 nm 두께 은 층(silver layer)일 수 있다.
도 6은 상부 이미터로서 구성되는 또 다른 실시예에 따른 전자 부품(600)의 개략적으로 간략화된 측면도를 도시한다.
제 1 전극(604)은 기판(602) 상에 배치된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(604)은 양극일 수 있고, 예를 들어, 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있다.
정공 주입층(606)이 제 1 전극(604) 상에 배치되고, 정공 수송층(608)이 상기 정공 주입층 상에 배치된다. 정공 주입층(606) 및 정공 수송층(608)은 열 증발에 의하여 증착될 수 있다.
예를 들어, 형광성 및/또는 인광성 이미터층과 같은 추가 유기 기능층(610)이 정공 수송층(608) 상에 배치된다.
열 증발에 의하여 유사하게 증착될 수 있는 전자 수송층(612)은 유기 기능층(610) 상에 배치된다. 성장층(614)은 전자 수송층(612) 상에 배치된다. 성장층(614)은 예를 들어, 3 nm 두께일 수 있고 대향 타겟 스퍼터링에 의하여 증착될 수 있다.
예를 들어, 10 nm 두께의 금속층(616) 형태인 성장 전극은 성장층(614) 상에 제 2 전극으로서 증착된다. 금속층(616)은 바람직하게는 스퍼터링에 의하여 증착될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 금속층(616)을 포함하는 제 2 전극(618)은 음극이다.
도 7은 유리 기판 상에 증착된 얇은 은 층의 SEM 현미경 사진(700)을 도시한다. 은 층은 12 nm 두께이고, 열 증발에 의하여 유리 기판에 도포되었다. 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 은 층은 아일랜드(island) 형성에 크게 향하는 경향이 있고; 유리 기판은 금속 아일랜드들 사이에서 식별된다. 그러므로, 은 층은 유리 기판 상에 부드럽게 그리고 균질하게 형성되지는 않는다. 4-팁 측정 도구(four-tip measuring instrument)를 이용하여 측정되는 이 은 층의 면저항은 19.3 Ω/□ ± 1.9 Ω/□이다.
도 8은 열 증발에 의하여 유기 시스템 지지체 상에 증착된 12 nm 은 층의 SEM 현미경 사진(800)을 도시한다. 유기 시스템 지지체는 유리 기판 상에 증착되고, 예를 들어,
Figure 112013032407419-pct00001
-NPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'biphenyl-4,4''diamine과 같은 기존의 매트릭스 재료로 구성된다. 은 층이 아일랜드 형성을 향하는 경향은 도 7에서보다 상당히 적다; 그러나, 분명한 크랙(crack)들이 구별될 수 있다. 4-팁 측정 도구를 이용하여 측정되는 이 은 층의 면저항은 7.13 Ω/□ ± 0.37 Ω/□이다.
도 9는 다양한 실시예들에 따라 스퍼터링에 의하여 17 nm 두께의 ITO 성장층 상에 증착된 12 nm 두께의 은 층의 SEM 현미경 사진(900)을 도시한다. 다음으로, ITO 성장층이 예를 들어, 도 8을 참조하여 위에서 나타내었던 것과 같은 90 nm 두께의 유기 시스템 지지체 상에 도포되었다. 유기 시스템 지지체는 유리 기판에 도포되었다. 도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 은 층은 부드럽고 폐쇄된 방식으로 형성된다. 4-팁 측정 도구를 이용하여 측정되는 이 은 층의 면저항은 4.48 Ω/□ ± 0.20 Ω/□이다.
다양한 실시예들에 따른 얇은 비정질 성장층은 예를 들어, 20 nm의 두께를 갖는 기존의 금속층들 또는 전극층들에 비해, 금속층이 성장층 상에 얇게, 부드럽게, 그리고 폐쇄된 층으로서 증착될 수 있는 것을 가능하게 한다.
도 10은 도 7로부터 도 9까지의 은 층들(도 7에 따른 유리 기판 상의 은 층, 도 8에 따른 유리 기판 상의 유기 시스템 지지체 상의 은 층, 및 도 8에 따른 유리 기판 상의 유기 시스템 지지체 상의 ITO 층 상의 은 층)의 투명도의 측정 결과를 도시하는 그래프(1000)를 도시한다. 3개의 측정들이 그 예마다 수행되었다. 파장[nm]에 대한 투명도[%]가 표시된다.
도 7로부터의 유리 시스템 지지체(19) 상의 은 층은 대략 335 nm의 파장에서 대략 65%의 라디언스를 나타내고, 이것은 대략 410 nm로부터 시작하여 대략 35%의 최소값으로 떨어지고, 더 높은 파장들에서는 일정하게 유지된다.
도 8로부터의 유기 시스템 지지체(21) 상의 은 층은 대략 400 nm에서 대략 43%의 투명도 최대값을 나타낸다. 투명도는 더 높은 파장들에서 대략 32%의 값으로 서서히 떨어진다.
도 9로부터의 하나의 실시예에 따른 인듐-도핑된 주석 산화물(ITO)(23) 상의 은 층은 대략 400 nm에서 대략 68%의 투명도 최대값을 나타낸다. 투명도는 대략 380 nm 내지 대략 450 nm의 범위에서 60%보다 크다. 인듐-도핑된 주석 산화물(23) 상의 은 층의 투명도는 다른 층들(19 및 21)의 투명도보다 상당히 크다.
도 11은 다양한 실시예들에 따른 광전자 부품의 방사 특성들(1100)을 도시한다. 3개의 측정들이 수행되었다. 방사 특성들은 시야각(viewing angle)(도[°]로 명시됨)에 대한 라디언스([W/(sr/m2)]으로 명시됨)로 예시된다. 단위 "sr"은 스테라디언(steradian), 즉, 입체각(solid angle)을 나타낸다.
상부 방사 OLED로서 구현되는, 도 6에 설명된 바와 같은 본 발명에 따른 전자 부품의 어레인지먼트의 방사 특성(25)은 예를 들어, 대체로 램버시안 방사 특성(램버시안 방사 특성은 점선으로 표시되고, 참조 부호를 갖지 않음)을 나타낸다.
전자 부품을 제조하기 위한 방법이 다양한 실시예들에서 제공된다. 상기 방법은 원자층 증착 방법에 의하여 기판 상에 또는 그 위에 전극 성장층을 도포하는 단계; 및 전극 성장층 상에 전극을 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
이 실시예들의 하나의 구성에서, 전극 성장층은 0.1 nm 내지 200 nm 범위의 층 두께로 도포될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전극 성장층을 도포하는 단계는 전극 성장층을 형성하는 복수의 부분적인 층들을 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전극은 30 nm보다 작거나 같은 층 두께를 갖는 금속층을 도포함으로써 형성될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 금속층은 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 구리, 금, 백금, 팔라듐, 사마륨, 마그네슘, 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있거나, 상기 금속, 또는 상기 금속으로 이루어지거나 복수의 상기 금속들, 예를 들어, 합금으로 이루어진 화합물로 구성된다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 형성될 수 있고, 또한, 추가적인 전극과, 전극 및 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층이 형성될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 층 구조는 전극 상에 형성될 수 있다. 층 구조를 형성하는 단계는 유기 기능층 상에 추가적인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전자 부품은 유기 발광 다이오드로서 형성될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전극은 투명한 전극으로서 구현될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 추가적인 전극은 투명한 전극으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들은 기판; 기판 상의 전극 성장층; 및 전극 성장층 상의 전극을 포함할 수 있는 전자 부품을 더 제공한다. 전극 성장층은 원자층 증착층으로서 구현될 수 있다.
이 실시예들의 하나의 구성에서, 전극은 투명한 전극으로서 구현될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전극 성장층은 0.1 nm 내지 200 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전극 성장층은 전극 성장층을 형성하는 복수의 부분적인 층들을 가질 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 구현될 수 있고; 전자 부품은 추가적인 전극과, 전극 및 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층을 더 포함할 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 추가적인 전극은 투명한 전극으로서 구현될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 층 구조는 유기층 구조 상의 추가적인 전극과, 전극 상의 유기 기능층을 가질 수 있다. 전극들은 전극 성장층 상에 형성될 수 있고, 전극 성장층은 기판상에 형성될 수 있다.
이 실시예들의 또 다른 구성에서, 전자 부품은 유기 발광 다이오드로서 구현될 수 있다.
실시예들은 임의의 희망하는 방식으로 더욱 변동될 수 있다. 본 발명은 이 예들로 제한되는 것이 아니라, 오히려 여기에서 제시되지 않은 추가 구성들 및 실시예들을 허용하는 것을 또한 고려해야 한다.

Claims (22)

  1. 전자 부품을 제조하기 위한 방법으로서,
    원자층 증착 방법에 의하여 층 구조 상에 또는 층 구조 위에 전극 성장층을 도포하는 단계; 및
    상기 전극 성장층 상에 전극을 도포하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 28 nm 범위의 층 두께로 도포되며,
    상기 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 형성되고, 그리고
    추가적인 전극과, 상기 전극 및 상기 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층이 형성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 10 nm 범위의 층 두께로 도포되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극 성장층을 도포하는 단계는 상기 전극 성장층을 형성하는 복수의 부분적인 층들을 도포하는 단계를 포함하는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 30 nm보다 작거나 같은 층 두께를 갖는 금속층을 도포함으로써 형성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속층은 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 구리, 금, 백금, 팔라듐, 사마륨, 마그네슘, 칼슘 및 리튬, 그리고 그 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하거나, 상기 금속, 또는 상기 금속으로 이루어지거나 복수의 금속들로 이루어진 화합물로 구성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 층 구조는 기판을 가지며,
    상기 층 구조를 형성하는 단계는,
    기판 상에 상기 추가적인 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 추가적인 전극 상에 상기 유기 기능층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전극 성장층은 상기 유기 기능층 상에 형성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 부품은 유기 발광 다이오드로서 형성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 투명한 전극으로서 구현되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 추가적인 전극은 투명한 전극으로서 구현되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  11. 전자 부품으로서,
    층 구조;
    상기 층 구조 상의 전극 성장층; 및
    상기 전극 성장층 상의 전극
    을 포함하고,
    상기 전극 성장층은 원자층 증착층으로서 구현되고,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 28 nm 범위의 층 두께를 가지며,
    상기 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 구현되고, 그리고
    상기 전자 부품은 추가적인 전극과, 상기 전극 및 상기 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층을 더 가지는,
    전자 부품.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전극은 투명한 전극으로서 구현되는,
    전자 부품.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 10 nm 범위의 층 두께를 가지는,
    전자 부품.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 전극 성장층은 상기 전극 성장층을 형성하는 복수의 부분적인 층들을 가지는,
    전자 부품.
  15. 삭제
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 추가적인 전극은 투명한 전극으로서 구현되는,
    전자 부품.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 층 구조는,
    기판 상의 추가적인 전극; 및
    상기 추가적인 전극 상의 유기 기능층을 가지며,
    상기 전극 성장층은 상기 유기 기능층 상에 형성되는,
    전자 부품.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 전자 부품은 유기 발광 다이오드로서 구현되는,
    전자 부품.
  19. 전자 부품을 제조하기 위한 방법으로서,
    원자층 증착 방법에 의하여 기판 상에 또는 기판 위에 전극 성장층을 도포하는 단계; 및
    상기 전극 성장층 상에 전극을 도포하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 28 nm 범위의 층 두께로 도포되며,
    상기 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 형성되고, 그리고
    추가적인 전극과, 상기 전극 및 상기 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층이 형성되는,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  20. 전자 부품으로서,
    기판;
    상기 기판 상의 전극 성장층; 및
    상기 전극 성장층 상의 전극
    을 포함하고,
    상기 전극 성장층은 원자층 증착층으로서 구현되고,
    상기 전극 성장층은 1.5 nm 내지 28 nm 범위의 층 두께를 가지며,
    상기 전자 부품은 유기 전자 부품으로서 구현되고, 그리고
    상기 전자 부품은 추가적인 전극과, 상기 전극 및 상기 추가적인 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 기능층을 더 가지는,
    전자 부품.
  21. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속층은 합금으로 구성된,
    전자 부품을 제조하기 위한 방법.
  22. 삭제
KR1020137009500A 2010-09-15 2011-07-28 전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품 KR101463469B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010040839A DE102010040839B4 (de) 2010-09-15 2010-09-15 Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement
DE102010040839.5 2010-09-15
PCT/EP2011/062969 WO2012034765A1 (de) 2010-09-15 2011-07-28 Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130058748A KR20130058748A (ko) 2013-06-04
KR101463469B1 true KR101463469B1 (ko) 2014-11-19

Family

ID=44514683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137009500A KR101463469B1 (ko) 2010-09-15 2011-07-28 전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130292655A1 (ko)
KR (1) KR101463469B1 (ko)
CN (1) CN103210519B (ko)
DE (1) DE102010040839B4 (ko)
WO (1) WO2012034765A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012221080A1 (de) * 2012-11-19 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Oberflächenbereich eines elektronischen Bauelements
US9196718B2 (en) * 2013-02-20 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. In-situ nitridation of gate dielectric for semiconductor devices
DE102013107116B4 (de) 2013-07-05 2022-05-25 Pictiva Displays International Limited Organische Leuchtdiode und Verfahren zum Betreiben einer organischen Leuchtdiode
US9133545B2 (en) * 2013-10-23 2015-09-15 Corning Incorporated Glass-ceramics substrates for graphene growth
US9910200B1 (en) * 2014-05-05 2018-03-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The United States Increased visible and infrared transmission through radio frequency EMI shields
US10651334B2 (en) * 2017-02-14 2020-05-12 International Business Machines Corporation Semitransparent chalcogen solar cell
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN108258142A (zh) * 2018-01-12 2018-07-06 吉林大学 一种基于分子层沉积技术制备超薄金属电极的方法
US10633740B2 (en) 2018-03-19 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Methods for depositing coatings on aerospace components
EP3784815A4 (en) 2018-04-27 2021-11-03 Applied Materials, Inc. PROTECTION OF COMPONENTS AGAINST CORROSION
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
US11732353B2 (en) 2019-04-26 2023-08-22 Applied Materials, Inc. Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
CN115734826A (zh) 2020-07-03 2023-03-03 应用材料公司 用于翻新航空部件的方法
CN113097397B (zh) * 2021-03-30 2023-03-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制作方法和显示面板
FR3129523A1 (fr) * 2021-11-19 2023-05-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d’un dispositif optoelectronique

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090076275A (ko) * 2008-01-08 2009-07-13 주식회사 엘지화학 음극, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10207530A1 (de) * 2002-02-22 2003-09-11 Epcos Ag Piezoaktor mit strukturierter Außenelektrode
US20070275181A1 (en) * 2003-05-16 2007-11-29 Carcia Peter F Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition
TWI255665B (en) * 2003-10-03 2006-05-21 Pioneer Corp Organic electroluminescent device
US7851989B2 (en) * 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
DE102006060781B4 (de) * 2006-09-29 2021-09-16 Pictiva Displays International Limited Organisches Leuchtmittel
US7524226B2 (en) * 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
US20080100202A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Cok Ronald S Process for forming oled conductive protective layer
KR20080051572A (ko) * 2006-12-06 2008-06-11 주성엔지니어링(주) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
US7646144B2 (en) * 2006-12-27 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED with protective bi-layer electrode
EP2055804A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-06 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for preparing a deposition from a vapour
US8102114B2 (en) * 2009-02-27 2012-01-24 Global Oled Technology, Llc. Method of manufacturing an inverted bottom-emitting OLED device
DE102009022900A1 (de) * 2009-04-30 2010-11-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8143778B2 (en) * 2009-05-11 2012-03-27 National Taiwan University Organic-inorganic lighting device and a method for fabricating the same
DE102009034822A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt
KR101039988B1 (ko) * 2010-03-09 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101051561B1 (ko) * 2010-04-14 2011-07-22 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090076275A (ko) * 2008-01-08 2009-07-13 주식회사 엘지화학 음극, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

Also Published As

Publication number Publication date
US20130292655A1 (en) 2013-11-07
CN103210519B (zh) 2016-04-20
DE102010040839B4 (de) 2013-10-17
CN103210519A (zh) 2013-07-17
DE102010040839A1 (de) 2012-03-15
KR20130058748A (ko) 2013-06-04
WO2012034765A1 (de) 2012-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101463469B1 (ko) 전자 부품을 제조하기 위한 방법 및 전자 부품
US8735876B2 (en) Organic light emitting diode display
US9059423B2 (en) Electronic component and electrical contact
JP6285183B2 (ja) 電流拡散バスを備えた大面積発光電気パッケージ
TW200913344A (en) Method for applying a thin-film encapsulation layer assembly to an organic device, and an organic device provided with a thin-film encapsulation layer assembly preferably applied with such a method
US20150027541A1 (en) Electronic component with moisture barrier layer
KR101650029B1 (ko) 발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
KR20180025060A (ko) 유기발광소자 및 이를 구비한 유기발광 표시장치
US8147287B2 (en) Organic EL element and a method for manufacturing the organic EL element
US8093587B2 (en) Organic el device and process of producing the same
KR101973207B1 (ko) 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자
US9786868B2 (en) Electronic structure having at least one metal growth layer and method for producing an electronic structure
US20130270536A1 (en) Electronic component and method for producing an electronic component
WO2013099084A1 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
KR20110107447A (ko) 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2004152751A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
KR20100137396A (ko) 유기 조명 장치
CN112652726A (zh) Oled器件透明阴极及其制作方法
Hyung et al. Bottom-emission organic light-emitting diodes using semitransparent anode electrode by O2 plasma
US20110084288A1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
CN115411199A (zh) 一种显示器件及其制造方法
KR101371407B1 (ko) 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20160015787A (ko) 유기 발광 표시 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 5