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Die
Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere
ein organisches optoelektronisches Bauelement, bei dem auf der Anode eine
amorphe dielektrische Schicht angeordnet ist.
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Die
Effizienz und die Lebensdauer von optoelektronischen Bauelementen,
wie zum Beispiel Leuchtdioden, Infrarot-emittierenden Leuchtdioden, organischen
Leuchtdioden (OLEDs), organischen Solarzellen oder organischen Fotodetektoren
mit funktionellen Schichten kann durch das Auftreten eines Kurzschlusses
stark herabgesetzt werden.
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Eine
Aufgabe der Erfindung ist es, ein optisches Bauelement anzugeben,
bei dem die Anfälligkeit
gegenüber
Kurzschlüssen
vermindert werden kann.
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Diese
Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren
zu dessen Herstellung gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Weitere
Ausgestaltungen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements
beziehungsweise des Verfahrens zu dessen Herstellung sind Gegenstand
von Unteransprüchen
und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und Zeichnungen hervor.
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Ein
optoelektronisches Bauelement gemäß der vorliegenden Erfindung
umfasst ein Substrat, eine Anode und eine Kathode und zumindest
eine zwischen der Anode und der Kathode angeordnete aktive Schicht,
z. B. Emitterschicht. Ferner ist direkt auf der kathodenseitigen
Oberfläche
der Anode eine amorphe dielektrische Schicht angeordnet. Diese Schicht
enthält
ein Metalloxid, ein Metallnitrid und/oder ein Metalloxinitrid oder
besteht daraus; das im Metalloxid, Metallnitrid oder Metalloxinitrid
enthaltene Metall ist dabei ausgewählt aus einem oder mehreren
der Metalle der Gruppe bestehend aus Aluminium, Gallium, Titan,
Zirkonium, Hafnium, Tantal, Lanthan und Zink.
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Hier
und im Folgenden bezeichnet eine Schicht oder ein Element, das „auf” einer
anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet ist, dass
die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischen
und/oder elektrischen Kontakt (also direkt) auf der anderen Schicht oder
dem anderen Element angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten,
dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf der anderen
Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann
weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen
Schicht beziehungsweise zwischen dem einen und dem anderen Element
angeordnet sein.
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Dass
eine Schicht oder eine Element „zwischen” zwei anderen Schichten oder
Elementen angeordnet ist, kann hier und im Folgenden bedeuten, dass
die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischen
und/oder elektrischen Kontakt oder in mittelbarem Kontakt zur einen der
zwei anderen Schichten oder zum einen der zwei anderen Elemente
und in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt zur anderen
der zwei anderen Schichten oder zum anderen der zwei anderen Elemente
angeordnet ist. Dabei können
bei mittelbarem Kontakt dann weitere Schichten und/oder Elemente
zwischen der einen und zumindest einer der zwei anderen Schichten
beziehungsweise zwischen dem einen und zumindest einem der zwei
anderen Elemente angeordnet sein.
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Unter
einer „amorphen” Schicht
wird eine Schicht verstanden, bei der mittels Röntgenbeugung (XRD) keine scharfen
Bragg-Reflexe (bzw.
Signale) erhalten werden. Insbesondere liegen in den Bereichen mit
Nahordnung in dieser amorphen Schicht maximal vier, üblicherweise
maximal drei, parallele Gitterebenen vor. Insbesondere wird daher
unter einer amorphen Schicht eine Schicht verstanden, bei der die „Kristallite” einen
maximalen Durchmesser von 2,5 nm aufweisen. Ferner ist ein amorphes
Material im Sinne der vorliegenden Erfindung im meist auch dadurch
charakterisiert, dass die Dichte dieses amorphen Materials mindestens
zehn Prozent, häufig
mindestens 15 Prozent und oft auch mehr als 20 Prozent geringer
ist als die des entsprechenden vollständig kristallinen natürlich vorkommenden
Materials (bei mehreren Modifikationen der natürlich vorkommenden Modifikation
mit der höchsten
Dichte). Beispielsweise weist Korund eine Dichte von 3,99 g/cm3 und amorphes Aluminiumoxid im Sinne der vorliegenden
Erfindungen eine Dichte von etwa 2,8 bis 3,4 g/cm3,
häufig
2,8 bis 3 g/cm3 auf. Die Dichte der amorphen
Schicht kann hierbei mittels Röntgen-Reflektometrie
(XRR) bestimmt werden.
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Unter
einer amorphen dielektrischen Schicht kann erfindungsgemäß ferner
eine Schicht verstanden werden, bei der nur die Oberfläche auf
einer oder beiden Hauptseiten der Schicht (nämlich die der Anode bzw. der
Emitterschicht zugewandte Seite der dielektrischen Schicht) vollflächig amorph
im Sinn der vorliegenden Erfindung ist. Dies kann mittels winkelabhängiger Röntgenfotoelektronenspektroskope (XPS)
nachgewiesen werden (auch hier liegen dann für die oberflächennahen
Bereiche keine scharfen Signale vor).
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Das
erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement
mit dielektrischer Schicht zeichnet sich dadurch aus, dass aufgrund
der dielektrischen Schicht eine deutlich geringere Häufigkeit
von Kurzschlüssen
zu verzeichnen ist und die Stromeffizienz erhöht ist. Die Verwendung einer
amorphen dielektrischen Schicht hat gegenüber einer nicht amorphen dielektrischen
Schicht den Vorteil, dass sich in der Schicht in vertikaler Richtung
keine Korngrenzen ausbilden können;
erfindungsgemäß wurde
erkannt, dass hierdurch nochmals eine deutliche Verminderung der
Häufigkeit
von Kurzschlüssen
zu verzeichnen ist.
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Ist
das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement
eine organische Leuchtdiode, so kann die verminderte Anzahl an Kurzschlüssen auch
am Erscheinungsbild der OLED erkannt werden. Im Vergleich zu einer
OLED, die identisch aufgebaut ist, allerdings keine dielektrische
amorphe Schicht aufweist, besitzt die erfindungsgemäße OLED
ein deutlich homogeneres Leuchtbild; auch die Anzahl der ”black spots” ist deutlich
gegenüber
der in den Vergleichs-OLEDs vermindert und zumeist gleich Null. Als ”black spots” werden
hierbei Bereiche verstanden, die mit bloßem Auge sichtbar sind (bei
denen der Maximaldurchmesser also größer oder gleich 50 μm beträgt).
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Das
Material der amorphen dielektrischen Schicht ist ein Metalloxid,
ein Metallnitrid oder Metalloxinitrid, wobei das Metall Aluminium,
Gallium, Titan, Zirkonium, Hafnium, Tantal, Lanthan und/oder Zink sein
kann. Diese Verbindungen besitzen im Regelfall die Formel MmEn auf, wobei M
das Metall ist, E für Sauerstoff
und/oder Stickstoff steht und m und n ganze Zahlen sind. Das Metall
liegt hierbei insbesondere in der Oxidationsstufe II (Zink), III
(Aluminium, Gallium, Lanthan), IV (Titan, Zirkonium, Hafnium) oder
V (Tantal) vor; der (formale) Anteil des Metalls in anderen Oxidationsstufen
beträgt
maximal 2 Atom-% und ist zumeist kleiner 0,5 Atom-% und häufig gleich
Null. Die konkreten Indices m und n ergeben sich daher aufgrund
der Wertigkeit 2 für
Sauerstoff und 3 für Stickstoff;
es resultieren (in der Reihenfolge der vorstehend beschriebenen
Oxidationsstufen für
Oxide beispielsweise die Formeln MO, M2O3, MO2 und M2O5). Die vorstehend
genannten Verbindungen können
auch eine gewisse Nichtstöchiometrie
aufweisen; allerdings ist (korrespondierend mit den Metallatomen
in anderen als den angegebenen Oxidationsstufen) die Abweichung
gegenüber
dem ganzzahligen Index im Regelfall maximal 2 Prozent (im Fall einer
Verbindung des Typs M2O5 sollte
also die Nichtstöchiometrie
nicht größer sein
als bei der Verbindung M1,96O5).
Bevorzugt sollten die vorstehenden Verbindungen aber gar keine Nichtstöchiometrie
aufweisen, da die Dielektrizitätskonstante
nichtstöchiometrischer
Verbindungen gegenüber
den entsprechenden stöchiometrischen
Verbindungen ansteigt und zwar im Ausmaß der Nichtstöchiometrie.
Materialien mit höheren
Dielektrizitätskonstanten
sind aber weniger gut für
die Verhinderung von Kurzschlüssen
geeignet.
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In
einer Ausführungsform
weist das erfindungsgemäße optoelektronische
Bauelement eine Lochinjektionsschicht auf, die direkt auf der dielektrischen
Schicht (und zwar auf der der Anode abgewandten Seite) angeordnet
ist und eine Dicke von insbesondere kleiner oder gleich 5 nm aufweist. Üblicherweise
beträgt
die Dicke der Lochinjektionsschicht zumindest 1 nm; häufig beträgt die Dicke
dieser Schicht 1 bis 2 nm.
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Gegenüber identischen
Bauelementen nach dem Stand der Technik, die keine dielektrische Schicht
aufweisen, kann daher die Dicke der Lochinjektionsschicht deutlich
reduziert werden. Erfindungsgemäß wurde
erkannt, dass dabei die Stromeffizienz im Wesentlichen gleich bleibt
und auch die Homogenität
des Leuchtbilds gleich bleibt. Nach dem Stand der Technik werden – um Kurzschlüsse zu vermeiden – häufig Lochinjektionsschichten
mit einer Dicke von 400 nm oder größer eingesetzt. Die Dicke der
erfindungsgemäß eingesetzten
Lochinjektionsschicht ist daher üblicherweise
gegenüber
einer Lochinjektionsschicht in einem vergleichbaren optoelektronischen
Bauelement nach dem Stand der Technik mindestens um 90 Prozent,
häufig
um mindestens 95 Prozent und oft sogar um mindestens 97,5 Prozent
reduziert. Nach einer derartigen Ausführungsform kann also eine enorme
Materialersparnis realisiert werden. Zudem kann auch die Gesamtdicke des
optoelektronischen Bauelements deutlich reduziert werden.
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In
einer weiteren Ausführungsform
weist die im optoelektronischen Bauelement enthaltene dielektrische
Schicht eine Dicke von 0,1 bis 100 nm auf. Meist ist eine Dicke
von 0,1 bis 3 nm, insbesondere von 0,1 bis 1 nm, beispielsweise
von 0,5 bis 1 nm sinnvoll.
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Eine
besonders geringe Dicke der dielektrischen Schicht führt im Regelfall
zu einer besseren Stromeffizienz als eine dicke dielektrische Schicht, da
die Tunnelwahrscheinlichkeit für
die gebildeten Löcher
dann deutlich höher
ist. Auch die Leuchtdichte ist bei sehr dünnen Schichten größer als
bei dicken Schichten. Üblicherweise
beträgt
die Leuchtdichte eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements,
das als OLED ausgebildet ist, zumindest 1000 cd/m2 meist
sogar mehr als 3000 cd/m2. Die Effizienz der
Leuchtdichte beträgt
bei einer Stromdichte von 10 bis 200 mA/cm2 im
Regelfall etwa 5 bis 10 cd/A.
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Maßgeblich
für die
Dicke der dielektrischen Schicht ist allerdings auch die Homogenität der Schichtdicke,
die mit dem Verfahren mit dem die Schicht aufgebracht wird, erzielt
werden kann. Um eine effiziente Schutzwirkung gegen Kurzschlüsse realisieren
zu können,
sollte die Schicht möglichst
die gesamte Oberfläche
der Anode bedecken und keine Lücken
aufweisen. Die Homogenität
der Schicht ist damit nicht nur vom Aufbringungsverfahren für die dielektrische
Schicht abhängig – auch die
Oberflächenqualität der darunter
liegenden Anode spielt eine Rolle. Weist diese Oberfläche Poren
beziehungsweise Hinterschneidungen auf, so ist bevorzugt ein Verfahren
zu wählen,
bei dem auch die Porenoberfläche vollständig mit
der dielektrischen Schicht belegt ist beziehungsweise die Poren
damit ausgefüllt
sind und auch bei Hinterschneidungen keine Lücken in der dielektrischen
Schicht auftreten.
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Um
dies realisieren zu können,
können
abhängig
vom verwendeten Verfahren auch Schichtdicken von 5 bis 15 nm oder
auch größere Schichtdicken
erforderlich sein.
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In
einer Ausgestaltung besteht die dielektrische Schicht des optoelektronischen
Bauelements aus Aluminiumoxid oder enthält dieses.
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Eine
derartige Schicht ist besonders leicht aufbringbar und die zu verwendenden
Ausgangsmaterialien sind billig. Zudem weist Aluminiumoxid eine besonders
niedrige Dielektrizitätskonstante
auf.
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In
einer weiteren Ausführungsform
umfasst die Anode ein transparentes leitfähiges Oxid, insbesondere Indiumzinnoxid.
Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO”) sind transparente,
leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise
Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO).
Neben binären
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch
ternäre
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3,
MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher
transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung
und können
auch p- oder n-dotiert sein. Wird ein TCO als Anodenmaterial eingesetzt,
so kann die dielektrische Schicht besonders einfach aufgebracht
werden. Zudem kann – sofern
die Strahlungsemission anodenseitig erfolgt – eine besonders hohe Transparenz
des optoelektronischen Bauelements erreicht werden. Alternativ kann
die Anode aber auch ein Metall umfassen, insbesondere eine Metallschicht
umfassen beziehungsweise hieraus bestehen. Das Material einer derartigen
Elektrode kann dann ausgewählt
sein aus einem oder mehreren der Metalle der Gruppe Aluminium, Barium,
Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Verbindungen,
insbesondere Legierungen, hiervon.
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In
einer weiteren Ausführungsform
ist die Homogenität
der Schichtdicke unabhängig
von der Oberflächenstruktur
der direkt an die dielektrische Schicht angrenzenden Schichten,
insbesondere der Schicht, auf die die dielektrische Schicht aufgebracht wird,
insbesondere unabhängig
von der Oberflächenstruktur
der Anode des optoelektronischen Bauelements. Die dielektrische
Schicht kann also insbesondere derart ausgebildet sein, dass sie
der Oberflächenstruktur
der Anode zumindest teilweise oder annähernd folgen kann, was insbesondere
bedeutet, dass die kathodenseitige Oberfläche der dielektrischen Schicht
der topographischen Struktur der Grenzfläche zwischen dielektrischer
Schicht und Anode teilweise oder annähernd folgt (und die Oberfläche der
dielektrischen Schicht die Oberfläche der Anode gleichsam abbildet).
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Dass
die kathodenseitige Oberfläche
der dielektrischen Schicht der Grenzfläche zwischen der Anode und
der dielektrischen Schicht und damit der Oberflächenstruktur der Anode zumindest
teilweise folgt, bedeutet erfindungsgemäß insbesondere, dass die kathodenseitige
Oberfläche
der dielektrischen Schicht ebenfalls eine topographische Oberflächenstruktur
aufweist. Die topographische Oberflächenstruktur der kathodenseitigen
Oberfläche
der dielektrischen Schicht kann dabei insbesondere gleich oder ähnlich der
topographischen Oberflächenstruktur
der der Kathode zugewandten Oberfläche der Anode sein. „Gleich” oder „ähnlich” bedeutet
hierbei, dass die jeweiligen topographischen Oberflächenstrukturen
der der Kathode zugewandten Seiten der Anode und der dielektrischen
Schicht gleiche oder ähnliche Höhenprofile
mit einander entsprechenden Strukturen wie etwa Erhebungen und Vertiefungen
aufweisen. Beispielsweise können
diese topographischen Oberflächenstrukturen
jeweils lateral nebeneinander angeordnete Erhebungen und Vertiefungen
in einer bestimmten charakteristischen Abfolge aufweisen, die abgesehen
von relativen Höhenunterschieden der
Erhebungen und Vertiefungen für
die genannten topographischen Oberflächenstrukturen gleich sind. Mit
anderen Worten kann eine Oberfläche,
die der topographischen Oberflächenstruktur
einer anderen Fläche
zumindest teilweise folgt, eine Erhebung angeordnet über einer
Erhebung beziehungsweise eine Vertiefung angeordnet über einer
Vertiefung der topographischen Oberflächenstruktur der Oberfläche der
jeweils benachbarten Schicht aufweisen. Der relative Höhenunterschied
zwischen benachbarten Erhebungen und Vertiefungen der einen Oberfläche kann
dabei auch unterschiedlich zum relativen Höhenunterschied der entsprechenden
Erhebungen und Vertiefungen der topographischen Oberflächenstruktur
der anderen Fläche
sein – häufig ist
aber auch dieser relative Höhenunterschied
in etwa gleich.
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Weist
die Oberflächenstruktur
der Anode Poren und/oder Hinterschneidungen auf, so wird unter „gleich” oder „ähnlich” verstanden,
dass die der Kathode zugewandte Seite der dielektrischen Schicht diese
Poren und/oder Hinterschneidungen nicht nachbilden muss (aber kann).
Wie oben erläutert
ist es im Sinn der vorliegenden Erfindung ausreichend, wenn gewährleistet
ist, dass bei derartigen Strukturelementen keine „Lücken” in der
dielektrischen Schicht ausgebildet sind und eine vollständig die
Anode bedeckende Schicht erhalten wird.
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Mit
anderen Worten kann „teilweise
oder annähernd
folgen” insbesondere
bedeuten, dass die obere Oberfläche
der dielektrischen Schicht und die Grenzfläche zwischen dielektrischer
Schicht und Anode parallel oder zumindest annähernd parallel verlaufen. Die
dielektrische Schicht kann also insbesondere eine Dicke aufweisen
die unabhängig
oder annähernd
unabhängig
von der Oberflächenstruktur
der Anode ist.
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Die
Schichtdicke der dielektrischen Schicht kann somit insbesondere
eine Dickenvariation von maximal 10 Prozent, häufig kleiner oder gleich 5
Prozent gemessen an der Gesamtdicke der dielektrischen Schicht aufweisen.
Eine derartige Ausbildung der dielektrischen Schicht mit einer derart
geringen Dickenvariation kann auch als so genanntes „conformal
coating” bezeichnet
werden.
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Die
Dickenvariation der dielektrischen Schicht kann allerdings bei sehr
dünnen
Schichten (insbesondere wenn die Schicht nur bis zu 10 Atomlagen
dick ist beziehungsweise bis zu 1 nm dick ist) naturgemäß auch größer sein.
Bei derart dünnen Schichten
ist die Dickenvariation dann ±2
Atomlagen (im Regelfall sogar ±1
Atomlage).
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Weiterhin
kann die dielektrische Schicht eine Dicke aufweisen, die kleiner
ist als die Abmessungen von zumindest einigen Strukturen und insbesondere makroskopischen
Strukturen der Oberflächenstruktur der
Anode. Den makroskopischen Strukturen werden hierbei Strukturen
der Oberflächenstruktur
zugerechnet, die mittels sichtbaren Lichts auflösbar sind (und können etwa
Steigungen, Erhebungen, Winkel, Kanten, Ecken, Vertiefungen, Gräben, Furchen,
Poren und ähnliches
aufweisen). Dies bedeutet insbesondere, dass hier als makroskopisch
bezeichnete Strukturen Abmessungen von größer oder gleich etwa 400 nm
aufweisen. Kleinere Strukturen werden als mikroskopische Strukturen
bezeichnet. Insbesondere kann die dielektrische Schicht den mikroskopischen
Strukturen der Oberflächenstruktur
der Anode folgen, deren Abmessungen größer als die Dicke der dielektrischen
Schicht sind.
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Die
Dicke der dielektrischen Schicht kann auch unabhängig von Poren in der der Kathode
zugewandten Oberfläche
der Anode sein. Insbesondere wenn der Durchmesser der Pore (bei
flaschenartigen Poren etc. der kleinste Durchmesser der Pore) größer als
die zweifache Schichtdicke der dielektrischen Schicht ist, kann
auch die Porenoberfläche
gleichmäßig und
im obigen Sinn zumindest nahezu mit einer gleichen Schichtdicke
der dielektrischen Schicht versehen sein, in dem die dielektrische
Schicht der Oberflächenstruktur
der Anode folgt. Ist die Schichtdicke der dielektrischen Schicht
größer als
der halbe Durchmesser dieser Poren, so wird die dielektrische Schicht
die Poren abdecken, ohne der Oberflächenstruktur dieser Poren zu
folgen und dabei trotzdem eine im obigen Sinn zumindest nahezu gleich
bleibende Dicke aufweisen. Die mittlere Rauheit Ra von TCO-Anoden,
insbesondere von ITO-Anoden, ist typischerweise kleiner oder gleich
1,5 nm und ist im Regelfall kleiner 2,5 nm.
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Ein
Verfahren, mit dem es möglich
ist, dielektrische Schichten aufzubringen, die den oben genannten
Bedingungen gehorchen, ist die Atomlagenabscheidung („atomic
layer deposition, ALD”).
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Mit
einem derartigen Verfahren werden einzelne Atomlagen sukzessive
nacheinander abgeschieden, so dass die Schichtdicke der gebildeten Schicht
im Wesentlichen gleich bleibt, da die abgeschiedenen Atomlagen (insbesondere
bei geeigneter Wahl des Precursors – insbesondere bei Wahl eines sterisch
nicht sonderlich anspruchsvollen Precursors) im Wesentlichen die
darunter liegende Atomlage beziehungsweise die darunter liegende
zu beschichtende Oberfläche
vollständig
bedecken. Die mittels ALD erzeugten Schichten haben den Vorteil, dass
sie auch Hinterschneidungen und Porenoberflächen vollständig bedecken, da die Schichtbildung von
der Abscheidungsrichtung unabhängig
ist (das heißt
dass das abgeschiedene Material – beziehungsweise der Precursor – nicht
aus einer Vorzugsrichtung oder einem Vorzugsraumsegment die zu beschichtende
Oberfläche
beaufschlagt – wie
dies zum Beispiel beim Sputtern der Fall ist). Ganz generell sind
daher erfindungsgemäß Verfahren
zur Aufbringung der dielektrischen Schicht bevorzugt, bei denen die
Schichtbildung in Poren und Hinterschneidungen vom Aufbringungsverfahren
unabhängig
ist.
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In
einer weiteren Ausgestaltung wird die Atomlagenabscheidung plasmafrei
durchgeführt. Dies
führt zu
einer besonders homogenen Schichtdicke der gebildeten dielektrischen
Schicht. Während bei
plasmaunterstützter
Atomlagenabscheidung eine Reaktion des Precursors mit dem Plasma
nicht ausgeschlossen werden kann (was zu einer Reaktion noch in
der Gasphase und daher zur Ausbildung nicht vollkommen einheitlicher
Monolagen führen kann),
ist dies bei plasmafreier ALD nicht der Fall. Insbesondere bei sehr
dünnen
Schichtdicken von 0,1 bis 0,5 nm führt daher die plasmafreie ALD
meist zum besseren Ergebnis; im Regelfall kann bei derartigen Schichtdicken
nur durch plasmafreie ALD eine vollständige Bedeckung der Anodenoberfläche und
eine einigermaßen
einheitliche Schichtdicke realisiert werden.
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Eine
mittels Atomlagenabscheidung erzeugte dielektrische Schicht zeichnet
sich insbesondere auch dadurch aus, dass die üblicherweise frei oder im Wesentlichen
frei von Gaseinschlüssen
ist. Insbesondere sind keine Gaseinschlüsse erhalten, die auf ein bei
der Abscheidung der Schicht verwendetes Trägergas zurückzuführen sind. Bei Sputter-Prozessen zur Aufbringung
einer Schicht finden sich stets derartige Einschlüsse (zum
Beispiel Einschlüsse
von Argon als Trägergas).
Allenfalls sind Gaseinschlüsse denkbar,
die auf das verwendete Precursormaterial zurückgehen (beispielsweise Methan).
Aufgrund der sukzessiven Abscheidung der Atomlagen sind aber bei
plasmafreier ALD auch derartige Einschlüsse im Regelfall nicht zu finden.
Lediglich bei plasmaunterstützter
ALD ist eine gewisse Neigung zur Bildung von Gaseinschlüssen vorhanden
(die allerdings abhängig
ist von den konkreten Abscheidungsbedingungen).
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Die
Atomlagenabscheidung wird insbesondere folgendermaßen durchgeführt:
Ein
Substrat mit einer darauf angeordneten zu beschichtenden Elektrodenschicht
wird zunächst
einem Reaktor, in dem die ALD durchgeführt wird, zugeführt. Das
Substrat beziehungsweise der Reaktor wird dann mit einem Absorptionspuls
beaufschlagt (Verfahrensschritt B1). Hierbei wird dem Reaktor entweder
ein Precursor oder ein Oxidationsmittel (beziehungsweise statt eines
Oxidationsmittels ein Reduktionsmittel) zugeführt. Ein Oxidationsmittel wird
benötigt,
wenn eine Oxidation des Precursors oder einer Komponente des Precursors
erforderlich ist, um eine Schicht der gewünschten Zusammensetzung zu erhalten
(zum Beispiel bei der Herstellung von Metalloxidschichten); ein
Reduktionsmittel ist erforderlich, wenn eine Reduktion des Precursors
oder einer Komponente des Precursors erforderlich ist um die zu
bildende Schicht zu erhalten oder die zu bildende Schicht eine durch
die Reaktion mit dem Reduktionsmittel „auf das Precursor-Metall übertragene” Komponente
(zum Beispiel eine Nitrid-Komponente) enthält (beispielsweise bei der
Bildung von Metallnitriden mit zum Beispiel Ammoniak als Precursor).
Der Precursor beziehungsweise das Oxidations- oder Reduktionsmittel
wird dem Reaktor üblicherweise gasförmig zugeführt. Während des
Absorptionspulses kann dann der Precursor beziehungsweise das Oxidations-
oder Reduktionsmittel auf der zu beschichtenden Oberfläche adsorbieren.
Im Regelfall erfolgt eine vollständige
oder zumindest nahezu vollständige
Bedeckung der Oberfläche
mit dieser gasförmigen
Verbindung. Wird ein Precursor mit besonders sperrigen Substituenten
verwendet (beispielsweise eine Metall-Alkyl-Verbindung mit Alkylresten mit
jeweils 3 oder mehr C-Atomen), so ist eine vollständige Bedeckung
der Oberfläche
(die dann zu einer vollständigen
Atomlage nach Vollendung des jeweiligen ALD-Zyklus führt) nicht
in jedem Fall gewährleistet
ist. Meist ist es daher sinnvoll, Precursor einzusetzen, die weniger
sperrige Substituenten aufweisen, da dann eine „dichtere Packung” in der
absorbierten Atomlage vorliegt. Die vorstehenden Ausführungen
für den
Precursor gelten auch, wenn der Precursor erst in einem nachfolgend
beschriebenen Reaktionspuls zugeführt wird.
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Nach
dem Absorptionspuls erfolgt im Reaktor ein Spül- und/oder Evakuierungsschritt (Verfahrensschritt
B2). Hierdurch werden nicht auf der zu beschichtenden Oberfläche absorbierte
Moleküle
aus dem Reaktor im Wesentlichen entfernt. Als Spülgas kann ein Inertgas verwendet
werden (zum Beispiel Argon). Der Spül- und/oder Evakuierungsschritts wird
im Regelfall so durchgeführt,
dass ein gewisser konstanter Spülgasstrom
durch den Reaktor fließt und
die vor Durchführung
des Adsorptionspulses herrschenden Druckverhältnisse sukzessive wieder aufgebaut
werden.
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Anschließend erfolgt
ein Reaktionspuls (Verfahrensschritt B3), bei dem das Substrat mit
dem absorbierten Precursor mit einem Oxidationsmittel (beziehungsweise
mit einem Reduktionsmittel) beaufschlagt wird oder – sofern
auf dem Substrat nicht der Precursor absorbiert ist sondern das
Oxidationsmittel (beziehungsweise das Reduktionsmittel) mit einem Precursor
beaufschlagt wird. Durch die Zuführung der
zweiten Reaktionskomponente im Reaktionspuls kann eine Reaktion
von Precursor und Oxidationsmittel beziehungsweise Precursor und
Reduktionsmittel erfolgen, wodurch eine Monolage des Metalloxids
beziehungsweise Metallnitrids beziehungsweise Metalloxinitrids (der
dielektrischen Schicht der vorliegenden Erfindung) gebildet wird.
Gegebenenfalls kann hierzu die zu beschichtende Oberfläche oder auch
der Reaktor erwärmt
werden, um eine thermische Unterstützung der Reaktion von Precursor
und Oxidations- beziehungsweise Reduktionsmittel zu ermöglichen.
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Nach
erfolgtem Reaktionspuls wird im Regelfall ein weiterer Spül- und/oder
Evakuierungsschritt (Verfahrensschritt B4) durchgeführt, um überschüssige Moleküle der während des
Reaktionspulses zugeführten
Komponente aus dem Reaktor zu entfernen.
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Um
zur gewünschten,
mittels ALD erzeugten Schicht zu gelangen, werden Absorptionspuls, Spül/Evakuierungsschritt, Reaktionspuls
und zweiter Spül/Evakuierungsschritt
so oft in der angegebenen Reihenfolge nacheinander wiederholt, bis
die gewünschte
Anzahl von Atomlagen abgeschieden ist (beziehungsweise die gewünschte Schichtdicke
erreicht ist).
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In
einer Ausführungsform
wird der ALD-Prozess so durchgeführt,
dass die Schichtabscheidung (Verfahrensschritt B) beziehungsweise
die mehrfache Wiederholung der Verfahrensschritte B1, B2, B3 und
B4 bei einer Temperatur von mindestens 60°C und/oder einem Druck von maximal
50 mbar durchgeführt
wird. Werden die Prozessparameter derart gewählt, so ist einerseits gewährleistet,
dass die im Verfahrensschritt B2 (Absorptionspuls) erfolgende Absorption
tatsächlich
zu einer Monolage führt
und andererseits eine vollständige
Reaktion im Verfahrensschritt B3 (Reaktionspuls) erfolgt. Ferner
kann durch den niedrigen Druck (und gegebenenfalls auch die erhöhte Temperatur)
erreicht werden, dass die verwendeten Precursor beziehungsweise
Oxidations- oder
Reduktionsmittel gasförmig
vorliegen.
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In
einer Ausgestaltung beträgt
die Temperatur im Verfahrensschritt B) 80 bis 260°C. In einem derartigen
Reaktionsfenster ist gewährleistet,
dass keine Schädigung
einer empfindlicheren zu beschichtenden Oberfläche erfolgt. Wird als zu beschichtende
Oberfläche
eine organische Schicht (zum Beispiel eine Lochinjektionsschicht)
vorgelegt, so sollte die Reaktionstemperatur 100°C nicht überschreiten und bevorzugt
80 bis 100°C
sein, um eine Schädigung
dieser Schicht zu verhindern.
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Bevorzugt
wird Verfahrensschritt B bei einem Druck von maximal 5 mbar, meist
mehr als 0,1 mbar, durchgeführt.
Auch hierdurch wird gewährleistet, dass
eine besonders „dicht
gepackte” Monolage
im Absorptionspuls entstehen kann.
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Als
Oxidationsmittel kommen insbesondere Wasser und Ozon (aber auch
Sauerstoff oder Wasserstoffperoxid) in Betracht.
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Die
vorgenannten Oxidationsmittel können auch
in Gemischen (zum Beispiel einem O2/O3-Gemisch) vorliegen. Bei der Verwendung
von Wasser als Oxidationsmittel wird das ALD-Verfahren häufig so durchgeführt werden,
dass im Absorptionspuls Wasser auf der zu beschichtenden Oberfläche absorbiert
wird; im Reaktionspuls wird dann der Precursor (zum Beispiel Trimethylaluminium)
zugeführt.
Bei der Verwendung von anderen Oxidationsmitteln wird im Adsorptionspuls
häufig
der Precursor adsorbiert werden.
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Im
Fall von Wasser als im Absorptionspuls zugeführtes Oxidationsmittel wurde
erfindungsgemäß festgestellt,
dass direkt auf der zu beschichtenden Oberfläche auch eine Monolage aus
Wasser aufgebracht werden kann, ohne das Bauelement beziehungsweise
die zu beschichtende Oberfläche
selbst zu beschädigen.
Voraussetzung dabei ist, dass die Zeit, die das Wasser auf der zu
beschichtenden Oberfläche
verweilen kann bevor im Reaktionspuls die zweite Verbindung zugeführt wird,
kleiner sein muss als die Diffusionszeit, die das Wasser benötigt, um
in die zu beschichtende Schicht zu diffundieren. Häufig kann
das realisiert werden, indem die Prozessschritte B1 und B2 nicht
länger
als 5 s (zum Beispiel nicht länger
als 100 s) dauern. Die kurzen Gesamtzeiten von im Regelfall ca.
10–20
s für einen ALD-Zyklus
erlauben eine kurze Prozesszeit und damit eine sehr hohe Wirtschaftlichkeit
des hier beschriebenen Verfahrens.
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Die
vorgenannten Oxidationsmittel werden insbesondere für die Herstellung
von Metalloxiden verwendet.
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Als
Reduktionsmittel für
das erfindungsgemäße Verfahren
wird insbesondere Ammoniak eingesetzt. Im Absorptionspuls wird dann
häufig
der Precursor (zum Beispiel ein Metall-Amid) auf der Oberfläche absorbiert
und reagiert im Reaktionspuls mit dem Ammoniak, wobei ein Metallnitrid
gebildet wird.
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In
einer weiteren Ausführungsform
wird als Precursor für
das ALD-Verfahren eine Metallalkyl-, eine Metallalkoxid-, eine Metalldialkylamid-
und/oder eine Metallhalogenid-Verbindung eingesetzt. Im Regelfall
werden die eingesetzten Precursor nur einen Typ von Substituenten
(also Alkyl, Alkoxid, Dialkylamid oder Halogenid) tragen; allerdings
können
auch gemischte Systeme (die zum Beispiel eine Halogenid und eine
Alkoxidgruppe tragen) verwendet werden.
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Für die Abscheidung
von Aluminiumoxid-Schichten werden häufig Aluminiumalkyl-Verbindungen
(zum Beispiel Trimethylaluminium) oder Aluminiumalkoxid-Verbindungen
(zum Beispiel Aluminiumethoxid) eingesetzt. Für Galliumoxid werden häufig Galliumalkyl-Verbindungen
(zum Beispiel Trimethylgallium) oder Galliumhalogenide (zum Beispiel Galliumchlorid)
eingesetzt. Für
Titanoxide, Zirkoniumoxide und Hafniumoxide werden häufig die
Metallhalogenide (zum Beispiel TiCl4, ZrCl4 oder HfCl4 oder Metallalkoxid-Verbindungen
(zum Beispiel Ti(OR)4, Zr(OR)4 oder
Hf(OR)4) eingesetzt. Für die Herstellung von Tantaloxid
werden häufig
Tantalhalogenide (zum Beispiel Tantalchlorid) eingesetzt, für Lanthanoxide die
entsprechenden Alkoxy- oder Halogenid-Verbindungen. Zur Herstellung
von Zinkoxidschichten werden schließlich häufig die Zinkalkyl-Verbindungen (zum
Beispiel Dimethylzink) oder die Zinkhalogenide (zum Beispiel Zinkchlorid)
eingesetzt; allerdings kann Zink auch in elementarer Form eingesetzt
werden. Zur Herstellung von Metallnitriden werden im Regelfall die
Metalldialkylamid-Verbindungen der entsprechenden Elemente (zum
Beispiel Mk(N(CH3)2)l – wobei
k und l ganze Zahlen sind) verwendet.
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Die
Abscheidung einer Oxinitrid-Schicht kann beispielsweise erfolgen,
indem abwechselnd Nitrid und Oxid-Lagen abgeschieden werden.
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Das
Substrat des Bauelements ist insbesondere als Trägerelement für elektronische
Elemente, insbesondere optoelektronische Elemente, geeignet. Beispielsweise
kann das Substrat Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial enthalten
oder daraus bestehen. Weiterhin kann das Substrat eine Kunststofffolie
oder ein Laminat mit einer oder mehreren Kunststofffolien enthalten
oder daraus bestehen. Der Kunststoff kann eines oder mehrere Polyolefine
wie etwa Polyethylen (PE) hoher und niedriger Dichte und Polypropylen
(PP) aufweisen. Weiterhin kann der Kunststoff auch Polyvinylchlorid
(PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder bevorzugt Polycarbonat
(PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder
Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen.
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Weiterhin
kann das Substrat Metall, insbesondere etwa eine Metallfolie, aufweisen.
Ein eine Metallfolie umfassendes oder ein als Metallfolie ausgeführtes Substrat
kann beispielsweise eine Aluminiumfolie, eine Kupferfolie, eine
Edelstahlfolie oder eine Kombination oder einen Schichtenstapel
daraus aufweisen.
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Das
Substrat kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien
aufweisen und dabei transparent, teilweise transparent oder auch
opak ausgeführt
sein.
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Das
erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement
kann insbesondere eine organische lichtemittierende Diode (OLED),
eine organische Fotodiode (OPD), eine organische Solarzelle (OSC),
einen organischen Dünnfilmtransistor
(OTFT) oder einen integrierten Schaltkreis (IC) oder eine Mehrzahl
oder Kombination der vorgenannten Elemente aufweisen beziehungsweise
nur aus einem dieser Elemente bestehen.
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Das
Bauelement kann weiterhin eine funktionale Schichtenfolge mit zumindest
einer organischen funktionellen Schicht umfassen. Diese Schichtenfolge
ist insbesondere zwischen den beiden Elektroden angeordnet.
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Weist
das Bauelement beispielsweise eine OLED, eine OPD und/oder eine
OSC auf, kann die funktionelle Schichtenfolge einen aktiven Bereich (zum
Beispiel eine Emitterschicht) aufweisen, der geeignet ist, im Betrieb
des Bauelements elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu
detektieren. Weiterhin weist das Bauelement dann häufig ein transparentes
Substrat auf.
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Weiterhin
können
die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode transparent sein
und beispielsweise ein TCO enthalten oder daraus bestehen. Eine
Elektrode mit einem derartigen Material kann insbesondere als Anode,
also als löcherinjizierendes
Material, ausgebildet sein.
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Weiterhin
können
die erste und/oder die zweite Elektrode ein Metall aufweisen, das
beispielsweise als Kathodenmaterial, also als elektroneninjizierendes
Material, dienen kann. Als Kathodenmaterial können sich insbesondere Aluminium,
Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium oder Lithium sowie
Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft
erweisen. Alternativ oder zusätzlich
kann eine oder können
beide Elektroden auch Kombinationen, insbesondere Schichtenfolgen aus
TCOs und/oder Metallen aufweisen.
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Die
mindestens eine funktionelle Schicht kann eine organische Schicht
beziehungsweise eine Schichtenfolge mehrerer organischer Funktionsschichten
umfassen. Beispielsweise können
hierbei organische Polymere, organische Oligomere oder organische
kleine, nicht polymere (monomere) Moleküle („small molecules”) oder
Kombinationen dieser Verbindungsklassen enthalten sein beziehungsweise die
Schichten aus diesen Verbindungsklassen oder deren Gemischen bestehen.
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Insbesondere
kann es vorteilhaft sein, wenn ein als organisches elektronisches
Bauelement ausgeführtes
Bauelement eine funktionelle Schicht aufweist, die als Lochtransportschicht
ausgeführt
ist, um beispielsweise im Fall einer OLED eine effektive Lochinjektion
in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden
Bereich zu ermöglichen.
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Weiterhin
kann die aktive Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission
aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, wobei die
Schicht aus diesen Materialien bestehen kann oder die Emittermaterialien
in einer Matrix vorliegend enthält.
Abhängig
von den Materialien in dieser Emitterschicht kann die erzeugte Strahlung
Wellenlängenbereiche
aus dem ultravioletten bis zum roten Spektralbereich aufweisen.
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Ein
eine oder mehrere OLEDs aufweisendes Bauelement kann insbesondere
als Beleuchtungseinrichtung oder als Display ausgebildet sein und eine
großflächig ausgebildete
aktive Leuchtfläche aufweisen. „Großflächig” kann dabei
bedeuten, dass das Bauelement eine Fläche von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern,
bevorzugt größer oder gleich
einem Quadratzentimeter und besonderes bevorzugt größer oder
gleich einem Quadratdezimeter aufweist.
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Bei
derartigen großflächigen Leuchtflächen können Displays
realisiert werden, die auch nach einer Betriebszeit von 500 Stunden
weniger als einen Black Spot pro Quadratzentimeter aufweisen.
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Die
genannte Aufzählung
der Ausführungsformen
des Bauelements ist nicht beschränkend
zu verstehen. Vielmehr kann das Bauelement weitere elektronische
Elemente und/oder funktionelle Schichtenfolgen aufweisen, die dem
Fachmann bekannt sind und die daher hier nicht weiter aufgeführt werden.
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Weitere
Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen
und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden
in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsformen.
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Die 1 und 2 zeigen
jeweils schematische Übersichten über eine
Ausführungsform
eines optoelektronischen Bauelements gemäß der vorliegenden Erfindung.
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3 und
die 4A–4C zeigen
schematische Darstellungen von Ausschnitten dielektrischer Schichten
auf einer Anodenschicht.
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Die 1 zeigt
den schematisierten Aufbau eines organischen strahlungsemittierenden
Bauteils. Von unten nach oben ist folgender Schichtaufbau realisiert:
Zuunterst befindet sich das Substrat 1, das beispielsweise
transparent sein kann, zum Beispiel aus Glas sein kann. Darauf befindet
sich eine Anodenschicht 2, die beispielsweise ein transparentes leitendes
Oxid wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) sein kann beziehungsweise dieses
umfassen kann. Über
dieser Anodenschicht 2 ist eine dielektrische Schicht 3, zum
Beispiel aus Aluminiumoxid, angeordnet. Über dieser ist wiederum eine
Lochtransport-Schicht 4 angeordnet, die aus einem Material
besteht beziehungsweise dieses enthält, das beispielsweise ausgewählt sein
kann aus tertiären
Aminen, Carbazolderivaten, Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen. Beispielhaft
sei NPB (N,N'-Bis(naphth-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin und TAPC
(Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan) genannt.
Auf die Lochtransportschicht folgt die aktive Schicht – im Fall
einer OLED zum Beispiel eine organische Emitterschicht 6.
Eine derartige organische Emitterschicht kann als emittierendes
Material eine organische oder organometallische Verbindung enthalten
beziehungsweise daraus bestehen. Genannt seien insbesondere Derivate
von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes
Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe
wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2- pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium
III), grün
phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium(III)),
rot phosphoreszierendes Ru(dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex)
sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl),
grün fluoreszierendes
TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen)
und rot fluoreszierendes DCM2 (4-(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)
als nichtpolymere Emitter. Auf der Emitterschicht ist schließlich eine
Kathode, beispielsweise eine Metallkathode oder eine Kathode, die
ebenfalls aus einem transparenten leitenden Oxid gefertigt ist (was
zu einem Top/Bottom-Emitter führt)
angeordnet. Die Schichtdicke der dielektrischen Schicht 3 kann
hierbei beispielsweise 1,5 nm betragen, die der Lochinjektionsschicht 4 zum Beispiel
15 nm.
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Bei
Anlegen einer Spannung zwischen Anode und Kathode fließt Strom
durch das Bauteil und in der organisch aktiven Schicht werden Photonen
freigesetzt, die in Form von Licht über die transparente Anode
und das Substrat beziehungsweise im Fall eines Top/Bottom-Emitters
auch über
die transparente Kathode das Bauteil verlassen. In einer Ausführungsform
emittiert die OLED weißes
Licht; in diesem Fall enthält
die Emitterschicht entweder mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel
blau und gelb oder blau, grün
und rot) emittierende Emittermaterialien; alternativ kann die Emitterschicht
auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, in denen jeweils
eine der genannten Farben emittiert wird, wobei durch Mischung der
verschiedenen Farben die Emission von Licht mit weißem Farbeindruck
resultiert. Alternativ kann im Strahlengang der durch diese Schichten
erzeugten Primäremission
auch ein Konvertermaterial angeordnet sein, das die Primärstrahlung
zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert,
so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination
von primärer
und sekundärer
Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt.
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Das
in 1 gezeigte Bauteil kann insbesondere hergestellt
werden, in dem auf das Substrat zunächst die Anode zum Beispiel
aufgesputtert wird und anschließend
mittels ALD die dielektrische Schicht aufgebracht wird. Nachfolgend
werden die Lochinjektionsschicht 4, die aktive Schicht
(Emitterschicht) 6 und die Kathode aufgebracht.
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2 zeigt
eine OLED, die als Topemitter ausgebildet ist; ist die Kathode 10 transparent,
so handelt es sich um einen Top/Bottom-Emitter.
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Hier
ist auf einem Substrat 1 (zum Beispiel einem Glas-Substrat) eine Kathode 10 angeordnet (die
zum Beispiel aus einem Metall gebildet ist oder – insbesondere wenn eine transparente
Elektrode erwünscht
ist – aus
einem TCO gefertigt ist). Auf der Kathode ist eine Elektroneninjektionsschicht 9 angeordnet,
auf dieser befindet sich eine Elektronentransportschicht 8.
Auf der Elektronentransportschicht 8 befindet sich eine
lochblockierende Schicht 7 auf der dann die aktive Schicht
(eine organische Emitterschicht) 6 angeordnet ist. Diese
Emitterschicht kann wie zu 1 beschrieben
ausgebildet sein.
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Auf
der Emitterschicht befindet sich eine Lochtransportschicht 5,
die beispielsweise beispielsweise TPBi (2,2',2''-(1,3,5-Benz-triyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazol)) umfassen
kann. Auf der Lochtransportschicht befindet sich wiederum eine dünne Lochinjektionsschicht 4,
beispielsweise mit einer Dicke von 15 nm. Über der Lochinjektionsschicht 4 befindet
sich die dielektrische Schicht 3 (zum Beispiel aus Aluminiumoxid)
auf der wiederum die Anode, die zum Beispiel aus einem TCO gebildet
ist) angeordnet ist.
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Eine
OLED gemäß 2 kann
beispielsweise gefertigt werden, in dem die organischen Schichten 4 bis 9 mittels
eines Nassprozesses (zum Beispiel Spincoating) aufgebracht werden;
dies ist insbesondere sinnvoll, wenn die aufzubringenden Schichten
ein Polymer enthalten. Alternativ können die organischen Schichten
auch mittels Aufdampfens aufgebracht werden. Hierzu wird das zu
beschichtende Substrat mit Elektrode beziehungsweise Elektrode und
dielektrischer Schicht in einen Rezipienten eingebracht, der die
verschiedenen organischen Materialien in verschiedenen Quellen enthält. Zur
Herstellung der einzelnen funktionellen Schichten werden dann aus
den jeweiligen Quellen die organischen Substanzen verdampft und
auf der beschichteten Oberfläche
abgeschieden. Ferner werden mehrere Quellen für die Zuführung von ein oder mehreren
verschiedenen Matrixmaterialien vorgesehen. Beispielsweise wird
zur Ausbildung einer Lochinjektionsschicht eine Quelle mit Matrixmaterial
und eine Quelle mit einem p-Dotanden abgeschieden. Entsprechend
erfolgt die gemeinsame Abscheidung von Emittermaterial und Matrixmaterial
beziehungsweise von verschiedenen Emittermaterialen und Matrixmaterial
für die
Emitterschicht 6. Entsprechend kann die Abscheidung der
weiteren organischen Schichten erfolgen. Schließlich ist auch noch eine gemischte
Abscheidung möglich,
bei der ersten organischen Schichten mittels Spincoating aufgebracht
werden und die weiteren organischen Schichten mittels Verdampfen
aufgebracht werden möglich.
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Zur
Herstellung des Bauelements gemäß 2 kann
also zunächst
auf einem Substrat mittels HF-Sputtern eine ITO-Schicht als Kathode (im Fall eines Top/Bottom-Emitters)
beziehungsweise mittels CVD (chemical vapour deposition) eine Aluminiumschicht
aufgebracht werden. Diese hat den Vorteil, dass sie reflektierend
wirkt, das heißt,
das in der aktiven Schicht emittierte Strahlung, die in Richtung
des Substrats gerichtet ist an dieser reflektierenden Elektrode
gespiegelt und in Richtung der transparenten Elektrode umgelenkt
wird.
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Auf
diese Kathode werden nachfolgend die organischen Schichten 9 bis 4 (beginnend
mit der Elektroneninjektionsschicht 9 und endend mit der
Lochinjektionsschicht 4) aufgebracht. Auf die Lochinjektionsschicht
wird anschließend
mittels ALD eine dielektrische Schicht 3 (zum Beispiel
aus Aluminiumoxid) aufgebracht; um die bereits aufgebrachten organischen
Schichten nicht zu schädigen
wird das ALD-Verfahren daher bei einer Temperatur von etwa 90 bis
100°C durchgeführt. Auf
dieser dielektrischen Schicht 3 wird schließlich mittels
Sputtern die transparente Anode (zum Beispiel aus ITO) aufgebracht.
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In 3 ist
ein Ausschnitt aus einem optoelektronischen Bauelement gezeigt,
der die Situation nach Aufbringen der dielektrischen Schicht 3 auf
die Anode 2 zeigt. Wie aus 3 ersichtlich
ist, weist die Oberfläche 21 der
Anodenschicht 2, auf der die dielektrische Schicht 3 aufgebracht
ist, eine Oberflächenstruktur
in Form einer Rauhigkeit auf, die beispielsweise durch das Aufbringverfahren,
mit dem die Anodenschicht 2 aufgebracht wird, bedingt ist. Ferner
können
Verunreinigungen auf der Oberfläche 11 des
Substrats 1 beim Aufbringen der Anodenschicht dazu führen, dass
die Oberfläche 21 der
Anodenschicht 2 eine Rauhigkeit aufweist.
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Die
dielektrische Schicht 3 weist hierbei eine Dicke auf, die
rein beispielhaft an zwei Stellen mit den Bezugszeichen 31 gekennzeichnet
ist. Wie aus 3 erkennbar ist, folgt die dielektrische
Schicht 3 der Oberflächenstruktur
der Oberfläche 21 der
Anodenschicht 2 in der im allgemeinen Teil beschriebenen
Weise, so dass die Dicke 31 der dielektrischen Schicht 3 nahezu
unabhängig
von der Oberflächenstruktur
der Anodenschicht 2 ist. Dabei beträgt die Dickenvariation der
Dicke 31 weniger als 10 Prozent. Wie in 3 gezeigt
ist, ist die dielektrische Schicht 3 derart ausgebildet,
dass sie den mikroskopischen Strukturen der Oberflächenstruktur 21 der
Anodenschicht zumindest nahezu folgen kann.
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In
den 4A bis 4C sind
in diesem Zusammenhang weitere Ausschnitte aus der Oberflächenstruktur
von Anodenschicht 2 und dielektrischer Schicht 3 des
erfindungsgemäßen optoelektronischen
Bauelements gezeigt. Hierbei sind rein beispielhaft verschiedene
makroskopische Strukturen abgebildet.
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In 4A weist
die Oberfläche 21 der
dielektrischen Schicht 2 eine Vertiefung auf, die – verglichen
zum Durchmesser – eine
deutlich höhere
Tiefe besitzt. Die dielektrische Schicht 3 folgt der Oberflächenstruktur 21 der
Anodenschicht 2 und bildet daher auf der gesamten Oberfläche der Öffnung eine durchgängige Schicht
mit gleich bleibender Dicke aus. Hierbei verändert sich das Tiefe-zu-Durchmesser-Verhältnis der
Vertiefung.
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In 4B weist
die Anodenschicht 2 eine Oberfläche 21 mit einem überstehenden
Teilbereich auf, während
die Anodenschicht 2 in 4C eine sich
nach unten verbreiternde Öffnung
(nach Art einer Flaschenpore) aufweist. Trotz der negativen Winkel
zum Aufbringen der dielektrischen Schicht 3 auf derartige
Strukturen in der Oberfläche
der Anodenschicht 2 kann die dielektrische Schicht mit
einer nahezu gleich bleibenden Dicke wie in 3 ausgebildet
werden. Dadurch dass die dielektrische Schicht die Anode gleichmäßig, homogen
und vollständig
bedeckt, kann – auch
bei Hinterschneidungen wie in 4B oder
flaschenartigen Poren wie in 4C – gewährleistet
werden, dass ein „Durchschlagen” von Elektronen
bis zur Anode verhindert werden kann wodurch die Gefahr von Kurzschlüssen deutlich
reduziert wird.
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Die
Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele
beschränkt. Vielmehr
umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in
den Patentansprüchen
beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst
nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben
ist.