JPH11224781A - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法Info
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- JPH11224781A JPH11224781A JP10039658A JP3965898A JPH11224781A JP H11224781 A JPH11224781 A JP H11224781A JP 10039658 A JP10039658 A JP 10039658A JP 3965898 A JP3965898 A JP 3965898A JP H11224781 A JPH11224781 A JP H11224781A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極上に傷やゴミが存在していても発光特性
の安定した有機ＥＬディスプレイを提供することを目的
とする。 【解決手段】 基板上に陽極、有機ＥＬ層、陰極が順次
積層されて構成される有機ＥＬディスプレイであって、
陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成することを特徴と
する。
の安定した有機ＥＬディスプレイを提供することを目的
とする。 【解決手段】 基板上に陽極、有機ＥＬ層、陰極が順次
積層されて構成される有機ＥＬディスプレイであって、
陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成することを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
oluminecsence ）ディスプレイ及びその製造方法に関す
る。
oluminecsence ）ディスプレイ及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板、あるいは透明な有機
フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有
機ＥＬディスプレイと称する）が知られている。有機Ｅ
Ｌディスプレイは、例えば図４に示すように、ガラスの
透明な基板１０６上に、ＩＴＯ等の陽極となる陽極１０
２、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層等からなる有機
ＥＬ層１０３、陽極１０２に交差する金属電極となる陰
極１０１を順に蒸着積層して形成される。有機ＥＬ層１
０３を挾持して互いに対向し対をなす陽極１０２及び陰
極１０１とによって有機ＥＬディスプレイとなる発光部
が形成され、陽極１０２及び陰極１０１の各々が互いに
対向して交差する交差領域部の発光部を１単位として１
画素が形成される。
フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有
機ＥＬディスプレイと称する）が知られている。有機Ｅ
Ｌディスプレイは、例えば図４に示すように、ガラスの
透明な基板１０６上に、ＩＴＯ等の陽極となる陽極１０
２、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層等からなる有機
ＥＬ層１０３、陽極１０２に交差する金属電極となる陰
極１０１を順に蒸着積層して形成される。有機ＥＬ層１
０３を挾持して互いに対向し対をなす陽極１０２及び陰
極１０１とによって有機ＥＬディスプレイとなる発光部
が形成され、陽極１０２及び陰極１０１の各々が互いに
対向して交差する交差領域部の発光部を１単位として１
画素が形成される。
【０００３】陰極１０１には、アルミニウム、マグネシ
ウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小
さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）が用いられ、陽極
１０２にはＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電性材料又は
金等が用いられる。なお、金を電極材料として用いた場
合には、電極は半透明の状態となる。
ウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小
さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）が用いられ、陽極
１０２にはＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電性材料又は
金等が用いられる。なお、金を電極材料として用いた場
合には、電極は半透明の状態となる。
【０００４】このような有機ＥＬディスプレイの製造に
あたっては、表示面が大きくなればなるほど基板上にゴ
ミ（パーティクル）の付着や傷等の発生の確率が高くな
り、製造時の歩留まりの悪化の大きな要因となってい
る。
あたっては、表示面が大きくなればなるほど基板上にゴ
ミ（パーティクル）の付着や傷等の発生の確率が高くな
り、製造時の歩留まりの悪化の大きな要因となってい
る。
【０００５】図４に示すように、有機ＥＬディスプレイ
の陽極の部分にゴミ１０８等の異物や傷１０７が存在し
た場合、それらの部分では有機ＥＬ層の成膜が不完全な
ものとなり、傷付近で有機ＥＬ層の成膜が不十分とな
る。特に、蒸着により有機ＥＬ層及び陰極を成膜する場
合、各蒸着材料が図４で示す積層基板の付着面の上方の
ほぼ一点から放射状に飛来するためゴミ１０８や傷１０
７の部分ではほぼ定まった角度で飛来するので、ゴミ１
０８や傷１０７によって影になる部分を生じ、その部分
では上記各層の成膜が不十分で薄く成膜されたり、陰極
が直接陽極に成膜されたりされる。その結果、陽極１０
２と陰極１０１がショート（短絡）したり、ショートま
ではいたらなくても、陽極１０２と陰極１０１の間の有
機ＥＬ層１０３が極度に薄く成膜され、発光電流の集中
（リーク）をもたらしたりしていた。また、ゴミ１０８
が介在する場合も同様にショート、リークの問題があっ
た。
の陽極の部分にゴミ１０８等の異物や傷１０７が存在し
た場合、それらの部分では有機ＥＬ層の成膜が不完全な
ものとなり、傷付近で有機ＥＬ層の成膜が不十分とな
る。特に、蒸着により有機ＥＬ層及び陰極を成膜する場
合、各蒸着材料が図４で示す積層基板の付着面の上方の
ほぼ一点から放射状に飛来するためゴミ１０８や傷１０
７の部分ではほぼ定まった角度で飛来するので、ゴミ１
０８や傷１０７によって影になる部分を生じ、その部分
では上記各層の成膜が不十分で薄く成膜されたり、陰極
が直接陽極に成膜されたりされる。その結果、陽極１０
２と陰極１０１がショート（短絡）したり、ショートま
ではいたらなくても、陽極１０２と陰極１０１の間の有
機ＥＬ層１０３が極度に薄く成膜され、発光電流の集中
（リーク）をもたらしたりしていた。また、ゴミ１０８
が介在する場合も同様にショート、リークの問題があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように有機Ｅ
Ｌディスプレイでは、有機ＥＬ層及び陰極は、一般的
に、陽極を形成した後に、有機材料及び金属材料を蒸着
により堆積させることで形成される。蒸着による積層で
は、有機材料はほぼ一点から蒸発して放射状に蒸着対象
基板へ向かい付着していく。そのため上述した傷やゴミ
の部分ではほぼ定まった角度で有機材料が飛来し堆積す
るため付着しにくい部分が生じ有機ＥＬ層の薄い成膜部
分が発生する。この有機ＥＬ層の膜が薄い部分では陽極
と陰極が接近し電流が集中しやすく、その結果陰極と陽
極がショートし発光不良を生じるという問題がある。本
発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、陽極
上に傷やゴミが存在していても発光特性の安定した有機
ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。さら
に、本発明によれば、素子の輝度劣化も抑えることがで
きる。
Ｌディスプレイでは、有機ＥＬ層及び陰極は、一般的
に、陽極を形成した後に、有機材料及び金属材料を蒸着
により堆積させることで形成される。蒸着による積層で
は、有機材料はほぼ一点から蒸発して放射状に蒸着対象
基板へ向かい付着していく。そのため上述した傷やゴミ
の部分ではほぼ定まった角度で有機材料が飛来し堆積す
るため付着しにくい部分が生じ有機ＥＬ層の薄い成膜部
分が発生する。この有機ＥＬ層の膜が薄い部分では陽極
と陰極が接近し電流が集中しやすく、その結果陰極と陽
極がショートし発光不良を生じるという問題がある。本
発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、陽極
上に傷やゴミが存在していても発光特性の安定した有機
ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。さら
に、本発明によれば、素子の輝度劣化も抑えることがで
きる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、基板上に陽極、有機ＥＬ
層、陰極が順次積層されて構成される有機ＥＬディスプ
レイであって、陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成す
ることを特徴とする。
に、請求項１に記載の発明は、基板上に陽極、有機ＥＬ
層、陰極が順次積層されて構成される有機ＥＬディスプ
レイであって、陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成す
ることを特徴とする。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の有機ＥＬディスプレイは、基板上に陽極を形成
し、さらに陽極を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機
ＥＬ層及び陰極を順次積層して形成したことを特徴とす
る。
に記載の有機ＥＬディスプレイは、基板上に陽極を形成
し、さらに陽極を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機
ＥＬ層及び陰極を順次積層して形成したことを特徴とす
る。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の有機ＥＬディスプレイであって、有機Ｅ
Ｌ層は蒸着により形成されるものであり、絶縁膜はスピ
ンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法、ディッピング印
刷、蒸着法のいずれかにより形成されることを特徴とす
る。
又は２に記載の有機ＥＬディスプレイであって、有機Ｅ
Ｌ層は蒸着により形成されるものであり、絶縁膜はスピ
ンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法、ディッピング印
刷、蒸着法のいずれかにより形成されることを特徴とす
る。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
ないしは３のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ
であって、絶縁膜はその膜厚が５０オングストローム以
下であることを特徴とする。
ないしは３のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ
であって、絶縁膜はその膜厚が５０オングストローム以
下であることを特徴とする。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
ないしは４のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ
であって、絶縁膜は、金属酸化物、金属窒化物、又は、
高分子膜からなることを特徴とする。
ないしは４のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ
であって、絶縁膜は、金属酸化物、金属窒化物、又は、
高分子膜からなることを特徴とする。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の有機ＥＬディスプレイであって、高分子膜は、
ポリイミドからなることを特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイであって、高分子膜は、
ポリイミドからなることを特徴とする。
【００１３】また、請求項７に記載の有機ＥＬディスプ
レイの製造方法は、基板上に陽極を形成し、さらに陽極
を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機ＥＬ層及び陰極
を蒸着により順次積層して形成したことを特徴とする。
レイの製造方法は、基板上に陽極を形成し、さらに陽極
を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機ＥＬ層及び陰極
を蒸着により順次積層して形成したことを特徴とする。
【００１４】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、絶
縁膜はスピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法、ディッ
ピング印刷、蒸着法のいずれかにより形成されることを
特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、絶
縁膜はスピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法、ディッ
ピング印刷、蒸着法のいずれかにより形成されることを
特徴とする。
【００１５】また、請求項９に記載の発明は、請求項７
又は８に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であっ
て、絶縁膜はその膜厚が５０オングストローム以下であ
ることを特徴とする。
又は８に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であっ
て、絶縁膜はその膜厚が５０オングストローム以下であ
ることを特徴とする。
【００１６】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
７ないしは９のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレ
イの製造方法であって、絶縁膜は、金属酸化物、金属窒
化物、又は、高分子膜からなることを特徴とする。
７ないしは９のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレ
イの製造方法であって、絶縁膜は、金属酸化物、金属窒
化物、又は、高分子膜からなることを特徴とする。
【００１７】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
１０に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であっ
て、高分子膜は、ポリイミドからなることを特徴とす
る。
１０に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であっ
て、高分子膜は、ポリイミドからなることを特徴とす
る。
【００１８】
【作用】本発明によれば、陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁
膜を形成することによって、陽極上に傷やゴミが存在し
ていても、有機ＥＬ層の積層される面が平坦化され、有
機ＥＬ層の形成が傷やゴミの存在する部分においても十
分な厚さに成膜され、陰極と陽極のショートによる発光
不良といった問題を回避することができる。
膜を形成することによって、陽極上に傷やゴミが存在し
ていても、有機ＥＬ層の積層される面が平坦化され、有
機ＥＬ層の形成が傷やゴミの存在する部分においても十
分な厚さに成膜され、陰極と陽極のショートによる発光
不良といった問題を回避することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明を図１を参照しつつ
説明する。図１は、本発明における有機ＥＬディスプレ
イの構造の部分断面を示している。
説明する。図１は、本発明における有機ＥＬディスプレ
イの構造の部分断面を示している。
【００２０】図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ
ディスプレイは、ガラスの透明な基板１０６上に、第１
の電極となるＩＴＯ等の陽極１０２、絶縁膜１０９、正
孔輸送層、発光層及び電子輸送層等からなる有機ＥＬ層
１０３、陽極１０２に交差する陰極１０１が順に積層さ
れることで形成される。有機ＥＬ層１０３を挾持して互
いに対向し対をなす陽極１０２及び陰極１０１とによっ
て有機ＥＬ発光素子となる発光部が形成され、陽極１０
２及び陰極１０１の各々が互いに対向して交差する交差
領域部の発光部を１単位として１画素が形成される。
ディスプレイは、ガラスの透明な基板１０６上に、第１
の電極となるＩＴＯ等の陽極１０２、絶縁膜１０９、正
孔輸送層、発光層及び電子輸送層等からなる有機ＥＬ層
１０３、陽極１０２に交差する陰極１０１が順に積層さ
れることで形成される。有機ＥＬ層１０３を挾持して互
いに対向し対をなす陽極１０２及び陰極１０１とによっ
て有機ＥＬ発光素子となる発光部が形成され、陽極１０
２及び陰極１０１の各々が互いに対向して交差する交差
領域部の発光部を１単位として１画素が形成される。
【００２１】陰極１０１には、Ａｌ、Ｉｎの合金等の仕
事関数が小さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）を用い
る。また、陽極１０２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大き
な導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金
を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態
となる。
事関数が小さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）を用い
る。また、陽極１０２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大き
な導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金
を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態
となる。
【００２２】絶縁膜１０９は、陽極１０２上に薄く形成
される。
される。
【００２３】絶縁膜１０９には、ポリイミド等の絶縁性
高分子膜、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、ＳｉＮｘ等の金属
窒化物、等絶縁性を有する材料が用いられる。例えばＳ
ｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等であ
る。
高分子膜、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、ＳｉＮｘ等の金属
窒化物、等絶縁性を有する材料が用いられる。例えばＳ
ｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等であ
る。
【００２４】絶縁膜１０９の形成は、ポリイミドを用
い、スピンコート法、ディッピング、印刷、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法、スパッタ法、蒸着法等
の方法により均一に薄く、例えば１００オングストロー
ム以下の厚さで付着させる。
い、スピンコート法、ディッピング、印刷、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法、スパッタ法、蒸着法等
の方法により均一に薄く、例えば１００オングストロー
ム以下の厚さで付着させる。
【００２５】スピンコート法は、流動性の材料を回転さ
せた積層面に滴下し遠心力により積層面に均一に塗布す
る方法をいい、ディッピングとは、溶液等に浸漬して積
層する方法をいう。また、印刷とは、フレキソ印刷等の
方法をいう。
せた積層面に滴下し遠心力により積層面に均一に塗布す
る方法をいい、ディッピングとは、溶液等に浸漬して積
層する方法をいう。また、印刷とは、フレキソ印刷等の
方法をいう。
【００２６】ＣＶＤ（化学蒸着）法は、反応系分子の気
体、あるいはこれと不活性の担体との混合気体を加熱し
た基板上に流し、加水分解、自己分解、光分解、酸化還
元、置換などの反応による生成物を基板上に堆積させる
方法をいう。
体、あるいはこれと不活性の担体との混合気体を加熱し
た基板上に流し、加水分解、自己分解、光分解、酸化還
元、置換などの反応による生成物を基板上に堆積させる
方法をいう。
【００２７】スパッタ法は、低圧気体中の金属を加熱又
はイオン衝撃するとき、蒸発又は衝突によって金属面か
ら原子が気体中に飛散して基板上に付着させる方法をい
う。
はイオン衝撃するとき、蒸発又は衝突によって金属面か
ら原子が気体中に飛散して基板上に付着させる方法をい
う。
【００２８】蒸着法は、金属又は非金属の小片を高真空
中で加熱蒸発させて、ガラス、水晶板、へき開した結晶
等の下地表面に薄膜として擬着させる方法をいう。これ
らの方法が使用可能であるが、上述したゴミや傷等の影
になる部分にも回り込んで付着する方法が好ましい。
中で加熱蒸発させて、ガラス、水晶板、へき開した結晶
等の下地表面に薄膜として擬着させる方法をいう。これ
らの方法が使用可能であるが、上述したゴミや傷等の影
になる部分にも回り込んで付着する方法が好ましい。
【００２９】上述したような絶縁膜を成膜した有機ＥＬ
ディスプレイの製法手順について以下に説明する。な
お、以下の説明は絶縁膜材料としてポリイミドを用いる
場合について説明する。基板１０６上に、ＩＴＯ等の陽
極１０２を例えば蒸着等により成膜し、フォトリソグラ
フィー等によるパターニングを行い、その後エッチング
によりストライプ状の陽極を形成する。
ディスプレイの製法手順について以下に説明する。な
お、以下の説明は絶縁膜材料としてポリイミドを用いる
場合について説明する。基板１０６上に、ＩＴＯ等の陽
極１０２を例えば蒸着等により成膜し、フォトリソグラ
フィー等によるパターニングを行い、その後エッチング
によりストライプ状の陽極を形成する。
【００３０】この基板に絶縁膜としてポリイミド（日立
化成製ＰＩＸ−１４００（０．５ｗｔ％溶液）をスピン
コート（回転数５０００ｒ．ｐ．ｍ．）により陽極１０
２の全面に略５０オングストロームの厚さに塗布する。
このスピンコートされた積層基板をクリーンオーブンに
てプリベーク、キュアを行う。
化成製ＰＩＸ−１４００（０．５ｗｔ％溶液）をスピン
コート（回転数５０００ｒ．ｐ．ｍ．）により陽極１０
２の全面に略５０オングストロームの厚さに塗布する。
このスピンコートされた積層基板をクリーンオーブンに
てプリベーク、キュアを行う。
【００３１】この基板に正孔輸送層となるジアミン系ホ
ール輸送材を７００オングストローム、発光層となるＡ
ｌｑ3 を５５０オングストローム、陰極となるＡｌ−Ｌ
ｉ合金を１０００オングストローム、それぞれ真空蒸着
により積層する。以上の工程で、２ｍｍ×２ｍｍ×４ド
ットの有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性を測定し
た。印加電圧−発光輝度特性を図２に示す。
ール輸送材を７００オングストローム、発光層となるＡ
ｌｑ3 を５５０オングストローム、陰極となるＡｌ−Ｌ
ｉ合金を１０００オングストローム、それぞれ真空蒸着
により積層する。以上の工程で、２ｍｍ×２ｍｍ×４ド
ットの有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性を測定し
た。印加電圧−発光輝度特性を図２に示す。
【００３２】図２は、横軸を有機ＥＬ素子への発光印加
電圧（Ｖ）、縦軸をその発光輝度（ｃｄ／ｃｍ2 ）を表
している。同図中符号ａで示すカーブは、従来の発光部
分に絶縁膜を有しない場合の特性、符号ｂで示すカーブ
が本発明の絶縁膜を有する場合の特性を示す。同図から
わかるように発光印加電圧が１０Ｖ付近でも同一発光輝
度に対する印加電圧は従来よりもたかだか０．４Ｖ程度
高くなっただけである。すなわち、絶縁膜を形成して
も、５０オングストローム程度の厚みであれば発光輝度
特性の劣化はほとんどなく、絶縁膜が形成されない場合
と同程度の発光輝度特性で発光させることができる。
電圧（Ｖ）、縦軸をその発光輝度（ｃｄ／ｃｍ2 ）を表
している。同図中符号ａで示すカーブは、従来の発光部
分に絶縁膜を有しない場合の特性、符号ｂで示すカーブ
が本発明の絶縁膜を有する場合の特性を示す。同図から
わかるように発光印加電圧が１０Ｖ付近でも同一発光輝
度に対する印加電圧は従来よりもたかだか０．４Ｖ程度
高くなっただけである。すなわち、絶縁膜を形成して
も、５０オングストローム程度の厚みであれば発光輝度
特性の劣化はほとんどなく、絶縁膜が形成されない場合
と同程度の発光輝度特性で発光させることができる。
【００３３】次に、上記した方法で２５６×６４ドット
のマトリクス状の有機ＥＬディスプレイを作製し、発光
性能の時間変化を実験したところ、連続５００時間点灯
でも陽極と陰極間のショートによる異常は生じなかっ
た。
のマトリクス状の有機ＥＬディスプレイを作製し、発光
性能の時間変化を実験したところ、連続５００時間点灯
でも陽極と陰極間のショートによる異常は生じなかっ
た。
【００３４】比較のために、従来の絶縁膜を有しない有
機ＥＬディスプレイを絶縁膜を除いて上記したのと同じ
材料、同じ製造方法で作製し、上記と同様に連続５００
時間点灯させたところ、陽極と陰極間のショートによる
異常が５３ドット発生した。
機ＥＬディスプレイを絶縁膜を除いて上記したのと同じ
材料、同じ製造方法で作製し、上記と同様に連続５００
時間点灯させたところ、陽極と陰極間のショートによる
異常が５３ドット発生した。
【００３５】以上、陰極と陽極のショート回避による信
頼性の向上について説明したが、本発明はこの他にも、
ディスプレイの長寿命化に貢献することが確認されてい
る。以下、これについて図３をもとに説明する。
頼性の向上について説明したが、本発明はこの他にも、
ディスプレイの長寿命化に貢献することが確認されてい
る。以下、これについて図３をもとに説明する。
【００３６】図３は、絶縁膜としてポリイミドの薄膜を
形成した場合の駆動時間に対する発光輝度特性を絶縁膜
を形成しない場合に対比して示したものである。ここで
用いられる有機ＥＬ素子は、上述した製法手順と同様に
して製造されたものであり、膜厚は、ポリイミドが２０
オングストローム又は５０オングストローム、正孔輸送
層となるジアミン系ホール輸送材が７００オングストロ
ーム、発光層となるＡｌｑ3 が６００オングストロー
ム、陰極となるＡｌ−Ｌｉ合金が１０００オングストロ
ームとされる。また駆動条件は、初期輝度３００ｃｄ／
ｍ2 で定電流連続ＤＣ駆動として輝度を測定したもので
ある。
形成した場合の駆動時間に対する発光輝度特性を絶縁膜
を形成しない場合に対比して示したものである。ここで
用いられる有機ＥＬ素子は、上述した製法手順と同様に
して製造されたものであり、膜厚は、ポリイミドが２０
オングストローム又は５０オングストローム、正孔輸送
層となるジアミン系ホール輸送材が７００オングストロ
ーム、発光層となるＡｌｑ3 が６００オングストロー
ム、陰極となるＡｌ−Ｌｉ合金が１０００オングストロ
ームとされる。また駆動条件は、初期輝度３００ｃｄ／
ｍ2 で定電流連続ＤＣ駆動として輝度を測定したもので
ある。
【００３７】これによると、絶縁膜を形成することによ
り絶縁膜を形成しない場合と比べて輝度の劣化が抑えら
れており、ディスプレイを長寿命化できることがわか
る。また絶縁膜の膜厚は、５０オングストロームよりも
２０オングストロームとした方が輝度劣化が抑えられて
いることがわかる。
り絶縁膜を形成しない場合と比べて輝度の劣化が抑えら
れており、ディスプレイを長寿命化できることがわか
る。また絶縁膜の膜厚は、５０オングストロームよりも
２０オングストロームとした方が輝度劣化が抑えられて
いることがわかる。
【００３８】この理由については次のことが考えられ
る。一般に有機ＥＬ素子の輝度劣化の理由の一つとし
て、有機ＥＬ層がアモルファス状態から結晶化すること
が知られているが、従来のように有機ＥＬ層が陽極を構
成するＩＴＯに直接接触する構造の場合は、ＩＴＯが微
結晶構造であることから、有機ＥＬ層の界面の分子がこ
れにならって並ぶことで結晶化が促進され、これにより
有機ＥＬ素子の劣化が早まると考えられる。ところが、
本発明は、ＩＴＯと有機ＥＬ層の間にアモルファス状態
の絶縁膜を形成したことで、有機ＥＬ層の結晶化が抑え
られ、これにより、輝度が劣化しにくくなるものと考え
られる。
る。一般に有機ＥＬ素子の輝度劣化の理由の一つとし
て、有機ＥＬ層がアモルファス状態から結晶化すること
が知られているが、従来のように有機ＥＬ層が陽極を構
成するＩＴＯに直接接触する構造の場合は、ＩＴＯが微
結晶構造であることから、有機ＥＬ層の界面の分子がこ
れにならって並ぶことで結晶化が促進され、これにより
有機ＥＬ素子の劣化が早まると考えられる。ところが、
本発明は、ＩＴＯと有機ＥＬ層の間にアモルファス状態
の絶縁膜を形成したことで、有機ＥＬ層の結晶化が抑え
られ、これにより、輝度が劣化しにくくなるものと考え
られる。
【００３９】このように本発明によれば、陰極と陽極の
間のショートを防止し発光不良を生じにくくするととも
に、従来よりも長寿命化を達成した有機ＥＬディスプレ
イを提供することができる。
間のショートを防止し発光不良を生じにくくするととも
に、従来よりも長寿命化を達成した有機ＥＬディスプレ
イを提供することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したとかおり本発明によれば、
陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成することによっ
て、陰極と陽極のショートによる発光不良といった問題
を回避することができる。
陽極と有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成することによっ
て、陰極と陽極のショートによる発光不良といった問題
を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における有機ＥＬディスプレイの構造を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明における有機ＥＬディスプレイ及び従来
の有機ＥＬディスプレイの印加電圧−発光輝度特性を示
す。
の有機ＥＬディスプレイの印加電圧−発光輝度特性を示
す。
【図３】本発明における有機ＥＬディスプレイ及び従来
の有機ＥＬディスプレイの駆動時間−発光輝度特性を示
す図である。
の有機ＥＬディスプレイの駆動時間−発光輝度特性を示
す図である。
【図４】従来の有機ＥＬディスプレイの部分断面図を示
す図である。
す図である。
１０１・・・・陰極 １０２・・・・陽極 １０３・・・・有機ＥＬ層 １０６・・・・基板 １０７・・・・傷 １０８・・・・ゴミ １０９・・・・絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲田 仁 山形県米沢市八幡原４丁目3146番地７ 東 北パイオニア株式会社米沢工場内
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に陽極、有機ＥＬ層、陰極が順次
積層されて構成される有機ＥＬディスプレイであって、 前記陽極と前記有機ＥＬ層の間に絶縁膜を形成すること
を特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項２】 基板上に陽極を形成し、さらに前記陽極
を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機ＥＬ層及び陰極
を順次積層して形成したことを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイ。 - 【請求項３】 前記有機ＥＬ層は蒸着により形成される
ものであって、 前記絶縁膜はスピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法、
ディッピング印刷、蒸着法のいずれかにより形成される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬディ
スプレイ。 - 【請求項４】 前記絶縁膜はその膜厚が５０オングスト
ローム以下であることを特徴とする請求項１ないしは３
のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項５】 前記絶縁膜は、金属酸化物、金属窒化
物、又は、高分子膜からなることを特徴とする請求項１
ないしは４のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレ
イ。 - 【請求項６】 前記高分子膜は、ポリイミドからなるこ
とを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬディスプレ
イ。 - 【請求項７】 基板上に陽極を形成し、さらに前記陽極
を被覆する絶縁膜を形成し、さらに有機ＥＬ層及び陰極
を蒸着により順次積層して形成したことを特徴とする有
機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項８】 前記絶縁膜はスピンコート法、ＣＶＤ
法、スパッタ法、ディッピング印刷、蒸着法のいずれか
により形成されることを特徴とする請求項７に記載の有
機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項９】 前記絶縁膜はその膜厚が５０オングスト
ローム以下であることを特徴とする請求項７又は８に記
載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項１０】 前記絶縁膜は、金属酸化物、金属窒化
物、又は、高分子膜からなることを特徴とする請求項７
ないしは９のいずれか一に記載の有機ＥＬディスプレイ
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記高分子膜は、ポリイミドからなる
ことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬディスプ
レイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039658A JPH11224781A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039658A JPH11224781A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224781A true JPH11224781A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12559197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039658A Pending JPH11224781A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11224781A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9368728B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-06-14 | Udc Ireland Limited | Material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP10039658A patent/JPH11224781A/ja active Pending
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