JPWO2006090809A1 - 有機半導体発光素子及び表示装置 - Google Patents
有機半導体発光素子及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006090809A1 JPWO2006090809A1 JP2007504789A JP2007504789A JPWO2006090809A1 JP WO2006090809 A1 JPWO2006090809 A1 JP WO2006090809A1 JP 2007504789 A JP2007504789 A JP 2007504789A JP 2007504789 A JP2007504789 A JP 2007504789A JP WO2006090809 A1 JPWO2006090809 A1 JP WO2006090809A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- electrode
- injection layer
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 92
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J magnesium;barium(2+);tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Mg+2].[Ba+2] COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical class CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- -1 nitro-substituted fluorene Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/491—Vertical transistors, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
発光層を含む発光材料層と、発光材料層に対向する絶縁層と、絶縁層及び発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、発光材料層及びキャリア注入層の界面に位置し、キャリア注入層上の一部に設けられた、第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、発光材料層上に設けられ、第1電極と反対極性の第2電極と、絶縁層上に設けられた補助電極と、を有している。
Description
本発明は、有機半導体を用いた発光素子及び表示装置、特に、補助電極を設けた有機半導体発光素子及び表示装置に関する。
有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子ともいう。)は自発光型の素子であり、応答速度が非常に速く、高輝度である種々の利点を有し、その研究開発が進められてきた。
また、かかる有機EL素子をマトリクス状に配置して構成される発光表示ディスプレイは、視野角が広く、薄型で消費電力も小さい表示装置として、注目され、広く開発が進められている。
有機EL素子に代表される従来の有機発光素子は、基本的にダイオード特性を示す能動素子であり、製品化されているものはほとんどパッシブマトリックス駆動によるものである。パッシブマトリックス駆動法では、線順次駆動を行うために瞬間的に高い輝度が必要とし、走査線の数が限られてしまうため高精細な表示装置を得ることが難しかった。
また、近年ではポリシリコン等により形成した薄膜トランジスタ(TFT)を用いた有機ELディスプレイ装置が検討されている。しかしながら、プロセス温度が高い、単位面積あたりの製造コストが高く大画面化に適さない等の欠点があった。また、アクティブ駆動するためには1画素内に2つ以上のトランジスタ(スイッチング素子)と、少なくとも1つ以上のキャパシタを配置しなければならない。従って、有機EL素子を用いてアクティブ駆動ディスプレイを構成する場合には、上記したように、スイッチング素子やキャパシタを配置する必要性から画素の開口率が低下し、結果として、十分な輝度を得るために電力消費が大きくなるという問題があった。また、有機EL素子の発光寿命が短くなる等の問題があった。さらには、製造が複雑である、コストが高い等の問題があった。
有機EL素子において、発光強度を増大するために、例えば、発光材料層へのキャリア注入量を増加させるためのアシスト電圧を印加する補助電極を設けた構成の素子が提案されている(例えば、特開2002−343578号公報参照)。しかしながら、ディスプレイ装置の大画面化、高精細度化等が急速に進展している現状において、有機ELディスプレイ装置のさらなる低コスト化、低消費電力化、長寿命化が強く望まれている。
また、かかる有機EL素子をマトリクス状に配置して構成される発光表示ディスプレイは、視野角が広く、薄型で消費電力も小さい表示装置として、注目され、広く開発が進められている。
有機EL素子に代表される従来の有機発光素子は、基本的にダイオード特性を示す能動素子であり、製品化されているものはほとんどパッシブマトリックス駆動によるものである。パッシブマトリックス駆動法では、線順次駆動を行うために瞬間的に高い輝度が必要とし、走査線の数が限られてしまうため高精細な表示装置を得ることが難しかった。
また、近年ではポリシリコン等により形成した薄膜トランジスタ(TFT)を用いた有機ELディスプレイ装置が検討されている。しかしながら、プロセス温度が高い、単位面積あたりの製造コストが高く大画面化に適さない等の欠点があった。また、アクティブ駆動するためには1画素内に2つ以上のトランジスタ(スイッチング素子)と、少なくとも1つ以上のキャパシタを配置しなければならない。従って、有機EL素子を用いてアクティブ駆動ディスプレイを構成する場合には、上記したように、スイッチング素子やキャパシタを配置する必要性から画素の開口率が低下し、結果として、十分な輝度を得るために電力消費が大きくなるという問題があった。また、有機EL素子の発光寿命が短くなる等の問題があった。さらには、製造が複雑である、コストが高い等の問題があった。
有機EL素子において、発光強度を増大するために、例えば、発光材料層へのキャリア注入量を増加させるためのアシスト電圧を印加する補助電極を設けた構成の素子が提案されている(例えば、特開2002−343578号公報参照)。しかしながら、ディスプレイ装置の大画面化、高精細度化等が急速に進展している現状において、有機ELディスプレイ装置のさらなる低コスト化、低消費電力化、長寿命化が強く望まれている。
本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が1例として挙げられる。本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光輝度が高く、低消費電力、長寿命である等の高い性能を有し、大画面・高精細ディスプレイ装置等への応用に適した有機半導体発光素子を提供することにある。また、発光輝度が高く、低消費電力、長寿命である等の高い性能を有する表示装置を提供することを目的とする。
本発明による有機半導体発光素子は、発光層を含む発光材料層と、発光材料層に対向する絶縁層と、絶縁層及び発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、発光材料層及びキャリア注入層の界面に位置し、キャリア注入層上の一部に設けられた、第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、発光材料層上に設けられ、第1電極と反対極性の第2電極と、絶縁層上に設けられた補助電極と、を有することを特徴としている。
また、本発明による表示装置は、複数の走査線、複数のドライブ線、及び上記複数の走査線及び複数のドライブ線の交差位置に配され、各々が上記複数の走査線の1及び複数のドライブ線の1に接続された複数の発光体からなる表示装置であって、上記複数の発光体の各々は、上記複数の走査線の1の信号に応じて上記複数のドライブ線の1からのデータ信号を導通せしめるスイッチング素子と、有機半導体発光素子と、を有し、有機半導体発光素子は、発光層を含む発光材料層と、発光材料層に対向する絶縁層と、絶縁層及び発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、発光材料層及びキャリア注入層の界面に位置し、キャリア注入層上の一部に設けられた、第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、発光材料層上に設けられ、第1電極と反対極性の第2電極と、絶縁層上に設けられ、スイッチング素子からのデータ信号を受ける補助電極と、を含むことを特徴としている。
本発明による有機半導体発光素子は、発光層を含む発光材料層と、発光材料層に対向する絶縁層と、絶縁層及び発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、発光材料層及びキャリア注入層の界面に位置し、キャリア注入層上の一部に設けられた、第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、発光材料層上に設けられ、第1電極と反対極性の第2電極と、絶縁層上に設けられた補助電極と、を有することを特徴としている。
また、本発明による表示装置は、複数の走査線、複数のドライブ線、及び上記複数の走査線及び複数のドライブ線の交差位置に配され、各々が上記複数の走査線の1及び複数のドライブ線の1に接続された複数の発光体からなる表示装置であって、上記複数の発光体の各々は、上記複数の走査線の1の信号に応じて上記複数のドライブ線の1からのデータ信号を導通せしめるスイッチング素子と、有機半導体発光素子と、を有し、有機半導体発光素子は、発光層を含む発光材料層と、発光材料層に対向する絶縁層と、絶縁層及び発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、発光材料層及びキャリア注入層の界面に位置し、キャリア注入層上の一部に設けられた、第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、発光材料層上に設けられ、第1電極と反対極性の第2電極と、絶縁層上に設けられ、スイッチング素子からのデータ信号を受ける補助電極と、を含むことを特徴としている。
図1は、本発明の実施例1である有機EL素子を含む発光体の構成を模式的に示す平面図である。
図2は、図1に示す有機EL素子を模式的に示す斜視断面図である。
図3は、実施例1における有機EL素子の形成工程を模式的に示す断面図である。
図4は、陽極及び陰極が空間的な重なり部分(ハッチング部分)を有する場合のEL素子を模式的に示す上面図である。
図5は、陽極及び陰極間の電流I(μA)及び補助電極及び陰極間の電流Ig(nA)を陽極及び陰極間への印加電圧に対してプロットした図である。
図6は、陽極及び陰極間への印加電圧V(Volt)に対する有機EL素子の発光輝度Lをプロットした図である。
図7は、本発明の実施例2である、漏れ電流防止層を有する有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図8は、図7に示す実施例2の改変例であり、陽極の上面に漏れ電流防止層が設けられた有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図9は、本発明の実施例3である有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図10は、本発明の実施例3である有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図11は、本発明の実施例5である表示装置の構成を模式的に示すブロック図である。
図12は、図11に示す表示装置における1つの発光体の構成を示す等価回路図である。
図2は、図1に示す有機EL素子を模式的に示す斜視断面図である。
図3は、実施例1における有機EL素子の形成工程を模式的に示す断面図である。
図4は、陽極及び陰極が空間的な重なり部分(ハッチング部分)を有する場合のEL素子を模式的に示す上面図である。
図5は、陽極及び陰極間の電流I(μA)及び補助電極及び陰極間の電流Ig(nA)を陽極及び陰極間への印加電圧に対してプロットした図である。
図6は、陽極及び陰極間への印加電圧V(Volt)に対する有機EL素子の発光輝度Lをプロットした図である。
図7は、本発明の実施例2である、漏れ電流防止層を有する有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図8は、図7に示す実施例2の改変例であり、陽極の上面に漏れ電流防止層が設けられた有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図9は、本発明の実施例3である有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図10は、本発明の実施例3である有機EL素子の構成を模式的に示す斜視断面図である。
図11は、本発明の実施例5である表示装置の構成を模式的に示すブロック図である。
図12は、図11に示す表示装置における1つの発光体の構成を示す等価回路図である。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下に示す実施例において、等価な構成要素には同一の参照符を付している。
図1は、本発明の実施例1である有機EL素子10を含む発光体10Aの構成を模式的に示す平面図である。図2は、図1に示す有機EL素子10を模式的に示す斜視断面図である。すなわち、図2においては、図1に示す有機EL素子10の線A−Aに関する断面を示している。なお、図の簡便さのため、有機EL素子10の線A−Aに関する断面についてのみハッチングを施して示す。
発光体10Aは、表示装置を構成するための単位発光体として構成されている。すなわち、発光体10Aの複数をマトリックス状、その他の形状に配列することによって表示装置を構成することができる。
発光体10Aの発光素子である有機EL素子10は、基板11上に形成されている。より具体的には、基板11上に、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には発光層17が形成されているとともに、正孔注入層15及び発光層17間の界面には、陽極16が形成されている。陽極16は、発光層17内に埋設され、正孔注入層15に接するように形成されている。すなわち、陽極16は、パターニングにより正孔注入層15上の一部に形成され、陽極16の当該形成領域以外では、正孔注入層15が発光層17に接するように形成されている。
なお、後述するように発光層17に加えて、正孔注入層15及び発光層17間に正孔輸送層等を設けてもよい。このような発光層17の上下に設けられ、発光層17の発光を補助する層(例えば、正孔輸送層等)と発光層17との積層層を以下において発光材料層と称する。正孔注入層15及び発光層17間に正孔輸送層を設けた場合、陽極16は、正孔輸送層(又は発光材料層)及び正孔注入層15間の界面であって、正孔輸送層(又は発光材料層)内の一部に形成され、正孔注入層15に接するように形成すればよい。
発光層17上には、陰極18が形成されている。より具体的には、陰極18は、ストライプ形状を有している。また、陽極16は、陰極18に平行な2つのストライプ部16Aを有している。なお、図1においては、発光層17が形成された平面(図1のxy平面)に垂直な方向(図1のz方向:積層方向)において、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されている場合について示している。なお、陰極18及び陽極16は、必ずしもストライプ形状である必要はない。
上記した有機EL素子10において、陽極(第1の電極)16から導入された正孔(第1のキャリア)の一部は直接発光層17へ流れるが、陽極16から導入された正孔の大部分は正孔注入層15を介して発光層17へ注入される。発光層17に注入された正孔は、陰極(第2の電極)18から発光層17に注入された電子(第2のキャリア)と再結合して発光が行われる。
次に、本実施例における有機EL素子10の形成工程、及び各構成要素の材料等について図1〜図3を参照しつつ詳細に説明する。
(1)補助電極及び絶縁層の形成(図3(a))
まず、補助電極が基板11(図1、図2)上に形成される。すなわち、例えば、無アルカリガラスの基板11上にインジウムスズ酸化物(ITO)の膜をスパッタリング法により100nmの厚さで形成した後、フォトレジストをスピンコートにより塗布する。光学マスクを用いた露光と現像によってフォトレジストをパターン化する。次に、ミリングによってフォトレジストの無い部分のITO膜を取り除く。最後に、剥離液を用いてフォトレジストを溶解させ、フォトレジストを剥離する。かかる工程により、補助電極12が形成される。
次に、ポリビニルフェノール系高分子10wt%(重量パーセント)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶液を用いてスピンコート法により420nmの厚さで絶縁層を成膜する。その後、補助電極12上の端部に成膜された高分子膜を、PGMEAを含ませたコットン等により拭き取り、ホットプレートを用いて200℃で10分間のベーキングを行い、絶縁層14を形成する。
(2)正孔注入層の形成(図3(b))
正孔注入層15として、銅フタロシアニン(CuPc)を50nmの厚さで成膜する。このとき、ペンタセンの成膜速度は0.1nm/sである。
(3)陽極の形成(図3(c))
陽極16として、金(Au)をメタルマスクを用いた真空蒸着法により50nmの厚さで成膜する。金の成膜速度は0.2nm/sである。
(4)発光層の形成(図3(d))
発光層17として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを真空蒸着法により60nmの厚さで成膜する。
(5)陰極の形成(図3(e))
陰極18として、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)を真空蒸着法によって、10:1の比で100nmの厚さで共蒸着する。このとき、マグネシウム(Mg)の成膜速度は1nm/sであり、銀(Ag)の成膜速度は0.1nm/sである。
なお、図4のEL素子10の上面図に示すように、発光層17が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陽極16と陰極18の形成された部分の空間的な重なり(図4のハッチング部分20)が、陽極16と陰極18の各々の電極面積の50%以下(面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下)になるようにメタルマスクを用いて陰極18の蒸着を行う。これにより漏れ電流を抑制することができる。なお、図1に示すように、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されている(すなわち、ハッチング部分20の面積がゼロ)のがさらに好ましい。
なお、上記した(2)〜(5)の工程はすべて真空中において行う。
また、正孔注入層15は、真空蒸着法、スピンコート法等を用いて形成することができる。本実施例においては、正孔注入層15を形成した後に陽極16を形成することで、塗布型の正孔注入材料の成膜性を向上させることができる。さらに、塗布型正孔注入材料に限らず、真空蒸着法により形成した正孔注入材料でも、陽極に電圧を印加していない(OFF)時に陰極に流れる電流、発光強度を低減化できる。その結果、陽極に電圧を印加した(ON)時及び電圧を印加していない(OFF)時における電流、発光強度のそれぞれの比が向上する。
次に、本実施例における有機EL素子10の駆動例について説明する。図5は、陽極16及び陰極18間の電流I(μA)及び補助電極12及び陰極18間の電流Ig(nA)を陽極16及び陰極18間への印加電圧V(Volt)に対してプロットしたものである。また、図6は、陽極16及び陰極18間への印加電圧V(Volt)に対する有機EL素子10の発光輝度L(cd/m2)をプロットしたものである。
補助電極12に電圧を印加しない状態(Vg=0)で、陽極16及び陰極18間に8Vの電圧を加えたところ、I=4.2μAの電流が流れた(図5)。また、このときの発光輝度は1.6cd/m2程度であった(図6)。しかし、補助電極12及び陰極18間に10Vの電圧(Vg=10)を加えたところ、I=100μAの電流が流れ、50cd/m2の発光輝度を確認した。このとき、補助電極12に流れた電流値は10nA/cm2以下であった。このように、補助電極12及び陰極18間に電圧を印加することによって有機EL素子10の発光輝度、発光特性が大きく改善されることが分かった。
本実施例における動作特性の向上の理由は、以下のように理解される。すなわち、本実施例によれば、陽極16は正孔注入層15を形成した後に堆積され、パターニング形成されている。また、パターニングした陽極16上に発光層17が形成され、陽極16は正孔注入層15に電気的に接するように形成されている。つまり、パターニングした陽極16上に形成した層と陽極16との界面における膜質は一般に、平坦面上に形成した層の膜質に劣るが、本実施例においては陽極16は平坦な正孔注入層15に形成されており、陽極16及び正孔注入層15間の界面における膜質は良好である。従って、陽極16から正孔が正孔注入層15へ効率的に注入されるのである。さらに陽極16からの正孔注入は補助電極12によりアシストされ、加えて、補助電極12及び陰極18間に印加された電圧によって正孔の移動を加速させることによって、EL素子の発光層17への電流の流れを向上させ、発光輝度を向上させるものであると理解される。
なお、上記した各層には種々の材料を用いることができる。この点について以下に詳細に説明する。
ここで用いる陰極18、陽極16および補助電極12の材料としては、Ti,Al,Li:Al,Cu,Ni,Ag,Mg:Ag,Au,Pt,Pd,Ir,Cr,Mo,W,Ta等の金属あるいはこれらの合金が挙げられる。あるいは、ポリアニリンやPEDT:PSSなどの導電性高分子を用いることができる。あるいは、酸化物透明導電薄膜、例えば錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(SnO2)のいずれかを主組成としたものを用いることができるが、これらに限定されない。また、各電極の厚さは30〜500nm程度が好ましい。陰極18と補助電極12の層厚は、特に50〜300nmの範囲が適している。陽極16の層厚、特に30〜200nm程度の範囲が適している。また、これらの電極材料は真空蒸着法、スパッタ法で作製されたものが好ましい。
絶縁層14には、SiO2,Si3N4に代表される種々の絶縁材料を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの無機窒化物も好適に用いることができる。また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン、ポリマー体、エラストマー体を含むホスファゼン化合物、等を用いることもできる。
正孔注入層15は、陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を安定に輸送する機能を有し、その材料には銅フタロシアニン(CuPc)に代表されるポルフィリン誘導体、m−TDATAに代表されるスターバーストアミンと呼ばれる高分子アリールアミン、ペンタセンに代表されるポリアミンが低分子系では良く用いられる。また、ポルフィリン誘導体やトリフェニルアミン誘導体等にルイス酸や四フッ化テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)等を混合し導電性を高くした層を用いることもできる。この時、混合比率は重量比率で5〜95%の割合で混合されていることが好ましい。また、高分子系ではポリアニリン(PANI)、ポリチオフェン誘導体(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)等の導電性の高分子材料を用いることができる。また、正孔注入層はこれらの材料の混合層、もしくは積層したものでもかまわない。
発光層17には、発光機能を有する化合物である蛍光物質もしくは燐光物質を含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば特開63−264692号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。燐光性物質としてはアプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)第75巻、第4頁(1999年)に記載されているような有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等が挙げられる。
また、正孔注入層15と発光層17の間に正孔輸送層を挿入してもよい。正孔輸送層の材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体、カルバゾール誘導体、高分子材料としてはポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェン等が挙げられる。これらの化合物は2種以上を併用してもよい。さらに、一般的には正孔注入層よりもイオン化ポテンシャルIpが大きい材料を用いた方が好ましい。
必要に応じて発光層17と陰極18の間に電子注入輸送層を用いてもよい。電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層をかねたものであってもよく、このような場合にはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。さらに、電子注入層と電子輸送層を積層して作製することもできる。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。
基板材料としては、ガラス、石英、ポリスチレンなどのプラスチック材料といった半透明材料に限らず、シリコンやAl等の不透明な材料、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂などを用いることができるがこれらに限らず、種々の材料を用いることができる。
発光体10Aは、表示装置を構成するための単位発光体として構成されている。すなわち、発光体10Aの複数をマトリックス状、その他の形状に配列することによって表示装置を構成することができる。
発光体10Aの発光素子である有機EL素子10は、基板11上に形成されている。より具体的には、基板11上に、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には発光層17が形成されているとともに、正孔注入層15及び発光層17間の界面には、陽極16が形成されている。陽極16は、発光層17内に埋設され、正孔注入層15に接するように形成されている。すなわち、陽極16は、パターニングにより正孔注入層15上の一部に形成され、陽極16の当該形成領域以外では、正孔注入層15が発光層17に接するように形成されている。
なお、後述するように発光層17に加えて、正孔注入層15及び発光層17間に正孔輸送層等を設けてもよい。このような発光層17の上下に設けられ、発光層17の発光を補助する層(例えば、正孔輸送層等)と発光層17との積層層を以下において発光材料層と称する。正孔注入層15及び発光層17間に正孔輸送層を設けた場合、陽極16は、正孔輸送層(又は発光材料層)及び正孔注入層15間の界面であって、正孔輸送層(又は発光材料層)内の一部に形成され、正孔注入層15に接するように形成すればよい。
発光層17上には、陰極18が形成されている。より具体的には、陰極18は、ストライプ形状を有している。また、陽極16は、陰極18に平行な2つのストライプ部16Aを有している。なお、図1においては、発光層17が形成された平面(図1のxy平面)に垂直な方向(図1のz方向:積層方向)において、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されている場合について示している。なお、陰極18及び陽極16は、必ずしもストライプ形状である必要はない。
上記した有機EL素子10において、陽極(第1の電極)16から導入された正孔(第1のキャリア)の一部は直接発光層17へ流れるが、陽極16から導入された正孔の大部分は正孔注入層15を介して発光層17へ注入される。発光層17に注入された正孔は、陰極(第2の電極)18から発光層17に注入された電子(第2のキャリア)と再結合して発光が行われる。
次に、本実施例における有機EL素子10の形成工程、及び各構成要素の材料等について図1〜図3を参照しつつ詳細に説明する。
(1)補助電極及び絶縁層の形成(図3(a))
まず、補助電極が基板11(図1、図2)上に形成される。すなわち、例えば、無アルカリガラスの基板11上にインジウムスズ酸化物(ITO)の膜をスパッタリング法により100nmの厚さで形成した後、フォトレジストをスピンコートにより塗布する。光学マスクを用いた露光と現像によってフォトレジストをパターン化する。次に、ミリングによってフォトレジストの無い部分のITO膜を取り除く。最後に、剥離液を用いてフォトレジストを溶解させ、フォトレジストを剥離する。かかる工程により、補助電極12が形成される。
次に、ポリビニルフェノール系高分子10wt%(重量パーセント)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶液を用いてスピンコート法により420nmの厚さで絶縁層を成膜する。その後、補助電極12上の端部に成膜された高分子膜を、PGMEAを含ませたコットン等により拭き取り、ホットプレートを用いて200℃で10分間のベーキングを行い、絶縁層14を形成する。
(2)正孔注入層の形成(図3(b))
正孔注入層15として、銅フタロシアニン(CuPc)を50nmの厚さで成膜する。このとき、ペンタセンの成膜速度は0.1nm/sである。
(3)陽極の形成(図3(c))
陽極16として、金(Au)をメタルマスクを用いた真空蒸着法により50nmの厚さで成膜する。金の成膜速度は0.2nm/sである。
(4)発光層の形成(図3(d))
発光層17として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを真空蒸着法により60nmの厚さで成膜する。
(5)陰極の形成(図3(e))
陰極18として、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)を真空蒸着法によって、10:1の比で100nmの厚さで共蒸着する。このとき、マグネシウム(Mg)の成膜速度は1nm/sであり、銀(Ag)の成膜速度は0.1nm/sである。
なお、図4のEL素子10の上面図に示すように、発光層17が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陽極16と陰極18の形成された部分の空間的な重なり(図4のハッチング部分20)が、陽極16と陰極18の各々の電極面積の50%以下(面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下)になるようにメタルマスクを用いて陰極18の蒸着を行う。これにより漏れ電流を抑制することができる。なお、図1に示すように、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されている(すなわち、ハッチング部分20の面積がゼロ)のがさらに好ましい。
なお、上記した(2)〜(5)の工程はすべて真空中において行う。
また、正孔注入層15は、真空蒸着法、スピンコート法等を用いて形成することができる。本実施例においては、正孔注入層15を形成した後に陽極16を形成することで、塗布型の正孔注入材料の成膜性を向上させることができる。さらに、塗布型正孔注入材料に限らず、真空蒸着法により形成した正孔注入材料でも、陽極に電圧を印加していない(OFF)時に陰極に流れる電流、発光強度を低減化できる。その結果、陽極に電圧を印加した(ON)時及び電圧を印加していない(OFF)時における電流、発光強度のそれぞれの比が向上する。
次に、本実施例における有機EL素子10の駆動例について説明する。図5は、陽極16及び陰極18間の電流I(μA)及び補助電極12及び陰極18間の電流Ig(nA)を陽極16及び陰極18間への印加電圧V(Volt)に対してプロットしたものである。また、図6は、陽極16及び陰極18間への印加電圧V(Volt)に対する有機EL素子10の発光輝度L(cd/m2)をプロットしたものである。
補助電極12に電圧を印加しない状態(Vg=0)で、陽極16及び陰極18間に8Vの電圧を加えたところ、I=4.2μAの電流が流れた(図5)。また、このときの発光輝度は1.6cd/m2程度であった(図6)。しかし、補助電極12及び陰極18間に10Vの電圧(Vg=10)を加えたところ、I=100μAの電流が流れ、50cd/m2の発光輝度を確認した。このとき、補助電極12に流れた電流値は10nA/cm2以下であった。このように、補助電極12及び陰極18間に電圧を印加することによって有機EL素子10の発光輝度、発光特性が大きく改善されることが分かった。
本実施例における動作特性の向上の理由は、以下のように理解される。すなわち、本実施例によれば、陽極16は正孔注入層15を形成した後に堆積され、パターニング形成されている。また、パターニングした陽極16上に発光層17が形成され、陽極16は正孔注入層15に電気的に接するように形成されている。つまり、パターニングした陽極16上に形成した層と陽極16との界面における膜質は一般に、平坦面上に形成した層の膜質に劣るが、本実施例においては陽極16は平坦な正孔注入層15に形成されており、陽極16及び正孔注入層15間の界面における膜質は良好である。従って、陽極16から正孔が正孔注入層15へ効率的に注入されるのである。さらに陽極16からの正孔注入は補助電極12によりアシストされ、加えて、補助電極12及び陰極18間に印加された電圧によって正孔の移動を加速させることによって、EL素子の発光層17への電流の流れを向上させ、発光輝度を向上させるものであると理解される。
なお、上記した各層には種々の材料を用いることができる。この点について以下に詳細に説明する。
ここで用いる陰極18、陽極16および補助電極12の材料としては、Ti,Al,Li:Al,Cu,Ni,Ag,Mg:Ag,Au,Pt,Pd,Ir,Cr,Mo,W,Ta等の金属あるいはこれらの合金が挙げられる。あるいは、ポリアニリンやPEDT:PSSなどの導電性高分子を用いることができる。あるいは、酸化物透明導電薄膜、例えば錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(SnO2)のいずれかを主組成としたものを用いることができるが、これらに限定されない。また、各電極の厚さは30〜500nm程度が好ましい。陰極18と補助電極12の層厚は、特に50〜300nmの範囲が適している。陽極16の層厚、特に30〜200nm程度の範囲が適している。また、これらの電極材料は真空蒸着法、スパッタ法で作製されたものが好ましい。
絶縁層14には、SiO2,Si3N4に代表される種々の絶縁材料を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの無機窒化物も好適に用いることができる。また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン、ポリマー体、エラストマー体を含むホスファゼン化合物、等を用いることもできる。
正孔注入層15は、陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を安定に輸送する機能を有し、その材料には銅フタロシアニン(CuPc)に代表されるポルフィリン誘導体、m−TDATAに代表されるスターバーストアミンと呼ばれる高分子アリールアミン、ペンタセンに代表されるポリアミンが低分子系では良く用いられる。また、ポルフィリン誘導体やトリフェニルアミン誘導体等にルイス酸や四フッ化テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)等を混合し導電性を高くした層を用いることもできる。この時、混合比率は重量比率で5〜95%の割合で混合されていることが好ましい。また、高分子系ではポリアニリン(PANI)、ポリチオフェン誘導体(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)等の導電性の高分子材料を用いることができる。また、正孔注入層はこれらの材料の混合層、もしくは積層したものでもかまわない。
発光層17には、発光機能を有する化合物である蛍光物質もしくは燐光物質を含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば特開63−264692号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。燐光性物質としてはアプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)第75巻、第4頁(1999年)に記載されているような有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等が挙げられる。
また、正孔注入層15と発光層17の間に正孔輸送層を挿入してもよい。正孔輸送層の材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体、カルバゾール誘導体、高分子材料としてはポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェン等が挙げられる。これらの化合物は2種以上を併用してもよい。さらに、一般的には正孔注入層よりもイオン化ポテンシャルIpが大きい材料を用いた方が好ましい。
必要に応じて発光層17と陰極18の間に電子注入輸送層を用いてもよい。電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層をかねたものであってもよく、このような場合にはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。さらに、電子注入層と電子輸送層を積層して作製することもできる。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。
基板材料としては、ガラス、石英、ポリスチレンなどのプラスチック材料といった半透明材料に限らず、シリコンやAl等の不透明な材料、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂などを用いることができるがこれらに限らず、種々の材料を用いることができる。
図7は、本発明の実施例2である有機EL素子10の構成を模式的に示す、図2同様の斜視断面図である。
本実施例において、有機EL素子10は、基板11(図2参照)上に、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には発光層17が形成されているとともに、正孔注入層15及び発光層17間の界面には、陽極16及び絶縁層19が形成されている。すなわち、陽極16は、発光層17及び正孔注入層15の界面に位置し、正孔注入層15上の一部に設けられ、正孔注入層15に接するように形成されている。また、陽極16及び発光層17間には、陽極16及び陰極18間の漏れ電流を防止するための絶縁層(漏れ電流防止層)19が設けられている。なお、本実施例において、漏れ電流防止層19は陽極16と発光層17が接する面の全てに、すなわち、正孔注入層15と陽極16との界面を除いて、陽極16を取り囲むように形成されている。
なお、漏れ電流防止層19は陽極16と発光層17間の一部に設けらていてもよい。例えば、図8に示すように、陽極16の側面を除く、陽極16上に漏れ電流防止層19を設けるようにしてもよい。あるいは、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重なる部分の陽極16上に漏れ電流防止層19を設けるようにしてもよい。要は、漏れ電流防止層19は、陽極16から陰極18への漏れ電流を防止することができるように陽極16と発光層17間の少なくとも一部に設けられていればよい。
また、上記した漏れ電流防止層19を設けた場合では、漏れ電流は低減されるので、陽極16及び陰極18は、積層方向(図中、z方向)において陽極16及び陰極18が互いに空間的に重なるような位置及び形状に形成されていても構わない。
上記した有機EL素子10において、陽極16から直接発光層17を介して電流が陰極18に流れることはなく、あるいは有っても極めて小さい。陽極16から注入された正孔はほぼ全て正孔注入層15を介して発光層17へ効果的に注入され、電子と再結合して発光に寄与する。従って、有機EL素子10の発光輝度、発光特性はさらに大きく改善される。
本実施例において、有機EL素子10は、基板11(図2参照)上に、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には発光層17が形成されているとともに、正孔注入層15及び発光層17間の界面には、陽極16及び絶縁層19が形成されている。すなわち、陽極16は、発光層17及び正孔注入層15の界面に位置し、正孔注入層15上の一部に設けられ、正孔注入層15に接するように形成されている。また、陽極16及び発光層17間には、陽極16及び陰極18間の漏れ電流を防止するための絶縁層(漏れ電流防止層)19が設けられている。なお、本実施例において、漏れ電流防止層19は陽極16と発光層17が接する面の全てに、すなわち、正孔注入層15と陽極16との界面を除いて、陽極16を取り囲むように形成されている。
なお、漏れ電流防止層19は陽極16と発光層17間の一部に設けらていてもよい。例えば、図8に示すように、陽極16の側面を除く、陽極16上に漏れ電流防止層19を設けるようにしてもよい。あるいは、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重なる部分の陽極16上に漏れ電流防止層19を設けるようにしてもよい。要は、漏れ電流防止層19は、陽極16から陰極18への漏れ電流を防止することができるように陽極16と発光層17間の少なくとも一部に設けられていればよい。
また、上記した漏れ電流防止層19を設けた場合では、漏れ電流は低減されるので、陽極16及び陰極18は、積層方向(図中、z方向)において陽極16及び陰極18が互いに空間的に重なるような位置及び形状に形成されていても構わない。
上記した有機EL素子10において、陽極16から直接発光層17を介して電流が陰極18に流れることはなく、あるいは有っても極めて小さい。陽極16から注入された正孔はほぼ全て正孔注入層15を介して発光層17へ効果的に注入され、電子と再結合して発光に寄与する。従って、有機EL素子10の発光輝度、発光特性はさらに大きく改善される。
図9は、本発明の実施例3である有機EL素子10の構成を模式的に示す、図2同様の斜視断面図である。本実施例が上記した実施例と異なるのは、正孔注入層及び発光層間に正孔輸送層を設けている点である。すなわち、発光層及び正孔輸送層によって上記した発光材料層を構成している。
より詳細には、有機EL素子10は基板11上に形成され、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には陽極16がパターニングして形成されている。さらに、陽極16を埋め込むように正孔注入層15上に正孔輸送層21が形成されている。すなわち、陽極16は、正孔注入層15及び正孔輸送層21の界面に正孔注入層15に接するように形成されている。
正孔輸送層21上には、発光層17が形成されている。また、発光層17上には、ストライプ形状を有する陰極18が形成されている。なお、陽極16及び陰極18については、発光層17が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陽極16と陰極18の形成された部分の空間的な重なりが、陽極16と陰極18のうち面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下になるように陽極16及び陰極18が形成されていることが好ましい。また、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されているのがさらに好ましい。
本実施例においても、陽極16及び正孔注入層15間の良質な界面を介して陽極16から正孔注入層15へ効率的に正孔が注入される。陽極16からの正孔注入は補助電極12のアシストにより補助電極12及び陰極18間に印加された電圧によって正孔の移動が加速され、さらに発光層17への正孔の輸送をなす正孔輸送層21によって発光輝度を向上させることができる。
より詳細には、有機EL素子10は基板11上に形成され、補助電極12、絶縁層14及び正孔注入層15がこの順で順次形成されている。そして、正孔注入層15上には陽極16がパターニングして形成されている。さらに、陽極16を埋め込むように正孔注入層15上に正孔輸送層21が形成されている。すなわち、陽極16は、正孔注入層15及び正孔輸送層21の界面に正孔注入層15に接するように形成されている。
正孔輸送層21上には、発光層17が形成されている。また、発光層17上には、ストライプ形状を有する陰極18が形成されている。なお、陽極16及び陰極18については、発光層17が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陽極16と陰極18の形成された部分の空間的な重なりが、陽極16と陰極18のうち面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下になるように陽極16及び陰極18が形成されていることが好ましい。また、陽極16及び陰極18が互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されているのがさらに好ましい。
本実施例においても、陽極16及び正孔注入層15間の良質な界面を介して陽極16から正孔注入層15へ効率的に正孔が注入される。陽極16からの正孔注入は補助電極12のアシストにより補助電極12及び陰極18間に印加された電圧によって正孔の移動が加速され、さらに発光層17への正孔の輸送をなす正孔輸送層21によって発光輝度を向上させることができる。
図10は、本発明の実施例4である有機EL素子10の構成を模式的に示す、図2同様の斜視断面図である。上記した実施例においては、正孔注入層上に陽極及び発光層を形成する場合を例に説明したが、本実施例においては、電子注入層上に陰極及び発光層を形成している。
より詳細には、有機EL素子10は基板11上に形成され、補助電極32、絶縁層34及び電子注入層35がこの順で形成されている。そして、電子注入層35上にはパターン化された陰極36が形成されている。パターン化された陰極36が形成された電子注入層35上には発光層37が形成されている。すなわち、陰極36は、発光層37及び電子注入層35の界面に位置し、電子注入層35上の一部に設けられ、電子注入層35に接するように形成されている。
発光層37上には、正孔輸送層38及び正孔注入層39が形成されている。また、正孔注入層39上には、陽極40が形成されている。より具体的には、陽極40は、ストライプ形状を有している。なお、陰極36及び陽極40については、発光層37が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陰極36と陽極40の形成された部分の空間的な重なりが、陰極36と陽極40のうち面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下になるように陰極36及び陽極40が形成されていることが好ましい。また、陰極36及び陽極40が積層方向において互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されているのがさらに好ましい。
次に、本実施例における有機EL素子10の形成工程について詳細に説明する。
(1)補助電極及び絶縁層の形成
無アルカリガラス基板11上にインジウムスズ酸化物(ITO)の膜をスパッタリング法により100nmの厚さで形成した後、実施例1と同様にフォトリソグラフィによりITO膜をパターニングし、補助電極32を形成した。
次に、絶縁層34としてスパッタリング法によりSiO2を300nmの厚さで成膜した。このとき、補助電極の一部に絶縁層が成膜されないようにメタルマスクを用いて成膜範囲を限定した。
(2)電子注入層の形成
電子注入層35として、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を真空蒸着法により成膜した。
(3)陰極の形成
陰極36として、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)を真空蒸着法により10:1の比で100nmの厚さで共蒸着した。この時マグネシウムの成膜速度は1nm/sとし、銀の成膜速度は0.1nm/sとした。
(4)発光層の形成
発光層37として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)とクマリン6を真空蒸着法により共蒸着し40nmの厚さで成膜した。このとき、クマリン6の濃度は3wt%(重量パーセント)であった。Alq3の成膜速度は0.3nm/sであった。
(5)正孔輸送層の形成
正孔輸送層38としてα−NPDを50nmの厚さでメタルマスクを用いて真空蒸着法により成膜した。
(6)正孔注入層の形成
正孔注入層39としてCuPcを30nmの厚さでメタルマスクを用いて真空蒸着法により成膜した。
(7)陽極の形成
陽極40として、金(Au)を真空蒸着法により100nmの厚さで蒸着した。このとき、金の成膜速度は1nm/sとした。この際、実施例1と同様に、成膜範囲をメタルマスクにより制限した。
上記した工程により作製した有機EL素子10においても、陰極36及び電子注入層35間の良質な界面を介して陰極36から電子注入層35へ効率的に電子が注入される。陰極36からの電子注入は補助電極12のアシストにより補助電極12及び陽極40間に印加された電圧によって電子の移動が加速され、さらに発光層37への電子の注入が効率的に行われることによって発光輝度を向上させることができる。
なお、発光層37及び陽極40間には、正孔輸送層38及び正孔注入層39の何れか1のみを形成するようにしてもよい。また、本実施例と反対極性のEL素子の場合では、電子輸送層及び電子注入層のいずれか、又は双方を形成すればよい。さらに、陰極36及び発光層37間に電子輸送層を形成するようにしてもよい。
より詳細には、有機EL素子10は基板11上に形成され、補助電極32、絶縁層34及び電子注入層35がこの順で形成されている。そして、電子注入層35上にはパターン化された陰極36が形成されている。パターン化された陰極36が形成された電子注入層35上には発光層37が形成されている。すなわち、陰極36は、発光層37及び電子注入層35の界面に位置し、電子注入層35上の一部に設けられ、電子注入層35に接するように形成されている。
発光層37上には、正孔輸送層38及び正孔注入層39が形成されている。また、正孔注入層39上には、陽極40が形成されている。より具体的には、陽極40は、ストライプ形状を有している。なお、陰極36及び陽極40については、発光層37が形成された平面(xy平面)に垂直な方向(z方向:積層方向)において、陰極36と陽極40の形成された部分の空間的な重なりが、陰極36と陽極40のうち面積が小さい方の電極の電極面積の50%以下になるように陰極36及び陽極40が形成されていることが好ましい。また、陰極36及び陽極40が積層方向において互いに空間的に重ならないような形状及び位置に形成されているのがさらに好ましい。
次に、本実施例における有機EL素子10の形成工程について詳細に説明する。
(1)補助電極及び絶縁層の形成
無アルカリガラス基板11上にインジウムスズ酸化物(ITO)の膜をスパッタリング法により100nmの厚さで形成した後、実施例1と同様にフォトリソグラフィによりITO膜をパターニングし、補助電極32を形成した。
次に、絶縁層34としてスパッタリング法によりSiO2を300nmの厚さで成膜した。このとき、補助電極の一部に絶縁層が成膜されないようにメタルマスクを用いて成膜範囲を限定した。
(2)電子注入層の形成
電子注入層35として、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を真空蒸着法により成膜した。
(3)陰極の形成
陰極36として、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)を真空蒸着法により10:1の比で100nmの厚さで共蒸着した。この時マグネシウムの成膜速度は1nm/sとし、銀の成膜速度は0.1nm/sとした。
(4)発光層の形成
発光層37として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)とクマリン6を真空蒸着法により共蒸着し40nmの厚さで成膜した。このとき、クマリン6の濃度は3wt%(重量パーセント)であった。Alq3の成膜速度は0.3nm/sであった。
(5)正孔輸送層の形成
正孔輸送層38としてα−NPDを50nmの厚さでメタルマスクを用いて真空蒸着法により成膜した。
(6)正孔注入層の形成
正孔注入層39としてCuPcを30nmの厚さでメタルマスクを用いて真空蒸着法により成膜した。
(7)陽極の形成
陽極40として、金(Au)を真空蒸着法により100nmの厚さで蒸着した。このとき、金の成膜速度は1nm/sとした。この際、実施例1と同様に、成膜範囲をメタルマスクにより制限した。
上記した工程により作製した有機EL素子10においても、陰極36及び電子注入層35間の良質な界面を介して陰極36から電子注入層35へ効率的に電子が注入される。陰極36からの電子注入は補助電極12のアシストにより補助電極12及び陽極40間に印加された電圧によって電子の移動が加速され、さらに発光層37への電子の注入が効率的に行われることによって発光輝度を向上させることができる。
なお、発光層37及び陽極40間には、正孔輸送層38及び正孔注入層39の何れか1のみを形成するようにしてもよい。また、本実施例と反対極性のEL素子の場合では、電子輸送層及び電子注入層のいずれか、又は双方を形成すればよい。さらに、陰極36及び発光層37間に電子輸送層を形成するようにしてもよい。
図11は、本発明の実施例5である表示装置50の構成を模式的に示すブロック図である。
表示装置50は、上記した有機EL素子10を含む単位発光体51を複数配列して構成されている。図11に示すように、例えば、単位発光体(以下、単に発光体ともいう)51は、EL素子10、スイッチング素子52及び保持キャパシタ53を含んでおり、表示装置50の一画素を構成する。表示装置50は、発光体51の複数をマトリックス状に配して構成され、アクティブマトリクス型発光表示装置として構成されている。
表示装置50は、マトリックス状(n行、m列)に配された複数の発光体51を駆動するための行ドライバ回路(以下、単に行ドライバともいう)55に走査線Ai(i=1〜n)を介して接続されている。また、表示装置50は、データ線Bj(j=1〜m)によって、列ドライバ回路(以下、単に列ドライバともいう)56と接続されている。表示装置50は、行ドライバ55及び列ドライバ56の駆動によって入力映像信号を表示することができる。例えば、行ドライバ55によって各行(走査ライン)を順次走査しつつ、列ドライバ56からの映像データ信号によって駆動する。かかる駆動動作を入力映像信号の同期タイミングに対応する単位フレーム期間ごとに行うことによって入力映像の表示をなすことができる。
図12は、発光体51の構成を示す図である。表示装置50のマトリックスのi行、j列に位置する発光体51を例に示しているが、その他の発光体51も同じ構成を有している。発光体51は、スイッチング素子(スイッチングトランジスタ)52、データ保持用のキャパシタ53及びEL素子10を含んでいる。スイッチングトランジスタ52のゲート(G)及びソース(S)はそれぞれ走査線Ai及びデータ線Bjに接続されている。データ保持用のキャパシタ53はスイッチングトランジスタ52のドレイン(D)と接地電圧(GND)間に接続されている。スイッチングトランジスタ52のドレイン(D)及びキャパシタ53の接続点はEL素子10の補助電極に接続されている。また、EL素子10の陽極はEL素子10を発光させる電圧を出力する電源に、EL素子10の陰極は接地電圧(GND)に接続されている。なお、図12において、EL素子10については等価回路で示している。
次に、発光体51の動作について説明する。行ドライバ55によって走査線Aiに電圧が印加され、スイッチングトランジスタ52のゲート(G)に電圧が印加されるとスイッチングトランジスタ52が導通する。この状態において、列ドライバ56によってデータ線Bjに電圧が印加されるとキャパシタ53に電荷が蓄積、保持される。当該キャパシタ53に保持された電圧がEL素子10の補助電極に印加され、例えば、図6に示したようなEL素子10の特性に応じてEL素子10は発光する。かかる駆動動作を入力映像信号に応じて表示装置50の各EL素子10について行うことにより入力映像の表示をなすことができる。
本実施例によれば、上記したEL素子10をアクティブマトリックス駆動表示装置に適用することにより、1画素内に配置されるデバイス(スイッチング素子)の数を減らすことが可能である。従って、例えば、ポリシリコン等を用いた有機EL素子表示装置と比較して低コスト化、低消費電力化、長寿命化を図ることができる。
上記した実施例は適宜組み合わせることができる。また、上記した実施例と反対極性のEL素子として構成してもよい。この場合では、適宜対応するキャリア(正孔又は電子)に応じて、電極及び注入層、輸送層等の極性を定めればよい。
表示装置50は、上記した有機EL素子10を含む単位発光体51を複数配列して構成されている。図11に示すように、例えば、単位発光体(以下、単に発光体ともいう)51は、EL素子10、スイッチング素子52及び保持キャパシタ53を含んでおり、表示装置50の一画素を構成する。表示装置50は、発光体51の複数をマトリックス状に配して構成され、アクティブマトリクス型発光表示装置として構成されている。
表示装置50は、マトリックス状(n行、m列)に配された複数の発光体51を駆動するための行ドライバ回路(以下、単に行ドライバともいう)55に走査線Ai(i=1〜n)を介して接続されている。また、表示装置50は、データ線Bj(j=1〜m)によって、列ドライバ回路(以下、単に列ドライバともいう)56と接続されている。表示装置50は、行ドライバ55及び列ドライバ56の駆動によって入力映像信号を表示することができる。例えば、行ドライバ55によって各行(走査ライン)を順次走査しつつ、列ドライバ56からの映像データ信号によって駆動する。かかる駆動動作を入力映像信号の同期タイミングに対応する単位フレーム期間ごとに行うことによって入力映像の表示をなすことができる。
図12は、発光体51の構成を示す図である。表示装置50のマトリックスのi行、j列に位置する発光体51を例に示しているが、その他の発光体51も同じ構成を有している。発光体51は、スイッチング素子(スイッチングトランジスタ)52、データ保持用のキャパシタ53及びEL素子10を含んでいる。スイッチングトランジスタ52のゲート(G)及びソース(S)はそれぞれ走査線Ai及びデータ線Bjに接続されている。データ保持用のキャパシタ53はスイッチングトランジスタ52のドレイン(D)と接地電圧(GND)間に接続されている。スイッチングトランジスタ52のドレイン(D)及びキャパシタ53の接続点はEL素子10の補助電極に接続されている。また、EL素子10の陽極はEL素子10を発光させる電圧を出力する電源に、EL素子10の陰極は接地電圧(GND)に接続されている。なお、図12において、EL素子10については等価回路で示している。
次に、発光体51の動作について説明する。行ドライバ55によって走査線Aiに電圧が印加され、スイッチングトランジスタ52のゲート(G)に電圧が印加されるとスイッチングトランジスタ52が導通する。この状態において、列ドライバ56によってデータ線Bjに電圧が印加されるとキャパシタ53に電荷が蓄積、保持される。当該キャパシタ53に保持された電圧がEL素子10の補助電極に印加され、例えば、図6に示したようなEL素子10の特性に応じてEL素子10は発光する。かかる駆動動作を入力映像信号に応じて表示装置50の各EL素子10について行うことにより入力映像の表示をなすことができる。
本実施例によれば、上記したEL素子10をアクティブマトリックス駆動表示装置に適用することにより、1画素内に配置されるデバイス(スイッチング素子)の数を減らすことが可能である。従って、例えば、ポリシリコン等を用いた有機EL素子表示装置と比較して低コスト化、低消費電力化、長寿命化を図ることができる。
上記した実施例は適宜組み合わせることができる。また、上記した実施例と反対極性のEL素子として構成してもよい。この場合では、適宜対応するキャリア(正孔又は電子)に応じて、電極及び注入層、輸送層等の極性を定めればよい。
Claims (11)
- 発光層を含む発光材料層と、
前記発光材料層に対向する絶縁層と、
前記絶縁層及び前記発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、
前記発光材料層及び前記キャリア注入層の界面に位置し、前記キャリア注入層上の一部に設けられた、前記第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、
前記発光材料層上に設けられ、前記第1電極と反対極性の第2電極と、
前記絶縁層上に設けられた補助電極と、を有することを特徴とする有機半導体発光素子。 - 前記第1電極及び前記発光材料層間に設けられた絶縁層を有することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体発光素子。
- 前記キャリア注入層は正孔注入層であり、前記第1電極は陽極であり、前記発光材料層は前記正孔注入層及び前記発光層間に設けられた正孔輸送層を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機半導体発光素子。
- 前記正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは、前記正孔注入層のイオン化ポテンシャルよりも大であることを特徴とする請求項3に記載の有機半導体発光素子。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、前記発光層に垂直な方向において空間的に重ならないような形状を有することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体発光素子。
- 前記キャリア注入層は電子注入層であり、前記第1電極は陰極であり、前記発光材料層は前記電子注入層及び前記発光層間に設けられた電子輸送層を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機半導体発光素子。
- 前記電子輸送層の電子親和力は、前記電子注入層のイオン化ポテンシャルよりも小であることを特徴とする請求項6に記載の有機半導体発光素子。
- 前記発光材料層及び前記第2電極間に、前記キャリア注入層により注入されるキャリアとは反対極性の第2のキャリアを前記発光層に注入するための第2キャリア注入層及び前記第2のキャリアを輸送するための第2キャリア輸送層のうち少なくとも1を有することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体発光素子。
- 複数の走査線、複数のドライブ線、及び前記複数の走査線及び前記複数のドライブ線の交差位置に配され、各々が前記複数の走査線の1及び前記複数のドライブ線の1に接続された複数の発光体からなる表示装置であって、前記複数の発光体の各々は、
前記複数の走査線の1の信号に応じて前記複数のドライブ線の1からのデータ信号を導通せしめるスイッチング素子と、
有機半導体発光素子と、を有し、
前記有機半導体発光素子は、発光層を含む発光材料層と、前記発光材料層に対向する絶縁層と、前記絶縁層及び前記発光材料層間に挟持され、第1のキャリアを注入するキャリア注入層と、前記発光材料層及び前記キャリア注入層の界面に位置し、前記キャリア注入層上の一部に設けられた、前記第1のキャリアに対応する極性の第1電極と、前記発光材料層上に設けられ、前記第1電極と反対極性の第2電極と、前記絶縁層上に設けられ、前記スイッチング素子からのデータ信号を受ける補助電極と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記スイッチング素子からのデータ信号を保持するキャパシタをさらに有し、前記補助電極は前記キャパシタの蓄積電圧を受けることを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
- 前記有機半導体発光素子は、前記第1電極及び前記発光材料層間に設けられた絶縁層を有することを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005047489 | 2005-02-23 | ||
JP2005047489 | 2005-02-23 | ||
PCT/JP2006/303344 WO2006090809A1 (ja) | 2005-02-23 | 2006-02-17 | 有機半導体発光素子及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006090809A1 true JPWO2006090809A1 (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=36927445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007504789A Pending JPWO2006090809A1 (ja) | 2005-02-23 | 2006-02-17 | 有機半導体発光素子及び表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090218941A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2006090809A1 (ja) |
TW (1) | TWI320294B (ja) |
WO (1) | WO2006090809A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101393745B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US9006774B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-04-14 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
US10205059B2 (en) | 2010-02-09 | 2019-02-12 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
TWI762930B (zh) * | 2010-02-09 | 2022-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件 |
US9136436B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-09-15 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
US9640728B2 (en) | 2010-02-09 | 2017-05-02 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
CN103811593B (zh) | 2012-11-12 | 2018-06-19 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体光电元件的制作方法 |
TWI626575B (zh) * | 2017-06-30 | 2018-06-11 | 敦泰電子有限公司 | 內嵌式觸控有機發光二極體面板及其製造方法 |
CN118102767A (zh) * | 2024-04-23 | 2024-05-28 | 浙江大学 | 一种光通信的led半导体装置及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224781A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Pioneer Electron Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002512451A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー製素子 |
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
JP2003282256A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Sangaku Renkei Kiko Kyushu:Kk | 有機薄膜発光トランジスタ及びそれを用いた発光輝度制御方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0891121B8 (en) * | 1996-12-28 | 2013-01-02 | Futaba Corporation | Organic electroluminescent elements |
JPH1126169A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Tdk Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
US6765349B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-07-20 | Eastman Kodak Company | High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices |
CN1820550A (zh) * | 2003-07-11 | 2006-08-16 | 出光兴产株式会社 | 白色系有机电致发光元件 |
JP4989881B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2012-08-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
-
2006
- 2006-02-14 TW TW095104903A patent/TWI320294B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-17 JP JP2007504789A patent/JPWO2006090809A1/ja active Pending
- 2006-02-17 US US11/816,597 patent/US20090218941A1/en not_active Abandoned
- 2006-02-17 WO PCT/JP2006/303344 patent/WO2006090809A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224781A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Pioneer Electron Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002512451A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー製素子 |
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
JP2003282256A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Sangaku Renkei Kiko Kyushu:Kk | 有機薄膜発光トランジスタ及びそれを用いた発光輝度制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI320294B (en) | 2010-02-01 |
TW200637431A (en) | 2006-10-16 |
US20090218941A1 (en) | 2009-09-03 |
WO2006090809A1 (ja) | 2006-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4934774B2 (ja) | 有機発光トランジスタ及び表示装置 | |
JP4152665B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法 | |
JP4431088B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
JP5302033B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
US20090135105A1 (en) | Light-emitting element and display apparatus using the same | |
US7629743B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
US7619244B2 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
JPWO2006090809A1 (ja) | 有機半導体発光素子及び表示装置 | |
US7943963B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
JPWO2007043704A1 (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
JP2006013488A (ja) | 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
JP2006114873A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、及びこれを利用した有機電界発光表示装置 | |
CN1897298A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
JP2002289355A (ja) | 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置 | |
JP2001203080A (ja) | 表示装置 | |
KR101820166B1 (ko) | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 | |
JP2007109564A (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
WO2007043696A1 (ja) | 薄膜半導体素子および表示装置 | |
JP2004311182A (ja) | 導電性液晶材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
WO2006098420A1 (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
WO2007026586A1 (ja) | 有機薄膜半導体素子およびその製造方法 | |
JP2011060787A (ja) | 有機発光トランジスタアレイおよびその駆動方法、ならびに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2002170686A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
JP2003015550A (ja) | アクティブマトリックス発光デバイス | |
KR20050051744A (ko) | 전계 효과 트랜지스터와 결합된 유기 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |