WO2011093146A1 - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

有機ｅｌ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2011093146A1
WO2011093146A1 PCT/JP2011/050526 JP2011050526W WO2011093146A1 WO 2011093146 A1 WO2011093146 A1 WO 2011093146A1 JP 2011050526 W JP2011050526 W JP 2011050526W WO 2011093146 A1 WO2011093146 A1 WO 2011093146A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
organic
electrode layer
lower electrode
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/050526
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘 藤本
根岸　敏夫
Original Assignee
株式会社アルバック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
Priority to JP2011551799A priority Critical patent/JPWO2011093146A1/ja
Publication of WO2011093146A1 publication Critical patent/WO2011093146A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention

Definitions

  • the present invention relates to the technology of an organic EL device, and more particularly to an organic EL device having high resistance to particles and high hole-injection and electron-injection properties.
  • An organic EL device is a self-luminous device, and has characteristics such as a wide viewing angle, high luminous efficiency, thinning, fast response speed, high contrast, and the like, and has recently been used for TV screens. In addition, various uses such as illumination and backlights have been proposed.
  • FIG. 5 shows the internal structure of a conventional organic EL device 110.
  • the organic EL device 110 includes a glass substrate 121. On the glass substrate 121, an anode electrode layer 123, an organic EL layer 125, and a cathode electrode layer 127 are formed in this order.
  • the anode electrode layer 123 and the cathode electrode layer 127 are connected to a power source 138.
  • a voltage is applied between the anode electrode layer 123 and the cathode electrode layer 127, the organic EL layer 125 emits light, and the light is emitted from the cathode electrode layer 127.
  • a glass substrate 121 is prepared (FIG. 4A), and an anode electrode layer 123 is formed on the surface thereof by sputtering or the like (FIG. 4B).
  • the glass substrate 121 is carried into an organic vapor deposition apparatus, and an organic EL layer 125 is formed on the anode electrode layer 123.
  • an organic EL layer 125 is formed on the anode electrode layer 123.
  • FIG. 4C shows a state in which the organic EL layer 125 is formed by vapor deposition with the particles 130 attached on the anode electrode layer 123.
  • the vapor deposition method since the straightness of the vapor is high, the vapor of the raw material of the organic EL layer 125 does not reach the shaded portion 131 of the particle 130 and the organic EL layer 125 is not formed.
  • the organic EL layer 125 is not formed on the electrode layer 123, and the anode electrode layer 123 is exposed.
  • the organic EL layer 125 to be formed is thinner than 1 ⁇ m, when a particle 130 having a diameter of 1 ⁇ m or more adheres, the upper end of the particle 130 protrudes onto the organic EL layer 125, and then the shadow by the particle 130 With the portion 131 present, the cathode electrode layer 127 is formed as shown in FIG.
  • the cathode electrode layer 127 In general, a material that is difficult to form by vapor deposition is employed as the material of the cathode electrode layer 127.
  • the cathode electrode layer 127 is formed by sputtering, the cathode electrode layer 127 is formed on the organic EL layer 125. In addition, it is also formed on the shadow portion 131 by the wrapping of the sputtered particles.
  • the cathode electrode layer 127 is also formed on the anode electrode layer 123 exposed at the shadow portion 131, so that the anode electrode layer 123 and the cathode electrode layer 127 are in contact with each other at the shadow portion 131.
  • a short-circuit current flows between the cathode electrode layer 127 and the anode electrode layer 123, no current flows through the organic EL layer 125 even when a voltage is applied between the anode electrode layer 123 and the cathode electrode layer 127, and light emission. I will not.
  • the present invention was created to solve the above-described disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to provide an organic EL device that does not become a defective product even if particles adhere to it, and a method for manufacturing the same. It is another object of the present invention to provide an organic EL device having high electron injection properties.
  • the present invention includes a lower electrode layer, an organic EL layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the organic EL layer,
  • This is an organic EL device in which a short circuit prevention layer having high resistance and conductivity is disposed.
  • the present invention is the organic EL device in which the lower electrode layer has an indium tin oxide film, and the short-circuit prevention layer is disposed in contact with the indium tin oxide film.
  • the organic EL layer has an electron transport layer located on a surface on the upper electrode layer side, and the upper electrode layer includes the electron injection layer in contact with the electron transport layer, and the electron A cathode electrode layer positioned on the injection layer, and the electron injection layer is made of a metal film in which any one of MoW film, Mo film, W film, and MoLi film or two or more films are stacked.
  • the present invention is an organic EL device in which the electron transporting layer has Li dispersed in an electron transporting organic thin film.
  • a lower electrode layer is formed on a substrate, an organic EL layer formed by vapor deposition is disposed on the lower electrode layer, and at least a part of the organic EL layer is formed by sputtering on the organic EL layer.
  • An organic EL device that emits light when the organic EL layer emits light when a current is applied to the organic EL layer by applying a voltage between the lower electrode layer and the upper electrode layer.
  • any one of MoWO 3-a , ZnO 3-a , and MoO 3-a is formed on the lower electrode layer.
  • This is an organic EL device manufacturing method in which a short-circuit preventing layer having one or two kinds of oxides (a is a number larger than 0 and smaller than 3) and having higher resistance and conductivity than the organic EL layer is formed.
  • the present invention is an organic EL device manufacturing method in which an indium tin oxide film is disposed on an upper end layer of the lower electrode layer, and the short circuit preventing layer is disposed in contact with the indium tin oxide film. .
  • the anode electrode layer and the cathode electrode layer are not short-circuited in the shaded area. Since the electron injection layer is formed without using Li, the luminous efficiency, safety, and production efficiency are high.
  • Luminance-voltage characteristics of organic EL device with MoW layer and MoWO 3-a layer laminated Luminance-voltage characteristics of one of the organic EL devices that do not have a short-circuit prevention layer One of the organic EL devices that do not have a short-circuit prevention layer.
  • Luminance-voltage characteristics of one of organic EL devices with a short-circuit prevention layer Luminous efficiency-current density characteristics of organic EL devices with a short-circuit prevention layer
  • FIG. 3 (a) shows the internal structure of the organic EL device 10 of the present invention.
  • the organic EL device 10 includes a glass substrate 21, and an insulating layer 22, a lower electrode layer (anode electrode layer) 23, a short-circuit prevention layer 24, and an organic EL layer 25 are provided on the glass substrate 21.
  • the upper electrode layer 27 is formed in this order.
  • a power source 38 When a power source 38 is connected between the lower electrode layer 23 and the upper electrode layer 27 and a voltage is applied between the lower electrode layer 23 and the upper electrode layer 27 by the power source 38 (the lower electrode layer 23 is on the positive voltage side, the upper electrode layer 27 Layer 27 is on the negative voltage side), a current flows through the organic EL layer 25, and the organic EL layer 25 emits light.
  • the organic EL device 10 is a bottom emission type light emitting device here, and light emitted from the organic EL layer 25 in the direction of the lower electrode layer 23 passes through the lower electrode layer 23 and is emitted to the outside.
  • the light emitted toward the upper electrode layer 27 is reflected by the upper electrode layer 27, returns to the lower electrode layer 23, passes through the lower electrode layer 23, and is emitted to the outside.
  • this organic EL device 10 When producing this organic EL device 10, first, a glass substrate 21 is prepared (FIG. 1A), and an insulating layer 22 made of an insulating thin film such as SiO 2 is formed on the surface thereof by sputtering or the like ( (B)), a lower electrode layer 23 made of a transparent conductive thin film such as ITO (indium tin oxide) is formed on the surface of the insulating layer 22 (FIG. (C)).
  • ITO indium tin oxide
  • the formed glass substrate 21 with the lower electrode layer 23 exposed is carried into a sputtering apparatus in which a MoW target (Mo 50 wt% -W 50 wt%) is disposed, and a sputtering gas 50 is placed in a vacuum atmosphere around the glass substrate 21.
  • % Of oxygen gas and 50% oxygen gas were sputtered in a pressure atmosphere of 4.8 to 5.0 Pa to sputter a MoW 3-a (a is from 0) on the surface of the lower electrode layer 23.
  • a short-circuit prevention layer 24 composed of a number larger than 3) is formed.
  • This short-circuit prevention layer 24 has one surface in contact with the lower electrode layer 23 and the other surface in contact with the organic EL layer 25 as described later, and MoWO 3-a (a is a number greater than 0 and smaller than 3). Is a material having a high hole injection property, so that a large amount of holes are injected into the organic EL layer 25 when a positive voltage is applied to the lower electrode layer 23.
  • the glass substrate 21 is moved from the sputtering apparatus to the organic vapor deposition apparatus, and the formation of the organic EL layer 25 is started.
  • a MoW target and an Al target are arranged, a sputtering gas is introduced into a vacuum atmosphere around the glass substrate 21, the MoW target is sputtered, and the surface of the organic EL layer 25 is made of a MoW thin film.
  • a metal electron injection layer is formed, then an Al target is sputtered, and a cathode electrode layer is formed on the electron injection layer, whereby the upper electrode layer 27 composed of the electron injection layer and the cathode electrode layer is formed into an organic EL layer. 25.
  • Reference numeral 44 in FIG. 2 is an electron injection layer made of a MoW thin film
  • reference numeral 45 is a cathode electrode layer made of an Al thin film.
  • the thickness of the electron injection layer 44 is about 10 mm.
  • the electron injection layer 44 can also be formed by a vapor deposition method. However, when the electron injection layer 44 is formed by a sputtering method, it is preferable that Li be contained in an organic thin film of an electron transport layer described later that is in contact with the electron injection layer. .
  • the Al thin film is formed by sputtering from the film formation speed.
  • the upper electrode layer 27 is formed on the surface of the organic EL layer 25 and is also formed on the shadow portion 31 of the particle 30 by the wraparound. It will be in contact with the layer exposed to the portion 31 of the.
  • the particles 30 are attached on the short-circuit prevention layer 24, and the short-circuit prevention layer 24 formed under the organic EL layer 25 is exposed in the shaded portion 31. Accordingly, the upper electrode layer 27 is in contact with the short-circuit prevention layer 24 and is not in direct contact with the lower electrode layer 23.
  • the upper electrode layer 27 includes a portion that contacts the lower electrode layer 23 via the short-circuit prevention layer 24 and a portion that contacts the lower electrode layer 23 via two layers of the short-circuit prevention layer 24 and the organic EL layer 25. If the resistance value in the film thickness direction of the short-circuit prevention layer 24 is larger than the resistance value in the film thickness direction of the organic EL layer 25 and the resistance value in the film thickness direction of the organic EL layer 25 can be ignored, the upper electrode layer The resistance value between 27 and the lower electrode layer 23 becomes uniform in the plane, and the organic EL layer 25 can emit light.
  • the lower electrode layer 23 and the upper electrode layer 27 are connected via the high-conductivity thin film, resulting in a short circuit. Since the current flows, the current does not flow to the organic EL layer 25.
  • the lower electrode layer 23 and the organic EL layer 25 are insulated regardless of the presence or absence of the particles 30, and current is passed through the organic EL layer 25. Since it does not flow, the organic EL layer 25 does not emit light.
  • the short-circuit prevention layer 24 having a large resistance value in the film thickness direction is formed on the lower electrode layer 23 even though it has conductivity, and the short-circuit prevention layer 24 includes the lower electrode layer 23 and the cathode electrode layer. Since the organic EL layer 25 has a resistance value larger than the resistance value of the organic EL layer 25 in the current path between the organic EL layer 25 and the organic EL layer 25, the organic EL layer 25 emits light.
  • FIG. 6 and 7 are graphs showing the relationship between the voltage applied to the organic EL device and the current density of the flowing current.
  • the curve indicated by reference numeral P 1 in FIG. 6 shows the current density-voltage characteristics of the structure of the anode electrode layer (ITO film) / organic EL layer (NPB film) / cathode electrode layer (Ag film).
  • the luminance-voltage characteristic of the organic EL element is shown in FIG. 9, and the luminous efficiency-current density characteristic is shown in FIG.
  • the curve indicated by the symbol Q 1 in FIG. 7 is a short circuit composed of MoWO 3-a (a is a number greater than 0 and less than 3) between the anode electrode layer and the organic EL layer having a structure corresponding to the curve P 1.
  • the current density-voltage characteristics of the structure in which the prevention layer is formed (anode electrode layer (ITO film) / short-circuit prevention layer (MoWO3 -a ) / organic EL layer (NPB film) / cathode electrode layer (Ag film)))
  • the luminance-voltage characteristics of the organic EL element having the structure are shown in FIG. 11, and the characteristics of luminous efficiency-current density are shown in FIG.
  • the curve indicated by the symbol P 2 in FIG. 6 shows the structure of the anode electrode layer (ITO film) / organic EL layer (NPB film + Alq 3 film) / electron injection layer (LiF film) / cathode electrode layer (Al film).
  • FIG. 7 shows a current density-voltage characteristic, and the curve indicated by the symbol Q 2 in FIG. 7 shows that MoWO 3-a (a is a number larger than 0 and smaller than 3) between the anode electrode layer and the organic EL layer of the structure. The current density-voltage characteristics are shown when a short-circuit prevention layer made of) is formed.
  • the curves P 1 and P 2 are the curves Q 1 and Q on the high voltage side of the X axis according to the resistance value of MoWO 3-a. Although it is shifted to 2 observed from FIGS. 9-12, brightness - voltage characteristics and luminous efficiency - even current density characteristics provided MoWO 3-a, without the case of not providing much different, permissible practical I understand that there is no.
  • the anode electrode layer (ITO film) / electron injection layer (MoW film) / hole injection layer (MoWO 3-a ) / organic EL layer (NPB film) / cathode electrode layer (Ag film) are formed.
  • a positive voltage is applied to the anode electrode layer, holes are injected from the hole injection layer into the organic EL layer (here, the hole transport layer).
  • a negative voltage is applied, electrons are injected from the electron injection layer, which indicates a high hole injection property and a high electron injection property.
  • the material constituting the short-circuit prevention layer 24 was MoWO 3-a (a is a number larger than 0 and smaller than 3), but MoWO 3-a , ZnO 3-a , MoO 3-a (each a is Any thin film made of one or two kinds of metal oxides (a is a number greater than 0 and smaller than 3) may be used. These are metal oxides deficient in oxygen and have conductivity, but the resistance value is at least larger than that of the organic EL layer 25 in the circuit.
  • metal targets include alloy targets
  • a short-circuit prevention layer is formed.
  • MoWO 3-a , ZnO 3-a , and MoO 3-a have high hole injecting properties, they are arranged between the lower electrode layer 23 and the organic EL layer 25. Many holes can be injected into the organic EL layer 25.
  • the resistance value in the film thickness direction of the short-circuit prevention layer 24 needs to be at least larger than the resistance value in the film thickness direction of the organic EL layer 25. In practice, however, the resistance value is 10 10 ⁇ / ⁇ to 10 17 ⁇ / It has been found that a high resistance value of ⁇ is sufficient.
  • a metal layer made of a MoW film is formed as the electron injection layer 44.
  • a film may be formed as the electron injection layer 44.
  • the organic thin films of the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, and the electron transport layer 43 are laminated in this order on the surface of the short-circuit prevention layer 24 that is a hole injection layer.
  • the organic EL layer 25 is configured.
  • the electron transport layer 43 is in contact with the electron injection layer 44, generates an organic compound vapor by a vapor deposition method, and generates Li vapor together with the organic compound vapor when forming an organic thin film constituting the electron transport layer 43. Then, the organic compound vapor and Li vapor can reach the light emitting layer 42 to form the electron transport layer 43 made of an organic thin film containing Li, and the electron injection layer 44 can be formed thereon. In this case, the electron injection efficiency of the electron injection layer 44 into the electron transport layer 43 is increased.
  • an electron injection layer 44 made of MoW instead of the electron injection layer 44 made of MoW, an electron injection layer 44 made of LiF may be provided.
  • the MoW film is excellent in terms of high safety and productivity without using Li.
  • a W film, a Mo film, and a Mo film containing Li can also be used for the electron injection layer 44. These can be formed by sputtering or vapor deposition. The MoW film and the MoLi film can be vapor-deposited by separately generating constituent vapors in the same vacuum chamber.
  • the electron injection layer 44 protects the organic EL layer 25 when the cathode electrode layer 45 is formed on the surface of the electron injection layer 44 by sputtering. It also becomes a protective film.
  • a bottom emission type organic EL light emitting device or an organic EL display device is used.
  • this is a top emission type light emitting device in which light emitted from the organic EL layer 25 passes through the cathode electrode layer and is emitted to the outside. May be.
  • the substrate may be an opaque metal plate, as shown in FIG. 3B, between the substrate 21 and the lower electrode layer 23 (here, between the insulating layer 22 and the lower electrode layer 23).
  • the reflective layer 32 made of a metal film such as Ag is provided
  • the cathode electrode layer 45 in the upper electrode layer 27 is made of an indium / zinc oxide film (IZO), SnO 2-b (b is larger than 0 and larger than 2 ).
  • the film may be composed of a transparent conductive layer composed of any one kind of film or a MoWO 3-a (a is a number greater than 0 and less than 3) film or a laminated film of two or more kinds.
  • the organic EL device 10 includes a wide range of organic EL devices such as an organic EL display device that displays characters and images, organic EL illumination that emits illumination light by light emission from the organic EL layer, and a liquid crystal backlight.
  • Organic EL device 23 Lower electrode layer (anode electrode layer) 24 & Short-circuit prevention layer 25 & Organic EL layer 27 ?? Upper electrode layer 44 ; Electron injection layer 45 ; Cathode electrode layer

Abstract

　パーティクルによって不良にはならない有機ＥＬ装置を提供する。また、電子注入効率が高い電子注入層を有する有機ＥＬ装置を提供する。　下部電極層２３上に短絡防止層２４を形成した後、その表面に有機ＥＬ層２５と上部電極層２７とを形成する。下部電極層２３は短絡防止層２４で覆われているから、短絡防止層２４上にパーティクル３０が付着した状態で有機ＥＬ層２５が形成された場合、パーティクル３０の陰の部分３１には短絡防止層２４が露出し、有機ＥＬ層２５上に形成する上部電極層２７は下部電極層２３とは接触しない。短絡防止層２４は高抵抗で導電性を有しており、得られた有機ＥＬ装置１０には短絡電流が流れずに正常に発光する。有機ＥＬ層２５の上端に電子輸送層に接触して、ＭｏＷ等の電子注入層を設けておくと、発光効率が向上する。

Description

有機ＥＬ装置
　本発明は有機ＥＬ装置の技術に関し、特に、パーティクルに対する耐性が高く、また正孔注入性と電子注入性が高い有機ＥＬ装置に関する。
　有機ＥＬ装置は自発光型の装置であり、視野角が広い、発光効率が高い、薄くできる、応答速度が速い、コントラストが高い、等の特徴を有しており、近年ではＴＶの画面に用いる他、照明やバックライト等種々の用途が提案されている。
　図５には、従来技術の有機ＥＬ装置１１０の内部構造が示されている。
　この有機ＥＬ装置１１０はガラス基板１２１を有しており、ガラス基板１２１上には、アノード電極層１２３と、有機ＥＬ層１２５と、カソード電極層１２７とがこの順序で形成されている。
　アノード電極層１２３とカソード電極層１２７は電源１３８に接続されており、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７との間に電圧を印加すると有機ＥＬ層１２５が発光し、その光がカソード電極層１２７を透過してカソード電極層１２７の上方に放出されるか(トップエミッション型)、又は、アノード電極層１２３とガラス基板１２１とを透過してガラス基板１２１の下方に向けて放出される(ボトムエミッション型)ようになっている。
　このような有機ＥＬ装置１１０を作成する場合、先ず、ガラス基板１２１を用意し(図４(ａ))、その表面にスパッタリング法等によってアノード電極層１２３を形成する(同図(ｂ))。
　次いで、そのガラス基板１２１を有機蒸着装置中に搬入し、アノード電極層１２３上に有機ＥＬ層１２５を形成する。
　このとき、移動中や有機蒸着装置内で発生したパーティクルがアノード電極層１２３上に付着すると、その状態で有機ＥＬ層１２５の成膜が開始されてしまう。
　同図(ｃ)は、アノード電極層１２３上にパーティクル１３０が付着した状態で蒸着法によって有機ＥＬ層１２５が形成された状態を示している。
　蒸着法では、蒸気の直進性は高いため、パーティクル１３０の陰の部分１３１には有機ＥＬ層１２５の原料物質の蒸気は到達せず、有機ＥＬ層１２５は形成されないから、陰の部分１３１のアノード電極層１２３上には有機ＥＬ層１２５は形成されず、アノード電極層１２３が露出した状態になる。
　形成する有機ＥＬ層１２５は膜厚が１μｍよりも薄いため、径が１μｍ以上のパーティクル１３０が付着すると、パーティクル１３０の上端は有機ＥＬ層１２５上に突き出されており、次いで、パーティクル１３０による陰の部分１３１が存する状態で、同図(ｄ)に示すように、カソード電極層１２７が形成される。
　一般に、カソード電極層１２７の材料には蒸着法によって形成することが困難な物質が採用されており、スパッタリング法によってカソード電極層１２７を形成すると、カソード電極層１２７は有機ＥＬ層１２５上に形成される他、スパッタリング粒子の回り込みにより、陰の部分１３１上にも形成される。
　従って、カソード電極層１２７は、陰の部分１３１で露出するアノード電極層１２３上にも形成されることになるから、陰の部分１３１に於いて、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７とが接触し、カソード電極層１２７とアノード電極層１２３との間に短絡電流が流れるから、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７の間に電圧を印加しても有機ＥＬ層１２５に電流が流れず、発光しなくなってしまう。
　また、カソード電極層１２７をスパッタ法で形成する場合、有機ＥＬ層１２５がダメージを受け、電子注入性の低下により、発光特性が悪化するという問題がある。
　有機ＥＬ装置中に金属酸化物薄膜や金属薄膜を形成する先行技術には下記のようなものがある。
２００５－２５９５５０号公報
　本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その課題は、パーティクルが付着しても不良品にならない有機ＥＬ装置、及びその製造方法を提供することにある。
　また、電子注入性が高い有機ＥＬ装置を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明は、下部電極層と、前記下部電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極層とを有し、前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置であって、前記下部電極層と前記有機ＥＬ層との間には、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層が配置された有機ＥＬ装置である。
　また、本発明は、前記下部電極層はインジウム・スズ酸化物膜を有し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置された有機ＥＬ装置である。
　また、本発明は、前記有機ＥＬ層は、前記上部電極層側の表面に位置する電子輸送層を有し、前記上部電極層は、前記電子輸送層と接触した前記電子注入層と、前記電子注入層上に位置するカソード電極層とを有し、前記電子注入層は、ＭｏＷ膜、Ｍｏ膜、Ｗ膜、ＭｏＬｉ膜のいずれか一種の膜又は二種以上の膜が積層された金属膜から成る有機ＥＬ装置である。
　また、本発明は、前記電子輸送層は電子輸送性の有機物薄膜にＬｉが分散された有機ＥＬ装置である。
　また、本発明は、基板上に下部電極層を形成し、前記下部電極層上に蒸着法で形成した有機ＥＬ層を配置し、前記有機ＥＬ層上に、その少なくとも一部をスパッタ法で形成して上部電極層を配置し、前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置を製造する有機ＥＬ装置製造方法であって、前記下部電極層を形成した後前記有機ＥＬ層を形成する前に、前記下部電極層上に、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層を形成する有機ＥＬ装置製造方法である。
　また、本発明は、前記下部電極層の上端層にはインジウム・スズ酸化物膜を配置し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置する有機ＥＬ装置製造方法である。
　パーティクルが付着しても、その陰の部分でアノード電極層とカソード電極層が短絡することがない。
　Ｌｉを用いずに電子注入層が形成されるので発光光率、安全性、生産効率が高い。
(ａ)～(ｇ)：本発明の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための図 本発明の有機ＥＬ装置の上部電極層の構造と有機ＥＬ層の構造を説明するための図 本発明の有機ＥＬ装置の構造を説明するための図　(ａ)：ボトムエミッション型　(ｂ)：トップエミッション型 (ａ)～(ｄ)：従来技術の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための図 従来技術の有機ＥＬ装置の構造を説明するための図 短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置の電流密度－電圧特性 短絡防止層を有する有機ＥＬ装置の電流密度－電圧特性 ＭｏＷ層とＭｏＷＯ3-a層を積層させた有機ＥＬ装置の電流密度－電圧特性 短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置のうちの一つの輝度－電圧特性 短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置のうちの一つの発光効率－電流密度特性 短絡防止層を有する有機ＥＬ装置のうちの一つの輝度－電圧特性 短絡防止層を有する有機ＥＬ装置のうちの一つの発光効率－電流密度特性
　図３(ａ)には、本発明の有機ＥＬ装置１０の内部構造が示されている。
　この有機ＥＬ装置１０は、ガラス基板２１を有しており、ガラス基板２１上には、絶縁層２２と、下部電極層(アノード電極層)２３と、短絡防止層２４と、有機ＥＬ層２５と、上部電極層２７とがこの順序で形成されている。
　下部電極層２３と上部電極層２７の間に電源３８を接続し、電源３８によって下部電極層２３と上部電極層２７との間に電圧を印加すると(下部電極層２３が正電圧側、上部電極層２７が負電圧側)、有機ＥＬ層２５に電流が流れ、有機ＥＬ層２５が発光する。
　この有機ＥＬ装置１０は、ここではボトムエミッション型の発光装置であり、有機ＥＬ層２５の発光光のうち、下部電極層２３方向に放射された光は下部電極層２３を透過して外部に放射され、上部電極層２７方向に放射された光は上部電極層２７で反射し、下部電極層２３方向に戻って下部電極層２３を透過して外部に放射される。
　この有機ＥＬ装置１０を作成する場合、先ず、ガラス基板２１を用意し(図１(ａ))、その表面にスパッタリング法等によって、ＳｉＯ2等の絶縁物薄膜から成る絶縁層２２を形成し(同図(ｂ))、絶縁層２２の表面にＩＴＯ(インジウム・錫酸化物)等の透明な導電性薄膜から成る下部電極層２３を形成する(同図(ｃ))。
　次いで、形成した下部電極層２３が露出したガラス基板２１を、ＭｏＷターゲット(Ｍｏ５０重量％－Ｗ５０重量％)が配置されたスパッタリング装置内に搬入し、ガラス基板２１周囲の真空雰囲気中にスパッタリングガス５０％と酸素ガス５０％を導入しながら、４．８～５．０Ｐａの圧力雰囲気中でＭｏＷターゲットをスパッタリングして下部電極層２３の表面に、膜厚５００ÅのＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層２４を形成する。
　この短絡防止層２４は片面が下部電極層２３と接触し、後述するように他の片面が有機ＥＬ層２５と接触しており、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)は正孔注入性が高い材料であるから、下部電極層２３に正電圧が印加されたときに、有機ＥＬ層２５に多量の正孔を注入するようになっている。
　短絡防止層２４を形成した後、ガラス基板２１をスパッタリング装置から有機蒸着装置に移動させ、有機ＥＬ層２５の形成を開始する。
　このとき、移動中や有機蒸着装置内で発生したパーティクル３０が短絡防止層２４の表面に付着し、その状態で(同図(ｅ))有機ＥＬ層２５が形成されると、パーティクル３０の陰の部分３１には有機ＥＬ層２５は形成されず、短絡防止層２４の表面が露出する(同図(ｆ))
　有機ＥＬ層２５を形成した後、有機蒸着装置からスパッタリング装置内にガラス基板２１を移動させる。
　そのスパッタリング装置内には、ＭｏＷターゲットとＡｌターゲットが配置されており、ガラス基板２１周囲の真空雰囲気中にスパッタリングガスを導入し、ＭｏＷターゲットをスパッタリングし、有機ＥＬ層２５の表面にＭｏＷ薄膜から成る金属製の電子注入層を形成し、次いで、Ａｌターゲットをスパッタリングし、電子注入層上にカソード電極層を形成することで、電子注入層とカソード電極層とから成る上部電極層２７を有機ＥＬ層２５上に形成する。
　図２の符号４４はＭｏＷ薄膜から成る電子注入層であり、符号４５は、Ａｌ薄膜から成るカソード電極層である。電子注入層４４の膜厚は１０Å程度である。
　電子注入層４４は蒸着法によっても形成することができるが、電子注入層４４をスパッタ法によって形成する場合、電子注入層と接触する後述の電子輸送層の有機薄膜中にＬｉを含有させるとよい。Ａｌ薄膜は、成膜速度から、スパッタリング法によって形成される。
　このように、上部電極層２７は、少なくとも一層がスパッタリング法によって形成されるため、有機ＥＬ層２５の表面に形成される他、回り込みによって、パーティクル３０の陰の部分３１上にも形成され、陰の部分３１に露出した層と接触してしまう。
　本発明では、パーティクル３０は短絡防止層２４上に付着しており、その陰の部分３１には、有機ＥＬ層２５の下層に形成された短絡防止層２４が露出している。従って、上部電極層２７は短絡防止層２４と接触し、下部電極層２３とは直接接触しない。
　上部電極層２７は、短絡防止層２４を介して下部電極層２３に接触する部分と、短絡防止層２４と有機ＥＬ層２５の二層を介して下部電極層２３に接触する部分とが形成されており、短絡防止層２４の膜厚方向の抵抗値が有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値よりも大きく、有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値が無視できる場合は、上部電極層２７と下部電極層２３の間の抵抗値は、面内で均一になり、有機ＥＬ層２５は発光できる。
　他方、下部電極層２３上に低抵抗の高導電性薄膜が形成されている場合は、下部電極層２３と上部電極層２７とは高導電性薄膜を介して接続されて短絡してしまい、短絡電流が流れてしまうため、電流が有機ＥＬ層２５に流れなくなってしまう。
　逆に下部電極層２３上に絶縁性薄膜が形成されている場合は、パーティクル３０の有無に拘わらず、下部電極層２３と有機ＥＬ層２５との間は絶縁され、有機ＥＬ層２５に電流が流れないから有機ＥＬ層２５は発光しなくなってしまう。
　本発明では、導電性を有していても膜厚方向の抵抗値が大きい短絡防止層２４が下部電極層２３上に形成されており、短絡防止層２４は、下部電極層２３とカソード電極層４５との間の電流経路中で有機ＥＬ層２５の抵抗値よりも大きな抵抗値を有するので、有機ＥＬ層２５にも電流が流れ、有機ＥＬ層２５は発光する。
　図６、７は、有機ＥＬ装置に印加する電圧と流れる電流の電流密度の関係を示すグラフである。
　図６の符号Ｐ1で示す曲線は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜)／カソード電極層(Ａｇ膜)の構造の電流密度－電圧特性を示しており、その構造の有機ＥＬ素子の輝度－電圧特性は図９に示し、発光効率－電流密度の特性は図１０に示した。
　図７の符号Ｑ1で示す曲線は、上記曲線Ｐ1に対応する構造のアノード電極層と有機ＥＬ層の間に、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層を形成した構造(アノード電極層(ＩＴＯ膜)／短絡防止層(ＭｏＷＯ3-a)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜)／カソード電極層(Ａｇ膜))の、電流密度－電圧特性を示しており、その構造の有機ＥＬ素子の輝度－電圧特性は図１１に示し、発光効率－電流密度の特性は、図１２に示した。
　また、図６の符号Ｐ2で示す曲線は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜＋Ａｌｑ3膜)／電子注入層(ＬｉＦ膜)／カソード電極層(Ａｌ膜)の構造の電流密度－電圧特性を示しており、図７の符号Ｑ2で示す曲線は、その構造のアノード電極層と有機ＥＬ層の間に、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層を形成した場合の、電流密度－電圧特性を示している。
　曲線Ｐ1と曲線Ｑ1の比較と、曲線Ｐ2と曲線Ｑ2の比較から、ＭｏＷＯ3-aの抵抗値によって、曲線Ｐ1、Ｐ2はＸ軸の高電圧側の曲線Ｑ1、Ｑ2にシフトしていることが認められるが、図９～図１２から、輝度－電圧特性や発光効率－電流密度特性はＭｏＷＯ3-aを設けても、設けない場合と大差なく、実用上差し支えないことが分かる。
　なお、図８は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／電子注入層(ＭｏＷ膜)／正孔注入層(ＭｏＷＯ3-a)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜）／カソード電極層(Ａｇ膜)を形成した場合であり、ダイオード構造が得られず、有機ＥＬ層(ここでは正孔輸送層)には、アノード電極層に正電圧が印加された場合には正孔注入層から正孔が注入され、負電圧が印加された場合には電子注入層から電子が注入されており、正孔注入性の高さと電子注入性の高さが示されている。
　上記短絡防止層２４を構成する材料は、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)であったが、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、ＭｏＯ3-a(それぞれａは０より大きく３よりも小さい数)のいずれか一種又は二種の金属酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る薄膜であればよい。これらは酸素欠損した金属酸化物であり、導電性を有するが抵抗値は回路中で少なくとも有機ＥＬ層２５よりも大きい。
　これらの金属酸化物は、金属ターゲット(金属ターゲットには、合金ターゲットが含まれる)が、真空槽中にＡｒとＯ2が同じ体積導入されて４．８～５Ｐａの圧力にされた真空雰囲気中でスパッタリングされ、短絡防止層が形成されている。
　また、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、ＭｏＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)はホール注入性が高いので、下部電極層２３と有機ＥＬ層２５の間に配置すると、有機ＥＬ層２５にホールを多く注入させることができる。
　上記短絡防止層２４の膜厚方向の抵抗値は、少なくとも有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値よりも大きいことが必要であるが、実際には、１０10Ω／□～１０17Ω／□の高抵抗値であればよいことが分かっている。
　また、上記実施例では、電子注入層４４として、ＭｏＷ膜から成る金属層を形成したが、Ｍｏ膜、Ｗ膜、Ｌｉ含有Ｍｏ膜、ＳｎＯ2-b(ｂは０より大きく２よりも小さい数)膜を電子注入層４４として形成してもよい。
　上記実施例では、図２に示すように、正孔注入層である短絡防止層２４の表面に、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３の各有機薄膜がこの順序で積層されて、有機ＥＬ層２５が構成されている。
　電子輸送層４３は電子注入層４４と接触しており、蒸着法によって有機化合物蒸気を発生させ、電子輸送層４３を構成する有機薄膜を形成する際に、有機化合物蒸気と一緒にＬｉ蒸気を発生させ、有機化合物蒸気とＬｉ蒸気を発光層４２上に到達させて、Ｌｉを含有する有機薄膜から成る電子輸送層４３を形成し、その上に電子注入層４４を形成することができる。この場合、電子注入層４４の電子輸送層４３への電子注入効率が高くなる。
　また、ＭｏＷから成る電子注入層４４に替え、ＬｉＦから成る電子注入層４４を設けてもよい。しかし、Ｌｉを用いず、安全性や生産性が高い点ではＭｏＷ膜が優れている。
　ＭｏＷ膜の他には、Ｗ膜、Ｍｏ膜、Ｌｉを含有するＭｏ膜(ＭｏＬｉ膜)を電子注入層４４に用いることもできる。これらはスパッタ法でも蒸着法によっても形成することができる。ＭｏＷ膜やＭｏＬｉ膜は、構成成分の蒸気を同一真空槽内で別々に発生させて蒸着することができる。
　ＭｏＷ膜やＭｏＬｉ膜の電子注入層４４を蒸着法によって形成した場合は、電子注入層４４の表面にカソード電極層４５をスパッタ法で形成する際に、電子注入層４４が有機ＥＬ層２５を保護する保護膜にもなる。
　上記実施例ではボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置又は有機ＥＬ表示装置であったが、有機ＥＬ層２５の発光光がカソード電極層を透過して外部に放射されるトップエミッション型の発光装置であってもよい。
　トップエミッション型の場合、基板は不透明な金属板でよく、図３(ｂ)に示すように、その基板２１と下部電極層２３との間(ここでは絶縁層２２と下部電極層２３の間)に、Ａｇ等の金属膜から成る反射層３２を設け、上部電極層２７中のカソード電極層４５を、インジウム・亜鉛酸化物膜(ＩＺＯ)、ＳｎＯ2-b（ｂは０より大きく２よりも小さい数)膜、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)膜のいずれか一種の膜又は二種以上の積層膜から成る透明導電層で構成させることができる。
　なお、上記有機ＥＬ装置１０は、文字、画像を表示する有機ＥＬ表示装置や、有機ＥＬ層の発光により照明光を放射する有機ＥＬ照明、液晶のバックライト等、有機ＥＬ装置を広く含む。
１０……有機ＥＬ装置
２３……下部電極層(アノード電極層)
２４……短絡防止層
２５……有機ＥＬ層
２７……上部電極層
４４……電子注入層
４５……カソード電極層

Claims (6)

  1. 　下部電極層と、
    　前記下部電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
    　前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極層とを有し、
    　前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置であって、
    　前記下部電極層と前記有機ＥＬ層との間には、
    　ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層が配置された有機ＥＬ装置。
  2. 　前記下部電極層はインジウム・スズ酸化物膜を有し、
    　前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置された請求項１記載の有機ＥＬ装置。
  3. 　前記有機ＥＬ層は、前記上部電極層側の表面に位置する電子輸送層を有し、
    　前記上部電極層は、前記電子輸送層と接触した前記電子注入層と、前記電子注入層上に位置するカソード電極層とを有し、
    　前記電子注入層は、ＭｏＷ膜、Ｍｏ膜、Ｗ膜、ＭｏＬｉ膜のいずれか一種の膜又は二種以上の膜が積層された金属膜から成る請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ装置。
  4. 　前記電子輸送層は電子輸送性の有機物薄膜にＬｉが分散された請求項３記載の有機ＥＬ装置。
  5. 　基板上に下部電極層を形成し、
    　前記下部電極層上に蒸着法で形成した有機ＥＬ層を配置し、
    　前記有機ＥＬ層上に、その少なくとも一部をスパッタ法で形成して上部電極層を配置し、
    　前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置を製造する有機ＥＬ装置製造方法であって、
    　前記下部電極層を形成した後前記有機ＥＬ層を形成する前に、前記下部電極層上に、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層を形成する有機ＥＬ装置製造方法。
  6. 　前記下部電極層の上端層にはインジウム・スズ酸化物膜を配置し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置する請求項５記載の有機ＥＬ装置製造方法。
PCT/JP2011/050526 2010-01-29 2011-01-14 有機ｅｌ装置 WO2011093146A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011551799A JPWO2011093146A1 (ja) 2010-01-29 2011-01-14 有機ｅｌ装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010019516 2010-01-29
JP2010-019516 2010-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011093146A1 true WO2011093146A1 (ja) 2011-08-04

Family

ID=44319138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/050526 WO2011093146A1 (ja) 2010-01-29 2011-01-14 有機ｅｌ装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2011093146A1 (ja)
TW (1) TW201203645A (ja)
WO (1) WO2011093146A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140136738A (ko) * 2013-05-21 2014-12-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
WO2015174673A1 (ko) * 2014-05-12 2015-11-19 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI629811B (zh) * 2017-03-21 2018-07-11 機光科技股份有限公司 Organic light emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001102175A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
JP2002260869A (ja) * 2001-01-26 2002-09-13 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2004139991A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子
JP2007533104A (ja) * 2004-04-12 2007-11-15 イーストマン コダック カンパニー 短絡が減少したｏｌｅｄデバイス
JP2009277788A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001102175A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
JP2002260869A (ja) * 2001-01-26 2002-09-13 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2004139991A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Lg Electron Inc 有機ｅｌ素子
JP2007533104A (ja) * 2004-04-12 2007-11-15 イーストマン コダック カンパニー 短絡が減少したｏｌｅｄデバイス
JP2009277788A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140136738A (ko) * 2013-05-21 2014-12-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101634135B1 (ko) 2013-05-21 2016-06-29 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
WO2015174673A1 (ko) * 2014-05-12 2015-11-19 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
US10074823B2 (en) 2014-05-12 2018-09-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emtting device with short circuit preventing layer and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201203645A (en) 2012-01-16
JPWO2011093146A1 (ja) 2013-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6052825B2 (ja) 有機発光素子およびその製造方法
KR101582719B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US11227999B2 (en) Array substrate having a layer of magnetic material, display panel having the same and manufacturing method the same thereof
JP2008218396A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011093146A1 (ja) 有機ｅｌ装置
US7687990B2 (en) OLED device with short reduction
WO2014199741A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20150007868A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2008171993A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、光通信用光源及び照明装置
US9728745B2 (en) Organic light emitting device and method of manufacturing the same
JP5075027B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100855487B1 (ko) 전계발광소자
WO2018193822A1 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
KR20080011623A (ko) 전계발광소자 및 그 제조방법
KR20130135185A (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
CN216133876U (zh) 一种oled发光器件及oled显示屏
KR20150080396A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101606871B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
US20080264680A1 (en) Voltage-Operated Layer Arrangement
JP4228021B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP2015050046A (ja) トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010080146A (ja) 有機ｅｌパネル
KR20080084503A (ko) 전계발광소자의 제조방법
KR20030085910A (ko) 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법
KR20090085238A (ko) 화학 기상 증착법을 이용한 유기 전기 발광 소자의 전극제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11736861

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011551799

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11736861

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1