KR20080084503A - 전계발광소자의 제조방법 - Google Patents
전계발광소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080084503A KR20080084503A KR1020070026345A KR20070026345A KR20080084503A KR 20080084503 A KR20080084503 A KR 20080084503A KR 1020070026345 A KR1020070026345 A KR 1020070026345A KR 20070026345 A KR20070026345 A KR 20070026345A KR 20080084503 A KR20080084503 A KR 20080084503A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting layer
- electroluminescent device
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 대향형 스퍼터링 시스템(FTS; Facing Target Sputtering)을 이용하여, 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전계발광소자, 플라즈마, 대향형 스퍼터링 시스템(FTS)
Description
도 1은 종래 상부 발광형 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도.
도 2는 종래 스퍼터링 시스템의 구조를 도시한 모식도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 상부 발광형 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스퍼터링 시스템의 구조를 도시한 모식도.
* 도면의 주요부호에 대한 설명 *
310 : 기판 320 : 제 1 전극
330 : 발광층 340 : 제 2 전극
380 : 보호부 410 : 챔버
420 : 타겟부 421 : 제 1 단위 타겟부
422 : 제 2 단위 타겟부 421a, 422a : 영구 자석부
L2 : 픽셀부 M2 : 자기장
P2 : 플라즈마 영역 S : 실란트
본 발명은 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
전계발광소자는 전자(election)주입 전극(cathode)과 정공(hole)주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발생하는 에너지로 발광하는 자발광 소자이다.
또한, 전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 지니고 있다. 이러한 전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 종래 액정표시장치에서 문제로 지적되던 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
전계발광소자는 발광방식에 따라 기판에서 발광층으로 향하는 방향으로 발광하는 상부발광형 전계발광소자(Top-Emission LED)와, 그 반대인 기판 방향으로 발광하는 하부발광형 전계발광소자(Bottom-Emission LED)로 구분된다.
도 1은 종래 상부 발광형 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 상부 발광형 전계발광소자(100)는 기판(110) 상에 캐소드(120), 발광층(130) 및 애노드(140)를 포함하는 픽셀부(L1)가 위치하였다. 픽 셀부(L1)는 디스플레이 방식에 따라 다수의 서브 픽셀을 포함할 수 있었다. 예를 들어, 서브 픽셀은 적색계열(R), 녹색계열(G), 청색계열(B)의 빛을 발광하는 서브 픽셀들을 포함할 수 있었다.
캐소드(120)는 전계발광소자(100)의 발광 특성에 따라 반사 특성이 좋으며, 일함수가 애노드(140) 보다 상대적으로 낮은 금속으로 형성될 수 있었다. 예를 들어, 캐소드(120)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함할 수 있었다.
애노드(140)는 캐소드(120) 보다 일함수가 높으며, 빛 투과성이 좋은 재질인 투명 도전 산화물(TCO; Transparent Conduction Oxide)로 형성될 수 있었다. 투명 도전 산화물은 예를 들어, 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연산화물(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있었다.
미 도시되었으나, 기판(110) 상에는 픽셀부(L1)의 애노드(140)와 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터가 위치할 수 있었다.
또한, 픽셀부(L1)의 산소 및 수분 등에 의한 열화, 손상을 방지하기 위해 기판(110) 상에는 보호부(180)가 실란트(S)로 봉지될 수 있었다. 이상 보호부(180)는 다양한 재질의 캡 형태가 적용된 경우로 도시 참조하여 설명하였으나, 보호부(180)에는 막 형태도 적용 가능하였다.
이상과 같은 인버티드(inverted) 구조의 종래 전계발광소자(100)의 픽셀부(L1)를 형성하는 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 종래 스퍼터링 시스템의 구조를 도시한 모식도이다.
도 2를 참조하면, 챔버(210) 내부 일측에는 플라즈마를 형성하도록 Γ-전자 및 음이온의 운동을 조절하는 타겟부(220)가 위치하였다. 타겟부(220)는 영구 자석부(220a)를 포함하였다.
한편, 챔버(210) 내부 타측에는 일측면 상에 캐소드(120) 및 발광층(130)이 위치하는 기판(substrate, 110)이 발광층(130)이 타겟부(220)와 대향하도록 배치되었다.
도 2를 참조하여, 도 1에 도시한 종래 전계발광소자(100)의 발광층(130) 상에 위치하는 제 2 전극(140)을 형성하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
이상과 같은 구조의 종래 스퍼터링 시스템에서는 영구 자석부(220a)에 의해 일정 범위의 공간에 자기장(M1)이 형성되었다. 또한, 자기장(M1)에 의해 타겟부(220)와 기판(110) 사이에는 플라즈마 영역(P1)이 형성되었다. 이때, 챔버(210) 내부는 안정된 스퍼터링 과정을 위해 고진공 상태(10-7mtorr이상)로 조절될 수 있었다.
위에서 설명한 바와 같이 일측면 상에 제 1 전극(120) 및 발광층(130)이 형성된 기판(110) 상에 제 2 전극(140)을 형성할 경우, 타겟부(220)의 자기장(M1)이 형성되는 측면이 기판(110) 상의 발광층(130)과 직접 대향하기 때문에, 플라즈마를 형성하는 Γ-전자 또는 음이온이 발광층(130) 상에 직접 충돌하여 손상을 주는 문제가 발생하였다.
이러한 발광층(130)의 손상 문제는 종래 전계발광소자(100)를 표시장치에 적용시 디스플레이 상의 암점(dark spot)의 발생을 포함한 휘도 불균일 문제를 유발 하였고, 이는 표시장치의 수명 및 신뢰도가 저하되는 문제로 이어졌다. 이와 같은 문제들은 표시장치가 대면적화됨에 따라 더욱 심화되었다.
따라서, 본 발명은 박막형성 공정에 의한 전계발광소자의 발광층의 손상을 방지함으로써, 전계발광소자가 적용된 표시장치에 있어서 디스플레이 상의 휘도 불균일을 포함한 다양한 문제들을 해결하고, 표시장치의 수명 및 신뢰도 저하를 방지할 수 있는 전계발광소자의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 대향형 스퍼터링 시스템(FTS; Facing Target Sputtering)을 이용하여, 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
제 2 전극은 제 1 전극보다 일함수가 큰 재질로 형성할 수 있다.
제 2 전극은 투명 도전 산화물(TCO; Transparent Conduction Oxide)을 포함할 수 있다.
제 2 전극은 발광층 상에 투명 도전 산화물층/금속층/투명 도전 산화물층 구조로 형성할 수 있다.
투명 도전 산화물은 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연산화물(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
발광층은 서브 픽셀 단위로 정의되도록 형성하여, 기판에 포함된 박막트랜지 스터의 소스 또는 드레인에 제 1 전극 또는 제 2 전극을 전기적으로 연결할 수 있다.
발광층은 유기물을 포함할 수 있다.
제 1 전극은 불투명하거나 반투명한 재질로 형성된 캐소드이며, 제 2 전극은 투명한 재질로 형성된 애노드일 수 있다.
제 1 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 상부 발광형 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 상부 발광형 전계발광소자(300)는 기판(310) 상에 제 1 전극(320), 발광층(330) 및 제 2 전극(340)을 포함하는 픽셀부(L2)가 위치한다. 픽셀부(L2)는 디스플레이 방식에 따라 다수의 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 예를 들어, 서브 픽셀은 적색계열(R), 녹색계열(G), 청색계열(B)의 빛을 발광하는 서브 픽셀들을 포함할 수 있는데, 이들의 발광층(330)은 유기물층으로 형성되어 유기 발광다이오드 구조를 취하게 되나, 발광층(330)을 무기물층으로 형성하여 무기 발광다이오드 구조로도 형성가능함은 물론이다.
한편, 앞서 설명한 바와 같은 구조는 발광층(330)의 하부와 상부에 형성되는 전극이 뒤바뀐 형태로서 이른바 인버티드(Inverted) 구조라 명명되기도 하는데 이 와 같은 구조의 경우, 기판(310) 상에 위치하는 제 1 전극은(320) 캐소드가 되고, 제 2 전극(340)은 애노드가 된다.
여기서, 캐소드인 제 1 전극(320)은 불투명하거나 반투명한 재질로 형성하고, 애노드인 제 2 전극(340)은 투명한 재질로 형성하는 것이 유리하다.
따라서, 제 1 전극(320)은 전계발광소자(300)의 발광 특성에 따라 반사 특성이 좋으며, 제 2 전극(340) 보다 상대적으로 일함수가 낮은 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(320)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함할 수 있다.
제 2 전극(340)은 제 1 전극(320) 보다 일함수가 높으며, 빛 투과성이 좋은 재질인 투명 도전 산화물(TCO; Transparent Conduction Oxide)로 형성될 수 있다.
빛 투과성을 좋게 하기 위해 제 2 전극(340)은 발광층(330) 상에 투명 도전 산화물층/금속층/투명 도전 산화물층 구조로 형성할 수 있다.
투명 도전 산화물은 예를 들어, 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연산화물(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
미 도시되었으나, 기판(310) 상에는 픽셀부(L2)의 제 2 전극(340)과 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터가 위치할 수 있다.
이는 능동형 유기전계발광소자의 경우로서, 서브 픽셀 단위로 정의되도록 형성된 발광층(330)은 기판(310)에 포함된 박막트랜지스터의 소스 또는 드레인에 제 1 전극(320) 또는 제 2 전극(340)이 전기적으로 연결할 수 있게 된다.
또한, 픽셀부(L2)의 산소 및 수분 등에 의한 열화, 손상을 방지하기 위해 기판(310) 상에는 보호부(380)가 실란트(S)로 봉지될 수 있다. 본 발명의 일실시예에 서는 보호부(380)가 캡인 경우로 도시 참조하여 설명하였으나, 보호부의 구조는 이에 국한되지 않는다. 따라서, 보호부(380)에는 다양한 재질의 캡 또는 막의 형태가 적용될 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자(300)의 픽셀부(L2)를 형성하는 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
예를 들어, 기판(310) 상에는 플라즈마 화학기상증착(PCVD) 방법에 의해 제 1 전극(320)이 형성될 수 있다. 또한, 제 1 전극(320) 상에는 화학기상증착(CVD) 방법에 의해 제 1 전극(32)과 전기적으로 연결되는 발광층(330)이 형성될 수 있다.또한, 발광층(330) 상에는 스퍼터링 방법에 의해 발광층(330)과 전기적으로 연결되는 제 2 전극(340)이 형성될 수 있다.
한편, 앞서 기술한 전계발광소자(300)는 기판(310) 상에 제 1 전극(320) 및 발광층(330) 공정이 완료되면, 챔버 내의 진공 깸(Break) 없이 진공상태에서 트랜스퍼 챔버로 이송된 후, 전극증착챔버에 이송되어 장착된다. 진공상태에서 이송된 기판(310)은 전극증착챔버의 일측에 설치된 대향형 스퍼터링 시스템에 의해 투명 도전 산화물 등을 포함하는 제 2 전극을 증착하게 된다.
이하, 도 4를 참조하여, 도 3에 도시한 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자(300)의 발광층(330) 상에 위치하는 제 2 전극(340)을 형성하는 과정을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 대향형 스퍼터링 시스템의 구조를 도시한 모식도이다.
도 4를 참조하면, 챔버(410) 내부 일측에는 플라즈마를 형성하도록 r-전자 및 음이온의 운동을 조절하는 타겟부(420)가 위치한다. 여기서, r-전자 또는 r작용에 의해 방출되는 r전자 작용이라 함은 양이온이 음극에 충돌해서 2차 전자(전자나 이온의 입사에 의해 고체 표면으로부터 방출되는 전자)를 방출시키는 작용을 한다.
타겟부(420)는 상호 간 자기적으로 대응되도록 대향하여 위치하는 제 1 단위 타겟부(421)과 제 2 단위 타겟부(422)를 포함할 수 있다. 제 1 단위 타겟부(421)는 제 1 영구 자석부(421a)를 포함하며, 제 2 단위 타겟부(422a)는 제 2 영구 자석부(422a)를 포함할 수 있다. 이와 같은 구조의 타겟부(420)는 제 1 단위 타겟부(421)와 제 2 단위 타겟부(422)의 사이에 위치하는 자기장(M2)을 형성하게 된다. 그에 따라, 제 1 단위 타겟부(421)와 제 2 단위 타겟부(422)의 사이에서 순환하는 플라즈마(P2) 영역이 발생하게 된다.
한편, 일측면 상에 제 1 전극(320)과 발광층(330)이 형성된 기판(310)은 자기장(M2)이 형성되는 타겟부(420)의 측면과 발광층(330)이 직접적으로 대향하지 않도록 챔버(420) 내부에 배치된다.
이상과 같은 기판(310)과 타겟부(420)의 배치구조는 플라즈마를 형성하는 r-전자 또는 음이온이 발광층(330) 상에 직접 충돌하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 대향형 스퍼터링 시스템을 이용한 전계발광소자의 제조방법은 종래 스퍼터링 시스템(도 2 참조)에서 발생하였던 발광층의 손상 문제를 방지할 수 있다.
이상의 스퍼터링 과정은 챔버(410) 내부가 일정 수준의 고진공 상태(10-7mtorr이상)로 조절된 상태에서 수행될 수 있다. 또한, 챔버(410) 내부는 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(xenon)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 가스 분위기로 조절될 수 있다. 이는 원활한 글로 방전(Glow discharge)을 형성하여 효율적인 스퍼터링 공정을 수행하기 위한 조건이다.
이상 도 4에서는 대향형 스퍼터링 시스템의 챔버(410) 내에 하나의 타겟부(420)가 위치하며, 타겟부(420)는 두 개의 단위 타겟부(421, 422)를 포함하는 경우로 도시 참조하여 설명하였으나, 본 발명의 일실시예에 적용되는 대향형 스퍼터링 시스템(FTS; Facing Target Sputtering)의 구조는 타겟부(420)와 영구 자석부(421a, 422a)의 개수에 한정되지 않는다.
이와 같은 대향형 스퍼터링 시스템을 이용하면, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(310) 상에 제 1 전극(320) 및 발광층(330) 공정이 완료되면, 기판(310)을 도 4의 대향형 스퍼터링 시스템 챔버(410)로 이송한다.
이송된 기판(310)에 형성된 발광층(330) 상에는 대향형 스퍼터링 시스템 챔버(410)를 이용하여, 제 1 전극(320)보다 일함수가 큰 제 2 전극(340)을 형성한다.
여기서 형성된 제 2 전극(340)은 투명 도전 산화물(TCO; Transparent Conduction Oxide)을 포함하는 것으로, 투명 도전 산화물은 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연산화물(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
이와 같이 대향형 스퍼터링 시스템을 이용하면, 발광층(330) 상에 투명 도전 산화물층/금속층/투명 도전 산화물층 구조의 제 2 전극(340)을 형성할 수 있게 된다.
대향형 스퍼터링 시스템을 이용하여 제 2 전극(340)의 구조를 투명 도전 산화물층/금속층/투명 도전 산화물층으로 형성하는 방법은 다음과 같이 설명될 수 있다.
대향형 스퍼터링 시스템을 이용하여 기판(310) 상에 투명 도전 산화물층을 형성하고, 동일한 챔버 혹은 별도의 챔버로 이송한 후 금속층을 증착하고, 금속층 상에 다시 투명 도전 산화물층을 형성한다.
금속층 형성시, 유기물에 의한 플라즈마 손상을 최소화하기 위해 대향형 스퍼터링을 이용하는 것이 유리하다. 금속층은 투명도를 위해 가능한 얇게 형성하는 것이 유리하지만 저저항을 위해 적절한 두께를 선택한다.
한편, 대향형 스퍼터링 시스템을 이용하여 제 2 전극(340)을 형성할 때 일반적으로는 공정 가스로 Ar, O2 등이 사용되지만, 산소가스에 의한 유기물의 열화를 방지하기 위해 산소는 포함하지 않고, 공정 가스 (예: Ar 등) 만으로 공정을 수행하는 것이 유리하다.
이상 본 발명은 박막형성 공정시 플라즈마 등에 의한 발광층 손상을 방지함으로써, 전계발광소자가 적용된 표시장치에 있어서 디스플레이 상의 휘도 불균일을 포함한 다양한 문제들을 해결하고, 표시장치의 수명 및 신뢰도 저하를 방지할 수 있는 전계발광소자의 제조방법을 제공하게 된다.
이상 다양한 실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 박막형성 공정에 의한 전계발광소자의 발광층의 손상을 방지함으로써, 전계발광소자가 적용된 표시장치에 있어서 디스플레이 상의 휘도 불균일을 포함한 다양한 문제들을 해결하고, 표시장치의 수명 및 신뢰도 저하를 방지할 수 있는 전계발광소자의 제조방법을 제공할 수 있다.
Claims (9)
- 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및대향형 스퍼터링 시스템(FTS; Facing Target Sputtering)을 이용하여, 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 일함수가 큰 재질로 형성된 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 2 전극은 투명 도전 산화물(TCO; Transparent Conduction Oxide)을 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 발광층 상에 투명 도전 산화물층/금속층/투명 도전 산화물층 구조로 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 투명 도전 산화물은 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연산화물(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 발광층은 서브 픽셀 단위로 정의되도록 형성하여,상기 기판에 포함된 박막트랜지스터의 소스 또는 드레인에 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극을 전기적으로 연결하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 발광층은 유기물을 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극은 불투명하거나 반투명한 재질로 형성된 캐소드이며,상기 제 2 전극은 투명한 재질로 형성된 애노드인 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070026345A KR20080084503A (ko) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 전계발광소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070026345A KR20080084503A (ko) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 전계발광소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080084503A true KR20080084503A (ko) | 2008-09-19 |
Family
ID=40024828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070026345A KR20080084503A (ko) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 전계발광소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080084503A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200026693A (ko) * | 2019-07-23 | 2020-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
-
2007
- 2007-03-16 KR KR1020070026345A patent/KR20080084503A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200026693A (ko) * | 2019-07-23 | 2020-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018113018A1 (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
| US9748316B2 (en) | Organic electroluminescent panel | |
| JP2014041848A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置および有機発光ディスプレイ装置の製造方法 | |
| KR20140008214A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100929167B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| CN111463360B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| Liu et al. | P‐168: Top Emission WOLED for High Resolution OLED TV | |
| US20070164277A1 (en) | Organic light emitting display | |
| US9685625B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| JP2011048973A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| US7521718B2 (en) | Organic light emitting display | |
| KR100759437B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101901350B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| JP2008108680A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20080084503A (ko) | 전계발광소자의 제조방법 | |
| US11690241B2 (en) | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer | |
| WO2011093146A1 (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| KR20120068506A (ko) | 유기전계 발광소자 제조 방법 | |
| KR101744874B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| CN104795429A (zh) | Oled显示器件 | |
| KR100683673B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| JP2006092867A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| KR100617155B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20050111693A (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
| US20230023178A1 (en) | Display panel and mobile terminal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |