상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
서로 대향된 제 1 및 제 2 기판;
상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 개재되고, 복수개의 화소를 갖는 표시부;
상기 표시부에서 각 화소를 구획하고, 외광을 흡수하도록 구비된 절연층; 및
상기 제 1 기판 및 제 2 기판 중 적어도 하나의 외측에 구비되고, 외광을 흡수하는 반사방지부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
상기 절연층은 투명한 물질인 제 1 성분과, 금속 물질인 제 2 성분이 소정의 농도구배를 갖도록 구비될 수 있다.
상기 제 1 성분은 SiOx(x≥1), SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2 등과 같은 투명한 절연물질로 이루어진 군 및 ITO(Indium tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, In2O3 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 투명한 물질로 구비될 수 있다.
상기 제 2 성분은 Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 금속 물질로 구비될 수 있다.
상기 절연층은 CrOx(x≥1)로 구비된 제 1박막과, Cr으로 구비된 제 2 박막을 포함할 수 있다.
상기 반사방지부재는 원편광필름일 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다 .
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치를 도시한 단면도로, 서로 대향된 제 1 기판(1) 및 제 2 기판(2)을 갖고, 이 제 1 기판(1) 및 제 2 기판(2)의 사이에 복수개의 화소를 갖는 표시부(3)를 갖는다.
제 1 기판(1) 및 제 2 기판(2)은 실런트(21)에 의해 결합되어, 표시부(3)를 밀봉한다.
상기 표시부(3)에는 각 화소를 구획하고, 외광을 흡수하도록 구비된 절연층(4)이 구비되어 있고, 화상이 구현되는 제 1 기판(1)의 외면에는 외광을 흡수하는 반사방지부재(5)가 구비되어 있다. 상기 반사방지부재(5)로는 원편광필름이 사용될 수 있다.
한편, 상기 표시부(3)는 PM 타입의 유기 전계 발광 표시장치(PMOLED: Passive martix organic light emitting display) 및 AM 타입의 유기 전계 발광 표시장치(AMOLED: Active martix organic light emitting display) 어느 것이나 적용 가능한 데, 도 2는 PM 타입의 유기 전계 발광 표시장치의 일 예를 도시한 것이고, 도 3은 AM 타입의 유기 전계 발광 표시장치의 일 예를 도시한 것이다. 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2에 따른 PM 타입의 유기 전계 발광 표시장치는, 제 1 기판(1) 상에 애노우드(anode) 전극의 기능을 하는 제 1 전극(31)이 소정 패턴, 예컨대, 스트라이프 패턴이나 소정의 아이콘 패턴으로 형성되어 있고, 이들 제 1 전극(31)들의 사이에 절연층(4)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 1 전극(31)의 상부로는 발광층을 포함한 유기막(32)이 형성된다. 그리고, 이 유기막(32) 위로는 캐소오드(cathode) 전극의 기능을 하는 제 2 전극(33)이 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도면에 도시하지는 않았지만, 절연물로 캐소오드 세퍼레이터가 형성되어 이 캐소오드 세퍼레이터에 의해 제 2 전극(33)의 패터닝이 가능하다. 상기와 같은 제 1 전극(31) 및 제 2 전극(33)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
화상이 제 1 기판(1)쪽으로 구현되는 배면발광형(rear emitting type)인 경우, 상기 제 1 전극(31)은 투명 전극으로 형성될 수 있고, 제 2 전극(33)은 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 화상이 상기 제 2 기판(2)쪽으로 구현되는 전면발광형(front emitting type)의 경우, 상기 제 1 전극(31)이 반사형 전극으로 형성될 수 있고, 제 2 전극(33)이 투과형 전극으로 형성될 수 있다. 도 1에 따른 실시예는 화상이 제 1 기판(1)쪽으로 구현되는 배면발광형이므로, 상기 제 1 전극(31)은 투명 전극으로 형성되고, 제 2 전극(33)은 반사형 전극으로 형성된다.
발광층을 포함하는 유기막(32)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(EIL: Electron Injection Layer), 전자 주입층(ETL: Electron Transport Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법으로 형성할 수 있다.
이러한 유기막(33)에 있어서, 적어도 발광층은 적(R), 녹(G) 및 청(B)색의 각 화소별로 패터닝하여 풀칼라를 구현할 수 있도록 한다.
이러한 표시부(3)에서는 상기 제 1 전극(31) 및 제 2 전극(33)에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 제 1 전극으로부터 주입된 홀(hole)이 발광층으로 이동되고, 전자는 제 2 전극으로부터 발광층으로 주입되어, 이 발광층에서 전자와 홀이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라, 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성한다. 풀컬러 유기 전계 발광 표시장치의 경우에는 적(R), 녹(G), 청(B)의 삼색을 발광하는 화소를 구비토록 함으로써 풀컬러를 구현한다.
한편, 도 3에 따른 AM 타입의 유기 전계 발광 표시장치는, 각 화소에 TFT(12) 및 커패시터(13)가 포함된다. TFT 및 커패시터의 개수는 반드시 도면에 도시된 숫자에 하정되는 것은 아니며, 원하는 소자의 설계에 따라 이보다 더 많은 수의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 구비할 수 있음은 물론이다.
도 3에서 볼 수 있듯이, 제 1 기판(1)에 버퍼층(11)이 형성되고, 이 버퍼층(11)의 상부에 TFT(12) 및 커패시터(13)가 구비된다.
TFT(12)는 버퍼층(11) 상에 형성된 반도체 활성층(14)과, 이 반도체 활성층(14)의 상부에 형성된 게이트 절연막(15)과, 게이트 절연막(15) 상부의 게이트 전극(16)을 갖는다.
상기 반도체 활성층(14)은 비정질 실리콘 박막 또는 다결정질 실리콘 박막으로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이 반도체 활성층은 N형 또는 P형 불순물이 고농도로 도핑된 소스 및 드레인 영역을 갖는다.
반도체 활성층(14)의 상부에는 SiO2 등에 의해 게이트 절연막(15)이 구비되고, 게이트 절연막(15) 상부의 소정 영역에는 도전막으로 게이트 전극(16)이 형성된다. 상기 게이트 전극(16)은 캐패시터(13)의 제 1 전극(13a)과 연결되어 TFT 온/오프 신호를 공급하는 것으로, 반도체 활성층(14)의 채널 영역 상부에 형성된다.
이 게이트 전극(16)의 상부로 층간 절연막(17)이 형성되고, 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극(18)이 각각 반도체 활성층(14)의 소스/드레인 영역에 접하도록 형성된다. 소스/드레인 전극(18) 중 하나는 캐패시터(13)의 제 2 전극(13b)에 연결되어 있다.
소스/드레인 전극(18) 상부로는 절연체로 이루어진 패시베이션막(19)이 형성되고, 이 패시베이션 막(19)의 상부에는 컨택홀에 의해 드레인 전극과 연결된 EL 소자의 제 1 전극(31)이 형성된다.
제 1 전극(31)의 상부로는 절연층(4)이 형성되고, 이 절연층(4)에 소정의 개구부(41)를 형성한 후, 이 개구부(41)에 발광층을 포함한 유기막(32) 및 제 2 전극(33)을 순차로 형성한다.
제 1 전극(31), 제 2 전극(33), 및 유기막(32)은 전술한 바와 같다.
상기와 같은 PM 및 AM 구조의 표시부(3)에서 절연층(4)은 외광을 흡수하도록 구비된다.
상기 절연층(4)은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 기판(1)으로부터 투명한 물질인 제 1 성분과, 금속 물질인 제 2 성분이 도 4에서 볼 수 있는 바와 같은 서로 반대되는 농도구배를 갖도록 순차로 형성된 것일 수 있다. 즉, 제 1 기판(1)으로부터 멀어질수록 제 1 성분의 함량은 감소하고, 제 2 성분의 함량은 증가하도록 형성하는 것이다.
이 때, 상기 제 1 성분은 SiOx(x≥1), SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, Al2O
3, SnO2 등과 같은 투명한 절연물질로 이루어진 군 및 ITO(Indium tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, In2O3 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 투명한 물질로 구비될 수 있으며, 상기 제 2 성분은 Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 금속 물질로 구비될 수 있다.
상기와 같이 형성된 절연층(4)은 전체적으로 검은색을 띠게 된다. 따라서, 제 1 기판(1)의 방향으로 빛이 발광되는 배면 발광형 유기 전계 발광 표시장치의 경우 이 절연층(4)은 제 2 기판(3)의 외측으로부터의 외광을 흡수하는 외광 흡수층, 즉, 블랙 매트릭스(Black matrix)의 기능을 하도록 할 수 있다. 상기 절연층(4) 이 외에도 AM 타입에 적용될 경우, 금속 물질로 구비된 제 2 성분으로 인해 제 2 전극에 도전성을 부여하여, 전압 강하를 막을 수 있다.
한편, 상기와 같은 절연층(4)은 이 밖에도 다양한 방법에 의해 형성할 수 있는 데, 즉, 상기 제 1 기판(1)으로부터 제 2 전극(33)을 향하여 CrOx(x≥1)로 구비된 제 1박막과, Cr으로 구비된 제 2 박막을 순차로 성막하여 형성할 수도 있고, 흑연계 블랙 매트릭스를 사용할 수도 있다.
본 발명에서는 이렇게 각 화소 사이에 외광을 흡수할 수 있는 절연층(4)을 구비하는 것 뿐 아니라, 화상이 구현되는 제 1 기판(1)의 외측면에 전술한 바와 같이 반사방지부재(5)를 형성하여, 외광의 반사를 최소화할 수 있다.
표 1은 도 3에 따른 본 발명의 실시예와, 비교예들의 반사율 및 콘트라스트를 비교한 것이다.
|
반사율 |
콘트라스트 |
비교예1 |
0.28% |
1.4 |
비교예2 |
1.28% |
1.1 |
비교예3 |
0.24% |
1.4 |
실시예 |
0.04% |
3.5 |
비교예1은 화상이 구현되는 기판 외면에 원편광필름만을 부착한 경우이고, 비교예2는 화소의 비발광부에 블랙 매트릭스만 형성한 경우를 나타낸다. 비교예3은 각 화소의 비발광부에 블랙 매트릭스를 형성하고, 제 2 전극을 반사형 전극이 아닌 외광 흡수형 전극을 적용한 경우를 나타낸다.
실시예는 각 화소의 비발광부에 블랙 매트릭스인 절연층을 형성하고, 화상이 구현되는 제1기판 외면에 원편광필름을 부착한 경우를 나타낸다.
위 실험에서, 콘트라스트는 10만 룩스의 아주 밝은 야외광 하에서 시인성을 평가한 것인 데, 본 발명에 따른 실시예의 경우, 비교예들에 비해 탁월한 콘트라스트 특성을 나타냄을 알 수 있다.
본 발명은 도 5에서 볼 수 있듯이, 제 2 기판(2)의 방향으로 화상이 구현되는 경우에도 동일하게 적용될 수 있는 데, 이 경우에는 제 2 기판(2)의 외면에 반사방지부재(5)가 부착될 수 있다.