CN216133876U - 一种oled发光器件及oled显示屏 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种OLED发光器件，包括顺次层叠设置的玻璃基板、第一电极层、发光结构层、阴极层及辅助电极层；所述发光结构层包括多个均匀分布的像素区域；所述辅助电极层覆于所述阴极层部分区域，且所述部分区域与所述像素区域之间的间隙重叠设置；所述辅助电极层为第二金属层。在金属层的表面形成部分金属氧化物，金属氧化物层可以保证金属层的透光率，还可以起到保护金属层的作用，使得OLED显示结构成像更加清晰均匀。

Description

一种OLED发光器件及OLED显示屏

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，尤其是指一种OLED发光器件及OLED显示屏。

背景技术

目前，OLED发光器件的阴极通常为半透明半反射的阴极层，该阴极层的材料采用金属镁(Mg)和金属银(Ag)的合金制作而成。为了保证阴极层具有一定的透过率，阴极层(Cathode)的厚度会极薄，一般只有10～20nm。阴极层较薄会导致面内电阻较大，随着搭接区距离越来越远，线路上的压降降低较快，从而导致面内亮度不均匀，这就是平时常见IR-drop现象。

现有技术中通常采用一种方式是通过增加阴极厚度或者降低金属镁的比例来增加导电率，然而增加阴极层的厚度会降低光透率，降低金属镁的比例不利于电子注入，将会导致器件电压升高；另外一种方式是增加一层透明金属氧化物或者石墨烯的方式，但是对于此类材料成膜工艺通常会损伤器件。

因此，迫切需要一种在保证对器件无损伤的情况下，还可以不影响光透过率的OLED发光器件。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种OLED发光器件，解决现有的OLED发光器件光透过率较低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：本实用新型第一方面提供一种OLED发光器件，包括顺次层叠设置的玻璃基板、第一电极层、发光结构层、阴极层及辅助电极层；

所述发光结构层包括多个均匀分布的像素区域；

所述辅助电极层覆于所述阴极层部分区域，且所述部分区域与所述像素区域之间的间隙重叠设置；

所述辅助电极层为金属层。

进一步的，所述发光结构层包括顺次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层，所述空穴注入层贴合所述第一电极层设置，所述电子传输层贴合所述阴极层设置。

进一步的，所述第一电极层为阳极层，所述阳极层为银层。

进一步的，所述阴极层为Ag:Mg合金层。

进一步的，还包括金属氧化物层或金属层和金属氧化物层的组合层，其中，所述组合层中的金属层贴合于所述阴极层设置。

进一步的，所述金属氧化物层为氧化银层，所述金属层为银层。

进一步的，还包括封盖层，所述封盖层设置于所述金属氧化物层上。

进一步的，所述封盖层远离所述第一电极层的一侧还设有聚四氟乙烯层。

本实用新型第二方面提供一种OLED显示屏，其特征在于：包括上述的 OLED发光器件。

本实用新型的有益效果在于：通过顺次层叠设置的玻璃基板、第一电极层、发光结构层、阴极层及辅助电极层；发光结构层包括多个均匀分布的像素区域；辅助电极层覆于阴极层部分区域，且部分区域与所述像素区域之间的间隙重叠设置；辅助电极层为第二金属层。阴极层及辅助电极层作为第二电极层，金属层为银层，通过金属层设置在阴极层上，且与像素区域之间的间隙对应设置，提升第一电极层的导电率。

附图说明

下面结合附图详述本实用新型的具体结构

图1为本实用新型的OLED发光器件的结构示意图。

图2为本实用新型的OLED发光器件的像素区域示意图。

图3为本实用新型的OLED发光器件的辅助电极层结构示意图。

标号如下：

1-玻璃基板；2-第一电极层；3-空穴注入层；4-空穴传输层；5-发光层；6- 空穴阻挡层；7-电子传输层；8-第二电极层；81-阴极层；82-辅助电极层；9-封盖层；10-聚四氟乙烯层；20-像素区域。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

请参阅图1，本实用新型提供一种OLED发光器件，包括顺次层叠设置的玻璃基板1、第一电极层2、发光结构层、阴极层81及辅助电极层82；

所述发光结构层包括多个均匀分布的像素区域；

所述辅助电极层82覆于所述阴极层81部分区域，且所述部分区域与所述像素区域之间的间隙重叠设置；

所述辅助电极层82为金属层。

具体的，阴极层81及辅助电极层82作为第二电极层8，所述金属层为银层，通过金属层设置在阴极层81上，且与像素区域之间的间隙对应设置，提升第一电极层2的导电率。

OLED即有机发光二极管(organic light emission diode)，其发光的原理与 LED类似，只不过与LED采用无机半导体作为发光材料不同，其采用的发光材料是有机材料。根据有机材料的不同，还可以进一步分为小分子有机材料和大分子有机材料。其中大分子有机材料一般采用喷墨打印的方式进行成膜，而小分子有机材料一般采用蒸镀的方式进行薄膜沉积。

进一步的，所述发光结构层包括顺次层叠设置的空穴注入层3、空穴传输层 4、发光层5、空穴阻挡层6及电子传输层7，所述空穴注入层3贴合所述第一电极层2设置，所述电子传输层7贴合所述阴极层81设置。

具体的，最终制作的OLED发光器件其实是由多层叠在一起而成的，有阳极(Anode)、空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)，发光层(EML，Emission layer)，电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)和阴极(Cathode)。更一般的还有空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)和封盖层(CPL，Capping Layer) 等等。

进一步的，所述第一电极层2为阳极层，所述阳极层为银层。所述阴极层 81为Ag:Mg合金层。

具体的，阴极层81材料选择的最基本条件是——电子注入容易。因此，需要选择低功率的材料作为OLED的阴极。采用低功函数的材料作为阴极，不仅可以提高电子注入效率，还可以降低OLED工作时产生的焦耳热，提高器件的寿命。

对于阳极，因为需要将空穴注入到OLED中，因此需要其具有较高的功函数(workfunction)。通常选用的阳极材料有铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物 (IZO)、金(Au)和铂(Pt)等等。

发光层5的材料须需具备固态下有较强荧光、电子/空穴传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性。因为电子和空穴都需要在发光层中传输，这样才能保证有足够的电子和空穴能发生复合而发出光。

空穴注入层3的要求是：降低从阴极注入电子的势垒，使电子能从阴极有效地注入到OLED发光器件中。降低从阳极注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到OLED发光器件中。

当电子和空穴迁移到发光层5中，由于电场的存在，电子可以继续向阳极迁移，空穴可以继续向阴极迁移，导致发光区域电子/空穴浓度下降，发光效率降低。而电子/空穴阻挡层，由于其特殊的能级结构，可以对电子/空穴形成迁移的势垒，阻止其进一步迁移。

进一步的，还包括封盖层9，所述封盖层9设置于所述金属氧化物层上。所述封盖层9远离所述第一电极层2的一侧还设有聚四氟乙烯层10。

具体的，封盖层9外部蒸镀或者喷墨有聚四氟乙烯层10，聚四氟乙烯层10 可以保护OLED材料不受外部水分、氧气的侵蚀，起到封装材料的作用。

在一具体的实施例中，金属氧化物层与像素区域重叠设置，所述金属氧化物为所述阴极层81远离所述玻璃基板1的一侧部分氧化而成。请参阅图2及图3。

具体的，通过精细金属掩膜版(FMM)上蒸镀的方式，在所述阴极层81 的基础上增加更厚的银层50nm。而此时增加的银层较厚，会降低OLED倒置器件的透光性，需要在阴极层81的部分区域(即与像素区域对应的区域，图2中包括多个像素区域20。)采用O₂ Plasma(离子氧化)处理，生成一层透光性较好的氧化银薄膜，可以通过Plasma的时间控制氧化膜层的厚度。

作为一项优选，所述金属氧化物层为Ag：Mg/AgO，此时的OLED发光器件结构的透光性最好。

在一并列的实施例中，所述金属氧化物层和金属层为氧化银层和银层的组合层，所述氧化银层为所述阴极层81远离所述玻璃基板1的一侧部分氧化而成。

具体的，通过精细金属掩膜版(FMM)上蒸镀的方式，在所述阴极层81 的基础上增加更厚的银层50nm。而此时增加的银层较厚，会降低OLED倒置器件的透光性，需要在阴极层81的部分区域(即与像素区域对应的区域，图2中包括多个像素区域20。)采用O₂ Plasma(离子氧化)处理，生成一层透光性较好的氧化银薄膜，可以通过Plasma的时间控制氧化膜层的厚度。

进一步的，所述金属氧化物层和金属层为Ag：Mg/Ag/AgO，银层的厚度可以做的薄些，既可确保阴极层81Ag：Mg不被氧化，又可确保OLED发光器件结构的透光性。

其中金属氧化物层是由金属层经过通电氧化或者在等离子态下氧化形成金属氧化物层，金属氧化物层是致密的金属氧化物层，能够起到保护金属层的作用。此外，还可以保证金属层的透光率，使得OLED发光器件成像更加清晰均匀。

本实用新型提供的OLED显示结构中，阴极层81的表面形成金属氧化物层，金属氧化物层可以保证阴极层的透光率，还可以起到保护阴极层81的作用。在金属氧化物层的外部还设置有高透光率、高导电率的透明导电层，可以减小阴极层在阴极层面内的电阻，减小压降(IR-drop)现象，使得OLED显示结构成像更加清晰均匀。

本实用新型第二方面提供一种OLED显示屏，包括上述的OLED发光器件。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种OLED发光器件，其特征在于：包括顺次层叠设置的玻璃基板、第一电极层、发光结构层、阴极层及辅助电极层；

所述发光结构层包括多个均匀分布的像素区域；

所述辅助电极层覆于所述阴极层部分区域，且所述部分区域与所述像素区域之间的间隙重叠设置；

所述辅助电极层为金属层。

2.如权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于：所述发光结构层包括顺次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层，所述空穴注入层贴合所述第一电极层设置，所述电子传输层贴合所述阴极层设置。

3.如权利要求2所述的OLED发光器件，其特征在于：所述第一电极层为阳极层，所述阳极层为银层。

4.如权利要求3所述的OLED发光器件，其特征在于：所述阴极层为Ag:Mg合金层。

5.如权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于：还包括金属氧化物层或金属层和金属氧化物层的组合层，其中，所述组合层中的金属层贴合于所述阴极层设置。

6.如权利要求5所述的OLED发光器件，其特征在于：所述金属氧化物层为氧化银层，所述金属层为银层。

7.如权利要求6所述的OLED发光器件，其特征在于：还包括封盖层，所述封盖层设置于所述金属氧化物层上。

8.如权利要求7所述的OLED发光器件，其特征在于：所述封盖层远离所述第一电极层的一侧还设有聚四氟乙烯层。

9.一种OLED显示屏，其特征在于：包括权利要求1-8任一项所述的OLED发光器件。

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