JP4625911B2 - 有機発光ダイオード(oled) - Google Patents
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Description
(i)多くの場合プラスティックまたはガラスから作られる基板2と;
(ii)基板上に配置され、且つ一般に、有機材料またはインジウムすず酸化物(ITO)のような無機酸化物であり得る透明な伝導性材料から作られるアノード3と;
(iii)アノード上に配置されるホール移動層5と;
(iv)ホール移動層上に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層6と;
(v)EL層上に配置されるカソードであって、カルシウムまたはマグネシウムの第1の層9および銀またはアルミニウムの第2の層10とからなるカソード8と;
を含む。
(a)基板上に配置されるアノードと;
(b)カソードと;
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層と;
(d)前記アノードと前記EL層との間に配置されるホール移動層と;
(e)
(i)前記アノードと前記ホール移動層;
(ii)前記ホール移動層と前記EL層;および
(iii)前記EL層と前記カソード;
のうちの1つ以上の間に配置される少なくとも1つの誘電体有機バリア層と;
を具備し、
前記バリア層は:
(A)酸素による透過阻止;
(B)水分による透過阻止;および
(C)金属移動の抑制
のうちの少なくとも1つに適合された、有機発光ダイオード(OLED)を提供する。
(i)前記アノードと前記ホール移動層か;または
(ii)前記ホール移動層と前記EL層か;
のいずれかの間に配置されるバリア層を含む。
(i)前記アノードと前記ホール移動層か;または
(ii)前記ホール移動層と前記EL層か;
のいずれかの間に配置される。
(i)前記アノードと前記誘電体層;および
(ii)前記誘電体層と前記ホール移動層;
のうちの1つ以上の間に配置される。
(i)前記EL層と前記電子注入層;および
(ii)前記電子注入層と前記カソード;
のうちの1つ以上の間に配置される。
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
を含む従来のコーティング技術のいずれかによって被着される。
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
を含む従来のコーティング技術のいずれかによって被着される。
(i)ポリイミド;
(ii)テフロン(登録商標);および
(iii)パリレン;
から選択される。
(i)有機金属;
(ii)無機金属;
(iii)有機金属酸化物;および
(iv)無機金属酸化物;
のうちの1つ以上のカソード材料から少なくとも部分的に作られることが好ましい。
(a)基板上に配置されるアノードと;
(b)カソードと;
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層と;
(d)前記アノードと前記EL層との間に配置されるホール移動層と;
(e)
(i)前記アノードと前記ホール移動層;
(ii)前記ホール移動層と前記EL層;および
(iii)前記EL層と前記カソード;
のうちの1つ以上の間に配置される少なくとも1つの誘電体有機バリア層と;
を具備し、
前記バリア層は:
(A)酸素による透過阻止;
(B)水分による透過阻止;および
(C)金属移動の抑制
のうちの少なくとも1つに適合された、
非放射領域の形成および/あるいは成長を抑制すべく適合された有機発光ダイオード(OLED)を提供する。
(a)基板上にアノードを形成するステップと;
(b)前記アノード上にホール移動層を形成するステップと;
(c)前記ホール移動層上にエレクトロルミネッセンス(EL)層を形成するステップと;
(d)前記EL層上にカソードを形成するステップと;
(e)前記プロセスにおける適切なステップにおいて:
(i)前記アノードと前記ホール移動層;
(ii)前記ホール移動層と前記EL層;および
(iii)前記EL層と前記カソード;
のうちの1つ以上の間に配置される少なくとも1つの誘電体有機バリア層を形成するステップと;
を有する有機発光ダイオード(OLED)を製造する方法であって、
前記バリア層は:
(A)酸素による透過阻止;
(B)水分による透過阻止;および
(C)金属移動の抑制
のうちの少なくとも1つに適合されている方法が提供される。
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(ii)化学蒸着(CVD)法;
を含む従来のコーティング技術のいずれかによって被着され得る。
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
から選択されたプロセスによって被着される。
Claims (37)
- (a)基板上に配置されるアノードと;
(b)カソードと;
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層と;
(d)前記アノードと前記EL層との間に配置されるホール移動層と;
(e)少なくとも前記EL層と前記カソードとの間に配置される少なくとも1つの第1誘電体有機バリア層と;
(f)(i)前記アノードと前記ホール移動層;または(ii)前記ホール移動層と前記EL層のいずれかの間に配置される少なくとも1つの第2誘電体有機バリア層と;
を具備し、
前記第1及び第2誘電体有機バリア層は、(i)ポリイミド(ii)テフロンおよび(iii)パリレンから選択されるポリマーによって形成され、
(A)酸素による透過阻止;
(B)少なくとも39℃において0.1g/m 2 /日から50g/m 2 /日の範囲の水分バリア特性;および
(C)電界のもとにおいて前記カソードおよび前記アノードからの金属イオンの移動の抑制
に適合された、有機発光ダイオード(OLED)。 - 前記第1誘電体有機バリア層は、可視波長帯域において実質的に透明である、前記請求項1に記載のOLED。
- 前記第1誘電体有機バリア層の厚みは、1から20nmの範囲内に存在する、前記請求項1または2に記載のOLED。
- 前記アノードと前記ホール移動層との間に配置される誘電体層をさらに備え、且つ、前記第2誘電体有機バリア層は:
(i)前記アノードと前記誘電体層;および
(ii)前記誘電体層と前記ホール移動層;
のうちの1つ以上の間に配置される、請求項1から3のいずれか一項に記載のOLED。 - 前記EL層と前記カソードとの間に配置される電子注入層をさらに備え、且つ前記第1誘電体有機バリア層は:
(i)前記EL層と前記電子注入層;および
(ii)前記電子注入層と前記カソード;
のうちの1つ以上の間に配置される、前記請求項1から4のいずれか一項に記載のOLED。 - 前記第1及び第2誘電体有機バリア層は:
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
のいずれかのコーティング技術によって被着される、前記請求項1から5のいずれか一項に記載のOLED。 - 当該OLEDを少なくとも部分的に封止する封止層をさらに備え、前記封止層は、酸素および/または水分による透過を阻止すべく適合されている、前記請求項1から6のいずれか一項に記載のOLED。
- 前記封止層は、有機封止層である、請求項7に記載のOLED。
- 前記有機封止層は、少なくとも部分的にポリマーから作られる、請求項8に記載のOLED。
- 前記封止層の厚みは、1nmから30μmの範囲内に存在する、請求項7から9のいずれか一項に記載のOLED。
- 前記封止層は:
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
のいずれかのコーティング技術によって被着される、請求項7から10のいずれか一項に記載のOLED。 - 前記ポリマーは、パリレンである、請求項1に記載のOLED。
- 前記基板は、酸素および/または水分による透過を阻止すべく適合されており、且つ少なくとも部分的に剛体または可撓性材料から作られる、前記請求項1から12のいずれか一項に記載のOLED。
- 前記基板は、プラスティックまたはガラスから形成される、請求項13に記載のOLED。
- 前記誘電体層の厚みは、トンネル現象範囲内である、請求項4から14のいずれか一項に記載のOLED。
- 前記誘電体層は、電子注入のために有効なバリア高さを低下させ、それによってOLEDのルミネッセンス量子効率を拡大するべく適合される、請求項15に記載のOLED。
- 前記カソードおよび/または前記アノードは:
(i)有機金属;
(ii)無機金属;
(iii)有機金属酸化物;および
(iv)無機金属酸化物;
のうちの1つ以上のカソード材料から少なくとも部分的に作られる、前記請求項1から16のいずれか一項に記載のOLED。 - 前記アノードは、インジウムすず酸化物(ITO)から形成される、請求項17に記載のOLED。
- 前記カソードは、カルシウム、マグネシウム、銀、アルミニウム、これらの金属の2つ以上の合金、またはリチウム合金から形成される、請求項17または18に記載のOLED。
- 前記カソードは、少なくとも部分的に、スパッタリングによって形成される、請求項17から19のいずれか一項に記載のOLED。
- 前記カソードは、ほとんどまたは全くピンホールを有していない、請求項20に記載のOLED。
- 前記第1誘電体有機バリア層は、前記EL層と前記カソードとの間に配置される保護バリア層であり、そしてスパッタリングプロセスの影響による損傷から前記EL層を保護すべく適合されている、請求項20または21に記載のOLED。
- 前記第1誘電体有機バリア層である前記保護バリア層は:
(i)イオン衝撃;
(ii)放射線;および
(iii)金属移動;
のうちの1つ以上に起因する損傷から前記EL層を保護すべく適合されている、請求項22に記載のOLED。 - (a)基板上に配置されるアノードと;
(b)カソードと;
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層と;
(d)前記アノードと前記EL層との間に配置されるホール移動層と;
(e)前記EL層と前記カソードとの間に配置される第1誘電体有機バリア層と;
(f)(i)前記アノードと前記ホール移動層;または(ii)前記ホール移動層と前記EL層のいずれかの間に配置される第2誘電体有機バリア層と;
を具備し、
前記第1及び第2誘電体有機バリア層は、(i)ポリイミド(ii)テフロンおよび(iii)パリレンから選択されるポリマーによって形成され、
(A)酸素による透過阻止;
(B)少なくとも39℃において0.1g/m 2 /日から50g/m 2 /日の範囲の水分バリア特性;および
(C)電界のもとにおいて前記カソードおよび前記アノードからの金属イオンの移動の抑制
に適合された、
非放射領域の形成を抑制すべく適合された有機発光ダイオード(OLED)。 - (a)基板上に配置されるアノードと;
(b)カソードと;
(c)前記アノードと前記カソードとの間に配置されるエレクトロルミネッセンス(EL)層と;
(d)前記アノードと前記EL層との間に配置されるホール移動層と;
(e)前記EL層と前記カソードとの間に配置される第1誘電体有機バリア層と、
(f)(i)前記アノードと前記ホール移動層か;または(ii)前記ホール移動層と前記EL層か;のいずれかの間に配置される第2誘電体有機バリア層と、
を具備し、
前記第1及び第2誘電体有機バリア層は、(i)ポリイミド(ii)テフロンおよび(iii)パリレンから選択されるポリマーによって形成され、
(A)酸素による透過阻止;
(B)少なくとも39℃において0.1g/m 2 /日から50g/m 2 /日の範囲の水分バリア特性;および
(C)電界のもとにおいて前記カソードおよび前記アノードからの金属イオンの移動の抑制
に適合された、
非放射領域の成長を抑制すべく適合された有機発光ダイオード(OLED)。 - 当該OLEDを少なくとも部分的に封止する封止層をさらに備え、前記封止層は、酸素および/または水分による透過を阻止すべく適合されている、請求項24または25に記載のOLED。
- (a)基板上にアノードを形成するステップと;
(b)前記アノード上にホール移動層を形成するステップと;
(c)前記ホール移動層上にエレクトロルミネッセンス(EL)層を形成するステップと;
(d)前記EL層上にカソードを形成するステップと;
(e)前記プロセスにおける適切なステップにおいて、少なくとも前記EL層と前記カソードとの間に配置される少なくとも1つの第1誘電体有機バリア層を形成するステップと;
(f)前記プロセスにおける適切なステップにおいて、(i)前記アノードと前記ホール移動層;または(ii)前記ホール移動層と前記EL層のいずれかの間に配置される少なくとも1つの第2誘電体有機バリア層を形成するステップと;
を有する有機発光ダイオード(OLED)を製造する方法であって、
前記第1及び第2誘電体有機バリア層は、(i)ポリイミド(ii)テフロンおよび(iii)パリレンから選択されるポリマーによって形成され、
(A)酸素による透過阻止;
(B)少なくとも39℃において0.1g/m 2 /日から50g/m 2 /日の範囲の水分バリア特性;および
(C)電界のもとにおいて前記カソードおよび前記アノードからの金属イオンの移動の抑制
に適合されている方法。 - 前記第2誘電体有機バリア層が、前記EL層の形成に先立って前記ホール移動層上に形成される、請求項27に記載の方法。
- 前記第1誘電体有機バリア層は、前記カソードの形成に先立って前記EL層上に形成される、請求項27に記載の方法。
- 前記第2誘電体有機バリア層が、前記アノード上に形成される、請求項27または29に記載の方法。
- 前記第1及び第2誘電体有機バリア層は:
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(ii)化学蒸着(CVD)法;
のいずれかのコーティング技術によって被着される、請求項27から30のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1及び第2誘電体有機バリア層は、約1から20nmの範囲内の厚みを有して形成される、請求項27から31のいずれか一項に記載の方法。
- 当該OLEDを少なくとも部分的に封止する封止層の形成をさらに含み、前記封止層は、酸素および/または水分による透過を阻止すべく適合されている、請求項27から32のいずれか一項に記載の方法。
- 前記封止層は、少なくとも部分的にポリマーから形成される有機封止層である、請求項33に記載の方法。
- 前記有機封止層は、約1nmから30μmの厚みを有して形成される、請求項34に記載の方法。
- 前記封止層は:
(i)スピンコート法;
(ii)真空蒸着法;または
(iii)化学蒸着(CVD)法;
から選択されたプロセスによって被着される、請求項33から35のいずれか一項に記載の方法。 - 前記カソードは、スパッタリングによって形成される、請求項27から36のいずれか一項に記載の方法。
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