JP2002343562A - 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
発光ディスプレイ装置及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂基板上に透明電極と補助電極を積層する
場合にあっても、透明電極の表面を滑らかなまま保つこ
とができ、この結果良好な表示を得ることができる発光
ディスプレイ装置を提供する。 【解決手段】 樹脂基板11上に金属酸化物12、補助
電極13、透明電極14及び発光層15を順次積層す
る。金属製の補助電極13の成膜・パターニング後に、
透明電極14が成膜されるので、補助電極13のパター
ニングの際にエッチング液によって透明電極14まで侵
されるおそれがない。このため、透明電極14の表面を
滑らかなまま保つことができ、良好な発光状態を保つこ
とができる。また、金属製の補助電極13が透明電極1
4で覆われるので、金属製の補助電極13の酸化をも防
止できる。
場合にあっても、透明電極の表面を滑らかなまま保つこ
とができ、この結果良好な表示を得ることができる発光
ディスプレイ装置を提供する。 【解決手段】 樹脂基板11上に金属酸化物12、補助
電極13、透明電極14及び発光層15を順次積層す
る。金属製の補助電極13の成膜・パターニング後に、
透明電極14が成膜されるので、補助電極13のパター
ニングの際にエッチング液によって透明電極14まで侵
されるおそれがない。このため、透明電極14の表面を
滑らかなまま保つことができ、良好な発光状態を保つこ
とができる。また、金属製の補助電極13が透明電極1
4で覆われるので、金属製の補助電極13の酸化をも防
止できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明な基板上に透
明電極、補助電極、及び発光層を積層した発光ディスプ
レイ装置に関し、特に基板として樹脂基板を用いた発光
ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
明電極、補助電極、及び発光層を積層した発光ディスプ
レイ装置に関し、特に基板として樹脂基板を用いた発光
ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、有機EL(エレクトロルミネッサ
ンス)ディスプレイ装置は、透明なガラス基板上に作製
されていた。図5は、ガラス基板上に有機EL素子を構
成する場合の製造工程図を示す。まず、ガラス基板1を
用意し(ステップ)、ガラス基板1上に陽極としての
透明電極2を成膜する(ステップ)。この際、低抵抗
化を図るため、透明電極2は200℃以上の高温で成膜
される。この透明電極2をフォトレジストや酸を用いて
ストライプ状にパターニングを行う(ステップ)。次
に、補助電極となる金属膜3を成膜する(ステップ
)。この金属膜3を透明電極2のときと同様に、フォ
トレジストや酸を用いてパターニングを行う(ステップ
)。この際、金属のエッチングに用いられる酸は、透
明電極2を侵さないことが大切である。通常、透明電極
2のパターニングには塩酸系の酸が用いられ、金属膜3
のパターニングにはリン酸、硝酸系の混合酸が用いられ
る。これらの混合酸はAlやAg合金などをエッチング
するが、高温で成膜された透明電極2を侵さないという
性質をもち、従来からよく用いられているものである。
次に、発光層を積層する。そして、発光層の上に陰極と
して金属電極を、透明電極2と直交する方向にストライ
プ状にパターン成膜する。
ンス)ディスプレイ装置は、透明なガラス基板上に作製
されていた。図5は、ガラス基板上に有機EL素子を構
成する場合の製造工程図を示す。まず、ガラス基板1を
用意し(ステップ)、ガラス基板1上に陽極としての
透明電極2を成膜する(ステップ)。この際、低抵抗
化を図るため、透明電極2は200℃以上の高温で成膜
される。この透明電極2をフォトレジストや酸を用いて
ストライプ状にパターニングを行う(ステップ)。次
に、補助電極となる金属膜3を成膜する(ステップ
)。この金属膜3を透明電極2のときと同様に、フォ
トレジストや酸を用いてパターニングを行う(ステップ
)。この際、金属のエッチングに用いられる酸は、透
明電極2を侵さないことが大切である。通常、透明電極
2のパターニングには塩酸系の酸が用いられ、金属膜3
のパターニングにはリン酸、硝酸系の混合酸が用いられ
る。これらの混合酸はAlやAg合金などをエッチング
するが、高温で成膜された透明電極2を侵さないという
性質をもち、従来からよく用いられているものである。
次に、発光層を積層する。そして、発光層の上に陰極と
して金属電極を、透明電極2と直交する方向にストライ
プ状にパターン成膜する。
【0003】陽極側の透明電極と陰極側の金属電極との
間に直流電界を印加すると、有機化合物に電流が流れ、
発光層が発光する。発光層から発光する光は透明電極側
から取り出される。
間に直流電界を印加すると、有機化合物に電流が流れ、
発光層が発光する。発光層から発光する光は透明電極側
から取り出される。
【0004】有機ELディスプレイ装置を薄くするため
に、ガラス基板の代わりに樹脂基板が用いられることが
ある。樹脂基板を用いることで、基板自体の厚みを薄く
できるのみならず、割れることがない、さらには有機E
Lディスプレイ装置を曲げることができるという利点が
ある。
に、ガラス基板の代わりに樹脂基板が用いられることが
ある。樹脂基板を用いることで、基板自体の厚みを薄く
できるのみならず、割れることがない、さらには有機E
Lディスプレイ装置を曲げることができるという利点が
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂基
板上にガラス基板と同様に透明電極と金属製の補助電極
を積層する場合、樹脂基板の耐熱性により透明電極を1
00℃以下の低温で成膜しなければならない。このよう
な温度で成膜した透明電極は、200℃以上の高温で成
膜した透明電極と性質が異なり、酸に侵されやすい性質
をもつ。金属のパターニングに用いるリン酸・硝酸の混
合酸に対しても例外ではなく、補助電極のパターニング
時に透明電極の表面がこの酸によって侵され、表面が荒
れてしまうおそれがある。このような表面では、リーク
やダークスポットが発生し、良好な表示を得ることがで
きない。
板上にガラス基板と同様に透明電極と金属製の補助電極
を積層する場合、樹脂基板の耐熱性により透明電極を1
00℃以下の低温で成膜しなければならない。このよう
な温度で成膜した透明電極は、200℃以上の高温で成
膜した透明電極と性質が異なり、酸に侵されやすい性質
をもつ。金属のパターニングに用いるリン酸・硝酸の混
合酸に対しても例外ではなく、補助電極のパターニング
時に透明電極の表面がこの酸によって侵され、表面が荒
れてしまうおそれがある。このような表面では、リーク
やダークスポットが発生し、良好な表示を得ることがで
きない。
【0006】そこで、本発明は、樹脂基板上に透明電極
と補助電極を積層する場合にあっても、透明電極の表面
を滑らかなまま保つことができ、この結果良好な表示を
得ることができる発光ディスプレイ装置及びこの製造方
法を提供することを目的とする。
と補助電極を積層する場合にあっても、透明電極の表面
を滑らかなまま保つことができ、この結果良好な表示を
得ることができる発光ディスプレイ装置及びこの製造方
法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】以下、本発明について説
明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図
面の参照番号を括弧書きにて付記するが、それにより本
発明が図示の形態に限定されるものでない。
明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図
面の参照番号を括弧書きにて付記するが、それにより本
発明が図示の形態に限定されるものでない。
【0008】本発明者は、ガラス基板に有機EL素子を
作製する場合の層構成であるガラス基板/透明電極/補
助電極を逆転させ、樹脂基板/補助電極/透明電極とい
う層構成にすることによって、上記樹脂基板上に有機E
L素子を作製する場合の特有の問題を解決した。
作製する場合の層構成であるガラス基板/透明電極/補
助電極を逆転させ、樹脂基板/補助電極/透明電極とい
う層構成にすることによって、上記樹脂基板上に有機E
L素子を作製する場合の特有の問題を解決した。
【0009】具体的には、本発明は、樹脂基板(11)
上に透明電極(14)、この透明電極(14)に電気的
に導通する金属製の補助電極(13)、及び有機化合物
からなる発光層(15)が積層される発光ディスプレイ
装置において、前記樹脂基板(11)上に前記補助電極
(13)が積層され、この補助電極(13)上に前記透
明電極(14)が積層されることを特徴とする発光ディ
スプレイ装置により、上述した課題を解決する。
上に透明電極(14)、この透明電極(14)に電気的
に導通する金属製の補助電極(13)、及び有機化合物
からなる発光層(15)が積層される発光ディスプレイ
装置において、前記樹脂基板(11)上に前記補助電極
(13)が積層され、この補助電極(13)上に前記透
明電極(14)が積層されることを特徴とする発光ディ
スプレイ装置により、上述した課題を解決する。
【0010】この発明によれば、金属製の補助電極の成
膜・パターニング後に、透明電極が成膜されるので、補
助電極パターニングの際にエッチング液によって透明電
極まで侵されるおそれがない。このため、透明電極の表
面を滑らかなまま保つことができ、良好な発光状態を保
つことができる。また、金属製の補助電極が透明電極で
覆われるので、金属製の補助電極の酸化をも防止でき
る。
膜・パターニング後に、透明電極が成膜されるので、補
助電極パターニングの際にエッチング液によって透明電
極まで侵されるおそれがない。このため、透明電極の表
面を滑らかなまま保つことができ、良好な発光状態を保
つことができる。また、金属製の補助電極が透明電極で
覆われるので、金属製の補助電極の酸化をも防止でき
る。
【0011】また、本発明の一態様は、樹脂基板(1
1)と補助電極(13)との間には、金属酸化物(1
2)の層が積層されることを特徴とする。
1)と補助電極(13)との間には、金属酸化物(1
2)の層が積層されることを特徴とする。
【0012】透明電極は樹脂基板に付着しやすいが、補
助電極となる金属によっては樹脂基板に付着しにくいも
のもある。この発明によれば、樹脂基板と補助電極との
間に金属酸化物の層を挿入しているので、補助電極の密
着性を向上させることができる。
助電極となる金属によっては樹脂基板に付着しにくいも
のもある。この発明によれば、樹脂基板と補助電極との
間に金属酸化物の層を挿入しているので、補助電極の密
着性を向上させることができる。
【0013】また、本発明の一態様は、前記金属酸化物
(12)が導電性材料からなる場合は、前記金属酸化物
(12)の層は成膜・パターニングされ、前記金属酸化
物(12)が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸化物
(12)の層は成膜のみされることを特徴とする。
(12)が導電性材料からなる場合は、前記金属酸化物
(12)の層は成膜・パターニングされ、前記金属酸化
物(12)が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸化物
(12)の層は成膜のみされることを特徴とする。
【0014】金属酸化物が導電性材料の場合、補助電極
の下層に金属酸化物の層を設けるとパターニングされた
各補助電極が金属酸化物の層によって導通してしまう。
この発明によれば、金属酸化物の層を補助電極と同様に
パターニングすることで、この問題を解決することがで
きる。また、金属酸化物の層が絶縁材料からなる場合
は、補助電極の下層に金属酸化物の層を設けてもパター
ニングされた各補助電極が導通することがない。このた
め、金属酸化物のパターニングを省略することができ
る。
の下層に金属酸化物の層を設けるとパターニングされた
各補助電極が金属酸化物の層によって導通してしまう。
この発明によれば、金属酸化物の層を補助電極と同様に
パターニングすることで、この問題を解決することがで
きる。また、金属酸化物の層が絶縁材料からなる場合
は、補助電極の下層に金属酸化物の層を設けてもパター
ニングされた各補助電極が導通することがない。このた
め、金属酸化物のパターニングを省略することができ
る。
【0015】さらに、本発明の一態様は、前記樹脂基板
(11)と前記金属酸化物(12)との間には、水分を
遮断する防湿層(19)が積層されることを特徴とす
る。
(11)と前記金属酸化物(12)との間には、水分を
遮断する防湿層(19)が積層されることを特徴とす
る。
【0016】この発明によれば、樹脂基板を通過する水
分を遮断することができるので、水分によって発光層に
有害な水分が浸入することがない。したがって、良好な
発光状態を保つことができる。
分を遮断することができるので、水分によって発光層に
有害な水分が浸入することがない。したがって、良好な
発光状態を保つことができる。
【0017】また、本発明は、樹脂基板(11)上に透
明電極(14)を積層する工程と、この透明電極(1
4)に電気的に導通する補助電極(13)を積層する工
程と、有機化合物からなる発光層(15)を積層する工
程と備える発光ディスプレイ装置の製造方法において、
前記補助電極(13)を積層する工程の後に、前記透明
電極(14)を積層する工程が行われることを特徴とす
る発光ディスプレイ装置の製造方法の発明としても構成
できる。
明電極(14)を積層する工程と、この透明電極(1
4)に電気的に導通する補助電極(13)を積層する工
程と、有機化合物からなる発光層(15)を積層する工
程と備える発光ディスプレイ装置の製造方法において、
前記補助電極(13)を積層する工程の後に、前記透明
電極(14)を積層する工程が行われることを特徴とす
る発光ディスプレイ装置の製造方法の発明としても構成
できる。
【0018】さらに、本製造方法の発明の一態様は、前
記樹脂基板(11)上に金属酸化物(12)を積層する
工程を備え、前記補助電極(13)を積層する工程の前
に、この金属酸化物(12)を積層する工程が行われる
ことを特徴とする。
記樹脂基板(11)上に金属酸化物(12)を積層する
工程を備え、前記補助電極(13)を積層する工程の前
に、この金属酸化物(12)を積層する工程が行われる
ことを特徴とする。
【0019】さらに本製造方法の発明の一態様は、前記
金属酸化物(12)を積層する工程では、前記金属酸化
物(12)が導電性材料からなる場合は、前記金属酸化
物(12)の層は成膜・パターニングされ、前記金属酸
化物(12)が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸化
物(12)の層は成膜のみされることを特徴とする。
金属酸化物(12)を積層する工程では、前記金属酸化
物(12)が導電性材料からなる場合は、前記金属酸化
物(12)の層は成膜・パターニングされ、前記金属酸
化物(12)が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸化
物(12)の層は成膜のみされることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して説明する。図1は、本発明の一実施形態における
発光ディスプレイ装置を示す。樹脂基板11上には、有
機EL素子を構成する、金属酸化物12からなる層、透
明電極14に電気的に導通する金属製の補助電極13、
透明電極14、及び有機化合物からなる発光層15が順
次積層されている。本実施形態において、樹脂基板11
上に積層される層構成が金属酸化物12/金属製の補助
電極13/透明電極14となる点にその本質的な特徴が
ある。
照して説明する。図1は、本発明の一実施形態における
発光ディスプレイ装置を示す。樹脂基板11上には、有
機EL素子を構成する、金属酸化物12からなる層、透
明電極14に電気的に導通する金属製の補助電極13、
透明電極14、及び有機化合物からなる発光層15が順
次積層されている。本実施形態において、樹脂基板11
上に積層される層構成が金属酸化物12/金属製の補助
電極13/透明電極14となる点にその本質的な特徴が
ある。
【0021】樹脂基板11は可視光に対して透明性ある
いは半透明性を有し、その厚みは例えば0.2mmに設
定される。樹脂基板11の少なくとも一面には水分を遮
断する防湿層19が成膜されている。樹脂基板11に
は、例えばPC(ポリカーボネート)を基材とした液晶
用基板が用いられるが、もちろん樹脂基板11の材質及
び厚さは上述のものに限定されない。
いは半透明性を有し、その厚みは例えば0.2mmに設
定される。樹脂基板11の少なくとも一面には水分を遮
断する防湿層19が成膜されている。樹脂基板11に
は、例えばPC(ポリカーボネート)を基材とした液晶
用基板が用いられるが、もちろん樹脂基板11の材質及
び厚さは上述のものに限定されない。
【0022】樹脂基板11上には、金属酸化物12の層
が積層される。金属酸化物12の層は、樹脂基板11と
金属製の補助電極13との密着性を高めるために設けら
れる。この実施形態では、金属酸化物12としてインジ
ウム−錫酸化物を用い、金属酸化物12を真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティング法、あるいは気相
成長などにより成膜している。この金属酸化物12の薄
膜は、後の補助電極13をパターニングする工程におい
て補助電極13と同一の平面形状にパターニングされ
る。金属酸化物12が導電性材料の場合、補助電極13
の下層に金属酸化物12の層を設けるとパターニングさ
れた各補助電極13が金属酸化物12の層によって導通
してしまう。金属酸化物12の層を補助電極13と同様
にパターニングすることで、補助電極13が導通するの
を防止することができる。
が積層される。金属酸化物12の層は、樹脂基板11と
金属製の補助電極13との密着性を高めるために設けら
れる。この実施形態では、金属酸化物12としてインジ
ウム−錫酸化物を用い、金属酸化物12を真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティング法、あるいは気相
成長などにより成膜している。この金属酸化物12の薄
膜は、後の補助電極13をパターニングする工程におい
て補助電極13と同一の平面形状にパターニングされ
る。金属酸化物12が導電性材料の場合、補助電極13
の下層に金属酸化物12の層を設けるとパターニングさ
れた各補助電極13が金属酸化物12の層によって導通
してしまう。金属酸化物12の層を補助電極13と同様
にパターニングすることで、補助電極13が導通するの
を防止することができる。
【0023】なお、この実施形態では金属酸化物12と
してインジウム−錫酸化物を用いたが、その薄膜が透明
あるいは半透明でかつ金属製の補助電極13との密着性
が確保できるものであれば他のものでも適用できる。本
実施形態のようにパターニングする場合については、金
属酸化物12としては錫(Sn)、亜鉛(Zn)、イン
ジウム(In)のいずれか一つ以上を含む酸化物が考え
られる。また、金属酸化物12が絶縁材料からなる場合
は、本実施形態のようにパターニングする必要がない。
絶縁材料からなる金属酸化物12としては、アルミニウ
ム(Al)、ジルコミウム(Zr)、チタン(Ti)、
カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、クロム
(Cr)、ニッケル(Ni)、珪素(Si)のいずれか
一つ以上を含む酸化物等が考えられる。
してインジウム−錫酸化物を用いたが、その薄膜が透明
あるいは半透明でかつ金属製の補助電極13との密着性
が確保できるものであれば他のものでも適用できる。本
実施形態のようにパターニングする場合については、金
属酸化物12としては錫(Sn)、亜鉛(Zn)、イン
ジウム(In)のいずれか一つ以上を含む酸化物が考え
られる。また、金属酸化物12が絶縁材料からなる場合
は、本実施形態のようにパターニングする必要がない。
絶縁材料からなる金属酸化物12としては、アルミニウ
ム(Al)、ジルコミウム(Zr)、チタン(Ti)、
カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、クロム
(Cr)、ニッケル(Ni)、珪素(Si)のいずれか
一つ以上を含む酸化物等が考えられる。
【0024】金属酸化物12の層上には、透明電極14
に電気的に導通する金属製の補助電極13が積層され
る。この補助電極13は透明電極14を低抵抗化するた
めに設けられる。補助電極13は真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長など
により金属製の薄膜を成膜後、この金属製の薄膜をフォ
トリソグラフィ技術あるいは酸等によってパターニング
することで形成される。金属製の薄膜をパターニングす
る際、金属製の補助電極13とともにその下層に位置す
る金属酸化物12も同時にパターニングされる。補助電
極13の材料としては、銀(Ag)の合金、クロム(C
r)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム
(Al)等の合金を用いることができる。
に電気的に導通する金属製の補助電極13が積層され
る。この補助電極13は透明電極14を低抵抗化するた
めに設けられる。補助電極13は真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長など
により金属製の薄膜を成膜後、この金属製の薄膜をフォ
トリソグラフィ技術あるいは酸等によってパターニング
することで形成される。金属製の薄膜をパターニングす
る際、金属製の補助電極13とともにその下層に位置す
る金属酸化物12も同時にパターニングされる。補助電
極13の材料としては、銀(Ag)の合金、クロム(C
r)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム
(Al)等の合金を用いることができる。
【0025】補助電極13上には、陽極としての透明電
極14が積層される。この透明電極14は、可視光に対
して透明性あるいは半透明性を有し、例えばインジウム
−錫の酸化物やインジウム−亜鉛の酸化物等の導電性材
料からなる。透明電極14は真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング法、あるいは気相成長などに
より酸化物の薄膜を成膜後、この薄膜をパターニングす
ることで形成される。透明電極14の平面形状はストラ
イプ状に形成される。
極14が積層される。この透明電極14は、可視光に対
して透明性あるいは半透明性を有し、例えばインジウム
−錫の酸化物やインジウム−亜鉛の酸化物等の導電性材
料からなる。透明電極14は真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング法、あるいは気相成長などに
より酸化物の薄膜を成膜後、この薄膜をパターニングす
ることで形成される。透明電極14の平面形状はストラ
イプ状に形成される。
【0026】透明電極14上には、有機化合物を蒸着、
スパッタリングすることにより発光層15が積層され
る。有機化合物からなる発光層15は、有機の層が一層
のみからなる単層構造でもよく、発光、キャリア輸送等
の各機能を2層以上に分離された複層構造であってもよ
い。
スパッタリングすることにより発光層15が積層され
る。有機化合物からなる発光層15は、有機の層が一層
のみからなる単層構造でもよく、発光、キャリア輸送等
の各機能を2層以上に分離された複層構造であってもよ
い。
【0027】発光層15の上には陰極としての金属電極
16が成膜・パターニングされる。この金属電極16は
金属製の薄膜で、透明電極14と直交するようにストラ
イプ状に形成される。
16が成膜・パターニングされる。この金属電極16は
金属製の薄膜で、透明電極14と直交するようにストラ
イプ状に形成される。
【0028】金属酸化物12、補助電極13、透明電極
14、発光層15及び金属電極16から構成される有機
EL素子は封止層17で覆われる。封止層17は窒化シ
リコン、エポキシ樹脂等からなり、空気中の水分が発光
層15に浸入するのを遮断する。
14、発光層15及び金属電極16から構成される有機
EL素子は封止層17で覆われる。封止層17は窒化シ
リコン、エポキシ樹脂等からなり、空気中の水分が発光
層15に浸入するのを遮断する。
【0029】陽極としての透明電極14と、陰極として
の金属電極16との間に直流電界を印加すると、陽極か
ら正孔が、陰極から電子がそれぞれ発光層15に注入さ
れる。これにより、発光層15内の有機化合物が発光
し、発光された光は樹脂基板11の他方の面から取り出
される。
の金属電極16との間に直流電界を印加すると、陽極か
ら正孔が、陰極から電子がそれぞれ発光層15に注入さ
れる。これにより、発光層15内の有機化合物が発光
し、発光された光は樹脂基板11の他方の面から取り出
される。
【0030】図2は、上記実施形態における発光ディス
プレイ装置の製造方法を示す。まず透明な樹脂基板11
を用意する(ステップ)。そして、その少なくとも一
面に防湿層19を蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング法、あるいは気相成長などにより成膜する(ス
テップ)。次に、防湿層19上に金属酸化物12の層
をスパッタリング、イオンプレーティング法、あるいは
気相成長などにより成膜する(ステップ)。次に、金
属酸化物12の層上に補助電極13を蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長など
により成膜する(ステップ)。次に、フォトリソグラ
フィ技術あるいは酸を用いて補助電極13及び金属酸化
物12を同時にパターニングする(ステップ)。次
に、樹脂基板11の一方の面に透明電極14をスパッタ
リング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長な
どにより成膜する(ステップ)。そして、この透明電
極14をフォトリソグラフィ技術あるいは酸を用いてパ
ターニングする(ステップ)。次に、有機化合物を蒸
着、スパッタリング、スピンコート、スクリーン印刷、
あるいは微粒子吹き付け法を用いて発光層15を成膜す
る。そして、発光層15の上に蒸着やスパッタリング、
及びフォトリソグラフィ技術あるいは酸等により金属電
極16を形成する。
プレイ装置の製造方法を示す。まず透明な樹脂基板11
を用意する(ステップ)。そして、その少なくとも一
面に防湿層19を蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング法、あるいは気相成長などにより成膜する(ス
テップ)。次に、防湿層19上に金属酸化物12の層
をスパッタリング、イオンプレーティング法、あるいは
気相成長などにより成膜する(ステップ)。次に、金
属酸化物12の層上に補助電極13を蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長など
により成膜する(ステップ)。次に、フォトリソグラ
フィ技術あるいは酸を用いて補助電極13及び金属酸化
物12を同時にパターニングする(ステップ)。次
に、樹脂基板11の一方の面に透明電極14をスパッタ
リング、イオンプレーティング法、あるいは気相成長な
どにより成膜する(ステップ)。そして、この透明電
極14をフォトリソグラフィ技術あるいは酸を用いてパ
ターニングする(ステップ)。次に、有機化合物を蒸
着、スパッタリング、スピンコート、スクリーン印刷、
あるいは微粒子吹き付け法を用いて発光層15を成膜す
る。そして、発光層15の上に蒸着やスパッタリング、
及びフォトリソグラフィ技術あるいは酸等により金属電
極16を形成する。
【0031】本実施形態では、金属製の補助電極13の
成膜・パターニング後に、透明電極14が成膜されるの
で、補助電極13のパターニングの際にエッチング液に
よって透明電極14まで侵されるおそれがない。このた
め、透明電極14の表面を滑らかなまま保つことがで
き、良好な発光状態を保つことができる。また、金属製
の補助電極13が透明電極14で覆われるので、金属製
の補助電極13の酸化をも防止できる。さらに、樹脂基
板11と補助電極13との間に金属酸化物12の層を挿
入しているので、補助電極13の樹脂基板11への密着
性を向上させることができる。
成膜・パターニング後に、透明電極14が成膜されるの
で、補助電極13のパターニングの際にエッチング液に
よって透明電極14まで侵されるおそれがない。このた
め、透明電極14の表面を滑らかなまま保つことがで
き、良好な発光状態を保つことができる。また、金属製
の補助電極13が透明電極14で覆われるので、金属製
の補助電極13の酸化をも防止できる。さらに、樹脂基
板11と補助電極13との間に金属酸化物12の層を挿
入しているので、補助電極13の樹脂基板11への密着
性を向上させることができる。
【0032】
【実施例1】まず、樹脂基板11上に水分を遮断するた
めの防湿層19を成膜した(図2中ステップ〜)。
その後、金属酸化物12としてインジウム−錫酸化物を
スパッタ成膜し、さらに金属製の補助電極13として銀
パラジウム銅合金をスパッタ成膜した(図2中ステップ
〜)。金属酸化物12及び補助電極13を同一形状
にパターニングした後、その上に透明電極14としてイ
ンジウム−錫酸化物をスパッタ成膜した(図2中ステッ
プ〜)。そして、透明電極14をパターニングし、
有機EL素子用の電極とした(図2中ステップ)。こ
の上に有機EL素子を作製して発光させたところ、その
発光はむら等のない良好なものであった。
めの防湿層19を成膜した(図2中ステップ〜)。
その後、金属酸化物12としてインジウム−錫酸化物を
スパッタ成膜し、さらに金属製の補助電極13として銀
パラジウム銅合金をスパッタ成膜した(図2中ステップ
〜)。金属酸化物12及び補助電極13を同一形状
にパターニングした後、その上に透明電極14としてイ
ンジウム−錫酸化物をスパッタ成膜した(図2中ステッ
プ〜)。そして、透明電極14をパターニングし、
有機EL素子用の電極とした(図2中ステップ)。こ
の上に有機EL素子を作製して発光させたところ、その
発光はむら等のない良好なものであった。
【0033】
【比較例1】図3は比較例1の製造工程図を示す。ま
ず、樹脂基板11上に水分を遮断するための防湿層19
を成膜した(ステップ〜)。その後、透明電極14
としてインジウム−錫酸化物をスパッタ法により成膜
し、それをパターニングした(ステップ〜)。その
上に補助電極13として銀パラジウム銅合金を同様にス
パッタ成膜し、それをパターニングして有機EL用の電
極とした(ステップ〜)。
ず、樹脂基板11上に水分を遮断するための防湿層19
を成膜した(ステップ〜)。その後、透明電極14
としてインジウム−錫酸化物をスパッタ法により成膜
し、それをパターニングした(ステップ〜)。その
上に補助電極13として銀パラジウム銅合金を同様にス
パッタ成膜し、それをパターニングして有機EL用の電
極とした(ステップ〜)。
【0034】この上に有機EL素子を作製して発光させ
たところ、ダークスポットが多数発生し、良好なもので
はなかった。この原因を分析したところ、金属製補助電
極13のパターニングの際に、そのエッチング液によっ
て透明電極14が侵されているためとわかった。
たところ、ダークスポットが多数発生し、良好なもので
はなかった。この原因を分析したところ、金属製補助電
極13のパターニングの際に、そのエッチング液によっ
て透明電極14が侵されているためとわかった。
【0035】
【比較例2】図4は比較例2の製造工程図を示す。樹脂
基板11上に有機EL素子を作製するにあたって以下の
ような工程で行った。まず、樹脂基板11上に水分を遮
断するための防湿層19を成膜した(ステップ〜
)。その後、補助電極13として銅パラジウム銀合金
をスパッタ成膜し、これをパターニングした(ステップ
〜)。さらにその上に透明電極14としてインジウ
ム−錫酸化物をスパッタ成膜したのち、これをパターニ
ングし、有機EL用電極とした(ステップ〜)。こ
の工程の最中に金属製の補助電極13が樹脂基板11か
ら剥離することがあるという問題が生じた。
基板11上に有機EL素子を作製するにあたって以下の
ような工程で行った。まず、樹脂基板11上に水分を遮
断するための防湿層19を成膜した(ステップ〜
)。その後、補助電極13として銅パラジウム銀合金
をスパッタ成膜し、これをパターニングした(ステップ
〜)。さらにその上に透明電極14としてインジウ
ム−錫酸化物をスパッタ成膜したのち、これをパターニ
ングし、有機EL用電極とした(ステップ〜)。こ
の工程の最中に金属製の補助電極13が樹脂基板11か
ら剥離することがあるという問題が生じた。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属製の補助電極の成膜・パターニング後に、透明電極
が成膜されるので、補助電極パターニングの際にエッチ
ング液によって透明電極まで侵されるおそれがない。こ
のため、透明電極の表面を滑らかなまま保つことがで
き、良好な発光状態を保つことができる。また、金属製
の補助電極が透明電極で覆われるので、金属製の補助電
極の酸化をも防止できる。
金属製の補助電極の成膜・パターニング後に、透明電極
が成膜されるので、補助電極パターニングの際にエッチ
ング液によって透明電極まで侵されるおそれがない。こ
のため、透明電極の表面を滑らかなまま保つことがで
き、良好な発光状態を保つことができる。また、金属製
の補助電極が透明電極で覆われるので、金属製の補助電
極の酸化をも防止できる。
【0037】また、金属製の補助電極と樹脂基板との間
に金属酸化物を挿入することにより、実用上問題ない程
度に金属膜の密着性を向上させることができる。
に金属酸化物を挿入することにより、実用上問題ない程
度に金属膜の密着性を向上させることができる。
【図1】本発明の一実施形態における発光ディスプレイ
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図2】上記発光ディスプレイ装置の製造工程図。
【図3】比較例1の製造工程図。
【図4】比較例2の製造工程図。
【図5】従来の発光ディスプレイ装置の製造工程図。
11・・・樹脂基板 12・・・金属酸化物 13・・・補助電極 14・・・透明電極 15・・・発光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB11 AB15 AB18 BA06 BA07 CA06 CB01 CB02 CB04 DA01 DB03 EA01 EB00 FA01
Claims (7)
- 【請求項1】 樹脂基板上に透明電極、この透明電極に
電気的に導通する金属製の補助電極、及び有機化合物か
らなる発光層が積層される発光ディスプレイ装置におい
て、 前記樹脂基板上に前記補助電極が積層され、この補助電
極上に前記透明電極が積層されることを特徴とする発光
ディスプレイ装置。 - 【請求項2】 前記樹脂基板と前記補助電極との間に
は、金属酸化物の層が積層されることを特徴とする請求
項1に記載の発光ディスプレイ装置。 - 【請求項3】 前記金属酸化物が導電性材料からなる場
合は、前記金属酸化物の層は成膜・パターニングされ、 前記金属酸化物が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸
化物の層は成膜のみされることを特徴とする請求項2に
記載の発光ディスプレイ装置。 - 【請求項4】 前記樹脂基板と前記金属酸化物との間に
は、水分を遮断する防湿層が積層されることを特徴とす
る請求項1ないし3いずれかに記載の発光ディスプレイ
装置。 - 【請求項5】 樹脂基板上に透明電極を積層する工程
と、この透明電極に電気的に導通する補助電極を積層す
る工程と、有機化合物からなる発光層を積層する工程と
備える発光ディスプレイ装置の製造方法において、 前記補助電極を積層する工程の後に、前記透明電極を積
層する工程が行われることを特徴とする発光ディスプレ
イ装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記樹脂基板上に金属酸化物を積層する
工程を備え、 前記補助電極を積層する工程の前に、この金属酸化物を
積層する工程が行われることを特徴とする請求項5に記
載の発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記金属酸化物を積層する工程では、 前記金属酸化物が導電性材料からなる場合は、前記金属
酸化物の層を成膜・パターニングし、 前記金属酸化物が絶縁材料からなる場合は、前記金属酸
化物の層を成膜のみすることを特徴とする請求項6に記
載の発光ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001141198A JP2002343562A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
US10/138,641 US6696699B2 (en) | 2001-05-11 | 2002-05-06 | Luminescent display device and method of manufacturing same |
US10/747,088 US20040169467A1 (en) | 2001-05-11 | 2003-12-30 | Luminescent display device and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001141198A JP2002343562A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002343562A true JP2002343562A (ja) | 2002-11-29 |
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ID=18987686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
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---|---|
US (2) | US6696699B2 (ja) |
JP (1) | JP2002343562A (ja) |
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JP2017514279A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-01 | サン−ゴバン グラス フランス | Oled用の被支持透明電極 |
JP2017224409A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Tdk株式会社 | 透明導電体 |
KR101935122B1 (ko) * | 2014-05-16 | 2019-01-03 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
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JP2003109775A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
WO2005031681A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Asahi Glass Company, Limited | 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法 |
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JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
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