JPH11214161A - エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセント素子Info
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- JPH11214161A JPH11214161A JP10009619A JP961998A JPH11214161A JP H11214161 A JPH11214161 A JP H11214161A JP 10009619 A JP10009619 A JP 10009619A JP 961998 A JP961998 A JP 961998A JP H11214161 A JPH11214161 A JP H11214161A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】陰極の電気抵抗を下げて十分な輝度を得ること
を可能としたＥＬ素子を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクト
ロルミネッセント素子において、陰極ラインの縁部と接
して金属バスラインを設けて形成する。
を可能としたＥＬ素子を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクト
ロルミネッセント素子において、陰極ラインの縁部と接
して金属バスラインを設けて形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細のエレクト
ロルミネッセント（以下ＥＬと略す）素子に関する。さ
らに詳しくは、高精細な単純マトリックス駆動方式有機
ＥＬ素子に関する。
ロルミネッセント（以下ＥＬと略す）素子に関する。さ
らに詳しくは、高精細な単純マトリックス駆動方式有機
ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリックス駆動方式有機ＥＬ素子
は、薄型、自発光、高輝度、軽量という利点を有するた
めに、次世代フラットパネルディスプレイとして期待さ
れている。
は、薄型、自発光、高輝度、軽量という利点を有するた
めに、次世代フラットパネルディスプレイとして期待さ
れている。
【０００３】有機ＥＬ素子は電流駆動型である。この場
合、高精細、大面積になるほど陰極ラインのアスペクト
比（長さ／幅）が大きくなり、陰極ラインの電気抵抗が
高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な電流
を陰極ラインに流すと、陰極ラインの抵抗による電圧降
下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問題が
あり、陰極の電気抵抗を下げる必要が生じる。
合、高精細、大面積になるほど陰極ラインのアスペクト
比（長さ／幅）が大きくなり、陰極ラインの電気抵抗が
高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な電流
を陰極ラインに流すと、陰極ラインの抵抗による電圧降
下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問題が
あり、陰極の電気抵抗を下げる必要が生じる。
【０００４】単純マトリックス駆動方式ＥＬ素子の場
合、陰極に使用されているのはストライプ状の導電性金
属である。陰極の電気抵抗を下げるには陰極の膜厚を厚
くすればよいが、成膜中の基板温度上昇による有機発光
媒体の劣化を招き、好ましくない。
合、陰極に使用されているのはストライプ状の導電性金
属である。陰極の電気抵抗を下げるには陰極の膜厚を厚
くすればよいが、成膜中の基板温度上昇による有機発光
媒体の劣化を招き、好ましくない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
点を解決するためになされたものであり、高精細、大面
積のＥＬ素子において、陰極の電気抵抗を下げて十分な
輝度を得ることを可能としたＥＬ素子を提供することに
ある。
点を解決するためになされたものであり、高精細、大面
積のＥＬ素子において、陰極の電気抵抗を下げて十分な
輝度を得ることを可能としたＥＬ素子を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明において上記目的
を達成するために、まず、請求項１においては、透光性
絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属
層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持
しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素
子において、陰極ラインの縁部と接して金属バスライン
を設けて形成されていることを特徴とするエレクトロル
ミネッセント素子としたものである。
を達成するために、まず、請求項１においては、透光性
絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属
層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持
しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素
子において、陰極ラインの縁部と接して金属バスライン
を設けて形成されていることを特徴とするエレクトロル
ミネッセント素子としたものである。
【０００７】また、請求項２においては、前記金属バス
ラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部
が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求
項１に記載のエレクトロルミネッセント素子としたもの
である。
ラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部
が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求
項１に記載のエレクトロルミネッセント素子としたもの
である。
【０００８】また、請求項３においては、前記金属バス
ラインに用いる導電性材料が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分
以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記
載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
ラインに用いる導電性材料が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分
以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記
載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００９】また、請求項４においては、前記金属バス
ラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１
００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のエレク
トロルミネッセント素子としたものである。
ラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１
００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のエレク
トロルミネッセント素子としたものである。
【００１０】また、請求項５においては、前記金属バス
ラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子とし
たものである。
ラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子とし
たものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＥＬ素子を詳細に
説明する。本発明における透光性絶縁基板としては、石
英基板、ガラス基板、プラステック基板等が使用でき
る。
説明する。本発明における透光性絶縁基板としては、石
英基板、ガラス基板、プラステック基板等が使用でき
る。
【００１２】本発明における透明導電膜を含む複数の陽
極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）や酸化
インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等が使用でき
る。
極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）や酸化
インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等が使用でき
る。
【００１３】本発明における金属層を含む複数の陰極ラ
インとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用
できる。
インとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用
できる。
【００１４】本発明における発光媒体としては、9,10-
ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレ
ン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブ
タジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセ
ン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラ
ート）アルミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ,
Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）-
ベンジジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（5,7-ジクロ
ロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-
クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス
（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8
- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチ
ル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミ
ニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノ
ラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）
アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,
3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニ
ルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P
- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８
号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２
号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ' ジアリール置換
ピロロピロール化合物等があげられるが、上記例に特に
限定されるものではない。
ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレ
ン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブ
タジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセ
ン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラ
ート）アルミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ,
Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）-
ベンジジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（5,7-ジクロ
ロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-
クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス
（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8
- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチ
ル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミ
ニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノ
ラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）
アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,
3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニ
ルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P
- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８
号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２
号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ' ジアリール置換
ピロロピロール化合物等があげられるが、上記例に特に
限定されるものではない。
【００１５】本発明の主な特徴である金属バスラインに
用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐ
ｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金
から選ばれたものであることが好ましい。
用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐ
ｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金
から選ばれたものであることが好ましい。
【００１６】これら材料による金属バスラインはそのラ
インの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１
０００オーム以下であることが望ましく、さらに望まし
くは１００オーム以下の抵抗値である。しかし、金属バ
スラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保するため、画素
の最大幅の１／４以下であることが望ましく、さらに望
ましくは１／１０以下であることが望ましい。かつ、陰
極ラインの幅の１/ ２０以下の線幅ではバスラインの抵
抗を十分低くできないため、画素の最大幅の１/ ２０よ
り太いことが望ましい。
インの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１
０００オーム以下であることが望ましく、さらに望まし
くは１００オーム以下の抵抗値である。しかし、金属バ
スラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保するため、画素
の最大幅の１／４以下であることが望ましく、さらに望
ましくは１／１０以下であることが望ましい。かつ、陰
極ラインの幅の１/ ２０以下の線幅ではバスラインの抵
抗を十分低くできないため、画素の最大幅の１/ ２０よ
り太いことが望ましい。
【００１７】例えば、陰極ラインの幅１００μｍに対し
て、２×１０-6Ω・ｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属
を用い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスラ
インの幅を画素幅の１／１０の１０μｍ、高さを４μｍ
とすると、バスラインの両端の抵抗値は１８オーム程度
になり、陰極のみからなる陰極ラインの８分の１の抵抗
となり、陰極ラインによる電圧降下による駆動電圧の増
加を防ぐことができる。
て、２×１０-6Ω・ｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属
を用い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスラ
インの幅を画素幅の１／１０の１０μｍ、高さを４μｍ
とすると、バスラインの両端の抵抗値は１８オーム程度
になり、陰極のみからなる陰極ラインの８分の１の抵抗
となり、陰極ラインによる電圧降下による駆動電圧の増
加を防ぐことができる。
【００１８】以下、本発明のＥＬ素子の一例を図１、図
２に基づき説明する。このＥＬ素子は透光性基板１上に
透明導電膜２（陽極）、発光媒体５、陰極６および金属
バスライン４が形成されている。
２に基づき説明する。このＥＬ素子は透光性基板１上に
透明導電膜２（陽極）、発光媒体５、陰極６および金属
バスライン４が形成されている。
【００１９】以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一
例を示す。まず、透光性基板１上にスパッタリング法で
透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法および
ウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニング
する。
例を示す。まず、透光性基板１上にスパッタリング法で
透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法および
ウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニング
する。
【００２０】次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層
３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法等で形成する。
３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００２１】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパタ
ーニングするためのマスクとする。このレジストパター
ン７の開孔部の幅は上部が下部に比べて広い形状になる
よう形成する。
法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパタ
ーニングするためのマスクとする。このレジストパター
ン７の開孔部の幅は上部が下部に比べて広い形状になる
よう形成する。
【００２２】次に、前記基板上のレジストパターン７の
開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地
層８とする。ここで、蒸着マスクの開孔部はレジストパ
ターン７の開孔部の下部の寸法と同じにする。これはレ
ジストパターン７の開孔部の壁面に金属が蒸着するのを
防ぎ、次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速や
かに行うためである。また、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の
付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地
となる。
開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地
層８とする。ここで、蒸着マスクの開孔部はレジストパ
ターン７の開孔部の下部の寸法と同じにする。これはレ
ジストパターン７の開孔部の壁面に金属が蒸着するのを
防ぎ、次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速や
かに行うためである。また、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の
付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地
となる。
【００２３】次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなる
メッキ下地層８上に光沢メッキ法もしくは無電解メッキ
法でＣｕの金属バスライン４を形成する。金属バスライ
ン４の高さはレジストパターン７の高さより低く形成す
る。これは次のレジストパターン７のリフトオフ工程を
速やかに行うためである。
メッキ下地層８上に光沢メッキ法もしくは無電解メッキ
法でＣｕの金属バスライン４を形成する。金属バスライ
ン４の高さはレジストパターン７の高さより低く形成す
る。これは次のレジストパターン７のリフトオフ工程を
速やかに行うためである。
【００２４】次に、剥離液でレジスト７をリフトオフし
た。
た。
【００２５】次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子
輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発
光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニン
グされる。
輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発
光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニン
グされる。
【００２６】次に、陰極６を斜め蒸着法で形成する。陰
極６となる導電性材料を斜め蒸着することにより、陰極
６は金属バスライン４と接続される。蒸着原子の蒸着方
向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度は金属バス
ライン４の形状、寸法から任意に設定される。つまり、
金属バスライン４は画素列毎に絶縁層上で電気的に絶縁
された状態で２列配列して形成されており、陰極を蒸着
した場合、隣接する金属バスライン間が接触するように
蒸着されず、隣り合う画素列間がショートすることはな
い。
極６となる導電性材料を斜め蒸着することにより、陰極
６は金属バスライン４と接続される。蒸着原子の蒸着方
向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度は金属バス
ライン４の形状、寸法から任意に設定される。つまり、
金属バスライン４は画素列毎に絶縁層上で電気的に絶縁
された状態で２列配列して形成されており、陰極を蒸着
した場合、隣接する金属バスライン間が接触するように
蒸着されず、隣り合う画素列間がショートすることはな
い。
【００２７】最後に、保護膜をイオンプレーティング法
等で形成し、封止する。
等で形成し、封止する。
【００２８】以下、本発明のＥＬ素子の一例を図３、図
４に基づき説明する。このＥＬ素子は透光性基板１上に
陽極２、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が
形成されている。また、金属バスライン４は２種類の金
属を積層した構造である。
４に基づき説明する。このＥＬ素子は透光性基板１上に
陽極２、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が
形成されている。また、金属バスライン４は２種類の金
属を積層した構造である。
【００２９】以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一
例を示す。まず、透光性基板１上にスパッタリング法で
透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法および
ウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニング
する。
例を示す。まず、透光性基板１上にスパッタリング法で
透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法および
ウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニング
する。
【００３０】次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層
３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法等で形成する。
３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００３１】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパタ
ーニングするためのマスクとする。
法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパタ
ーニングするためのマスクとする。
【００３２】次に、前記基板上のレジストパターン７の
開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地
層８とする。ここで、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力
を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地とな
る。
開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地
層８とする。ここで、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力
を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地とな
る。
【００３３】次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなる
メッキ下地層８上に光沢メッキ法または無電解メッキ法
でＣｕの金属バスライン４ａを形成する。
メッキ下地層８上に光沢メッキ法または無電解メッキ法
でＣｕの金属バスライン４ａを形成する。
【００３４】次に、前記基板上にＡｕを真空蒸着する。
【００３５】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニ
ングする。その後、剥離液でレジスト７を剥離する。
法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニ
ングする。その後、剥離液でレジスト７を剥離する。
【００３６】次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクに
してＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスラ
イン４を形成する。まず、Ｃｕ層を硝酸とふっ酸の混合
液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・
アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングする。Ａ
ｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アン
モニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ
層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなる。このように、エッ
チング液の異なる物質の組み合わせや同じエッチング条
件でエッチング速度の異なる物質の組み合わせ等を使用
して、上部層の幅が下部層の幅に比べて広くなるように
金属バスラインを形成する。
してＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスラ
イン４を形成する。まず、Ｃｕ層を硝酸とふっ酸の混合
液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・
アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングする。Ａ
ｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アン
モニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ
層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなる。このように、エッ
チング液の異なる物質の組み合わせや同じエッチング条
件でエッチング速度の異なる物質の組み合わせ等を使用
して、上部層の幅が下部層の幅に比べて広くなるように
金属バスラインを形成する。
【００３７】次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子
輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発
光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニン
グされる。
輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発
光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニン
グされる。
【００３８】次に、陰極６を斜め蒸着法で形成し、各画
素の両端の金属バスライン４と接続する。
素の両端の金属バスライン４と接続する。
【００３９】最後に、保護膜をイオンプレーティング法
等で形成し、封止する。
等で形成し、封止する。
【００４０】
【実施例】［実施例１］以下、実施例１を説明する。ま
ず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからな
る透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー技術お
よびウェットエッチング法によってパターンを形成した
（図３（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上さ
せるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、
ＩＴＯを結晶化した。
ず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからな
る透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー技術お
よびウェットエッチング法によってパターンを形成した
（図３（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上さ
せるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、
ＩＴＯを結晶化した。
【００４１】次に、前記基板上にリフトオフ法によって
幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図３
（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ
形成した。
幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図３
（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ
形成した。
【００４２】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に上部の幅
１０μｍ、下部の幅９μｍの開孔部を有する高さ５μｍ
のレジストパターン層７を形成した（図３（ｃ）参
照）。ＳｉＯ2 膜パターン４上の隣りあうレジストパタ
ーンの開孔部間の幅は５μｍとした。
法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に上部の幅
１０μｍ、下部の幅９μｍの開孔部を有する高さ５μｍ
のレジストパターン層７を形成した（図３（ｃ）参
照）。ＳｉＯ2 膜パターン４上の隣りあうレジストパタ
ーンの開孔部間の幅は５μｍとした。
【００４３】次に、前記基板上のレジストパターンの開
孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次マス
ク蒸着した。蒸着マスクのパターンの開孔部は９μｍで
ある。
孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次マス
ク蒸着した。蒸着マスクのパターンの開孔部は９μｍで
ある。
【００４４】次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の
中のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上にＣｕ層を
４μｍ堆積させて金属バスライン４を形成した（図３
（ｄ）参照）。
中のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上にＣｕ層を
４μｍ堆積させて金属バスライン４を形成した（図３
（ｄ）参照）。
【００４５】次に、剥離液でレジスト７をリフトオフし
た（図３（ｅ）参照）。
た（図３（ｅ）参照）。
【００４６】次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸
着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性
発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性
発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００４７】次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一
源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の
付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着し
た。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の
金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回
転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の
金属バスラインを接続した（図３（ｆ）参照）。
源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の
付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着し
た。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の
金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回
転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の
金属バスラインを接続した（図３（ｆ）参照）。
【００４８】次に、保護膜としてイオンプレーティング
法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００４９】最後に、ガラス基板を張り合わせ封止し
た。
た。
【００５０】このように作製したＥＬ素子を点灯させた
ところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子と比べ
て、駆動電圧を１４Ｖから１２Ｖに下げることができ
た。
ところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子と比べ
て、駆動電圧を１４Ｖから１２Ｖに下げることができ
た。
【００５１】［実施例２］以下、実施例２を説明する。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯから
なる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法お
よびウェットエッチング法によってパターンを形成した
（図４（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上さ
せるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、
ＩＴＯを結晶化した。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯから
なる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法お
よびウェットエッチング法によってパターンを形成した
（図４（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上さ
せるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、
ＩＴＯを結晶化した。
【００５２】次に、前記基板上にリフトオフ法によって
幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図４
（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ
形成した。
幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図４
（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ
形成した。
【００５３】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に幅２５μ
ｍの開孔部を有する高さ４μｍのレジストパターン層７
を形成した（図４（ｃ）参照）。
法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に幅２５μ
ｍの開孔部を有する高さ４μｍのレジストパターン層７
を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００５４】次に、前記基板上のレジストパターン７の
開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次真
空蒸着した。
開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次真
空蒸着した。
【００５５】次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の
中のＣｒ／Ｃｕ層８上にＣｕ層を３. ２μｍ堆積させて
金属バスライン４ａを形成した（図４（ｄ）参照）。
中のＣｒ／Ｃｕ層８上にＣｕ層を３. ２μｍ堆積させて
金属バスライン４ａを形成した（図４（ｄ）参照）。
【００５６】次に、前記基板上にＡｕを５００ｎｍ真空
蒸着した。
蒸着した。
【００５７】次に、前記基板上にフォトリソグラフィー
法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニ
ングした。Ａｕ層４ｂは王水でエッチングした。その
後、剥離液でレジスト７を剥離した（図４（ｅ）参
照）。
法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニ
ングした。Ａｕ層４ｂは王水でエッチングした。その
後、剥離液でレジスト７を剥離した（図４（ｅ）参
照）。
【００５８】次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクに
してＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスラ
イン４を形成した。まずＣｕ層を硝酸とふっ酸の混合液
でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・ア
ンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングした。この
時、Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム
・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶け
ず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなった（図４
（ｆ）参照）。
してＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスラ
イン４を形成した。まずＣｕ層を硝酸とふっ酸の混合液
でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・ア
ンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングした。この
時、Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム
・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶け
ず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなった（図４
（ｆ）参照）。
【００５９】次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸
着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性
発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性
発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００６０】次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一
源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の
付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着し
た。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の
金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回
転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の
金属バスラインを接続した。
源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の
付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着し
た。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の
金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回
転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の
金属バスラインを接続した。
【００６１】次に、保護膜としてイオンプレーティング
法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００６２】最後に、ガラス基板を張り合わせ封止し
た。
た。
【００６３】このように作製したＥＬ素子を点灯させた
ところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子の比べ
て、駆動電圧を１４Ｖから１１Ｖに下げることができ
た。
ところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子の比べ
て、駆動電圧を１４Ｖから１１Ｖに下げることができ
た。
【００６４】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の金属バスライ
ンの製造方法は先に述べた実施の形態に限定されるもの
ではなく、ドライエッチングやレーザー加工等の他の方
法でも作製する事ができる。
ンの製造方法は先に述べた実施の形態に限定されるもの
ではなく、ドライエッチングやレーザー加工等の他の方
法でも作製する事ができる。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、陰極ラインの導電材料
と接して金属バスラインを設けることによりＥＬ素子の
駆動電圧を下げることができた。
と接して金属バスラインを設けることによりＥＬ素子の
駆動電圧を下げることができた。
【００６６】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ 透光性絶縁基板 ２ 透明導電膜 ３ 絶縁層 ４ 金属バスライン ４ａ Ｃｕ層 ４ｂ Ａｕ層 ５ 発光媒体 ６ 陰極 ７ レジスト層 ８ メッキ下地層
Claims (5)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクト
ロルミネッセント素子において、陰極ラインの縁部と接
して金属バスラインを設けて形成されていることを特徴
とするエレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項２】前記金属バスラインが金属バスラインと垂
直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状で
あることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミ
ネッセント素子。 - 【請求項３】前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍ
ｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれら
の金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項１
〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素
子。 - 【請求項４】前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μ
ｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項１〜２
のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項５】前記金属バスラインが多層構造であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエレクト
ロルミネッセント素子。
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096568A2 (en) | 1999-10-28 | 2001-05-02 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| JP2004200027A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2005093398A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
| JP2005203196A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パッシブマトリクス駆動トップエミッション型有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2005227788A (ja) * | 2004-02-14 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置およびその製造方法 |
| JP2008076992A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| GB2440865B (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-04 | Cambridge Display Technology Oxford Ltd | Top-emitting electroluminescent devices comprising bus bars |
| US7943938B2 (en) | 2003-06-16 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory | Display device with light-emitting layer |
| JP2011187459A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8124963B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging |
| JP2012182121A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに照明装置及び表示装置 |
| JP2013069663A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-04-18 | Fujifilm Corp | 透明導電フィルム、その製造方法、フレキシブル有機電子デバイス、及び、有機薄膜太陽電池 |
| WO2016056364A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| WO2022227518A1 (zh) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP00961998A patent/JP4122554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096568A2 (en) | 1999-10-28 | 2001-05-02 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| JP2004200027A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US9261722B2 (en) | 2003-06-16 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| US8759835B2 (en) | 2003-06-16 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US11387263B2 (en) | 2003-06-16 | 2022-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US10381385B2 (en) | 2003-06-16 | 2019-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US9997542B2 (en) | 2003-06-16 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7943938B2 (en) | 2003-06-16 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory | Display device with light-emitting layer |
| JP2005093398A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
| US7597602B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-10-06 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof, and display unit |
| CN100441061C (zh) * | 2003-09-19 | 2008-12-03 | 索尼株式会社 | 有机发光器件、其制造方法以及显示器单元 |
| KR101086580B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-11-23 | 소니 주식회사 | 유기발광소자, 그 제조방법 및 표시장치 |
| JP2005203196A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パッシブマトリクス駆動トップエミッション型有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US8164545B2 (en) | 2004-02-14 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same |
| US7456811B2 (en) | 2004-02-14 | 2008-11-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same |
| JP2005227788A (ja) * | 2004-02-14 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置およびその製造方法 |
| GB2440865B (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-04 | Cambridge Display Technology Oxford Ltd | Top-emitting electroluminescent devices comprising bus bars |
| JP2008076992A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| US8124963B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging |
| US9577209B2 (en) | 2011-02-10 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof, lighting device, and display device |
| JP2012182121A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに照明装置及び表示装置 |
| JP2011187459A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2013069663A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-04-18 | Fujifilm Corp | 透明導電フィルム、その製造方法、フレキシブル有機電子デバイス、及び、有機薄膜太陽電池 |
| US10290832B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-05-14 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus for enhancement of luminance |
| WO2016056364A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| US10497903B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-12-03 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus for enhancement of luminance |
| US10826023B2 (en) | 2014-10-09 | 2020-11-03 | Sony Corporation | Display unit with disconnected organic layer at projected portion |
| US11563198B2 (en) | 2014-10-09 | 2023-01-24 | Sony Corporation | Display unit with organic layer disposed on metal layer and insulation layer |
| US11871611B2 (en) | 2014-10-09 | 2024-01-09 | Sony Corporation | Display unit with reflector layer and electronic apparatus |
| WO2022227518A1 (zh) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制备方法和发光装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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