JPH11329750A

JPH11329750A - 有機ｅｌ表示装置とその製造方法

Info

Publication number: JPH11329750A
Application number: JP10152060A
Authority: JP
Inventors: Mitsufumi Kodama; 光文小玉; Munehiro Takaku; 宗裕高久
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-05-15
Filing date: 1998-05-15
Publication date: 1999-11-30
Anticipated expiration: 2018-05-15
Also published as: JP3758369B2; US6307317B1; EP0961324A2

Abstract

(57)【要約】【課題】電子注入電極層と電極層との電気的な接続を
良好なものとし、接続不良が生じ難く、かつ接続抵抗の
小さな有機ＥＬ表示装置、および有機ＥＬ表示装置の製
造方法を実現する。【解決手段】少なくとも端子と電子注入電極とを接続
し、表面に酸化層が形成され難い金属の下地層２を下層
に有し、前記下地層より表面に酸化層が形成され易い金
属の電極層３を上層に有する電極構造を有し、前記電極
層３の電子注入電極層４と接続される領域の少なくとも
一部の領域で下地層２と電子注入電極層４とが直接接触
している構造の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法と
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示パネル、
自動車用の計器パネル、動画・静止画を表示させるディ
スプレイ等、家電製品、自動車、二輪車電装品に使用さ
れ、有機化合物を用いて構成された有機ＥＬ表示装置の
電極構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究され、
実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入電極）上にトリ
フェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸
着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａ
ｌｑ³ ）などの蛍光物質を発光層として積層し、さらに
Ｍｇなどの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）
を形成した基本構成を有する素子で、１０V 前後の電圧
で数１００から数１００００cd/m² ときわめて高い輝度
が得られることで、家電製品、自動車、二輪車電装品等
のディスプレイとして注目されている。

【０００３】このような有機ＥＬ素子を用いてマトリク
スタイプディスプレイ等の表示装置を構成する場合、電
極の配線構造が問題となる。すなわち、例えば図３に示
すようにマトリクスディスプレイの一部分に注目してみ
ると、基板１上に一画素分のＩＴＯ電極層５が成膜さ
れ、さらにその周囲にはパッシベーション膜６が成膜さ
れている。そして、この上に発光層等を含有した有機層
７が積層され、さらに電子注入電極層４が成膜されてい
る。このような構造が紙面に向かって左方向に連続して
おり、必要な画素数を有するマトリクス１ライン分を形
成している。なお、図ではＩＴＯ電極層５を接続するた
めのホール注入電極側の配線構造は省略している。

【０００４】一方、その右側の構造に着目すると、基板
上１には下地層２と、その上に電極層３とが成膜され、
上記電子注入電極層４の一部が電極層３の上部にも達し
て、両者がその部分で電気的に接続されるようになって
いる。また、下地層２と電極層３とはさらに紙面右側方
向にある端子電極（図示せず）と接続されて、外部から
の電源供給ラインとして機能している。

【０００５】このような構造の有機ＥＬ表示装置を製造
する場合、先ずＩＴＯ層５等のホール注入電極構造や、
下地層２、電極層３等を成膜した後、パッシベーション
層６を成膜し、さらに有機層７を成膜した後、電子注入
電極層４が成膜される。

【０００６】図４に下地層２、電極層３および電子注入
電極４により構成されるコンタクト（接続）部分（図３
の右側部分）の概略断面図を示す。図に示すように、コ
ンタクト部分では、下地層２と電極層３とが積層された
上に電子注入電極が成膜され、下地層２および電極層３
と、電子注入電極４とが接続される。しかし、図３に示
すように、パッシベーション層６を形成する際等に、電
極層３の表面が酸化され、酸化層３ａを形成してしまう
ことがある。このため、有機層７を成膜した後に電子注
入電極４を成膜しようとすると、電極層３の表面が高抵
抗となって電子注入電極層４との接続が悪く、接続不良
を生じたり、十分に各画素を駆動することができなくな
ってしまう場合がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
注入電極層と電極層との電気的な接続を良好なものと
し、接続不良が生じ難く、かつ接続抵抗の小さな有機Ｅ
Ｌ表示装置、および有機ＥＬ表示装置の製造方法を実現
することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の構成に
より達成される。（１）少なくとも端子と電子注入電極層とを接続し、
表面に酸化層が形成され難い金属の下地層を下層に有
し、前記下地層より表面に酸化層が形成され易い金属の
電極層を上層に有する電極構造を有し、前記電極層の電
子注入電極層と接続される領域の少なくとも一部の領域
で下地層と電子注入電極層とが直接接触している有機Ｅ
Ｌ表示装置。（２）前記電極層の金属の電気抵抗率は、下地層の金
属の電気抵抗率よりも低い上記（１）の有機ＥＬ表示装
置。（３）前記電極層の電子注入電極層と接続される領域
は、電極層のさらに上層に発光機能に関与する有機ＥＬ
構造体と接続されている電子注入電極層を有し、かつこ
の電子注入電極層が下地層の一部と電気的に接続されて
いる上記（１）または（２）の有機ＥＬ表示装置。（４）前記電極層のさらに上層には、電極層より表面
に酸化層が形成され難い金属の保護層を有し、この保護
層の上に電子注入電極層を有し、かつこの保護層を介し
て電極層、下地層と電子注入電極層とが電気的に接続さ
れている上記（１）または（２）の有機ＥＬ表示装置。（５）前記下地層の構成材料は、窒化チタンまたはク
ロムのいずれかである上記（１）〜（４）のいずれかの
有機ＥＬ表示装置。（６）電極層の構成材料は、アルミニウムまたはアル
ミニウムを主成分とする合金である上記（１）〜（５）
のいずれかの有機ＥＬ表示装置。（７）前記保護層の構成材料は、下地層の構成材料で
ある上記（４）〜（６）のいずれかの有機ＥＬ表示装
置。（８）前記電極層の電子注入電極層と接続される領域
の少なくとも一部の領域が櫛形に形成されている上記
（１）〜（７）のいずれかの有機ＥＬ表示装置。（９）電子注入電極層と、ホール注入電極層と、これ
らの電極の間に一種以上の発光機能に関与する有機層と
を有する有機ＥＬ構造体を有する上記（１）〜（８）の
いずれかの有機ＥＬ表示装置。（１０）端子電極と接続される下地層と電極層とを形
成するに際し、下地層形成後に電極層の一部の領域を形
成する際に下地層の一部を露出させ、この下地層の一部
が露出し、かつ電極層が形成された領域に電子注入電極
層の一部の領域を成膜する有機ＥＬ表示装置の製造方
法。（１１）前記電極層の一部の領域を櫛形に形成して下
地層の一部を露出させる上記（１０）の有機ＥＬ表示装
置の製造方法。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ表示装置は、例
えば図１，２に示すように、少なくとも端子と電子注入
電極層とを接続し、表面に酸化層が形成され難い金属の
下地層２を下層に有し、前記下地層２より表面に酸化層
が形成され易い金属の電極層３を上層に有する電極構造
を有し、前記電極層３の電子注入電極層４と接続される
領域の少なくとも一部の領域で下地層２を露出させ、電
子注入電極層４と接触させている。また、好ましくは電
極層３を櫛形に形成することにより下地層２を露出させ
ている。

【００１０】このように電極層３の一部において、その
下層である下地層２の一部を露出させることにより、こ
れらのさらに上層に形成される電子注入電極層４との電
気的な接続が良好になる。すなわち、電子注入電極層４
は、電極層３と下地層２との双方に接触することとな
る。そして、たとえ電極層３の表面に酸化層が形成され
ていたとしても、これより酸化層が形成され難い下地層
２の表面は酸化（高抵抗化）していないため、この部分
で電気的な接続を図ることができる。

【００１１】また、一旦下地層２に導通された電子ｅ
は、下地層２と電極層３との界面を介して電気伝導度の
高い（電気抵抗の低い）電極層３を主に流れるようにな
り、電気抵抗の増加は極めて少ない。つまり、電子注入
電極層４から露出した部分を介して下地層２に流れ込ん
だ電流の大部分は、そのすぐそばに形成されている電極
層３に流れ込むため、下地層２内をこの電流が流れる距
離は極僅かなものとなり、下地層２での抵抗の増加分は
無視できる。

【００１２】なお、図１は電極層３と下地層２、および
その上に成膜されている電子注入電極層４を模式的に表
した図である。図２において、電極層が櫛形に形成され
ている領域の左側には、ＩＴＯ等の透明電極層５と、パ
ッシベーション層６および有機層（図中記載を省略）お
よび電子注入電極層４、つまり有機ＥＬ構造体が形成さ
れていて、マトリクスの一画素を形成している。

【００１３】下地層２の材料としては、電極層の材料よ
りも十分に酸化し難い材料であること等が必要である。
すなわち、電極層の金属材料に対して、下地層の金属材
料の酸化還元曲線（例えばEllingham によって導入され
RichardsonとJeffs によって発展されたものをいう。）
が上位にある関係である。

【００１４】また、好ましくは電極層の金属材料の抵抗
率が下地層の金属材料の電気抵抗率より低い（電気伝導
度の高い）ものである。具体的には、２０℃における電
極層の電気抵抗率が２０μΩ・cm以下、特に１０μΩ・
cm以下である。その下限値は特に規制されるものではな
いが、通常、２．５μΩ・cm程度である。なお、下地層
の電気抵抗率が電極層の電気抵抗率を超えたものであっ
てもよい。

【００１５】このような金属材料としては、例えば、電
極層ではＡｌ、Ａｌおよび遷移金属、特にＳｃ，Ｎｂ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍ
ｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ等を、好ましくはこれらの総
計が１０at％以下、特に５at％以下、特に２at％以下含
有していてもよいアルミニウム基合金等を好ましく挙げ
ることができる。アルミニウムは低抵抗であり、電極層
として用いた場合良好な効果が得られる。

【００１６】下地層としては、電極層のエッチャントに
対して十分に耐エッチング性を備えているものが好まし
い。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タ
ンタル、窒化クロム等の窒化物；コバルトシリサイド、
クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステ
ンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド化合
物；チタンカーバイド、ドープト炭化シリコン、クロム
等を好ましく挙げることができる。これらのなかでも窒
化物、クロムが好ましく、特に窒化チタン、クロムが好
ましい。窒化チタンは耐腐食性が高く、下地層としての
効果が大きい。ＴｉＮの窒化率は、１０〜５５％程度が
好ましい。また、上記シリサイド、酸化物等は通常化学
量論組成で存在するが、これから多少偏倚していてもよ
い。

【００１７】電極層の好ましい形状として、櫛形に形成
した場合、形成された電極層の大きさは、電極層：露出
した下地層の幅の比で２：１〜８：１、特に４：１〜
６：１程度が好ましい。これらの具体的な長さや幅は、
製造しようとするディスプレイに流れる電流等の仕様等
に応じて適切な値とすればよいが、通常、その長さは５
００〜２０００μm 、幅は２０〜１０００μm 程度であ
る。

【００１８】下地層と電極層の膜厚は、電子注入電極層
への十分な電流容量を確保できる膜厚とすればよい。ま
た、膜厚が薄すぎると膜抵抗が増加したり、逆に厚すぎ
ると、応力や段差の違いにより断線の原因となる。通常
膜厚は、下地層で５〜１００nm 程度、電極層で１００
〜１０００nm程度である。

【００１９】このような電極構造の下地層および電極層
は、蒸着法、スパッタ法等により形成することができ
る。その場合、例えば、蒸着やスパッタの際にマスクを
設けて櫛形の領域を形成してもよいし、成膜された電極
層をエッチングしてもよい。

【００２０】スパッタ法により下地層、電極層を成膜し
た場合、形成された電極層等は緻密な膜となり、粗な蒸
着膜に比較して膜中への水分の進入等が非常に少なく、
化学的安定性が高く、長寿命の電極構造が得られる。

【００２１】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、０．
２〜２Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常のス
パッタ装置に使用される不活性ガスが使用できる。ま
た、ＴｉＮ膜を成膜する場合、ＴｉＮターゲットを用い
たスパッタや、ＴｉＮターゲットを用いた反応性スパッ
タにより成膜することができる。反応性スパッタでは、
上記不活性ガスに加えてＮ₂、ＮＨ₃等の反応性ガスが使
用可能である。

【００２２】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法や、ＤＣスパッタ法等の中から好適なスパ
ッタ法を用いて成膜すればよい。スパッタ装置の電力と
しては、好ましくはＤＣスパッタでは、ターゲット面内
平均で０．１〜１０Ｗ／cm²、ＲＦスパッタで１〜１０
Ｗ／cm²の範囲である。また、成膜レートは５〜１００n
m／min 、特に生産性の面から５０nm／min 以上が好ま
しい。

【００２３】下地層、電極層を蒸着法で形成する場合、
真空蒸着の条件は特に限定されないが、１０^-4Pa以下の
真空度とし、蒸着速度は０．１〜５nm／sec 程度、特に
生産面から１nm／sec 以上とすることが好ましい。ま
た、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。
真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸
着することを防げるため、高特性が得られる。

【００２４】電極層表面に形成される酸化膜は、表面全
体が酸化されているものだけでなく、その一部が酸化さ
れている状態であるものにも本発明は有効である。

【００２５】また、本発明では、下地層、電極層を形成
した後、さらにその上に保護層を形成してもよい。この
場合の保護層としては、電極層よりも十分に酸化され難
い金属であればよい。このような金属としては、下地層
で例示したものを好ましく挙げることができる。保護層
の膜厚としては、好ましくは５０〜３００nm程度であ
る。保護層は、下地層、電極層上に、通常、これらと同
一な形状、あるいは若干これらよりも短く形成される。
形成方法は、上記下地層、電極層に準じればよい。

【００２６】なお、上記配線構造を介して電子注入電極
層と接続される端子は、通常、有機ＥＬ表示装置の外部
回路（駆動回路）と接続され、電子注入電極層に駆動電
流を供給する。一般に端子は、基板上の封止板により封
止されている部位以外の露出した部分に形成され、コネ
クタ、接触子（金属）、異方性導電ゴム、ハンダ付等に
より外部回路と接続される。端子は、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ等の導電材料により構成さ
れる。

【００２７】本発明の電極構造は、マトリクスタイプの
ディスプレイやセグメントタイプのディスプレイ等、種
々の有機ＥＬ構造体を用いたディスプレイに応用するこ
とができる。

【００２８】次に、本発明の有機ＥＬ表示装置を構成す
る有機ＥＬ構造体について説明する。

【００２９】本発明に用いられる有機ＥＬ構造体は、例
えば図３に示すように基板１上にＩＴＯ等のホール注入
電極５と、その周囲にパッシベーション層６と、１種以
上の有機層７と、電子注入電極４とを有する。この図は
図２におけるＡ−Ａ’断面矢視図となっている。なお、
図において各画素を構成するホール注入電極層を接続す
るための配線電極等は省略している。また、有機層７
は、それぞれ少なくとも１層のホール輸送層および発光
層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに最上層
として保護電極を設けてもよい。なお、ホール輸送層は
なくてもよい。

【００３０】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸
化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂Ｏ₃ 等が挙げられる
が、好ましくはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、Ｉ
ＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）が好ましい。ＩＴＯ
は、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯとを化学量論組成で含有す
るが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。

【００３１】ホール注入電極は、発光波長帯域、通常３
５０〜８００nm、特に各発光光に対する光透過率が８０
％以上、特に９０％以上であることが好ましい。発光光
はホール注入電極を通って取り出されるため、その透過
率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発
光素子として必要な輝度が得られなくなる傾向がある。
ただし、発光光を取り出す側が８０％以上であればよ
い。

【００３２】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは１
０〜５００nm、さらには３０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離、加工性の悪化、応力による障害、光透過性の低下
や、表面の粗さによるリーク等の問題が生じてくる。逆
に厚さが薄すぎると、製造時の膜強度やホール輸送能
力、抵抗値の点で問題がある。なお、通常このホール注
入電極も上記と別の電極構造により別の端子に接続され
る。

【００３３】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。

【００３４】電子注入電極層としては、低仕事関数の物
質が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１２at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００３５】電子注入電極層の厚さは、電子注入を十分
行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、好
ましくは１nm以上とすればよい。また、その上限値には
特に制限はないが、通常膜厚は１〜５００nm程度とすれ
ばよい。電子注入電極層の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。

【００３６】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらには１００nm以上、特に１００〜１０００nmの
範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。

【００３７】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常１００〜１００
０nm程度とすればよい。

【００３８】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、Ｓ
ｉＯ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は、前記の
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、ＰＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００３９】さらに、表示装置の有機層や電極の酸化を
防ぐために、表示装置上に封止層を形成することが好ま
しい。封止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂
層を用いて、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ａ
ｒ、Ｈｅ、Ｎ₂等の不活性ガス等が好ましい。また、こ
の封止ガスの水分含有量は、１００ ppm以下、より好ま
しくは１０ ppm以下、特には１ ppm以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
０．１ ppm程度である。

【００４０】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ま
しいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダ
ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、
好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属
板、プラスチック板等を用いることもできる。

【００４１】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
１〜２０μm 、より好ましくは１〜１０μm 、特に２〜
８μm が好ましい。このような直径のものは、粒長１０
０μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常直径と同程度以上であ
る。

【００４２】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に２〜８μm の範囲が好ましい。

【００４３】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは０．０１
〜３０wt％、より好ましくは０．１〜５wt％である。

【００４４】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。

【００４５】基板材料としては特に限定するものではな
く、積層する有機ＥＬ構造体の電極の材質等により適宜
決めることができ、例えば、Ａｌ等の金属材料や、ガラ
ス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不
透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂な
どを用いることができる。

【００４６】次に、有機ＥＬ構造体に設けられる有機物
層について述べる。

【００４７】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子
とホールを容易かつバランス良く注入・輸送することが
できる。

【００４８】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００４９】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００５０】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。

【００５１】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６９号
のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４４５
６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることがで
きる。

【００５２】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０wt% 、さらには０．
１〜１５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００５３】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００５４】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００５５】また、８−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００５６】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００５７】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００５８】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００５９】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。

【００６０】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００６１】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００６２】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ³ ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００６３】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００６４】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００６５】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００６６】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００６７】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。

【００６８】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。

【００６９】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ³ ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。

【００７０】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００７１】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著し
く低下する。

【００７２】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００７３】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００７４】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【００７５】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００７６】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００７７】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００７８】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００７９】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【００８０】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯの成膜時にダメージを受けな
いような材料が好ましい。

【００８１】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００８２】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著し
く低下する。

【００８３】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００８４】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００８５】有機ＥＬ素子は、直流駆動やパルス駆動さ
れ、交流駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、
２〜３０V 程度である。

【００８６】

【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。＜実施例１＞ガラス基板上に、ＩＴＯ透明電極（ホール
注入電極）をスパッタ法にて約１００nm成膜した。得ら
れたＩＴＯ薄膜を、フォトリソグラフィーの手法により
パターニング、エッチング処理し、６４×２５６ドット
（画素）のパターンを構成するホール注入電極層を形成
した。

【００８７】次いで、下地層（窒化チタン）と電極層
（アルミニウム）をスパッタ法にて形成し、それぞれ、
５０nmと、３００nmの膜厚に成膜し、フォトリソグラフ
ィーによりパターニングを行った。この際の電極層のパ
ターンは、櫛形構造を有しているものの他、比較例とし
て櫛形構造を有していないものも作製した。

【００８８】さらに、発光部、下地層および電極層と電
子注入電極が接する部分を除いてパッシベーション膜
（ＳｉＯ₂）を成膜（パターニング）した。その後、各
電子注入電極を分離するために素子分離構造体を形成し
た。

【００８９】ＩＴＯ透明電極、下地層、電極層等が形成
されている基板の表面をＵＶ／Ｏ₃洗浄した後、例えば
特願平９−４１６６３号に示されているような、有機層
の遮蔽機能のあるひさし構造を有するマスクを装着し
（同明細書図４，５）、真空蒸着装置の基板ホルダーに
固定して、槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧した。４，
４’，４”−トリス（−Ｎ−（３−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下、ｍ−
ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速度０.２nm／sec.で４０nmの厚
さに蒸着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保っ
たまま、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル
−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（以下、
ＴＰＤ）を蒸着速度０．２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸
着し、ホール輸送層とした。さらに、減圧を保ったま
ま、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、
Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０.２nm／sec.で５０nmの厚さに
蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。

【００９０】次いで減圧を保ったまま、このＥＬ素子構
造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパ
ッタ圧力１．０PaにてＡｌＬｉ電子注入電極（Ｌｉ濃
度：７．２at％）を５０nmの厚さに成膜した。その際ス
パッタガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ター
ゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離
は９０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ
素子基板を他のスパッタ装置に移し、Ａｌターゲットを
用いたＤＣスパッタ法により、スパッタ圧力０．３Paに
てＡｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜した。この時ス
パッタガスにはＡｒを用い、投入電力は５００Ｗ、ター
ゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離
は９０mmとした。前記マスクは、全ての成膜が終了した
時点で取り外した。

【００９１】最後にガラス封止板を貼り合わせ、図１〜
３に示すような電極構造を有する有機ＥＬ表示装置とし
た。

【００９２】得られた各有機ＥＬ表示装置を、大気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。このときの同一輝度での駆動電圧を測定した
ところ、電極層に櫛形構造を有しないサンプルに比較し
て駆動電圧が１V 程度低下していることが確認された。
このことから、電子注入電極層と電極層との接続抵抗が
減少していることがわかる。なお、下地層材料として窒
化チタンに代えてクロムを、電極層用材料としてＡｌに
代えて、ＡｌとＳｃ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ，Ｔａ，
Ｃｕ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔおよ
びＷの合金をそれぞれ用いたところ、ほぼ同等の結果が
得られた。

【００９３】＜実施例２＞実施例１において、下地層
（窒化チタン）と電極層（アルミニウム）を形成した
後、さらに保護層（窒化チタン）を１００nmの膜厚に成
膜し、フォトリソグラフィーによりパターニングを行っ
た。その他は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を
得た。

【００９４】得られた有機ＥＬ表示装置を実施例１と同
様にして評価したところ、ほぼ同様な結果が得られた。

【００９５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電子注入
電極層と電極層との電気的な接続を良好なものとし、接
続不良が生じ難く、かつ接続抵抗の小さな有機ＥＬ表示
装置、および有機ＥＬ表示装置の製造方法を実現するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電極である下地層と電極層とその上に
成膜される電子注入電極層とを模式的に表した図であ
る。

【図２】有機ＥＬ構造体を有する表示装置の一部を概念
的に表した平面図である。

【図３】有機ＥＬ構造体を有する表示装置の一部を表し
た断面図である。

【図４】従来の電極である下地層と電極層とその上に成
膜される電子注入電極層とを模式的に表した図である。

【符号の説明】

１基板２下地層３電極層３ａ酸化層４電子注入電極層５ＩＴＯ（ホール注入電極）６パッシベーション層７有機層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも端子と電子注入電極層とを接
続し、表面に酸化層が形成され難い金属の下地層を下層
に有し、前記下地層より表面に酸化層が形成され易い金
属の電極層を上層に有する電極構造を有し、前記電極層の電子注入電極層と接続される領域の少なく
とも一部の領域で下地層と電子注入電極層とが直接接触
している有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】前記電極層の金属の電気抵抗率は、下地
層の金属の電気抵抗率よりも低い請求項１の有機ＥＬ表
示装置。
【請求項３】前記電極層の電子注入電極層と接続され
る領域は、電極層のさらに上層に発光機能に関与する有
機ＥＬ構造体と接続されている電子注入電極層を有し、
かつこの電子注入電極層が下地層の一部と電気的に接続
されている請求項１または２の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】前記電極層のさらに上層には、電極層よ
り表面に酸化層が形成され難い金属の保護層を有し、この保護層の上に電子注入電極層を有し、かつこの保護
層を介して電極層、下地層と電子注入電極層とが電気的
に接続されている請求項１または２の有機ＥＬ表示装
置。
【請求項５】前記下地層の構成材料は、窒化チタンま
たはクロムのいずれかである請求項１〜４のいずれかの
有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】電極層の構成材料は、アルミニウムまた
はアルミニウムを主成分とする合金である請求項１〜５
のいずれかの有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】前記保護層の構成材料は、下地層の構成
材料である請求項４〜６のいずれかの有機ＥＬ表示装
置。
【請求項８】前記電極層の電子注入電極層と接続され
る領域の少なくとも一部の領域が櫛形に形成されている
請求項１〜７のいずれかの有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】電子注入電極層と、ホール注入電極層
と、これらの電極の間に一種以上の発光機能に関与する
有機層とを有する有機ＥＬ構造体を有する請求項１〜８
のいずれかの有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】端子電極と接続される下地層と電極層
とを形成するに際し、下地層形成後に電極層の一部の領
域を形成する際に下地層の一部を露出させ、この下地層
の一部が露出し、かつ電極層が形成された領域に電子注
入電極層の一部の領域を成膜する有機ＥＬ表示装置の製
造方法。
【請求項１１】前記電極層の一部の領域を櫛形に形成
して下地層の一部を露出させる請求項１０の有機ＥＬ表
示装置の製造方法。