JP5258666B2 - 発光装置の作製方法および成膜用基板 - Google Patents
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Description
本発明は、発光装置およびその作製方法に関する。また、基板上に成膜可能な材料の成膜に用いられる成膜用基板に関する。
有機化合物は無機化合物に比べて、多様な構造をとることができ、適切な分子設計により様々な機能を有する材料を合成できる可能性がある。これらの利点から、近年、機能性有機材料を用いたフォトエレクトロニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。
例えば、有機化合物を機能性有機材料として用いたエレクトロニクスデバイスの例として、太陽電池や発光素子、有機トランジスタ等が挙げられる。これらは有機化合物の電気物性および光物性を利用したデバイスであり、特に発光素子はめざましい発展を見せている。
発光素子の発光機構は、一対の電極間に、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着装置を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。従来の蒸着装置は基板ホルダに基板を設置し、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有している。そして、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、被成膜基板を回転させ、さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさの基板でも、基板とルツボとの間の距離は１ｍ程度離す必要がある。
上記の方法で、赤、緑、青の発光色を用いてフルカラーのフラットパネルディスプレイを作製することを考えた場合、基板と蒸発源との間に、基板と接してメタルマスクが設置され、このマスクを介して塗り分けが実現される。しかし、この方法は、成膜精度がそれほど高くないため、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くする必要がある。このため、高精細の表示装置への適用が困難になっている。
また、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。こうした要求は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
そこで、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている。
詳細には、レーザ光に対する高反射層と低反射層（光吸収層）から構成される金属層を支持基板表面ないし裏面に形成され、この金属層の表面に発光層などの材料層（ＥＬ層）が形成された転写用基板を作製する。その後、転写用基板の裏面側からレーザ光を当てる。レーザ光は高反射層では反射され、低反射層では吸収されて熱に変換されることにより、低反射層上の材料層（ＥＬ層）が転写される（特許文献１参照）。
詳細には、レーザ光に対する高反射層と低反射層（光吸収層）から構成される金属層を支持基板表面ないし裏面に形成され、この金属層の表面に発光層などの材料層（ＥＬ層）が形成された転写用基板を作製する。その後、転写用基板の裏面側からレーザ光を当てる。レーザ光は高反射層では反射され、低反射層では吸収されて熱に変換されることにより、低反射層上の材料層（ＥＬ層）が転写される（特許文献１参照）。
特許文献１では、光吸収層において光から変換された熱が、膜厚方向だけでなく、膜面方向へも伝導してしまう。膜面方向への熱伝導が起きると、加熱される材料層の領域が広がってしまい、その結果、被成膜基板へ転写される転写層であるＥＬ層も同時に広がってしまう。
本発明の一態様は、被成膜基板に成膜されるＥＬ層のパターン形成の精度を向上させることが可能な発光装置の作製方法、及びそれに用いる成膜用基板を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
また、本発明の一態様は、前記保護層が、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることも可能である。
また、本発明の一態様は、開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
また、本発明の一態様は、前記第１の保護層が、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることも可能である。
また、本発明の一態様は、開口部を有する反射層と、
前記反射層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する断熱層と、
前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部を覆って、前記断熱層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部と重なる領
域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
前記反射層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する断熱層と、
前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部を覆って、前記断熱層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部と重なる領
域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
また、本発明の一態様は、前記断熱層が、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることも可能である。
また、本発明の一態様は、前記第２の基板の被成膜面には、第１の電極が設けられており、前記第１の基板の前記材料層を加熱し、前記第２の基板の前記第１の電極上に成膜させた後、前記第２の基板上に第２の電極を形成することも可能である。
本発明の一態様は、基板上に形成された開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
本発明の一態様は、基板上に形成された開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
本発明の一態様は、基板上に形成された開口部を有する反射層と、
前記反射層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する断熱層と、
前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部を覆って、前記断熱層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
前記反射層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する断熱層と、
前記反射層の開口部及び前記断熱層の開口部を覆って、前記断熱層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板である。
本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に成膜されるＥＬ層のパターン形成の精度を向上させることができる。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
図１及び図２は、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法を示す断面図である。図３は、図２（Ｄ）に示す成膜用基板を用いた発光装置の作製方法を示す断面図である。
図１及び図２は、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法を示す断面図である。図３は、図２（Ｄ）に示す成膜用基板を用いた発光装置の作製方法を示す断面図である。
図１（Ａ）に示すように、第１の基板１０１上に反射層１０３を成膜した後、図１（Ｂ）に示すように、反射層１０３に開口部を形成する。
第１の基板１０１は、反射層、光吸収層、断熱層などの支持基板であり、発光装置の作製工程において、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第１の基板１０１は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第１の基板１０１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
反射層１０３は、発光装置の作製工程において、第１の基板に照射する光を反射して、反射層１０３と重なる領域に形成された材料層（図２（Ｄ）の参照符号１０９）に、成膜に必要な熱を与えないように遮断する層である。
なお、本明細書において「重なる」とは、成膜用基板を構成する要素（例えば、反射層や光吸収層など）同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の層を介して重なり合う場合も含むものとする。
反射層１０３は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。例えば、８００ｎｍ乃至２５００ｎｍの赤外領域の光を照射する場合、反射層の材料として、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金などを用いることができる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層として好適に用いることができる。例えば、アルミニウム−チタン合金膜は、膜厚が４００ｎｍの場合、赤外領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、８５％以上の反射率を示し、特に、波長が９００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲については９０％以上の反射率を示す。なお、第１の基板１０１に照射する光の波長により、反射層１０３に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
反射層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層の膜厚は、材料により異なるが、概ね１００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。１００ｎｍ以上であることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
また、反射層１０３に開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
本実施の形態においては、反射層１０３として膜厚１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下（好ましくは１５０ｎｍ）のアルミニウム膜を形成する。アルミニウム膜は、膜厚１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下において、赤外領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、８５％以上の反射率を示し、特に、波長が９００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲については９０％以上の反射率を示す。また、膜厚１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のアルミニウム膜は、赤外領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、透過率が０％であるため反射層として好適に用いることができる。
次に、図１（Ｃ）に示すように、反射層１０３の開口部を覆って、反射層１０３上に光吸収層１０５を形成する。
光吸収層１０５は発光装置の作製工程において、材料層（図２（Ｄ）の参照符号１０９）を加熱するために照射する光を吸収して熱へと変換する層である。このため、少なくとも材料層を加熱する領域に形成されていれば良く、光吸収層１０５は例えば島状に形成されていても良い。光吸収層１０５は、照射される光に対して、７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、光吸収層１０５は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。光吸収層１０５に好適な材料の種類は、材料層を加熱するために照射する光の波長により変化する。例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。
また、モリブデン膜およびタングステン膜は、例えば、膜厚４００ｎｍとした場合、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の光に対しては、反射率が６０％以下であるため、光吸収層１０５として好適に用いることができる。また、波長２０００ｎｍ〜２５００ｎｍの光に対しては、反射率が８５％以上であるため、反射層として用いることができる。
光吸収層１０５は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、光吸収層１０５を形成することができる。また、光吸収層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
光吸収層の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。特に、光吸収層１０５の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。
なお、光吸収層１０５は、材料層（図２（Ｄ）の参照符号１０９）に含まれる成膜材料が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１０９に用いることが好ましい。
なお、反射層１０３と光吸収層１０５の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
本実施の形態においては、光吸収層１０５として膜厚２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下（好ましくは１５０ｎｍ）のチタン膜を形成するものとする。チタン膜は、膜厚が２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲において、赤外領域の波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下に渡って、６７％以下の反射率を示す。特に、波長が８００ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下の波長領域については６０％以下の反射率を示す。また、３００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の波長領域において、ほぼ光を透過しない。さらに、膜厚２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のチタン膜は、吸収率が３０％以上であり、光吸収層として好適に用いることができる。
次いで、図１（Ｄ）に示すように、光吸収層１０５の上に保護層１０７を成膜する。
保護層１０７は、発光装置の作製工程において、熱による光吸収層１０５の変形を抑制するための層である。また、保護層１０７を設けることで、反射層１０３と重なる領域に位置する材料層（図２（Ｄ）の参照符号１０９）が加熱されるのを抑制することができる。保護層１０７としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン、窒化珪素、窒化酸化珪素を好ましく用いることができる。ただし、保護層１０７は、反射層１０３及び光吸収層１０５に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いるのが好ましい。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。
保護層１０７は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。また、保護層１０７の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。保護層１０７を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０３が加熱された場合でも、反射層１０３の上に位置する材料層に熱が伝導するのを抑制する効果を有する。
次いで、図２（Ａ）に示すように、保護層１０７の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光、現像することにより、保護層１０７の上にレジストパターン１０８を形成する。その後、図２（Ｂ）に示すように、このレジストパターン１０８をマスクとして保護層１０７にハーフエッチングを施す。次いで、図２（Ｃ）に示すように、レジストパターン１０８を除去する。これにより、保護層１０７には反射層１０３の開口部と重なる領域に位置する溝部が形成され、その溝部によって当該領域の保護層１０７の膜厚が薄く形成される。
本実施の形態においては、保護層１０７として酸化珪素膜を形成するものとし、反射層１０３の開口部と重なる領域（画素部）に位置する保護層１０７の厚さを１００ｎｍとし、反射層１０３と重なる領域（非画素部）に位置する保護層１０７の厚さを６００ｎｍとする。反射層１０３と重なる領域に位置する保護層１０７の膜厚を厚くすることで、当該領域の保護層を成膜用基板と被成膜基板との距離を制御するためのスペーサとして機能させることが可能となる。スペーサとしての保護層１０７の側壁はテーパー形状を有している。
次いで、図２（Ｄ）に示すように、保護層１０７上に、成膜材料を含む材料層１０９を形成する。材料層１０９は加熱により第２の基板に転写される層である。成膜材料としては、種々の材料が挙げられる。また、材料層１０９は複数の成膜材料を含んでいてもよい。また、材料層１０９は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。成膜材料を含む層を複数積層することにより、共成膜することが可能である。なお、成膜材料を含む層を複数積層する場合には、第１の基板側に成膜温度が低い成膜材料を含むように積層されていることが好ましい。このような構成とすることにより、成膜材料を含む複数の層を効率良く加熱させることができ、成膜することができる。なお、本明細書において「成膜温度」とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。
材料層１０９は、種々の方法により形成される。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。これら湿式法を用いて材料層１０９を形成するには、所望の成膜材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、成膜材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ成膜材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、発光装置を作製するコストを低減することができる。
なお、後の工程（図３の工程）で被成膜基板である第２の基板１１１上に形成されるＥＬ層１１７の膜厚は、支持基板である第１の基板１０１上に形成された材料層１０９に依存する。そのため、材料層１０９の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板１１１上に形成されるＥＬ層１１７の膜厚を制御することができる。また、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
また、成膜材料としては、有機化合物、無機化合物、又は、無機化合物を含有する有機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。特に、有機化合物は無機化合物に比べ、成膜温度が低い材料が多いため、光の照射により成膜することが容易であり、本実施の形態の発光装置の作製方法に好適である。例えば、有機化合物としては、発光装置に用いられる発光材料、キャリア輸送材料などが挙げられる。また、無機化合物としては、発光装置のキャリア輸送層やキャリア注入層、電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体などがあげられる。
次に、図３（Ａ）に示すように、第１の基板１０１において、反射層１０３、光吸収層１０５、保護層１０７および材料層１０９が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１１１を配置する。第２の基板１１１は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。
第１の基板１０１と第２の基板１１１とを至近距離、具体的には第１の基板１０１に設けられた成膜材料の層の表面と第２の基板１１１との距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて近接させる。距離ｄを上記の範囲程度まで小さくすることで、成膜材料の利用効率を向上させることができる。また、被成膜基板に形成されるＥＬ層１１７のパターン形成の精度を向上させることができる。なお、被成膜基板の表面に凹凸がない場合には、被成膜基板である第２の基板１１１と支持基板である第１の基板１０１との距離ｄは０ｍｍより大きいことが好ましい。
なお、距離ｄは、支持基板上に形成された材料層１０９の表面と、被成膜基板の表面との距離で定義する。また、被成膜基板上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、支持基板上の材料層１０９の表面と、被成膜基板上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、支持基板上に形成された材料層或いは被成膜基板上に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、支持基板上の材料層１０９の表面と、被成膜基板或いは被成膜基板上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。
材料の利用効率を向上させるため、また、パターン形成の精度を向上させるために、第１の基板と第２の基板の基板間の距離は狭いほうが好ましいが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
図３において、第２の基板１１１は、第１の電極層１１３を有している。第１の電極層１１３の端部は絶縁物１１５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、第１の電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
第１の基板１０１及び第２の基板１１１を配置した後、図３（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の裏面、すなわち材料層が形成された面と対向する面から矢印のように光を照射する。照射された光は、反射層１０３が形成された領域においては反射し、反射層１０３に設けられた開口部においては、透過して、開口部と重なる領域の光吸収層１０５において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０５と重なる領域の材料層１０９が保護層１０７を介して加熱される。加熱した成膜材料は第１の電極層上に成膜され、これによってＥＬ層１１７が成膜される。
本実施の形態では、光吸収層１０５上に保護層１０７を設けることにより、熱による光吸収層１０５の変形を抑制することができ、成膜用基板を複数回使用することができる。また、光吸収層１０５上に保護層１０７を設けることによりＥＬ層への光吸収層を構成する材料の混入を防ぐことができ、その結果、混入によって起こりえる発光素子の特性への悪影響を防ぐことができる。
なお、第１の基板１０１に光を照射した際に、光吸収層１０５で発生した熱が面方向に伝導して、反射層１０３が加熱されることがある。また、反射率が８５％以上の材料を用いて反射層１０３を形成したとしても、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収が考えられる。しかしながら、本実施の形態に係る成膜用基板は、反射層１０３と材料層１０９との間に、保護層１０７が設けられているため、反射層１０３が加熱された場合であっても、保護層１０７において材料層１０９への熱の伝導を抑制することができる。これによって、選択的に、開口部と重なる領域の材料層１０９を加熱させて、被成膜基板上に所望のパターンを有するＥＬ層１１７を形成することができる。
また、上述したように、被成膜基板上にＥＬ層を形成する際には、成膜用基板である第１の基板と被成膜基板である第２の基板間の距離ｄは、短くすることが望ましい。ただし、光を吸収して発熱する光吸収層１０５と第２の基板１１１の表面とが近接しすぎると、光吸収層からの輻射熱によって第２の基板における成膜領域が加熱され、成膜されたＥＬ層が分解または結晶化してしまうことがある。したがって、距離ｄが０．０３ｍｍ以下、例えば第１の基板の表面と第２の基板の表面が接している場合でも、開口部と重なる領域の光吸収層表面と、第２の基板における成膜領域表面との距離は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。
本実施の形態で示す成膜用基板では、反射層と重なる光吸収層の上部にスペーサとしての保護層１０７が形成されており、該保護層の膜厚を制御することで、第１の基板と第２の基板間の距離ｄを近接させたまま、光吸収層と第２の基板における成膜領域表面の距離を制御することができ、ＥＬ層のパターン精度を向上させることができる。
照射する光の光源としては、種々の光源を用いることができる。
例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いても良い。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第１の基板１０１の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。
また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光であることにより、光吸収層１０５における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。
本実施の形態の発光装置の作製方法においては、成膜用基板に形成された材料層のうち光吸収層に重なる領域を選択的に加熱するため、材料層全面を加熱する場合と比較して、光を照射する時間は比較的短くてよい。
また、成膜は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。
なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板が、支持基板である第１の基板の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
本実施の形態に係る発光装置に適用する成膜方法は、支持基板に形成した材料層の膜厚によって、成膜処理により被成膜基板に成膜されるＥＬ層の膜厚を制御することができる。つまり、支持基板に形成した材料層をそのまま成膜すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
また、本実施の形態に係る発光装置に適用する成膜方法は、材料層が複数の成膜材料を含む場合、材料層と同じ成膜材料を略同じ重量比で含有するＥＬ層を被成膜基板に成膜することができる。このように、本実施の形態に係る成膜方法は、成膜温度の異なる複数の成膜材料を用いて成膜する場合、共成膜のようにそれぞれ成膜レートを制御する必要がない。そのため、成膜レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる成膜材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
また、本実施の形態を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、本実施の形態を適用することにより、光源として、レーザ発振装置だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。また、光源として、ランプヒーター等を用いることにより、大面積を一括して成膜することが可能となるため、タクト時間を短縮することができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。
また、本実施の形態に係る成膜方法は、所望の成膜材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、成膜材料の利用効率が向上し、コスト削減を図ることができる。また、成膜室内壁に成膜材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。
よって、本実施の形態を適用することで、所望の異なる成膜材料を含む層の成膜が容易になり、当該異なる成膜材料を含む層を用いた発光装置等の製造における生産性を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態に係る成膜用基板を用いることにより、成膜材料の利用効率良く成膜することが可能となり、コスト削減を図ることができる。また、本実施の形態の成膜用基板を用いることにより、精度良く、所望の形状の膜を形成することが可能となる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施の形態の変形例に係る成膜用基板の作製方法を説明するための断面図であり、図１及び図２と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図４（Ａ）に示すように、第１の基板１０１上に反射層１０３を成膜した後、反射層１０３に開口部を形成する。次いで、反射層１０３の開口部を覆って、反射層１０３上に光吸収層１０５を形成する。
次いで、図４（Ｂ）に示すように、光吸収層１０５の上にスペーサとしての第１の保護層１０７ａを成膜し、第１の保護層１０７ａに開口部を形成する。第１の保護層１０７ａの開口部は反射層１０３の開口部と重なる領域に形成される。
次いで、図４（Ｃ）に示すように、第１の保護層１０７ａの開口部を覆って、第１の保護層１０７ａ上に第２の保護層１０７ｂを形成する。
第１及び第２の保護層１０７ａ，１０７ｂは、本実施の形態の保護層１０７と同様の材料、同様の成膜方法、同様の厚さおよび形状を用いることができる。第１の保護層１０７ａのより好ましい厚さは５００ｎｍ程度であり、第２の保護層１０７ｂのより好ましい厚さは１００ｎｍ程度である。
上記変形例においても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図５は、本実施の形態の他の変形例に係る成膜用基板の作製方法を説明するための図２（Ｃ）に対応する断面図であり、図１及び図２と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図２（Ｃ）に示す工程では、非画素部にハーフエッチングを施していないが、本変形例では、図５に示すように、非画素部１０２にもハーフエッチングを施すことにより、非画素部１０２のスペーサとしての保護層１０７に溝を形成したトレンチ構造とする。非画素部１０２の保護層１０７に設ける溝の数は１つでも良いし、２つ以上でも良い。溝を２つ以上設ける場合、溝の幅は、均等でなくても良いが、均等にするのが好ましい。また、非画素部１０２の保護層１０７に施すハーフエッチングは、画素部分の保護層に施すハーフエッチングに合わせて行うのが好ましいが、別途ハーフエッチングを行っても良い。
上記他の変形例においても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、上記他の変形例では、スペーサとしての保護層１０７をトレンチ構造とすることにより、保護層１０７の応力を分散させることができ、非画素部の保護層１０７が厚いために起こる基板のそりを抑制することができる。
さらに、上記他の変形例では、スペーサとしての保護層１０７をトレンチ構造とすることにより、保護層１０７の応力を分散させることができ、非画素部の保護層１０７が厚いために起こる基板のそりを抑制することができる。
（実施の形態２）
図６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法を示す断面図である。図７は、図６（Ｄ）に示す成膜用基板を用いた発光装置の作製方法を示す断面図である。なお、図６及び図７において、図１〜図５と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法を示す断面図である。図７は、図６（Ｄ）に示す成膜用基板を用いた発光装置の作製方法を示す断面図である。なお、図６及び図７において、図１〜図５と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図６（Ａ）に示すように、第１の基板１０１上に反射層１０３を成膜し、反射層１０３上に、断熱層１０４を成膜する。
次いで、図６（Ｂ）に示すように、断熱層１０４上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光、現像することにより、断熱層１０４上にレジストパターン１０６を形成する。
その後、図６（Ｃ）に示すように、このレジストパターン１０６をマスクとして断熱層１０４および反射層１０３をエッチングし、レジストパターン１０６を除去する。このようにして反射層１０３および断熱層１０４に開口部が形成される。
断熱層１０４は、発光装置の作製工程において、反射層１０３と重なる領域に位置する材料層１０９が加熱されるのを抑制するための層である。断熱層１０４としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし断熱層１０７は、反射層１０３及び光吸収層１０５に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。
断熱層１０４は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。断熱層１０７を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０３が加熱された場合でも、反射層１０３の上に位置する材料層に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。
また、断熱層１０４は、反射層１０３の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層１０４及び反射層１０３のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層１０４の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
なお、本実施の形態では、断熱層１０４と、反射層１０３のパターン形成を一度のエッチング工程によって行い、それにより断熱層１０４と反射層１０３に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるが、断熱層１０４と反射層１０３のパターン形成を別々のエッチング工程によって行ってもよい。
次いで、図６（Ｄ）に示すように、断熱層１０４の開口部を覆って、断熱層１０４上に光吸収層１０５を形成する。次いで、光吸収層１０５の上に保護層１０７ｃを成膜する。
保護層１０７ｃは、発光装置の作製工程において、熱による光吸収層１０５の変形を抑制するための層である。また、保護層１０７ｃを設けることで、反射層１０３と重なる領域に位置する材料層１０９が加熱されるのを抑制することができる。保護層１０７ｃとしては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン、窒化珪素、窒化酸化珪素を好ましく用いることができる。ただし、保護層１０７ｃは、反射層１０３及び光吸収層１０５に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いるのが好ましい。
保護層１０７ｃは、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。また、保護層１０７ｃの膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。保護層１０７ｃを１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０３が加熱された場合でも、反射層１０３の上に位置する材料層に熱が伝導するのを抑制する効果を有する。
次いで、保護層１０７ｃ上に、成膜材料を含む材料層１０９を形成する。材料層１０９は加熱により第２の基板に転写される層である。
次に、図７（Ａ）に示すように、第１の基板１０１において、反射層１０３、断熱層１０４、光吸収層１０５、保護層１０７ｃおよび材料層１０９が形成された面に対向する位置に、第２の基板１１１を配置する。第２の基板１１１は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。
図７において、第２の基板１１１は、第１の電極層１１３を有している。第１の電極層１１３の端部は絶縁物１１５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、第１の電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。
第１の基板１０１及び第２の基板１１１を配置した後、図７（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の裏面、すなわち材料層が形成された面と対向する面から矢印のように光を照射する。照射された光は、反射層１０３が形成された領域においては反射し、反射層１０３に設けられた開口部においては、透過して、開口部と重なる領域の光吸収層１０５において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０５と重なる領域の材料層１０９が保護層１０７ｃを介して加熱される。加熱した成膜材料は第１の電極層上に成膜され、これによってＥＬ層１１７が成膜される。
本実施の形態では、光吸収層１０５上に保護層１０７ｃを設けることにより、熱による光吸収層１０５の変形を抑制することができ、成膜用基板を複数回使用することができる。また、光吸収層１０５上に保護層１０７ｃを設けることによりＥＬ層への光吸収層を構成する材料の混入を防ぐことができ、その結果、混入によって起こりえる発光素子の特性への悪影響を防ぐことができる。
なお、第１の基板１０１に光を照射した際に、光吸収層１０５で発生した熱が面方向に伝導して、反射層１０３が加熱されることがある。また、反射率が８５％以上の材料を用いて反射層１０３を形成したとしても、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収が考えられる。しかしながら、本実施の形態に係る成膜用基板は、反射層１０３と材料層１０９との間に、熱伝導率の低い材料によって形成された断熱層１０４および保護層１０７ｃが設けられているため、反射層１０３が加熱された場合であっても、断熱層１０４および保護層１０７ｃにおいて材料層１０９への熱の伝導を遮断することができる。これによって、選択的に、開口部と重なる領域の材料層１０９を加熱させて、被成膜基板上に所望のパターンを有するＥＬ層１１７を形成することができる。
本実施の形態で示す成膜用基板では、光吸収層１０５の下部に断熱層１０４が形成されており、該断熱層の膜厚を制御することで、第１の基板と第２の基板間の距離ｄを近接させたまま、光吸収層１０５と第２の基板１１１における成膜領域表面の距離を制御することができ、ＥＬ層のパターン精度を向上させることができる。
図６および図７で説明した実施の形態においても図１〜図５で説明した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図８は、本実施の形態の変形例に係る成膜用基板の作製方法を説明するための断面図であり、図８（Ａ）,（Ｂ）は図６（Ｃ）,（Ｄ）に対応する断面図であり、図６及び図７と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図６（Ｃ）に示す工程では、非画素部の断熱層１０４に溝を形成していないが、本変形例では、図８（Ａ）に示すように、非画素部の断熱層１０４ａに溝を形成したトレンチ構造とする。非画素部の断熱層１０４ａに設ける溝の数は１つでも良いし、２つ以上でも良い。溝を２つ以上設ける場合、溝の幅は、均等でなくても良いが、均等にするのが好ましい。また、断熱層１０４ａに溝を形成する方法はハーフエッチングによって行うことが好ましい。
図８（Ｂ）に示す工程では、トレンチ構造を有する断熱層１０４ａおよび開口部の上に光吸収層１０５を形成し、光吸収層１０５の上に保護層１０７ｃを形成し、保護層１０７ｃ上に、成膜材料を含む材料層１０９を形成する。
上記変形例においても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、上記変形例では、断熱層１０４ａをトレンチ構造とすることにより、断熱層１０４ａの応力を分散させることができ、非画素部の断熱層１０４ａが厚いために起こる基板のそりを抑制することができる。
さらに、上記変形例では、断熱層１０４ａをトレンチ構造とすることにより、断熱層１０４ａの応力を分散させることができ、非画素部の断熱層１０４ａが厚いために起こる基板のそりを抑制することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
１０１ 第１の基板
１０２ 非画素部
１０３ 反射層
１０４，１０４ａ 断熱層
１０５ 光吸収層
１０６ レジストパターン
１０７ 保護層
１０７ａ 第１の保護層
１０７ｂ 第２の保護層
１０７ｃ 保護層
１０８ レジストパターン
１０９ 材料層
１１１ 第２の基板
１１３ 電極層
１１５ 絶縁物
１１７ ＥＬ層
１０２ 非画素部
１０３ 反射層
１０４，１０４ａ 断熱層
１０５ 光吸収層
１０６ レジストパターン
１０７ 保護層
１０７ａ 第１の保護層
１０７ｂ 第２の保護層
１０７ｃ 保護層
１０８ レジストパターン
１０９ 材料層
１１１ 第２の基板
１１３ 電極層
１１５ 絶縁物
１１７ ＥＬ層
Claims (9)
- 開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面と、を対向させて配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光の照射を行い、
前記第２の基板の被成膜面の、前記反射層の開口部と重なる領域にＥＬ層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項１において、
前記保護層は、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項２において、
前記第１の保護層は、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の基板の被成膜面には、第１の電極が設けられており、
前記第１の基板の前記材料層を加熱し、前記第２の基板の前記第１の電極上に成膜させた後、
前記第２の基板上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 基板上に形成された開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に溝部を有する保護層と、
前記保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板。 - 基板上に形成された開口部を有する反射層と、
前記反射層の開口部を覆って、前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成され、前記反射層の開口部と重なる位置に開口部を有する第１の保護層と、
前記第１の保護層の開口部を覆って、前記第１の保護層上に形成された第２の保護層と、
前記第２の保護層上に形成された材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板。 - 請求項６において、
前記保護層は、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることを特徴とする成膜用基板。 - 請求項７において、
前記第１の保護層は、前記反射層と重なる位置に形成された溝を有していることを特徴とする成膜用基板。
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