KR100667069B1 - 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 - Google Patents

도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100667069B1
KR100667069B1 KR20040083744A KR20040083744A KR100667069B1 KR 100667069 B1 KR100667069 B1 KR 100667069B1 KR 20040083744 A KR20040083744 A KR 20040083744A KR 20040083744 A KR20040083744 A KR 20040083744A KR 100667069 B1 KR100667069 B1 KR 100667069B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
light
conversion layer
layer
reflective film
Prior art date
Application number
KR20040083744A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060034575A (ko
Inventor
강태민
이성택
김무현
진병두
송명원
이재호
김진수
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR20040083744A priority Critical patent/KR100667069B1/ko
Priority to US11/247,278 priority patent/US7674749B2/en
Priority to JP2005299226A priority patent/JP4492878B2/ja
Priority to EP20070101379 priority patent/EP1787822B1/en
Priority to EP20050109540 priority patent/EP1650046B1/en
Priority to CN200510113840XA priority patent/CN1769066B/zh
Publication of KR20060034575A publication Critical patent/KR20060034575A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100667069B1 publication Critical patent/KR100667069B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/46—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography characterised by the light-to-heat converting means; characterised by the heat or radiation filtering or absorbing means or layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/265—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used for the production of optical filters or electrical components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 도너 기판은 베이스 기판과 상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층을 구비한다. 상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 선택적 열발생 구조체가 개재된다. 상기 선택적 열발생 구조체는 광-열 변환에 의해 열이 발생되는 열-발생영역과 상기 열-발생영역에 인접하는 열-비발생영역을 구비한다. 이러한 도너 기판을 사용하면, 레이저 빔의 폭을 정밀하게 제어하지 않으면서도 미세한 전사층 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.
레이저 열 전사, 광-열 변환층, 반사막

Description

도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법{donor substrate and fabrication method of organic light emitting display using the same}
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 도너 기판을 나타난 평면도이다.
도 2a는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 3a는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법들을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 도너 기판을 나타난 평면도이다.
도 5a는 도 4의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도이다.
도 5b는 도 5a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법들을 나타낸 단면도이다.
도 6는 도 2b, 3b, 4b의 일부영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
12, 23 : 광-열 변환층 패턴 33 : 광열변환층
15, 25 : 반사막 31 : 반사막 패턴
본 발명은 도너 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저 열전사용 도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 레이저 열전사법은 적어도 레이저, 억셉터 기판 및 도너 필름을 필요로 하며, 상기 도너 필름은 기재 필름, 상기 기재 필름의 전면 상에 적층된 광-열 변환층 및 상기 광-열 변환층의 전면 상에 적층된 전사층을 구비한다. 이러한 레이저 열전사법을 실행하기 위해서 상기 억셉터 기판 상에 상기 도너 필름을 라미네이션하되, 상기 전사층이 상기 억셉터 기판을 대향하도록 한다. 이어서, 상기 도너 필름 상에 레이저 빔을 조사한다. 이로써, 상기 억셉터 기판 상에 전사층 패턴이 형성되게 된다. 이는 미국특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,088호에 게시되어 있다.
상기 기재 필름 상에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 억셉터 기판 상에 전사층 패턴을 형성하는 것을 자세하게 살펴보면 다음과 같다. 상기 기재 필름 상의 일 부 영역에 레이저 빔을 조사한다. 이 때, 상기 레이저 빔이 조사된 영역의 상기 광-열 변환층은 상기 레이저 빔을 흡수하여 열에너지로 변환하고, 상기 광-열 변환층의 열에너지를 구비하는 영역과 접하는 전사층은 상기 열에너지에 의해 선택적으로 상기 억셉터 기판 상으로 전사되어 전사층 패턴을 형성한다. 이 경우, 상기 전사층 패턴의 폭은 상기 레이저 빔의 폭에 대응한다. 따라서, 상기 전사층 패턴을 미세하게 형성하고자 하는 경우, 상기 레이저 빔의 폭을 정밀하게 조정하여야 한다. 그러나, 레이저 빔의 폭을 정밀하게 조정하기 위해서는 레이저 장비의 정밀도가 높아야 한다. 이러한 정밀도 높은 레이저 장비는 단가가 높아 유기전계발광표시장치의 원가상승을 초래할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 레이저 빔의 폭을 정밀하게 제어하지 않으면서도 미세한 전사층 패턴을 양호하게 형성할 수 있는 도너 기판을 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상기 도너 기판을 사용하여 미세한 전사층 패턴을 형성할 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 도너 기판을 제공한다. 상기 도너 기판은 베이스 기판과 상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층을 구비한다. 상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 선택적 열발생 구조체가 개재된 다. 상기 선택적 열발생 구조체는 광-열 변환에 의해 열이 발생되는 열-발생영역과 상기 열-발생영역에 인접하는 열-비발생영역을 구비한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 다른 도너 기판을 제공한다. 상기 도너 기판은 베이스 기판과 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층(LTHC) 패턴을 구비한다. 상기 광-열 변환층 패턴 상에 전사층이 위치한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 다른 도너 기판을 제공한다. 상기 도너 기판은 베이스 기판을 구비한다. 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 반사막 패턴이 선택적으로 위치한다. 상기 반사막 패턴을 광-열변환층이 덮는다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 상기 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 상술한 바와 같은 도너 기판을 준비하는 것을 포함한다. 적어도 화소전극을 구비하는 억셉터 기판 상에 상기 도너 기판의 전사층이 상기 억셉터 기판을 바라보도록 위치시킨다. 상기 도너 기판 상에 적어도 상기 열-발생영역보다 폭이 큰 레이저 빔을 조사하여 상기 억셉터 기판의 화소전극 상에 전사층 패턴을 형성한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 도너 기판을 나타난 평면도이다.
도 1을 참조하면, 도너 기판(D1, D2)은 베이스 기판(10, 20)을 구비한다. 상기 베이스 기판(10, 20)의 일 영역들 상에 광-열 변환층 패턴들(13, 23)이 각각 위치한다. 본 실시예들에 있어서, 상기 광-열 변환층 패턴들(13, 23)은 열-발생영역을 정의한다.
상기 도너 기판(D1, D2)은 유기전계발광표시장치의 발광층을 형성하기 위한 도너 기판일 수 있다. 이 경우, 상기 광-열 변환층 패턴들(13, 23)은 상기 유기전계발광표시장치의 단위화소 영역들에 각각 대응한다. 상기 유기전계발광표시장치가 적색, 녹색 및 청색의 풀칼라 화상을 구현하는 경우, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층의 패터닝을 각각 수행한다. 이 경우, 세 장의 도너 기판들을 필요로 하는데, 상기 세 장의 도너 기판들은 서로 위치를 달리하는 제 1 광-열 변환층 패턴들(13, 23), 제 2 광-열 변환층 패턴들(13′, 23′) 및 제 3 광-열 변환층 패턴들(13˝, 23˝)을 각각 구비할 수 있다. 도면에서는 스트라이프형 발광층 패턴을 형성하기 위한 도너 기판을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 도트형 또는 델타형의 발광층 패턴을 형성하기 위한 도너 기판에도 적용될 수 있다. 나아가, 억셉터 기판 상에 다른 여러 가지 패턴을 형성하기 위한 도너 기판에도 적용할 수 있다.
도 2a는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 도 너 기판을 나타낸 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 도너 기판(D1)은 베이스 기판(10)을 구비한다. 상기 베이스 기판(10)은 레이저 빔에 대한 투과도 및 내열성이 높고, 적절한 유연성과 기계적 강도를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 베이스 기판(10)은 폴리에스테르 필름일 수 있다. 자세하게는 폴레에틸렌 테레프탈레이트 필름 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름일 수 있다. 상기 베이스 기판(10)의 두께는 10 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 베이스 기판(10) 상에 전사층(19)이 위치한다. 상기 전사층(19)은 상기 베이스 기판(10) 상부의 전면 상에 위치한다. 상기 전사층(19)는 전계발광성 유기막일 수 있다. 나아가, 상기 전사층(19)는 정공주입성 유기막, 정공수송성 유기막, 정공억제성 유기막, 전자수송성 유기막 및 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막을 더 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(10)과 상기 전사층(19) 사이에 선택적 열발생 구조체(S1)가 개재된다. 상기 선택적 열발생 구조체(S1)는 광-열변환에 의한 열이 발생되는 열발생영역과 상기 열-발생영역(heat generation region)에 인접하는 열-비발생영역(heat non-generation region)을 구비한다. 상기 열-비발생영역은 절대적으로 열이 발생되지 않는 영역을 의미하는 것이 아니고, 상기 열발생영역에 대한 상대적인 개념으로 이해되어야 할 것이다.
본 실시예에 있어서, 상기 선택적 열발생 구조체(S1)는 상기 베이스 기판(10)의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층(Light To Heat Conversion layer, LTHC layer) 패턴(13)을 구비한다. 상기 광-열 변환층 패턴(13)은 상기 열-발생영역을 정의한다. 상기 광-열 변환층 패턴(13)은 레이저 빔을 일부 흡수하여 상기 흡수된 광의 일부를 열로 변환시키는 층이다. 따라서, 상기 광-열 변환층 패턴(13)이 위치하는 영역에서는 선택적으로 열이 발생될 수 있다. 이 때, 상기 광-열 변환층 패턴(13)에 인접하는 전사층(19)은 상기 열에 의해 접착력의 변화를 일으켜 억셉터 기판 상으로 선택적으로 전사되어 전사층 패턴을 형성할 수 있다. 결과적으로, 레이저 빔의 선폭에 관계없이 미세한 전사층 패턴을 형성할 수 있다.
상기 광-열 변환층 패턴(13)은 광흡수성 물질을 구비한다. 상기 광흡수성 물질은 예를 들어, 카본 블랙, 흑연, 금속 산화물 또는 금속 황화물일 수 있다. 나아가, 상기 광-열 변환층 패턴(13)은 결합제(binder)를 더 포함할 수 있다. 적합한 광-열 변환층 패턴(13)의 예로는 카본 블랙을 유기 결합제 내에 분산시킨 유기막이 있고, 금속 산화물 또는 금속 황화물을 포함하는 금속막이 있다. 상기 광-열 변환층 패턴(13)이 유기막인 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 형성하는 것은 스크린 인쇄법을 사용하여 수행할 수 있다. 한편, 상기 광-열 변환층 패턴(13)이 금속막인 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 형성하는 것은 고정세 마스크를 사용한 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 선택적 열발생 구조체(S1)는 상기 광-열변환층 패턴(13)의 측부에 노출된 베이스 기판(10) 상에 위치하는 반사막(15)을 더 구비할 수 있다. 상기 반사막(15)은 레이저 빔에 대해 적절한 반사율을 갖는 막으로, 상기 베이스 기판(10)을 통해 입사되는 레이저 빔을 반사시킨다. 따라서, 상기 반사막(15)은 상기 열-비발 생영역을 정의할 수 있다. 바람직하게는 상기 반사막(15)은 알루미늄 막, 알루미늄 합금막, 은 막 및 은 합금막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막일 수 있다.
바람직하게는 상기 반사막(15)은 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 덮을 수 있다. 이 경우, 상기 반사막(15)의 상기 광-열 변환층 패턴(13) 상부의 영역(13a)은 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 투과한 레이저 빔을 반사하여 다시 상기 광-열 변환층 패턴(13) 내부로 돌려보내는 역할을 한다. 이로써, 상기 광-열 변환층 패턴(13) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다.
상기 반사막(15)을 구비하는 선택적 열발생 구조체(S1)와 상기 전사층(19) 사이에 중간층(17)이 개재될 수 잇다. 상기 중간층(17)은 상기 광-열 변환층 패턴(13)에 포함된 상기 광흡수성 물질 예를 들어, 카본 블랙이 전사층을 오염시키는 것을 방지하는 역할을 하며, 상기 광-열 변환층 패턴(13)이 레이저 빔을 열로 변환시킬 때 발생할 수 있는 아웃 개스를 차단하는 역할을 할 수 있다. 상기 중간층(17)은 열적 내성이 높은 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 전사층(19)과 적절한 접착력을 갖는 것이 바람직하다. 상기 중간층(17)은 유기막, 무기막 또는 이들의 복합층일 수 있다. 상기 유기막은 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성된 고분자 필름일 수 있고, 상기 무기막은 금속산화물막일 수 있다.
한편, 상기 반사막(15)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 상기 중간층(17)은 상기 광-열 변환층 패턴(13)과 상기 전사층(19) 사이 즉, 상기 반사막을 구비하지 않 는 선택적 열발생 구조체(S1)와 상기 전사층(19) 사이에 개재될 수 있다. 자세하게는 상기 중간층(17)은 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 덮을 수 있다.
도 2b는 도 2a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 적어도 화소전극을 구비하는 억셉터 기판(A1) 상에 상기 도 2a를 참조하여 설명한 도너 기판(D1)을 상기 전사층(19)이 상기 억셉터 기판(A1)을 바라보도록 위치시킨다. 이어서, 상기 도너 기판(D1) 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 레이저 빔은 라인 빔 형태로 패터닝된 빔일 수 있다. 상기 패터닝된 레이저 빔은 상기 도너 기판(D1)의 열-발생영역에 조사된다. 나아가, 상기 레이저 빔의 폭(Wl)은 적어도 상기 열-발생영역의 폭(Wc)보다 크다.
상기 도너 기판(D1) 상에 조사된 레이저 빔은 상기 베이스 기판(10)을 투과하여 광-열변환층 패턴(13)에서 일부분 흡수(L11)된다. 나아가, 상기 광-열 변환층 패턴(13)을 덮는 반사막(15)이 제공된 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(13)에 흡수되지 않고 투과된 레이저 빔은 상기 광-열 변환층 패턴(13) 상부의 반사막에 의해서 반사되어 상기 광-열 변환층 패턴(13) 내부로 돌아올 수 있다(L12). 이로써, 상기 광-열 변환층 패턴(13) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다. 한편, 상기 광-열 변환층 패턴(13)의 측부에 인접한 반사막(15)에 조사된 레이저 빔은 상기 반사막(15)의해 반사된다(L13). 상기 반사막(15)이 제공되지 않은 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(13)의 측부에서는 상기 레이저 빔이 투과될 수 있다. 결과적으로, 광-열 변환층 패턴(13)이 형성된 영역에서는 선택적으로 열이 발생될 수 있다.
상기 광-열 변환층 패턴(13)에 의해 발생된 열은 중간층(17)과 상기 전사층(19) 사이의 접착력의 변화를 일으켜, 상기 전사층(19)을 선택적으로 상기 억셉커 기판(A1) 상으로 전사시킨다. 결과적으로 상기 억셉터 기판(A1) 상에 전사층 패턴(19a)을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 레이저 빔의 폭(Wl)은 상기 억셉터 기판(A1) 상에 패터닝된 전사층 패턴의 폭(Wt)에 비해 클 수 있다. 따라서, 상기 레이저 빔의 폭(W1)을 정밀하게 제어하지 않으면서도 미세한 전사층 패턴을 얻을 수 있다.
도 3a는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 도너 기판은 후술하는 것을 제외하고는 도 2a를 참조하여 설명한 도너 기판과 동일할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 도너 기판(D2)은 베이스 기판(20) 및 상기 베이스 기판(20) 상에 위치하는 전사층(29)을 구비한다.
상기 베이스 기판(20)과 상기 전사층(29) 사이에 선택적 열발생 구조체(S2)가 개재된다. 상기 선택적 열발생 구조체(S2)는 광-열변환에 의한 열이 발생되는 열발생영역과 상기 열-발생영역(heat generation region)에 인접하는 열-비발생영역(heat non-generation region)을 구비한다.
상기 선택적 열발생 구조체(S2)는 상기 베이스 기판(20)의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴(23)을 구비한다. 본 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판(20)은 리세스된 영역(20a)을 구비하고, 광-열 변환층 패턴(23)은 상기 리세스된 영역(20a) 내에 선택적으로 위치한다. 상기 리세스된 영역(20a) 내에 선 택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴(13)은 상기 열-발생영역을 정의한다.
상기 리세스된 영역(20a)을 구비하는 베이스 기판(20)은 예를 들어, 금형을 사용하여 제조할 수 있다. 또한, 상기 리세스된 영역(20a) 내에 선택적으로 위치하는 상기 광-열 변환층 패턴(23)을 형성하는 것은 에어 나이프 코팅법 또는 블레이드 코팅법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 선택적 열발생 구조체(S2)는 상기 광-열변환층 패턴(23) 및 상기 베이스 기판(20)과 상기 전사층(29) 사이에 개재된 반사막(25)을 더 구비할 수 있다. 상기 반사막(25)은 상기 베이스 기판(20)을 통해 입사되는 레이저 빔을 반사시킨다. 특히, 상기 반사막(25)의 상기 광-열변환층 패턴(23)의 측부에 인접하는 영역(25b)은 상기 레이저 빔을 반사시킴으로써, 상기 열-비발생영역을 정의할 수 있다. 그러나, 상기 반사막(25)의 상기 광-열 변환층 패턴(23) 상부의 영역(25a)은 상기 광-열 변환층 패턴(23)을 투과한 레이저 빔을 반사하여 다시 상기 광-열 변환층 패턴(23) 내부로 돌려보내는 역할을 한다. 이로써, 상기 광-열 변환층 패턴(23) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다.
상기 반사막(25)을 구비하는 선택적 열발생 구조체(S2)와 상기 전사층(29) 사이에 중간층(27)이 개재될 수 잇다. 한편, 상기 반사막(25)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 상기 중간층(27)은 상기 광-열변환층 패턴(23) 및 상기 베이스 기판(20)과 상기 전사층(29) 사이에 개재될 수 있다.
도 3b는 도 3a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 억셉터 기판(A2) 상에 상기 도 3a를 참조하여 설명한 도너 기판(D2)을 상기 전사층(29)이 상기 억셉터 기판(A2)을 바라보도록 위치시킨다. 이어서, 상기 도너 기판(D2) 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 레이저 빔은 라인 빔 형태로 패터닝된 빔일 수 있다. 상기 패터닝된 레이저 빔은 상기 도너 기판(D2)의 열-발생영역에 조사된다. 나아가, 상기 레이저 빔의 폭(Wl)은 적어도 상기 열-발생영역의 폭(Wc)보다 크다.
상기 도너 기판(D2) 상에 조사된 레이저 빔은 광-열변환층 패턴(23)에 일부분 흡수(L21)된다. 나아가, 상기 광-열 변환층 패턴(23) 상에 반사막(25)이 제공된 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(23)에 흡수되지 않고 투과된 레이저 빔은 상기 광-열 변환층 패턴(23) 상부의 반사막(25a)에 의해서 반사되어 상기 광-열 변환층 패턴(23) 내부로 돌아올 수 있다(L22). 이로써, 상기 광-열 변환층 패턴(23) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다. 한편, 상기 반사막(25)의 상기 광-열 변환층 패턴(23)의 측부에 인접한 영역(25b)에 조사된 레이저 빔은 상기 반사막(25)의해 반사된다. 상기 반사막(25)이 제공되지 않은 경우, 상기 광-열 변환층 패턴(23)의 측부에서는 상기 레이저 빔이 투과될 수 있다. 결과적으로, 광-열 변환층 패턴(23)이 형성된 영역에서는 선택적으로 열이 발생될 수 있다.
상기 광-열 변환층 패턴(23)에 의해 발생된 열은 중간층(27)과 상기 전사층(29) 사이의 접착력의 변화를 일으켜, 상기 전사층(29)을 선택적으로 상기 억셉커 기판(A2) 상으로 전사시킨다. 결과적으로 상기 억셉터 기판(A2) 상에 전사층 패턴(29a)을 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 도너 기판을 나타난 평면도이다.
도 4를 참조하면, 도너 기판(D3)은 베이스 기판(30)을 구비한다. 상기 베이스 기판(30)의 일 영역 상에 반사막 패턴(31)이 위치한다. 상기 반사막 패턴(31)은 열-비발생영역을 정의한다. 상기 베이스 기판(30)의 상기 반사막 패턴(31)의 측부에 노출된 영역(31a) 상에 광-열 변환층이 위치한다. 즉, 상기 노출 영역(31a)은 열-발생영역을 정의할 수 있다.
상기 도너 기판(D3)은 유기전계발광표시장치의 발광층을 형성하기 위한 도너 기판일 수 있다. 이 경우, 상기 광-열 변환층이 위치하는 노출 영역(31a)은 상기 유기전계발광표시장치의 단위화소 영역들에 각각 대응한다. 상기 유기전계발광표시장치가 적색, 녹색 및 청색의 풀칼라 화상을 구현하는 경우, 세 장의 도너 기판들을 필요로 하는데, 상기 세 장의 도너 기판들은 서로 위치를 달리하는 제 1 노출 영역(31a), 제 2 노출 영역(31a′) 및 제 3 노출 영역(31a˝)을 각각 갖는 반사막 패턴들을 구비할 수 있다. 도면에서는 스트라이프형 발광층 패턴을 형성하기 위한 도너 기판을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 도트형 또는 델타형의 발광층 패턴을 형성하기 위한 도너 기판에도 적용될 수 있다. 나아가, 억셉터 기판 상에 다른 여러 가지 패턴을 형성하기 위한 도너 기판에도 적용할 수 있다.
도 5a는 도 4의 절단선 I-I′를 따라 취해진 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 도너 기판은 후술하는 것을 제외하고는 도 2a를 참조하여 설명한 도너 기판과 동일할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 도너 기판(D3)은 베이스 기판(30) 및 상기 베이스 기판(30) 상에 위치하는 전사층(39)을 구비한다.
상기 베이스 기판(30)과 상기 전사층(39) 사이에 선택적 열발생 구조체(S3)가 개재된다. 상기 선택적 열발생 구조체(S3)는 광-열변환에 의한 열이 발생되는 열발생영역과 상기 열-발생영역(heat generation region)에 인접하는 열-비발생영역(heat non-generation region)을 구비한다.
상기 선택적 열발생 구조체(S3)는 상기 베이스 기판(30)의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 반사막 패턴(31) 및 상기 반사막 패턴(31)을 덮는 광-열 변환층(33)을 구비한다. 상기 광-열 변환층(33)은 상기 베이스 기판(30)의 상기 반사막 패턴(31) 측부에 노출된 영역(31a) 및 상기 반사막 패턴(31) 상에 위치한다. 상기 반사막 패턴(31)은 상기 베이스 기판을 통해 입사되는 레이저 빔을 반사시키는 역할을 하므로 상기 열-비발생영역을 정의하며, 상기 광-열 변환층(33)이 상기 베이스 기판(30)과 접하는 영역(31a)은 상기 베이스 기판(30)을 통해 입사되는 레이저 빔을 흡수하여 열을 발생시키므로 열-발생영역으로 정의될 수 있다.
상기 반사막 패턴(31)은 레이저 빔에 대해 적절한 반사율을 갖는 막으로, 알루미늄 막, 알루미늄 합금막, 은 막 및 은 합금막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막일 수 있다. 이러한 반사막 패턴(31)을 형성하는 것은 상기 베이스 기판(30) 상에 고정세 마스크 등을 사용한 증착법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 선택적 열발생 구조체(S3)는 상기 광-열변환층(33) 상에 위치하는 반사막(35)을 더 구비할 수 있다. 상기 반사막(35)은 상기 광-열 변환층(33)을 투과한 레이저 빔을 반사하여 다시 상기 광-열 변환층(33) 내부로 돌려보내는 역할을 한다. 이로써, 상기 광-열 변환층(33) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다.
상기 반사막(35)을 구비하는 선택적 열발생 구조체(S3)와 상기 전사층(39) 사이에 중간층(37)이 개재될 수 있다. 한편, 상기 반사막(35)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 상기 중간층(37)은 상기 광-열변환층(33)과 상기 전사층(39) 사이에 개재될 수 있다.
도 6은 도 5a에 나타낸 도너 기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 억셉터 기판(A3) 상에 상기 도 5a를 참조하여 설명한 도너 기판(D3)을 상기 전사층(39)이 상기 억셉터 기판(A3)을 바라보도록 위치시킨다. 이어서, 상기 도너 기판(D3) 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 레이저 빔은 라인 빔 형태로 패터닝된 빔일 수 있다. 상기 패터닝된 레이저 빔은 상기 도너 기판(D3)의 열-발생영역에 조사된다. 나아가, 상기 레이저 빔의 폭(Wl)은 적어도 상기 열-발생영역의 폭(Wc)보다 크다.
상기 도너 기판(D3) 상에 조사된 레이저 빔은 베이스 기판(30)을 투과하여 광-열변환층(33)에 일부분 흡수(L31)된다. 나아가, 상기 광-열 변환층(33) 상에 반사막(35)이 제공된 경우, 상기 광-열 변환층(33)에 흡수되지 않고 투과된 레이저 빔은 상기 반사막(35)에 의해서 반사되어 상기 광-열 변환층 패턴(33) 내부로 돌아올 수 있다(L32). 이로써, 상기 광-열 변환층(33) 내의 광-열 변환율을 높일 수 있다. 한편, 상기 반사막 패턴(31)에 조사된 레이저 빔은 상기 반사막 패턴(31)의해 반사된다. 결과적으로, 상기 광-열 변환층(33)의 상기 노출된 베이스 기판(30)과 접하는 영역에서는 선택적으로 열이 발생될 수 있다.
상기 광-열 변환층(33)에 의해 발생된 열은 중간층(37)과 상기 전사층(39) 사이의 접착력의 변화를 일으켜, 상기 전사층(39)을 선택적으로 상기 억셉터 기판(A3) 상으로 전사시킨다. 결과적으로 상기 억셉터 기판(A3) 상에 전사층 패턴(39a)을 형성할 수 있다.
도 6는 도 2b, 3b 및 5b의 일부영역(P)을 확대하여 나타낸 단면도로서, 상기 억셉터 기판(A1, A2, A3)이 유기전계발광소자 기판인 경우를 나타낸다.
도 6를 기판(100) 상의 소정영역에 반도체층(120)이 위치한다. 상기 반도체층(120)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 반도체층(120) 상에 게이트 절연막(125)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(125) 상에 상기 반도체층(120)과 중첩하는 게이트 전극(130)이 위치한다. 상기 게이트 전극(130) 상에 상기 반도체층(120) 및 상기 게이트 전극(130)을 덮는 제 1 층간절연막(135)이 위치한다. 상기 제 1 층간절연막(135) 상에 상기 제 1 층간절연막(135) 및 상기 게이트 절연막(125)을 관통하여 상기 반도체층(120)의 양 단부과 각각 접속하는 드레인 전극(141) 및 소오스 전극(143)이 위치한다. 상기 반도체층(120), 상기 게이트 전극(130) 및 상기 소오스/드레인 전극들(141, 143)은 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 소오스/드레인 전극들(141, 143) 상에 상기 소오스/드레인 전극들(141, 143)을 덮는 제 2 층간절연막(150)이 위치한다. 상기 제 2 층간절연막(150)은 상기 박막트랜지스터(T)를 보호하기 위한 패시베이션막 및/또는 상기 박막트랜지스터로 인한 단차를 완화하기 위한 평탄화막을 구비할 수 있다. 상기 제 2 층간절연막(150) 상에 상기 제 2 층간절연막(150)을 관통하여 상기 드레인 전극(141)과 접속하는 화소전극(155)이 위치한다. 상기 화소전극(155)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)막 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)막일 수 있다. 상기 화소전극(155) 상에 상기 화소전극의 일부를 노출시키는 개구부(160a)를 갖는 화소정의막(pixel defining layer, 160)이 위치할 수 있다.
상기 개구부(160a) 내에 노출된 화소전극(155) 상에 상기 도너 기판(도 2b의 D1, 도 3b의 D2, 도 5b의 D3)으로부터 전사된 전사층 패턴(19a, 29a, 39a)이 위치한다. 상기 전사층 패턴(19a, 29a, 39a)은 유기발광층일 수 있다. 나아가, 상기 전사층 패턴(19a, 29a, 39a)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 한층을 더욱 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 레이저 빔의 폭을 정밀하게 제어하지 않으면서도 미세한 전사층 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.

Claims (33)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층; 및
    상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 개재되고, 광-열 변환에 의해 열이 발생되는 열-발생영역과 상기 열-발생영역에 인접하는 열-비발생영역을 구비하는 선택적 열발생 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴을 구비하며, 상기 광-열 변환층 패턴은 상기 열-발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열변환층 패턴의 측부에 노출된 베이스 기판 상에 위치하는 반사막을 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반사막은 상기 광-열변환층 패턴을 덮는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체와 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열변환층 패턴을 덮는 반사막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 리세스된 영역(recessed region)을 구비하고,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 리세스된 영역에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴을 구비하며, 상기 광-열 변환층 패턴은 상기 열-발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열 변환층 패턴 및 상기 베이스 기판 상에 위치하는 반사막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체와 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열 변환층 패턴 및 상기 베이스 기판 상에 위치하는 반사막을 더 구비하고, 상기 반사막을 구비하는 선택적 열발생 구조체와 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 반사막 패턴 및 상기 반사막 패턴을 덮는 광-열변환층을 구비하며, 상기 반사막 패턴은 상기 열-비발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열변환층 상에 위치하는 반사막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체와 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 광-열변환층 상에 위치하는 반사막을 더 구비하고, 상기 반사막을 구비하는 선택적 열발생 구조체와 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  15. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층(LTHC) 패턴; 및
    상기 광-열 변환층 패턴 상에 위치하는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 광-열변환층 패턴의 측부에 노출된 베이스 기판 상에 위치하는 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 반사막은 상기 광-열변환층 패턴을 덮는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 광-열변환층 패턴과 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 광-열변환층 패턴을 덮는 반사막; 및
    상기 반사막 및 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 리세스된 영역을 구비하고,
    상기 광-열 변환층 패턴은 상기 리세스된 영역 내에 선택적으로 위치하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층 패턴 및 상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 개재된 반사막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층 패턴 및 상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층 패턴 및 상기 베이스 기판 상에 위치하는 반사막; 및 상기 반사막 및 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  24. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 반사막 패턴과 상기 반사막 패턴을 덮는 광-열변환층; 및
    상기 광-열변환층 상에 위치하는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 광-열변환층과 상기 전사층 사이에 개재된 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 광-열변환층과 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 광-열변환층 상에 위치하는 반사막; 및 상기 반사막과 상기 전사층 사이에 개재된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  28. 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층; 및 상기 베이스 기판과 상기 전사층 사이에 개재되고, 광-열 변환에 의해 열이 발생되는 열-발생영역과 상기 열-발생영역에 인접하는 열-비발생영역을 구비하는 선택적 열발생 구조체를 갖는 도너 기판을 준비하고,
    적어도 화소전극을 구비하는 억셉터 기판 상에 상기 도너 기판의 전사층이 상기 억셉터 기판을 바라보도록 위치시키고,
    상기 도너 기판 상에 적어도 상기 열-발생영역보다 폭이 큰 레이저 빔을 조사하여 상기 억셉터 기판의 화소전극 상에 전사층 패턴을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴을 구비하며, 상기 광-열 변환층 패턴은 상기 열-발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 리세스된 영역(recessed region)을 구비하고,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 리세스된 영역에 선택적으로 위치하는 광-열 변환층 패턴을 구비하며, 상기 광-열 변환층 패턴은 상기 열-발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 선택적 열발생 구조체는 상기 베이스 기판의 일 영역 상에 선택적으로 위치하는 반사막 패턴 및 상기 반사막 패턴을 덮는 광-열변환층을 구비하며, 상기 반사막 패턴은 상기 열-비발생영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 전사층 패턴은 발광층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 전사층 패턴은 정공수송층, 정공주입층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기전 계발광표시장치의 제조방법.
KR20040083744A 2004-10-19 2004-10-19 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 KR100667069B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040083744A KR100667069B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
US11/247,278 US7674749B2 (en) 2004-10-19 2005-10-12 Donor substrate and fabrication method of organic light emitting display using the same
JP2005299226A JP4492878B2 (ja) 2004-10-19 2005-10-13 ドナー基板，有機電界発光表示装置の製造方法
EP20070101379 EP1787822B1 (en) 2004-10-19 2005-10-13 Donor substrate
EP20050109540 EP1650046B1 (en) 2004-10-19 2005-10-13 Donor substrate and fabrication method for organic light emitting display using the same
CN200510113840XA CN1769066B (zh) 2004-10-19 2005-10-19 供体基板及利用其制造有机发光显示器的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040083744A KR100667069B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060034575A KR20060034575A (ko) 2006-04-24
KR100667069B1 true KR100667069B1 (ko) 2007-01-10

Family

ID=35482285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20040083744A KR100667069B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7674749B2 (ko)
EP (2) EP1787822B1 (ko)
JP (1) JP4492878B2 (ko)
KR (1) KR100667069B1 (ko)
CN (1) CN1769066B (ko)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006309995A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 転写用基板および表示装置の製造方法ならびに表示装置
KR100759685B1 (ko) * 2005-09-08 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 전사부재 및 이를 이용한 발광소자 및발광소자의 제조방법
JP4449890B2 (ja) * 2005-11-21 2010-04-14 ソニー株式会社 転写用基板および転写方法ならびに表示装置の製造方法
JP5013048B2 (ja) 2006-04-06 2012-08-29 ソニー株式会社 赤色有機発光素子およびこれを備えた表示装置
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
US7994021B2 (en) * 2006-07-28 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2008235010A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sony Corp 表示装置の製造方法
US8367152B2 (en) * 2007-04-27 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device
KR20090028413A (ko) * 2007-09-13 2009-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법 및 증착용 기판
US8153201B2 (en) 2007-10-23 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate
KR20090041314A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판 및 발광장치의 제조방법
US8425974B2 (en) * 2007-11-29 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
WO2009099002A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing light-emitting device
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5416987B2 (ja) * 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5079722B2 (ja) * 2008-03-07 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) * 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US7932112B2 (en) * 2008-04-14 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5159689B2 (ja) * 2008-04-25 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8182633B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a flexible display device
KR101629637B1 (ko) * 2008-05-29 2016-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법 및 발광장치의 제조방법
US7919340B2 (en) * 2008-06-04 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5469950B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8486736B2 (en) * 2008-10-20 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101639786B1 (ko) * 2009-01-14 2016-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법
JP5143064B2 (ja) * 2009-03-17 2013-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5258666B2 (ja) * 2009-04-22 2013-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法および成膜用基板
JP5323784B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-23 フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 微細構造を製造するための方法及び装置
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
KR101030028B1 (ko) * 2009-11-30 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 열전사 방법, 그를 이용한 유기막 패터닝 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법
EP2509396A1 (en) 2009-12-03 2012-10-10 Toray Industries, Inc. Donor substrate, patterning method, and method for producing device
TWI409176B (zh) * 2010-12-31 2013-09-21 E Ink Holdings Inc 電熱轉印裝置以及電熱轉印方法
KR20130007092A (ko) * 2011-06-29 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP5093392B2 (ja) * 2011-09-08 2012-12-12 ソニー株式会社 ドナー基板およびこれを用いた転写方法、表示装置の製造方法、並びに表示装置の製造システム
DE102011082939B4 (de) * 2011-09-19 2015-11-26 Von Ardenne Gmbh Transfermaske und Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske
DE102011082956B4 (de) * 2011-09-19 2015-10-15 Von Ardenne Gmbh Transfermasken zur lokalen Bedampfung von Substraten und Verfahren zu deren Herstellung
KR102000044B1 (ko) * 2012-11-06 2019-07-16 엘지디스플레이 주식회사 레이저 열 전사 필름 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법
KR20140102518A (ko) * 2013-02-14 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 도너 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102081209B1 (ko) * 2013-03-26 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트
KR20140118534A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
KR20140129784A (ko) * 2013-04-30 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 열전사용 도너 기판, 레이저 열전사 방법 및 레이저 열전사 방법을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20140139853A (ko) 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
DE102013111785A1 (de) * 2013-10-25 2015-04-30 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
TWI636896B (zh) * 2013-10-30 2018-10-01 荷蘭Ｔｎｏ自然科學組織公司 用以在基材上形成圖案化結構之方法與系統
KR20150056112A (ko) * 2013-11-14 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101975289B1 (ko) * 2016-10-28 2019-05-07 주식회사 다원시스 유기 발광 소자의 제조 시스템 및 제조 방법
CN108242454B (zh) * 2016-12-23 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR101921304B1 (ko) * 2017-07-03 2018-11-23 한국생산기술연구원 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법, 이를 통한 전사방법, 및 전사 장치
KR102180071B1 (ko) 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
KR20200115749A (ko) * 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN114072722B (zh) * 2020-03-30 2024-04-16 京东方科技集团股份有限公司 背光模组和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980051814A (ko) * 1996-12-23 1998-09-25 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
KR20000005446A (ko) * 1996-04-15 2000-01-25 스프레이그 로버트 월터 중간층을 갖는 레이저 어드레서블 열전사 이미지 소자
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ素子製造用ドナーフィルムおよび有機ｅｌ素子用基板
KR20030077646A (ko) * 2001-03-01 2003-10-01 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 유기 물질의 열적 영상화 방법 및 제품
KR20040015188A (ko) * 2001-04-27 2004-02-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 유기 전자 디스플레이 및 장치용 배향된 물질의 열 전송방법
KR20040054474A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사법을 사용하는 저분자 풀칼라 유기 전계 발광소자용 도너 필름 및 그 필름을 사용하는 저분자 풀칼라유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998085A (en) 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
US5937272A (en) 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US5851709A (en) * 1997-10-31 1998-12-22 Eastman Kodak Company Method for selective transfer of a color organic layer
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
US6228555B1 (en) * 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6890627B2 (en) * 2002-08-02 2005-05-10 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer from a donor element containing a hole-transporting layer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000005446A (ko) * 1996-04-15 2000-01-25 스프레이그 로버트 월터 중간층을 갖는 레이저 어드레서블 열전사 이미지 소자
KR19980051814A (ko) * 1996-12-23 1998-09-25 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
KR20030077646A (ko) * 2001-03-01 2003-10-01 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 유기 물질의 열적 영상화 방법 및 제품
KR20040015188A (ko) * 2001-04-27 2004-02-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 유기 전자 디스플레이 및 장치용 배향된 물질의 열 전송방법
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ素子製造用ドナーフィルムおよび有機ｅｌ素子用基板
KR20040054474A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사법을 사용하는 저분자 풀칼라 유기 전계 발광소자용 도너 필름 및 그 필름을 사용하는 저분자 풀칼라유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020000005446
1020030077646

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006123546A (ja) 2006-05-18
EP1787822A3 (en) 2007-05-30
CN1769066B (zh) 2012-02-15
US20060084006A1 (en) 2006-04-20
EP1787822B1 (en) 2012-12-19
CN1769066A (zh) 2006-05-10
EP1787822A2 (en) 2007-05-23
EP1650046B1 (en) 2012-12-19
US7674749B2 (en) 2010-03-09
JP4492878B2 (ja) 2010-06-30
KR20060034575A (ko) 2006-04-24
EP1650046A1 (en) 2006-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100667069B1 (ko) 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
EP1685746B1 (en) Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including a color conversion element
JP4690187B2 (ja) 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP4535387B2 (ja) ドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法
US9918370B2 (en) Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer
KR100921285B1 (ko) 표시 장치
KR102097443B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20060082292A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100692359B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
KR100762686B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20070004551A (ko) 색필터를 포함하는 전자발광소자의 제조 방법
KR100579186B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR100841364B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20150135720A (ko) 도너마스크 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법
KR102180647B1 (ko) 광학 마스크
KR20100136728A (ko) 다중 전사 가능한 전사기판 및 이를 이용하는 전사방법
JP2008270271A (ja) ドナー基板およびドナー基板の作製方法
CN114038864A (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板
CN111785767A (zh) 镜面显示装置及其制作方法
KR100635571B1 (ko) 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR20160046169A (ko) 광학 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191223

Year of fee payment: 14