CN114038864A - 显示基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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CN114038864A CN202111402871.2A CN202111402871A CN114038864A CN 114038864 A CN114038864 A CN 114038864A CN 202111402871 A CN202111402871 A CN 202111402871A CN 114038864 A CN114038864 A CN 114038864A
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黄勇潮
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract

公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域。其中，显示基板包括：衬底，包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区；设置于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层；覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。本公开提供的显示基板及其制作方法、显示面板，能够提高显示面板的出光效率。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板的出光效率越来越受到重视。但是，相关技术中，存在显示面板的出光效率较低的问题。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示面板。
为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：
一方面，提供了一种显示基板。显示基板包括：衬底、薄膜晶体管阵列层和覆盖层。衬底包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区；薄膜晶体管阵列层设置于所述衬底上。覆盖层覆盖所述薄膜晶体管阵列层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部。所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。
在一些实施例中，所述显示基板应用于顶发射显示面板；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，小于所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的平均间距。
在一些实施例中，所述显示基板应用于底发射显示面板；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，大于所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的平均间距。
在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述薄膜晶体管阵列层与所述覆盖层之间的彩膜层，所述彩膜层包括第一滤光部、第二滤光部、第三滤光部和白色滤光部；所述覆盖层的材料复用为所述白色滤光部。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层包括源漏金属层、以及覆盖所述源漏金属层的钝化层；所述钝化层开设有贯穿所述钝化层的第一过孔，所述第一过孔暴露所述源漏金属层；所述覆盖层开设有贯穿所述覆盖层的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔连通。
在一些实施例中，所述第二覆盖部的表面与所述第一覆盖部的表面相接的部分是坡面，具有第一坡度角；所述第二过孔远离所述衬底一端的开口大于所述第二过孔靠近所述衬底一端的开口，所述第二过孔具有第二坡度角；所述第二坡度角大于所述第一坡度角。
在一些实施例中，所述第二坡度角为50°～70°，所述第一坡度角为15°～30°。
在一些实施例中，所述第二覆盖部的表面为拱形面。
在一些实施例中，所述显示基板应用于顶发射显示面板，所述第一覆盖部的厚度小于所述第二覆盖部的厚度；或者，所述显示基板应用于底发射显示面板，所述第一覆盖部的厚度大于所述第二覆盖部的厚度。
在一些实施例中，所述第二覆盖部包围所述第一覆盖部设置。或者，所述第一覆盖部的形状为矩形；所述第二覆盖部设置于相邻两个所述第一覆盖部的长边之间；和/或，所述第二覆盖部设置于相邻两个所述第一覆盖部的短边之间。
又一方面，提供一种显示面板。显示面板包括：如上所述的显示基板和发光器件。发光器件设置于所述显示基板上，所述发光器件包括反射电极和发光层。其中，所述反射电极包括位于像素区的主体部、以及位于边缘区的反射部；所述反射部向靠近所述发光层的方向凸起，将传播至所述边缘区的光线反射至所述像素区。
在一些实施例中，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层开设有多个开口，每个开口用于确定一个像素区；所述像素界定层位于所述边缘区内。
在一些实施例中，所述显示面板为顶发射显示面板，所述反射电极位于所述发光层靠近所述衬底的一侧，所述反射部的边缘向靠近所述衬底的方向延伸；或者，所述显示面板为底发射显示面板，所述反射电极位于所述发光层远离所述衬底的一侧，所述反射部的边缘向远离所述衬底的方向延伸。
又一方面，提供了一种显示面板的制作方法。显示面板的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区。在所述衬底上形成薄膜晶体管阵列层。形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部。所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。
在一些实施例中，形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，包括：沉积覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦材料层。利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述边缘区的平坦材料、去除所述像素区的部分平坦材料，形成覆盖层；或者，沉积覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦材料层；利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述像素区的平坦材料、去除所述边缘区的部分平坦材料，形成覆盖层。
本公开实施例所提供的显示基板，将位于像素区的第一覆盖部的表面与衬底之间间距，和位于边缘区的第二覆盖部的表面与衬底之间间距设计为不等，使得覆盖层的表面提供一个不平坦的表面，后续在覆盖层上形成的发光器件的各个膜层的形状均与覆盖层表面的形状相同，使得后续形成的发光器件中的反射电极能够将传播至边缘区的光线反射至像素区，提高显示面板的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为一种显示装置的俯视图；
图2为沿图1中A-A’线形成的剖视图；
图3A为根据本公开的一些实施例的显示面板的一种剖视图；
图3B为图3A中K区域的放大图；
图4A为根据本公开的一些实施例的显示面板的另一种剖视图；
图4B为图4A中F区域的放大图；
图5为根据本公开的一些实施例的显示装置的一种剖视图；
图6为根据本公开的一些实施例的显示装置的另一种剖视图；
图7A～图7G为根据本公开的一些实施例的第一覆盖部和第二覆盖部的位置关系图；
图8A为根据本公开的一些实施例的彩膜层和覆盖层在一阶段下的结构图；
图8B为根据本公开的一些实施例的彩膜层和覆盖层在另一阶段下的结构图；
图9为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的一种流程图；
图10为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图；
图11A为根据本公开的一些实施例的覆盖层在曝光过程中与半曝光掩膜版的位置关系图；
图11B为根据本公开的一些实施例的覆盖层在刻蚀后的结构图；
图12A为根据本公开的一些实施例的覆盖层在曝光过程中与半曝光掩膜版的位置关系图；
图12B为根据本公开的一些实施例的覆盖层在刻蚀后的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，使用了“电连接”的表达。例如，描述一些实施例时使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有电接触。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
如本文所使用的那样，“大致”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
随着OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的迅速发展，全面屏、窄边框、高分辨率、大尺寸等成为未来OLED的重要发展方向。
图1为一种显示装置00的俯视图；图2为沿图1中A-A’线形成的局部剖视图。在一些实施例中，如图2所示，显示装置00的显示基板10包括衬底01、以及依次设置于所述衬底01上的薄膜晶体管阵列层02、平坦层03、发光器件04和封装层05。其中，平坦层03覆盖薄膜晶体管阵列层02，并为发光器件04提供平坦的制作表面，以使后续形成的多个发光器件04处于同一平面。
然而，本公开发明人经研究发现：上述显示装置00中各发光器件04射出的光线容易传播至相邻发光器件04之间的边缘区，从而被位于边缘区内的黑矩阵等吸光材料吸收，导致发光器件04射出的光线较少，存在显示装置00出光效率低的问题。
基于此，如图3A和图4A所示，本公开的一些实施例提供一种显示面板100，应用于显示装置1000，如图5和图6所示。显示装置1000可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置1000为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)或液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)或电泳显示(Electrophoretic Displays，EPD，EPD)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
本公开的示例性实施例中以OLED显示装置进行说明，但应当认为并不限于OLED显示装置。在一些实施例中，如图5和图6所示，显示装置1000的主要结构包括依次设置的显示面板100、触控结构500、抗反射结构例如偏光片600、第一光学胶(Optically ClearAdhesive，简称OCA)层710和盖板800。在一些实施例中，抗反射结构可以包括彩色滤光片和黑矩阵。
其中，显示面板100包括显示基板200和用于封装显示基板200的封装层300。此处，封装层300可以为封装薄膜，也可以为封装基板。
在一些实施例中，如图5所示，触控结构500直接设置在封装层300上，这样可以将显示基板200视作触控结构500的衬底基板，这种结构有利于实现显示装置的轻薄化。
在一些实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层，也可以为至少一层有机层和至少一层无机层的堆叠结构。在一些实施例中，抗反射结构可以形成在封装层300中，起到抗反射作用，同时可以进一步降低显示装置的厚度。
在另一些实施例中，如图6所示，显示面板100的触控结构500设置在衬底基板400上，衬底基板400通过第二光学胶层720贴附在封装层300上。衬底基板400的材料例如可以是聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称COP)等。
如图3A～图6所示，上述的显示基板200的每个子像素包括设置在衬底210上的发光器件230和驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管221。发光器件231包括阳极231、发光层232以及阴极233，阳极231和驱动电路的多个薄膜晶体管221中作为驱动晶体管的薄膜晶体管221的漏极电连接。
在一些实施例中，阳极231和驱动电路的多个薄膜晶体管221中作为驱动晶体管的薄膜晶体管221的漏极电连接时，还通过一个转接电极进行电连接，转接电极位于漏极所在膜层和阳极所在膜层之间。
显示基板200还包括像素界定层240，像素界定层240包括多个开口240A，一个发光器件230对应一个开口240A设置。
在一些实施例中，发光器件230包括发光层232。在另一些实施例中，发光器件230除包括发光层232外，还包括电子传输层(Election Transporting Layer，简称ETL)、电子注入层(Election Injection Layer，简称EIL)、空穴传输层(Hole Transporting Layer，简称HTL)以及空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)中的一层或多层。
如图3A～图6所示，显示基板200还包括设置在薄膜晶体管221和阳极231之间的至少一层覆盖层250。在一些实施例中，覆盖层250上还包括至少一层钝化层。
当显示装置为电致发光显示装置时，显示装置可以是顶发射型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极231呈不透明，远离衬底210的阴极233呈透明或半透明；显示装置也可以是底发射型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极231呈透明或半透明，远离衬底210的阴极233呈不透明；显示装置也可以为双面发光型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极231和远离衬底210的阴极233均呈透明或半透明。
如图3A和图4A所示，本公开的一些实施例提供一种显示基板200，包括：衬底210、薄膜晶体管阵列层220和覆盖层250。
衬底210，包括多个像素区Ⅰ和相邻像素区Ⅰ之间的边缘区Ⅱ；
薄膜晶体管阵列层220设置于衬底210上；
覆盖层250覆盖薄膜晶体管阵列层220，覆盖层250包括位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251、以及位于边缘区Ⅱ的第二覆盖部251；第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，和第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距不等；第一覆盖部251的表面和第二覆盖部252的表面均属于覆盖层250远离衬底210一侧的表面。
上述衬底210可以为有机衬底，也可以为无机衬底。衬底210的材料可以是聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称COP)、玻璃衬底等，此处不作限定。
上述薄膜晶体管阵列层220包括多个薄膜晶体管221，其中，薄膜晶体管221可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。在显示基板200应用的显示装置1000为顶发射型显示装置时，薄膜晶体管221可以为顶栅型薄膜晶体管；在显示装置1000为底发射型显示装置时，薄膜晶体管221可以为底栅型薄膜晶体管。
如图7A～图7E所示，上述像素区Ⅰ和边缘区Ⅱ均处于显示基板200的显示区域AA(又称有效显示区，英文名称为Active Area)内。上述像素区Ⅰ可以是显示面板100中像素界定层240的出光口240A所处的区域，多个像素区Ⅰ阵列分布于显示区域内，边缘区Ⅱ位于相邻像素区Ⅰ之间。
上述覆盖层250包括位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251、以及位于边缘区Ⅱ的第二覆盖部252。在一些实施例中，第二覆盖层252可以是包围第一覆盖部251设置，如图7A所示。第二覆盖层252也可以是设置于第一覆盖部251的至少一侧，以第一覆盖部251的形状为矩形为例：第二覆盖层252可以设置于第一覆盖部251的相对两侧，如图7B所示；或者，第二覆盖层252可以设置于靠近第一覆盖部251的一端角的两侧，如图7C所示；或者，第二覆盖层252可以设置于第一覆盖部251的三侧，如图7D所示；或者，第二覆盖层252可以设置于第一覆盖部251的四侧，如图7E所示，图7E与图7A的区别在于图7E中的第二覆盖层252之间没有相互连接。当然，第二覆盖层252也可以只设置于第一覆盖部251的一侧，如图7F和图7G所示，此处不作限定。其中，图7F为第二覆盖部252设置于相邻两个第一覆盖部251的长边之间，图7G为第二覆盖部252设置于相邻两个第一覆盖部251的短边之间。
另外，覆盖层250还可以包括位于显示区域之外的覆盖部，位于显示区域之外的覆盖部远离衬底210一侧的表面可以是平面，也可以是与衬底210间距不等的表面，此处不作限定。
覆盖层250可以是由树脂材料等有机材料制作得到，由于有机材料具备流动性，覆盖层250在初次成形后覆盖层250远离衬底210一侧的表面大致平坦。在初次成型后，可以再利用半曝光掩膜版对覆盖层250进行曝光，显影后刻蚀以去除像素区Ⅰ或边缘区Ⅱ中的部分平坦材料，得到第一覆盖部251的表面与衬底210间距与第二覆盖部252的表面与衬底210间距不等的结构。如图3A和图4A所示，图3A和图4A中第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距为d1，第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距为d2，d1≠d2。
需要说明的是，由于薄膜晶体管阵列层220远离衬底210一侧的表面，并不是平面。因此，第一覆盖部251靠近衬底210一侧的表面和第二覆盖部252靠近衬底210一侧的表面，可以不在同一表面。
如图3A和图4A所示，显示面板100中形成于覆盖层250上的是发光器件230，又由于发光器件230中各个功能层均为采用沉积工艺形成的均匀膜厚的功能层，即功能层在各个位置的厚度均相等。示例性地，阳极231、发光层232和阴极233均是均匀膜厚的功能层。因此，发光器件230中各功能层的形态会与功能层所处位置的覆盖层250远离衬底210一侧的表面的形态相同。
示例性地，第一覆盖部分251的表面与衬底210之间的间距小于第二覆盖部分252的表面与衬底210之间的间距，则同一功能层中位于像素区Ⅰ的部分1与衬底210之间的间距小于位于边缘区Ⅱ的部分2与衬底210之间的间距。另外，第二覆盖部分252的表面为拱形面，则功能层中位于边缘区Ⅱ的部分为与拱形面相同弧度的拱形结构。
如图5所示，在显示装置1000为顶发射型显示装置的情况下，阴极233为透射电极，阳极231为反射电极；如图6所示，在显示装置1000为底发射型显示装置的情况下，阳极231为透射电极，阴极233为反射电极。上述透射电极采用透明材料或半透明半反射材料制作，例如透明ITO等；上述反射电极采用金属材料制作，例如银Ag、铝Al等。
综上所述，本公开的一些实施例提供的显示基板，通过将覆盖层250中第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距d1，和第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距d2设计为不等的结构，能够使得后续在覆盖层250上形成的发光器件230中的反射电极发生相应的形态变化，使得反射电极位于边缘区Ⅱ的部分能够将传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，使得发光器件230的出光效率提升，进而提升显示装置1000的发光效率。
在一些实施例中，如图3A和图3B所示，显示基板200应用于顶发射显示面板100；
第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，小于第二覆盖部251的表面与衬底210之间的平均间距。
上述顶发射显示面板100是指发光器件230射出的光线，向远离衬底210方向传播，实现显示面板100的显示。由于光线的传播路径没有经过薄膜晶体管阵列层220，因此不会被薄膜晶体管阵列层220中的反射材料阻挡，具有较高的开口率。
通过将第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，小于第二覆盖部251的表面与衬底210之间的平均间距的设计，能够使得后续在覆盖层250上形成的阳极231(反射电极)在边缘区Ⅱ的反射部231A相对于在像素区Ⅰ的发光部分231B向远离衬底210的方向凸起。从图3B可以看出，凸起的反射部231A能够将传播至边缘区Ⅱ的光线(附图中有箭头的粗黑线表示光线，箭头表示光线的传播方向)反射回像素区Ⅰ，使得发光器件230的出光效率提升，进而提升显示装置1000的发光效率。
在一些实施例中，如图4A所示，显示基板200应用于底发射显示面板100；
第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，大于第二覆盖部252的表面与衬底210之间的平均间距。
上述底发射显示面板100是指发光器件230射出的光线，向靠近衬底210方向传播，实现显示面板100的显示。底发射显示面板100的光线的传播路径部分经过薄膜晶体管阵列层220。
通过将第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，大于第二覆盖部252的表面与衬底210之间的平均间距的设计，能够使得后续在覆盖层250上形成的阴极233(反射电极)在边缘区Ⅱ的反射部233A相对于在像素区Ⅰ的发光部分233B向靠近衬底210的方向凸起。从图4B中可以看出，凸起的反射部233A能够将传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，使得发光器件230的出光效率提升，进而提升显示装置1000的发光效率。
在一些实施例中，如图8A和图8B所示，显示基板200还包括位于薄膜晶体管阵列层220与覆盖层250之间的彩膜层260，彩膜层260包括第一滤光部261、第二滤光部262、第三滤光部263和白色滤光部264；覆盖层250的材料复用为白色滤光部264。
在底发射显示面板100中，发光器件230发出的光可以为白色光，白色光通过彩膜层260中多个颜色的滤光部转换为彩色光，进而实现显示面板100的全彩显示。
在一些实施例中，如图8A所示，在薄膜晶体管阵列层220上形成第一滤光部261、第二滤光部262和第三滤光部263，其中，第一滤光部261位于第一滤光区R，第二滤光部262位于第二滤光区G，第三滤光部263位于第三滤光区B。之后，利用平坦化材料覆盖第一滤光部261、第二滤光部262和第三滤光部263，并在白色滤光区W形成白色滤光部264。由于平坦化材料的流动性，平坦化材料能够在各个滤光区形成平整的表面，即第一滤光区R、第二滤光区G和第三滤光区B中滤光部和平坦化材料的厚度等于白色滤光区W中平坦化材料的厚度。
然而，由于有机溶剂的挥发损失与有机溶剂的厚度成正比，即白色滤光区W中平坦化材料的挥发量大于其他滤光区(R\G\B)中平坦化材料的挥发量，导致挥发后覆盖层250在白色滤光区W的高度，低于覆盖层250在其他滤光区的高度，白色滤光区W与其他滤光区交界的边缘形成凹陷70A，如图8B所示。图8B中的凹陷70A会造成像素区Ⅰ边缘光线发散，从而降低发光器件230的出光效率。
在上述一些实施例中，通过对覆盖层250的形貌进行改进，使得第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，大于第二覆盖部252的表面与衬底210之间的平均间距，如图4A所示，能够克服白色滤光区与其他滤光区交界的边缘形成的凹陷，进而消除凹陷所引发的问题，使得在覆盖层250上形成的阴极233(反射电极)在边缘区Ⅱ的反射部233A相对于在像素区Ⅰ的发光部分233B向靠近衬底210的方向凸起。凸起的反射部233A能够将传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，使得发光器件230的出光效率提升，进而提升显示装置1000的发光效率。
在一些实施例中，如图3A和图4A所示，薄膜晶体管阵列层220包括源漏金属层2215、以及覆盖源漏金属层2215的钝化层2216；钝化层2216开设有贯穿钝化层2216的第一过孔H1，第一过孔H1暴露源漏金属层2215；
覆盖层250开设有贯穿覆盖层250的第二过孔H2，第一过孔H1与第二过孔H2连通。
薄膜晶体管221包括在衬底210上依次设置的有源层2211、栅极绝缘层2212、栅极2213、层间绝缘层2214、穿过层间绝缘层2214且与有源层2211相连的源漏金属层2215、以及覆盖源漏金属层2215的钝化层2216。
其中，第一过孔H1和第二过孔H2连通，使得后续在覆盖层250上制作的阳极231能够穿过第一过孔H1和第二过孔H2，与薄膜晶体管221的源漏金属层2215相连，从而实现驱动电路的多个薄膜晶体管221中作为驱动晶体管的薄膜晶体管221的漏极与阳极231电连接。
在一些实施例中，如图3A和图4A所示，上述薄膜晶体管阵列层220中薄膜晶体管221的有源层2211采用铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)材料。由于IGZO材料的功函为3.4eV左右，易收到光照影响而导致薄膜晶体管221的阈值电压Vth发生负偏。
在上述一些实施例中，通过上述第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，和第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距不等的设计，使得反射电极将传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，能够减少或避免光线从边缘区Ⅱ传播至有源层2211，减轻或消除薄膜晶体管221因有源层2211受到光照而出现的阈值电压Vth负偏现象，从而提高薄膜晶体管221的稳定性。
在一些实施例中，如图3B和图4B所示，第二覆盖部252的表面与第一覆盖部251的表面相接的部分是坡面，具有第一坡度角α；
第二过孔H2远离衬底210一端的开口大于第二过孔H2靠近衬底210一端的开口，第二过孔H2具有第二坡度角β；
第二坡度角β大于第一坡度角α。
第一覆盖部251的表面与衬底210的间距，与第二覆盖部252的表面不等，从而第一覆盖部251的表面与第二覆盖部252的表面相接的部分具有不平坦的坡面，具有第一坡度角α。
贯穿覆盖层250的第二过孔H2可以是在曝光、显影后刻蚀得到的，第二过孔H2远离衬底210一端的开口大于第二过孔H2靠近衬底210一端的开口，第二过孔H2的侧壁与覆盖层250的平面方向形成第二坡度角β。
第二坡度角β大于第一坡度角α。
在一些实施例中，第二坡度角β为50°～70°，第一坡度角α为15°～30°。示例性地，第二坡度角β可以为50°、54°、59°、62°、66.6°或70°。第一坡度角α可以为15°、18°、20.6°、24°、26.8°、29.3°或30°。
在一些实施例中，第二覆盖部252的表面为拱形面。使得后续在边缘区Ⅱ中形成的反射电极的形状也为拱形结构。
其中，反射电极分为两种情况，第一种情况反射电极为整层结构，这种情况下反射电极位于边缘区Ⅱ内的反射部为完整的拱形结构，如图4A和图4B所示；第二种情况下反射电极为图案化结构，这种情况下反射电极位于边缘区Ⅱ内的反射部不完整，反射部在边缘区Ⅱ内沿拱形方向延伸，如图3A和图3B所示。
拱形的反射部具有多个反射方向的反射位置，能够增加光线反射的角度，提升发光器件230的出光效率。
在一些实施例中，显示基板应用于顶发射显示面板，第一覆盖部251的厚度小于第二覆盖部252的厚度；或者，
显示基板应用于底发射显示面板，第一覆盖部251的厚度大于第二覆盖部252的厚度。
如图3A和图4A所示，显示面板100中包括多个无机层和有机层。无机层可以采用沉积工艺制备得到，无机层的厚度约为150nm～2000nm，例如：薄膜晶体管阵列层220中的栅极2213和源漏金属层2215、以及发光器件230中阳极231的厚度为200nm～1000nm；封装层250中无机层的厚度为150nm～500nm。有机层可以采用涂胶、喷墨打印等工艺制备得到，有机层的厚度约为1.5μm～5μm，例如：像素界定层240的厚度为1.8μm～2.0μm；彩膜层260和覆盖层250的厚度为2.0μm～3.5μm。
可以看出，显示面板100中一层有机层的厚度远远大于一层无机层的厚度。因此，即使覆盖层250靠近衬底210一侧的表面由于下方无机层图案不同造成不是平面，但是由于显示面板100中无机层的厚度较薄，因此对于覆盖层250厚度的影响较小。
在显示基板200应用于顶发射显示面板100的情况下，将位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251的厚度设计为小于位于边缘区Ⅱ的第二覆盖部252的厚度，由于上述已说明覆盖层250靠近衬底210一侧表面的不平整对于厚度影响较小，从而相当于：第二覆盖部252的表面的高度高于第一覆盖部251的表面的高度，即第二覆盖部252的表面与衬底210的间距大于第一覆盖部251的表面与衬底210的间距。
在显示基板200应用于底发射显示面板100的情况下，将位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251的厚度设计为大于位于边缘区Ⅱ的第二覆盖部252的厚度，由于上述已说明覆盖层250靠近衬底210一侧表面的不平整对于厚度影响较小，从而相当于：第二覆盖部252的表面的高度低于第一覆盖部251的表面的高度，即第二覆盖部252的表面与衬底210的间距小于第一覆盖部251的表面与衬底210的间距。
请参阅图3A和图4A所示，本公开一些实施例提供一种显示面板100，包括：如上所述的显示基板200和发光器件230。
发光器件230设置于显示基板200上，发光器件230包括反射电极234和发光层232；
其中，反射电极234包括位于像素区Ⅰ的主体部2341、以及位于边缘区Ⅱ的反射部2342；反射部2341向靠近发光层232的方向凸起，将传播至边缘区Ⅱ的光线反射至像素区Ⅰ。
如图3A和图4A所示，显示面板100中发光器件230形成于覆盖层250上，又由于发光器件230中各个功能层均为采用沉积工艺形成的均匀膜厚的功能层，即功能层在各个位置的厚度均相等。示例性地，阳极231、发光层232和阴极233均是均匀膜厚的功能层。因此，发光器件230中各功能层的形态会与功能层所处位置的覆盖层250远离衬底210一侧的表面的形态相同。
示例性地，第一覆盖部分251的表面与衬底210之间的间距小于第二覆盖部分252的表面与衬底210之间的间距，则功能层中位于像素区Ⅰ的部分与衬底210之间的间距小于功能层中位于边缘区Ⅱ的部分与衬底210之间的间距。另外，第二覆盖部分252的表面为拱形面，则功能层中位于边缘区Ⅱ的部分为与拱形面相同弧度的拱形结构。拱形的反射部具有多个反射方向的反射位置，能够增加光线反射的角度，提升发光器件230的出光效率。
如图5所示，在显示装置1000为顶发射型显示装置的情况下，阴极233为透射电极，阳极231为反射电极234。如图6所示，在显示装置1000为底发射型显示装置的情况下，阳极231为透射电极，阴极233为反射电极234。
上述透射电极位于光线传播方向上，因此采用透明材料或半透明半反射材料制作，例如透明ITO等，光线能够穿过透射电极进行传播。
上述反射电极位于光线传播边界，采用金属材料制作，例如银Ag、铝Al等，反射电极234用于对发光层232发出的光线进行反射，从而确保顶发射显示面板100中的光线向远离衬底210的方向传播，或者确保底发射显示面板100中的光线向靠近衬底210的方向传播。
如图3A和图4A所示，反射电极234的主体部2341位于像素区Ⅰ内，用于与透射电极配合产生电场，驱动阳极231中的空穴和阴极233中的电子在发光层232中复合，从而使发光层232发出光线。
反射电极234的反射部2342位于边缘区Ⅱ内，用于对从传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，提高像素区Ⅰ的出光量，从而提高发光器件230的出光效率。
在一些实施例中，显示面板100还包括像素界定层240，像素界定层240开设有多个开口240A，每个开口240A用于确定一个像素区Ⅰ；像素界定层240位于边缘区Ⅱ内。
像素界定层240的结构类似网格状，由挡墙围成多个开口240A，一个开口240A被配置为确定一个像素区Ⅰ，多个开口240A之间像素界定层240位于多个像素区Ⅰ之间的边缘区Ⅱ内。
反射电极234位于开口240A内的部分即为主体部2341，发光层232所发出的光线穿过开口240A，得到发光器件230的发光区。像素界定层240中被配置为同一颜色的像素区Ⅰ的多个开口240A可以是同一形状，被配置为不同颜色的像素区Ⅰ的开口240A可以是不同形状。
在一些实施例中，如图3A和图3B所示，显示面板100为顶发射显示面板，反射电极234位于发光层232靠近衬底210的一侧，反射电极234的边缘向靠近衬底210的方向延伸。
如图3B所示，在显示面板100为顶发射型显示面板的情况下，阴极233为透射电极，阳极231为反射电极234。位于边缘区Ⅱ的反射部2342自边缘区Ⅱ的中心向边缘区Ⅱ的边缘向靠近衬底210的方向延伸。
在一些实施例中，如图4A和图4B所示，显示面板100为底发射显示面板，反射电极234位于发光层232远离衬底210的一侧，反射电极234的边缘向远离衬底210的方向延伸。
如图4B所示，在显示装置1000为底发射型显示装置的情况下，阳极231为透射电极，阴极233为反射电极234。位于边缘区Ⅱ的反射部2342自边缘区Ⅱ的中心向边缘区Ⅱ的边缘向远离衬底210的方向延伸。
请参阅图9，本公开的一些实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：
步骤91：提供衬底，所述衬底包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区；
步骤92：在所述衬底上形成薄膜晶体管阵列层；
步骤93：形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。
如图3A和图4A所示，上述衬底210可以为50μm～1000μm厚的透明玻璃、或石英玻璃，在显示面板100为柔性显示面板时，衬底210还可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等有机材料制作的柔性衬底，此处不作限定。衬底210可以为50μm、90μm、230μm、368.8μm、500μm、666μm、773μm、888.8μm、920μm或1000μm。
在一些实施例中，在衬底210与薄膜晶体管阵列层220之间，还可以利用喷溅工艺(sputter)沉积金属材料制作遮光层270，用于遮挡外界光线，以减少或避免光线照射至有源层2211，减轻或消除薄膜晶体管221因有源层2211受到光照而出现的阈值电压Vth负偏现象，从而提高薄膜晶体管221的稳定性。
在一些实施例中，还可以利用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)工艺沉积缓冲材料，形成覆盖遮光层270的缓冲层。缓冲材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一种，其中，缓冲层可以是单层结构，也可以是多层结构。在缓冲层为多层结构的情况下，不同层的缓冲材料可以相同，也可以不同。
缓冲层的厚度可以为150nm～500nm，例如：150nm、155nm、190nm、260.7nm、300nm、468.8nm或500nm。
上述薄膜晶体管阵列层220包括在衬底210上依次形成的有源层2211、栅极绝缘层2212、栅极2213、层间绝缘层2214、穿过层间绝缘层2214且与有源层2211相连的源漏金属层2215、以及覆盖源漏金属层2215的钝化层2216。
其中，有源层2211：可以利用sputter设备在衬底210上沉积有源材料层，并对所述有源材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到。其中，有源材料层可以是氧化物，例如：铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氮氧化锌ZnON、氧化铟锡锌ITZO等非晶氧化物。在显示面板100包括遮光层270的情况下，遮光层270在衬底210上的正投影覆盖有源层2211在衬底210上的正投影。
栅极绝缘层2212和栅极2213：可以利用气相沉积法(Chemical VaporDeposition，CVD)沉积栅极绝缘材料层。之后，可以利用sputter设备沉积覆盖栅极绝缘层2212的栅极材料层，并对所述栅极材料层进行曝光、显影定义出栅极2213后保留光刻胶，继续以栅极2213上的光刻胶为掩膜刻蚀，得到栅极绝缘层2212。
栅极2213的厚度可以为200nm～1000nm，栅极材料可以为铝Al、钼Mo、铬Cr、铜Cu、钛Ti等金属。
在一些实施例中，在形成栅极绝缘层2212和栅极2213之后，还可以利用导体化气体对有源层2211中暴露在外的部分进行导体化处理，以降低后续源漏金属层2215与有源层2211之间的欧姆接触电阻。导体化气体可以是氨气NH3、氮气N2和氢气H2中的至少一种气体。
层间绝缘层2214：可以利用PECVD工艺沉积覆盖有源层2211、栅极绝缘层2212和栅极2213的层间绝缘材料层，并对所述层间绝缘材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到。其中，层间绝缘层2214在刻蚀中开设有暴露有源层2211的第一通孔；另外，在显示面板100包括遮光层270的情况下，层间绝缘层2214和缓冲层还可以共同包括暴露遮光层270的第二通孔。
层间绝缘层2214可以为单层或多层结构，层间绝缘材料可以是氮化硅，也可以是氧化硅。在层间绝缘层2214为多层结构的情况下，不同层的层间绝缘材料可以相同，也可以不同。
源漏金属层2215：可以利用sputter工艺沉积覆盖层间绝缘层2214的源漏金属材料层，并对所述源漏金属材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到。源漏金属层2215可以通过第一通孔与有源层2211相连，还可以通过第二通孔与遮光层270相连。
源漏金属层2215的厚度可以为200nm～1000nm，源漏金属材料可以为铝Al、钼Mo、铬Cr、铜Cu、钛Ti等金属。
钝化层2216：可以通过CVD工艺沉积覆盖源漏金属层2215和层间绝缘层2214的钝化材料层，并对所述钝化材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到。其中，钝化层2216在刻蚀中开设有暴露源漏金属层2215的第一过孔H1。钝化材料可以为二氧化硅SiO2。
在一些实施例中，显示面板100为底发射显示面板，底发射显示面板可以在形成钝化层2216之后，在钝化层2216上分别形成多种颜色滤光部，即每次在一种颜色的像素区形成对应颜色的滤光部，重复多次得到多种颜色的滤光部，如图8A和图8B所示。
以形成一种颜色的滤光部为例：采用平铺移动涂胶(Slit)方法制作一种颜色的彩膜材料，经过前烘、曝光和显影后露出固化的彩膜图形，经过230℃后烘去除水和有机溶剂，得到一种颜色的滤光部。该滤光部可以为第一滤光部261、第二滤光部262和第三滤光部263中的任一者，滤光部的厚度可以为2.0μm～3.5μm。
在形成薄膜晶体管阵列层220之后，在薄膜晶体管阵列层220上制作得到覆盖层250。覆盖层250包括位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251、以及位于边缘区Ⅱ的第二覆盖部252；第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距，和第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距不等；第一覆盖部251的表面和第二覆盖部252的表面均属于覆盖层250远离衬底210一侧的表面。
另外，覆盖层250还包括贯穿覆盖层250的第二通孔H2，第二通孔H2与钝化层2216的第一通孔H1连通，从而暴露源漏金属层2215，以便后续制作的阳极231穿过第二通孔H2和第一通孔H1，与源漏金属层2215连接。
在形成覆盖层250之后，可以采用sputter工艺沉积阳极材料层，并对所述阳极材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到阳极231。其中，阳极231的厚度可以为200nm～1000nm。在一些实施例中，显示面板100为底发射显示面板，阳极231为透射电极的情况下，阳极材料可以为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO等。
在形成阳极231之后，可以利用平铺移动涂胶(Slit)方法制作像素界定材料层，经过前烘、曝光和显影后露出固化的像素区图形，经230℃后烘去除水和有机溶剂，得到像素界定层240。像素界定层240包括多个开口240A，一个开口240确定一个像素区。像素界定层240的厚度可以为1.8μm～2.0μm。
在形成像素界定层240之后，可以利用蒸镀工艺，依次形成位于开口240A内的发光层232、以及覆盖发光层232和像素界定层240的阴极233。
在形成阴极233之后，可以利用CVD工艺沉积封装层300，形成显示面板100。其中，封装层300可以是单层无机结构，覆盖多个发光器件230；也可以是多层结构，封装层300为多层结构时，封装层300可以包括两层无机膜以及设置于两层无机膜之间的一层有机膜。
其中，上述无机膜的材料为无机材料，例如氮氧化物，无机膜是具有均匀膜厚的薄膜，用于阻隔外界水氧，以防止水氧侵蚀发光层232。上述有机膜的材料为有机材料，具有流动性，有机膜是具有平坦表面、膜厚不均匀的薄膜。
在一些实施例中，如图10所示，步骤93：形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，包括：
步骤931：沉积覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦材料层；
步骤932：利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述边缘区的平坦材料、去除所述像素区的部分平坦材料，形成覆盖层；或者，步骤933：利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述像素区的平坦材料、去除所述边缘区的部分平坦材料，形成覆盖层。
可以利用平铺移动涂胶(Slit)方法制作覆盖钝化层2216的平坦化材料层，上述平坦化材料可以是树脂等有机材料。
在一些实施例中，在利用半曝光掩膜工艺前，还可以对平坦化材料层进行前烘、曝光、显影，以露出固化的像素区图形，并经230℃后烘去除平坦化材料层中的水和有机溶剂，得到平坦化过渡层。后续半曝光掩膜工艺针对平坦化过渡层进行制作，得到覆盖层250。
示例性地，显示面板100为顶发射显示面板，在形成平坦化材料层250’后，在平坦化材料层250’上涂覆正性光刻胶891；之后，利用半曝光掩膜版88遮挡边缘区Ⅱ、半曝光像素区Ⅰ、以及暴露第二过孔区Ⅲ，如图11A所示。曝光完成后，通过显影、刻蚀以保留边缘区Ⅱ的平坦材料、去除像素区Ⅰ的部分平坦材料、去除第二过孔区Ⅲ的全部平坦材料，形成覆盖层250。如图11B所示，该覆盖层250位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251的高度低于位于边缘区Ⅱ第二覆盖部252的高度，同时还开设有连通第一过孔的第二过孔H2。
示例性地，显示面板100为底发射显示面板，在形成平坦化材料层250’后，在平坦化材料层250’上涂覆负性光刻胶892；之后，利用半曝光掩膜版88半曝光边缘区Ⅱ、曝光像素区Ⅰ、以及遮挡第二过孔区Ⅲ，如图12A所示。曝光完成后，通过显影、刻蚀以保留像素区Ⅰ的平坦材料、去除边缘区Ⅱ的部分平坦材料、去除第二过孔区Ⅲ的全部平坦材料，形成覆盖层250。如图12B所示，该覆盖层250位于像素区Ⅰ的第一覆盖部251的高度高于位于边缘区Ⅱ第二覆盖部252的高度，同时还开设有连通第一过孔的第二过孔H2。
需要说明的是，上述两种方式中分别使用了正性光刻胶和负性光刻胶，但均只是举例说明，顶发射显示面板的方案中通过改变半曝光掩膜版的曝光位置后也可以使用负性光刻胶；同样的，底发射显示面板的方案中通过改变半曝光掩膜版的曝光位置后也可以使用正性光刻胶。无论使用哪种光刻胶和半曝光掩膜版，制作后得到的覆盖层250不变。
综上所述，本公开的一些实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置，通过将覆盖层250中第一覆盖部251的表面与衬底210之间的间距d1，和第二覆盖部252的表面与衬底210之间的间距d2设计为不等的结构，能够使得后续在覆盖层250上形成的发光器件230中的反射电极发生相应的形态变化，使得反射电极位于边缘区Ⅱ的部分能够将传播至边缘区Ⅱ的光线反射回像素区Ⅰ，使得发光器件230的出光效率提升，进而提升显示装置1000的发光效率。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底，包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区；
设置于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层；
覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板应用于顶发射显示面板；
所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，小于所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的平均间距。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板应用于底发射显示面板；
所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，大于所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的平均间距。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述薄膜晶体管阵列层与所述覆盖层之间的彩膜层，所述彩膜层包括第一滤光部、第二滤光部、第三滤光部和白色滤光部；所述覆盖层的材料复用为所述白色滤光部。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括源漏金属层、以及覆盖所述源漏金属层的钝化层；所述钝化层开设有贯穿所述钝化层的第一过孔，所述第一过孔暴露所述源漏金属层；
所述覆盖层开设有贯穿所述覆盖层的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔连通。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二覆盖部的表面与所述第一覆盖部的表面相接的部分是坡面，具有第一坡度角；
所述第二过孔远离所述衬底一端的开口大于所述第二过孔靠近所述衬底一端的开口，所述第二过孔具有第二坡度角；
所述第二坡度角大于所述第一坡度角。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二坡度角为50°～70°，所述第一坡度角为15°～30°。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二覆盖部的表面为拱形面。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板应用于顶发射显示面板，所述第一覆盖部的厚度小于所述第二覆盖部的厚度；或者，
所述显示基板应用于底发射显示面板，所述第一覆盖部的厚度大于所述第二覆盖部的厚度。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二覆盖部包围所述第一覆盖部设置；
或者，所述第一覆盖部的形状为矩形；所述第二覆盖部设置于相邻两个所述第一覆盖部的长边之间；和/或，所述第二覆盖部设置于相邻两个所述第一覆盖部的短边之间。
11.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1～10中任一项所述的显示基板；
设置于所述显示基板上的发光器件，所述发光器件包括反射电极和发光层；
其中，所述反射电极包括位于像素区的主体部、以及位于边缘区的反射部；所述反射部向靠近所述发光层的方向凸起，将传播至所述边缘区的光线反射至所述像素区。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层开设有多个开口，每个开口用于确定一个像素区；所述像素界定层位于所述边缘区内。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为顶发射显示面板，所述反射电极位于所述发光层靠近所述衬底的一侧，所述反射部的边缘向靠近所述衬底的方向延伸；或者，
所述显示面板为底发射显示面板，所述反射电极位于所述发光层远离所述衬底的一侧，所述反射部的边缘向远离所述衬底的方向延伸。
14.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括多个像素区和相邻像素区之间的边缘区；
在所述衬底上形成薄膜晶体管阵列层；
形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，所述覆盖层包括位于所述像素区的第一覆盖部、以及位于所述边缘区的第二覆盖部；所述第一覆盖部的表面与所述衬底之间的间距，和所述第二覆盖部的表面与所述衬底之间的间距不等；所述第一覆盖部的表面和所述第二覆盖部的表面均属于所述覆盖层远离所述衬底一侧的表面。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成覆盖所述薄膜晶体管阵列层的覆盖层，包括：
沉积覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦材料层；利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述边缘区的平坦材料、去除所述像素区的部分平坦材料，形成覆盖层；或者，
沉积覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦材料层；利用半色调掩膜工艺对所述平坦化材料层进行曝光、显影和刻蚀，以保留所述像素区的平坦材料、去除所述边缘区的部分平坦材料，形成覆盖层。
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