CN116581130B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括衬底基板及依次设置于衬底基板上的驱动阵列层及平坦化层，驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，显示面板还包括位于驱动阵列层与平坦化层之间的调光层，调光层包括与多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面，调光层的折射率与平坦化层的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线能够避开薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。本申请可以最大程度降低外界环境光进入薄膜晶体管器件的内部，避免TFT的阈值电压出现负偏问题，提高显示效果。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来，随着消费者对显示技术的新需求提高，有机电致发光二极管(OrganicLightEmitting Diode，简称OLED)显示面板因具有自发光、低功耗、响应快、轻薄柔韧及有害蓝光低等特点被开发，商业化进入手机、显示器和电视等行业并逐步成为主流方向。OLED自发光主要通过类似“三明治”结构实现，即两个电极之间夹着有机发光层，该有机发光层通过两电极间的电子和空穴迁移至发光层复合释放能量并传递给有机发光层中的物质分子，使其发生能级跃迁辐射而产生光的现象。
在OLED的显示背板中，有机发光层的驱动电路包括多个薄膜晶体管TFT，TFT通常会受到上方OLED器件及外界环境光的影响，光照产生的光生载流子及氧空位电离钉扎在费米能级附近，造成TFT的阈值电压负偏严重，影响显示面板的显示效果。
发明内容
本申请旨在提供一种显示面板及其制备方法、显示面板，其可以最大程度降低外界环境光进入薄膜晶体管器件的内部，避免TFT的阈值电压出现负偏问题，提高显示效果。
第一方面，本申请实施例提出了一种显示面板，包括衬底基板及依次设置于衬底基板上的驱动阵列层及平坦化层，驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，显示面板还包括位于驱动阵列层与平坦化层之间的调光层，调光层包括与多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面，调光层的折射率与平坦化层的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线能够避开薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。
在一种可能的实施方式中，弧形凹面的半径为R，调光层上表面与栅极上表面之间的距离为h1，源漏极朝向栅极一侧的边缘对应于弧形凹面的点与栅极的上表面之间的距离为h2，弧形凹面的深度为Δh，栅极的长度的一半为L1，源漏极靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离为L2，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线的出射角大于θ4，且满足如下条件：
其中，x1＝L2-L1，L2<R。
在一种可能的实施方式中，栅极的长度的一半L1的取值范围为1.5μm～6μm，源漏极靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离L2的取值范围为2μm～20μm，调光层上表面与栅极上表面之间的距离h1的取值范围为2μm～6μm，弧形凹面的半径R的取值范围为2μm～20μm，弧形凹面的深度Δh的取值范围为0～3μm。
在一种可能的实施方式中，外界环境光透过弧形凹面时的入射角为θ2，平坦化层的折射率为n1，调光层的折射率为n2，且满足如下条件：
n2≤n1*sinθ2/sinθ4，sinθ2＝L2/R。
在一种可能的实施方式中，平坦化层的折射率n1的取值范围为1～5；调光层的折射率n2的取值范围为1～5，且n2＜n1。
在一种可能的实施方式中，薄膜晶体管为双栅晶体管，其还包括依次形成于衬底基板上的底栅、缓冲层及有源层，底栅在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影。
在一种可能的实施方式中，平坦化层背离衬底基板的一侧设置有阵列分布的多个第一电极；显示面板还包括位于平坦化层背离衬底基板的一侧的像素限定层及发光功能层，像素限定层包括像素开口，像素开口暴露第一电极的至少部分，发光功能层包括多个发光结构和第二电极层，发光结构位于第一电极的出光侧，第二电极层位于发光结构背离第一电极的一侧；第一电极在衬底基板上的正投影与弧形凹面在衬底基板上的正投影互不交叠。
第二方面，本申请实施例提出了一种如前所述的显示面板的制备方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成图案化的驱动阵列层，驱动阵列层包括多个薄膜晶体管；采用半色调掩膜工艺在驱动阵列层上沉积形成图案化的调光层，调光层包括与多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面；在调光层上沉积平坦化层，调光层的折射率与平坦化层的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线能够避开薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。
在一种可能的实施方式中，在平坦化层上沉积形成图案化的第一电极，第一电极在衬底基板上的正投影与弧形凹面在衬底基板上的正投影互不交叠。
在一种可能的实施方式中，制备方法还包括：在平坦化层和第一电极上沉积形成像素限定层，像素限定层包括像素开口，像素开口暴露第一电极的至少部分；在像素限定层上蒸镀形成发光功能层，发光功能层包括多个发光结构和第二电极层，发光结构位于第一电极的出光侧，第二电极层位于发光结构背离第一电极的一侧。
本申请实施例提供的显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底基板及依次设置于衬底基板上的驱动阵列层及平坦化层，驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，显示面板还包括位于驱动阵列层与平坦化层之间的调光层，调光层包括与多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面，调光层的折射率与平坦化层的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线能够避开薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。由此，通过在驱动阵列层及平坦化层之间的调光层设置与多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面，且调光层的折射率与平坦化层的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面时的出射光线能够避开薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域，可以最大程度降低外界环境光进入薄膜晶体管器件的内部，避免光照产生的光生载流子及氧空位电离钉扎在费米能级附近造成TFT的阈值电压负偏问题，提高显示效果。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出相关技术中外界环境光对显示面板的TFT造成影响的光路示意图；
图2示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3示出图2所示的显示面板的局部放大结构示意图；
图4示出图2中调光层与TFT的光路示意图；
图5示出本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图。
附图标记说明：
1、显示面板；10、衬底基板；11、驱动阵列层；12、平坦化层；13、调光层；131、弧形凹面；14、第一电极；
T、薄膜晶体管；G、栅极；SD、源漏极；GT、底栅；B、缓冲层；ACT、有源层；
15、像素限定层；151、像素开口；16、发光功能层；161、发光结构；162、第二电极层；17、封装层。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
如图1所示，相关技术中，OLED显示面板的驱动阵列层11设置有多个薄膜晶体管T，薄膜晶体管T通常会受到其上方的发光元件及外界环境光的影响，光照产生的光生载流子及氧空位电离钉扎在费米能级附近，造成TFT的阈值电压负偏严重，影响显示面板的显示效果。
为此，本申请实施例提出了一种显示面板，其可以最大程度降低外界环境光进入薄膜晶体管器件的内部，避免TFT的阈值电压出现负偏问题，提高显示效果。
如图2所示，本申请实施例提供的显示面板1，显示面板1可以为底发射OLED显示面板，也可以为顶发射OLED显示面板。
显示面板1包括衬底基板10及依次设置于衬底基板10上的驱动阵列层11及平坦化层12，驱动阵列层11包括多个薄膜晶体管T，显示面板还包括位于驱动阵列层11与平坦化层12之间的调光层13，调光层13包括与多个薄膜晶体管T一一对应的多个弧形凹面131，调光层13的折射率与平坦化层12的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面131时的出射光线能够避开薄膜晶体管T的栅极G边缘与源漏极SD边缘之间的区域。
由于调光层13的折射率与平坦化层12的折射率不同，根据折射定律，当光波从一种介质传播到另一种具有不同折射率的介质中时，会发生折射现象。由此，本实施例可以在调光层13设置多个弧形凹面131，通过设置合理的参数，使外界环境光在经过平坦化层12与调光层13的弧形凹面131之间的界面时的出射光线能够在到达薄膜晶体管T的栅极G或者源漏极SD时能够发生反射，并从出光方向出射，从而可以避开薄膜晶体管T的栅极G边缘与源漏极SD边缘之间的区域，即出射光线不能进入TFT中，防止光照产生的光生载流子及氧空位电离钉扎在费米能级附近而造成TFT的阈值电压负偏严重问题，有利于改善显示面板的显示效果。
下面结合附图进一步详细描述本申请实施例提供的显示面板的具体结构。
在一些示例中，如图3和图4所示，弧形凹面131的半径为R，调光层13上表面与栅极G上表面之间的距离为h1，源漏极SD朝向栅极G一侧的边缘对应于弧形凹面131的点与栅极G的上表面之间的距离为h2，弧形凹面131的深度为Δh，栅极G的长度的一半为L1，源漏极SD靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离为L2，外界环境光透过弧形凹面131时的出射光线的出射角大于θ4，可以使出射光线避开薄膜晶体管T的栅极G边缘与源漏极SD边缘之间的区域。
具体来说，如图4所示，出射光线刚好位于栅极G边缘时的出射角记为θ1’，由于入射光线刚好垂直于栅极G边缘，因此存在θ1＝θ1’，出射光线刚好位于源漏极SD边缘的情况不符合折射定律，故不做标记。从栅极G边缘垂直方向入射的光线，只需保证其出射光线的出射角大于θ1即可，即θ1’＞θ1，也即n2＜n1。
真正的极限情况体现在源漏极SD边缘的垂向入射光线，出射光线位于栅极G边缘的情况。沿源漏极SD靠近沟道一侧的边缘垂线对应的弧形凹面131上的点竖直入射的光线入射角记为θ2，出射光线刚好位于源漏极SD边缘的出射角记为θ2’，出射角位于栅极G边缘的出射角记为θ4，则θ2＝θ2’，需要保证其出射光线的出射角＞θ4。
以上为特定情形下的参数定义，其中可以进行调整的是折射率平坦化层12的折射率n1、调光层13的折射率n2、调光层13的厚度(转化为h1值)，弧形凹面131的半径为R以及弧形凹面131的深度Δh；而L1和L2值由薄膜晶体管T的器件设计参数决定，通常在显示面板内存在几种固定搭配；下面推算要达到减少入射光线效果时，折射率、厚度、曲率半径之间的关系。
如图4所示，sinθ2＝L2/R；
h2＝R(1-cosθ2)+h1-Δh，记x1＝L2-L1，
tanθ3＝(L2-L1)/h2＝x1/h2；
θ4＝θ2’+θ3＝θ2+θ3；
故
其中，x1＝L2-L1，L2<R。
当确定L1、L2、R、h1的数值后，即可得出出射光线的出射角的最小值θ4。
在一些示例中，栅极G的长度的一半L1的取值范围为1.5μm～6μm，源漏极SD靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离L2的取值范围为2μm～20μm，调光层13上表面与栅极G上表面之间的距离h1的取值范围为2μm～6μm，弧形凹面131的半径R的取值范围为2μm～20μm，弧形凹面131的深度Δh的取值范围为0～3μm。
以L1＝3μm，L2＝5μm，h1＝5μm，R＝10μm，Δh＝2μm为例，带入上述公式中，可以得出，θ4≈50°，即，入射角θ2＝30°时，出射光线的出射角大于50°。
在一些示例中，外界环境光透过弧形凹面131时的入射角为θ2，平坦化层12的折射率为n1，调光层13的折射率为n2，且满足如下条件：n2≤n1*sinθ2/sinθ4，sinθ2＝L2/R。
例如，L2＝5μm，R＝10μm，θ4＝50°，n1＝2，则n2≤1.3。
进一步地，平坦化层12的折射率n1的取值范围为1～5；调光层13的折射率n2的取值范围为1～5，且n2＜n1。平坦化层12和调光层13的材质可以为聚酰亚胺等有机材料。
由此，当确定薄膜晶体管T的栅极G的长度的一半为L1、源漏极SD靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离L2、调光层13上表面与栅极G上表面之间的距离h1、弧形凹面131的半径为R及其深度Δh后，即可得出入射角θ2对应的出射光线的出射角θ4的最小值；当确定平坦化层12的折射率n1后，即可根据入射角θ2、出射角θ4的最小值及折射率n1，确定调光层13的折射率n2的最大值，从而确保出射光线能够避开薄膜晶体管T的栅极G边缘与源漏极SD边缘之间的区域。
可选地，本申请中的薄膜晶体管T为单栅TFT，其采用非晶硅(a-Si)作为有源层或者沟道。可选地，本申请中的薄膜晶体管T为氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin-FilmTransistor，简称氧化物TFT)，其采用氧化物半导体作为有源层CT或者沟道，由于氧化物半导体的电子迁移率较高、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等，其理论导电性较好，故氧化物TFT器件适合用于对充放电控制要求苛刻的高分辨率、高刷新率的大尺寸显示装置中。
在一些实施例中，薄膜晶体管T为双栅晶体管，其还包括依次形成于衬底基板10上的底栅GT、缓冲层B及有源层ACT，底栅GT在衬底基板10上的正投影覆盖有源层ACT在衬底基板10上的正投影。
由于薄膜晶体管T对短波光非常敏感，有源层ACT与衬底基板10较近，很容易受到外界光源或者环境光的照射，而有源层ACT的光照稳定性较差。为此，本实施例中，在衬底基板10上沉积一层底栅GT，且底栅GT在衬底基板10上的正投影至少覆盖有源层ACT在衬底基板10上的正投影，可以避免光照对薄膜晶体管T的影响。
在一些实施例中，平坦化层12背离衬底基板10的一侧设置有阵列分布的多个第一电极14；显示面板还包括位于平坦化层12背离衬底基板10的一侧的像素限定层15及发光功能层16，像素限定层15包括像素开口151，像素开口151暴露第一电极14的至少部分，发光功能层16包括多个发光结构161和第二电极层162，发光结构161位于第一电极14的出光侧，第二电极层162位于发光结构161背离第一电极14的一侧；第一电极14在衬底基板10上的正投影与弧形凹面131在衬底基板10上的正投影互不交叠。
第一电极14通过曝光、显影、蚀刻等化学气相沉积的方式沉积于衬底基板10；平坦化层12可以采用有机材料制备，利用有机材料的流平性为第一电极14提供平坦的界面。
第一电极14、发光结构161和第二电极层162组成发光元件，每个发光元件的至少部分位于像素开口151内。另外，第一电极14和第二电极层162中的任一者为发光元件的阳极，另一者为发光元件的阴极。在一些示例中，多个发光元件可以分别为红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，其发光结构31的颜色分别为红色R、绿色G和蓝色B。在另一些示例中，多个发光元件还可以包括黄色发光元件或者白色发光元件等。
进一步地，像素开口151的截面形状为梯形，像素开口151暴露第一电极11的部分金属。像素开口151的侧壁具有坡度，发光功能层16通过蒸镀等方式形成于像素开口151的侧壁上。
可选地，发光功能层16的发光结构161包括第一载流子层、发光层和第二载流子层，第一载流子层包括位于第一电极14表面的空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)和空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)，第二载流子层包括位于发光层表面的电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron InjectionLayer，简称EIL)。发光元件在电场的作用下，第一电极14产生的空穴和第二电极层162产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层HTL和电子传输层ETL注入，迁移到发光结构161中。当二者在发光结构161中相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
可以理解的是，发光结构161的第一载流子层可以仅包括空穴注入层HIL或者空穴传输层HTL，相应地，第二载流子层可以仅包括电子传输层ETL或者电子注入层EIL，不再赘述。
由于弧形凹面131与薄膜晶体管T对应设置，第一电极14与发光单元对应，第一电极14在衬底基板10上的正投影与弧形凹面131在衬底基板10上的正投影互不交叠，可以确保金属走线等不会影响出光效果，提高透光率。
另外，如图2所示，显示面板还包括封装层17，封装层17位于第二电极层162背离衬底基板10的一侧。封装层17包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层为图案化的有机层，其具有较高的弹性，有机层夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以在提高整个封装层17的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。
如图5所示，本申请实施例还提出了一种如前所述的显示面板的制备方法，包括如下步骤S1～S4。
步骤S1：提供衬底基板10。衬底基板10的材质可以为玻璃或者聚酰亚胺PI与氧化硅SiOx的组合。
步骤S2：在衬底基板10上形成图案化的驱动阵列层11，驱动阵列层11包括多个薄膜晶体管T。
以双栅薄膜晶体管T为例，如图3所示，驱动阵列层11包括底栅GT、缓冲层B、有源层ACT、栅绝缘层、栅极G、层间绝缘层、源漏极SD及电容极板、钝化层等。
步骤S2中，在衬底基板10上形成图案化的驱动阵列层11具体包括：
步骤S21：在衬底基板10上沉积第一金属层，将第一金属层进行图案化处理，用作TFT的底栅GT以及可能的信号/数据线走线；
步骤S22：采用化学气相沉积法(CVD)沉积缓冲层B(SiOx或SiNx或两者组合)；然后沉积有源层ACT(a-Si、p-Si、IGZO及常见的半导体材料)，将ACT进行图案化处理；
步骤S23：采用化学气相沉积法沉积栅绝缘层，并进行图案化处理，对栅绝缘层及缓冲层B进行刻蚀，形成底栅GT与栅极G之间的接触孔；
步骤S24：采用物理气相沉积法(PVD)沉积第二金属层，并对第二金属层进行图案化处理，作为TFT的栅极G，同时利用第二金属层作为遮罩，对第二金属层遮盖区域以外栅绝缘层进行刻蚀及对有源层ACT进行导体化。
步骤S25：采用化学气相沉积法(CVD)沉积层间绝缘层，并图案化处理，形成源漏极SD与有源层ACT、源漏极SD与栅极G之间的接触孔；
步骤S26：采用物理气相沉积法(PVD)沉积第三金属层，并图案化处理，作为TFT的源漏极SD，同时形成电容极板；
步骤S26：采用物理气相沉积法(PVD)沉积钝化层，并图案化处理形成第一电极14与源漏极SD之间的接触孔。
步骤S3：采用半色调掩膜工艺在驱动阵列层11上沉积形成图案化的调光层13，调光层13包括与多个薄膜晶体管T一一对应的多个弧形凹面131。图案化处理调光层13时，可以同时形成第一电极14与源漏极SD之间的接触孔。
步骤S4：在调光层13上沉积平坦化层12，调光层13的折射率与平坦化层12的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面131时的出射光线能够避开薄膜晶体管T的栅极G边缘与源漏极SD边缘之间的区域。
平坦化层12做图案化处理时，可以同时形成第一电极14与源漏极SD之间的接触孔。
进一步地，制备方法还包括：
步骤S5：在平坦化层12上沉积形成图案化的第一电极14，第一电极14在衬底基板10上的正投影与弧形凹面131在衬底基板10上的正投影互不交叠。
进一步地，制备方法还包括：
步骤S6：在平坦化层12和第一电极14上沉积形成像素限定层15，像素限定层15包括像素开口151，像素开口151暴露第一电极14的至少部分；在像素限定层15上蒸镀形成发光功能层16，发光功能层16包括多个发光结构161和第二电极层162，发光结构161位于第一电极14的出光侧，第二电极层162位于发光结构161背离第一电极14的一侧。
需要说明的是，本申请中，图案化工艺可以包括光刻工艺，或者包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等工艺，可以根据本申请中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法，通过在驱动阵列层11及平坦化层12之间的调光层13设置与多个薄膜晶体管T一一对应的多个弧形凹面131，且调光层13的折射率与平坦化层14的折射率不同，外界环境光透过弧形凹面131时的出射光线能够避开薄膜晶体管T的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域，可以最大程度降低外界环境光进入薄膜晶体管器件的内部，避免光照产生的光生载流子及氧空位电离钉扎在费米能级附近造成TFT的阈值电压负偏问题，提高显示效果。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。驱动阵列层可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括衬底基板及依次设置于所述衬底基板上的驱动阵列层及平坦化层，所述驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，其特征在于，
所述显示面板还包括位于所述驱动阵列层与所述平坦化层之间的调光层，所述调光层包括与所述多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面，所述调光层的折射率与所述平坦化层的折射率不同，外界环境光透过所述弧形凹面时的出射光线能够避开所述薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述弧形凹面的半径为R，所述调光层上表面与所述栅极上表面之间的距离为h1，所述源漏极朝向所述栅极一侧的边缘对应于所述弧形凹面的点与所述栅极的上表面之间的距离为h2，所述弧形凹面的深度为Δh，所述栅极的长度的一半为L1，所述源漏极靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离为L2，外界环境光透过所述弧形凹面时的出射光线的出射角大于θ4，且满足如下条件：
其中，x1＝L2-L1，L2<R。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极的长度的一半L1的取值范围为1.5μm～6μm，所述源漏极靠近沟道一侧的边缘距离沟道中心的距离L2的取值范围为2μm～20μm，所述调光层上表面与所述栅极上表面之间的距离h1的取值范围为2μm～6μm，所述弧形凹面的半径R的取值范围为2μm～20μm，所述弧形凹面的深度Δh的取值范围为0～3μm。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，外界环境光透过所述弧形凹面时的入射角为θ2，所述平坦化层的折射率为n1，所述调光层的折射率为n2，且满足如下条件：n2≤n1*sinθ2/sinθ4，sinθ2＝L2/R。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层的折射率n1的取值范围为1～5；所述调光层的折射率n2的取值范围为1～5，且n2＜n1。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管为双栅晶体管，其还包括依次形成于所述衬底基板上的底栅、缓冲层及有源层，所述底栅在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧设置有阵列分布的多个第一电极；
所述显示面板还包括位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧的像素限定层及发光功能层，所述像素限定层包括所述像素开口，所述像素开口暴露所述第一电极的至少部分，所述发光功能层包括多个发光结构和第二电极层，所述发光结构位于所述第一电极的出光侧，所述第二电极层位于所述发光结构背离所述第一电极的一侧；
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述弧形凹面在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成图案化的驱动阵列层，所述驱动阵列层包括多个薄膜晶体管；
采用半色调掩膜工艺在所述驱动阵列层上沉积形成图案化的调光层，所述调光层包括与所述多个薄膜晶体管一一对应的多个弧形凹面；
在所述调光层上沉积平坦化层，所述调光层的折射率与所述平坦化层的折射率不同，外界环境光透过所述弧形凹面时的出射光线能够避开所述薄膜晶体管的栅极边缘与源漏极边缘之间的区域。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述平坦化层上沉积形成图案化的第一电极，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述弧形凹面在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述平坦化层和所述第一电极上沉积形成像素限定层，所述像素限定层包括所述像素开口，所述像素开口暴露所述第一电极的至少部分；
在所述像素限定层上蒸镀形成发光功能层，所述发光功能层包括多个发光结构和第二电极层，所述发光结构位于所述第一电极的出光侧，所述第二电极层位于所述发光结构背离所述第一电极的一侧。
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