CN115132941A - 显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种显示面板的制备方法及显示面板，该显示面板的制备方法包括：提供阵列基板，阵列基板包括多个遮光单元；在阵列基板上形成阵列分布的多个第一电极，第一电极为透光层，第一电极的截面形状为梯形，第一电极在阵列基板上的正投影覆盖遮光单元；在多个第一电极上涂覆负性光刻胶；从阵列基板的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，且像素开口暴露第一电极，像素开口的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极的厚度的增大而增大；在像素限定层远离阵列基板一侧形成发光功能层。该显示面板可以防止发光功能层在像素开口的爬坡处断线，提高产品良率，还可以减少一套光罩，降低制作成本。

Description

显示面板的制备方法及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
有机电致发光(OLED，Organic LightEmitting Diode)是由电能激发有机材料而发光的现象。在OLED显示面板中，像素限定层(PDL)一般为有机材料层，通过掩膜板(Mask)曝光、显影制备而成，用于限定像素区域、隔离像素，防止光学及电学串扰。PDL层具有多个像素开口，像素开口的侧壁一般具有坡度(taper)，然后在此基础上蒸镀发光功能层。由于发光功能层的厚度较薄，其在像素开口的侧壁上爬坡的过程中容易断线，形成难以修复的暗点，降低产品良率。
发明内容
本申请旨在提供一种显示面板的制备方法及显示面板，其可以防止发光功能层在像素开口的爬坡处断线，提高产品良率，还可以减少一套光罩，降低制作成本。
第一方面，本申请实施例提出了一种显示面板的制备方法，包括：提供阵列基板，阵列基板包括多个遮光单元；在阵列基板上形成阵列分布的多个第一电极，第一电极为透光层，第一电极的截面形状为梯形，第一电极在阵列基板上的正投影覆盖遮光单元；在多个第一电极上涂覆负性光刻胶；从阵列基板的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，且像素开口暴露第一电极，像素开口的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极的厚度的增大而增大；在像素限定层远离阵列基板一侧形成发光功能层。
在一种可能的实施方式中，第一电极的厚度与对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
在一种可能的实施方式中，第一电极的厚度范围为0.1μm～1μm，对应的像素开口的侧壁的坡度为10°～60°。
在一种可能的实施方式中，第一电极的厚度为0.5μm，对应的像素开口的侧壁的坡度为25°～30°。
在一种可能的实施方式中，第一电极的材质为氧化铟锡、氧化铟锌和镁中的任一者。
在一种可能的实施方式中，在阵列基板上形成阵列分布的多个第一电极之前，还包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成驱动阵列层，驱动阵列层包括多个遮光单元。
第二方面，本申请实施例提出了一种显示面板，包括阵列基板、依次形成于阵列基板上的多个第一电极、像素限定层及发光功能层，阵列基板包括多个遮光单元，像素限定层包括多个像素开口，且像素开口暴露第一电极，其中，第一电极为透光层，第一电极的截面形状为梯形，第一电极在阵列基板上的正投影覆盖遮光单元，像素开口的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极的厚度的增大而增大。
在一种可能的实施方式中，第一电极的厚度与对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
在一种可能的实施方式中，第一电极的厚度范围为0.1μm～1μm，对应的像素开口的侧壁的坡度为10°～60°。
在一种可能的实施方式中，阵列基板包括衬底基板和形成于衬底基板上的驱动阵列层，驱动阵列层包括多个遮光单元。
根据本申请实施例提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上形成阵列分布的多个第一电极，第一电极为透光层，第一电极的截面形状为梯形，第一电极在阵列基板上的正投影覆盖遮光单元；在多个第一电极上涂覆负性光刻胶；从阵列基板的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，且像素开口暴露第一电极，像素开口的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极的厚度的增大而增大，从而可以调整像素开口的侧壁的坡度大小，防止发光功能层在像素开口的爬坡处断线，提高产品良率。另外，与相关技术相比，该显示面板的制备方法可以减少一套制备像素限定层的光罩，减少曝光机设备的费用，从而可以节约制作成本。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图；
图2示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3示出图2所示的显示面板中发光功能层的结构示意图；
图4示出图2所示的显示面板中像素限定层的制备过程场景示意图；
图5示出图1所示的显示面板中第一电极与像素开口的坡度变化关系示意图。
附图标记说明：
1、阵列基板；10、衬底基板；11、第一电极；12、驱动阵列层；121、遮光单元；
2、像素限定层；21、像素开口；
3、发光功能层；31、发光结构；32、第二电极；311、第一载流子层；312、第二载流子层、313、发光层。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
图1示出本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图；图2示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；图3示出图2所示的显示面板中发光功能层的结构示意图；图4示出图2所示的显示面板中像素限定层的制备过程场景示意图。
如图1至图4所示，本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤S1～S5。具体如下：
步骤S1：提供阵列基板1，阵列基板1包括多个遮光单元121。步骤S2：在阵列基板1上形成阵列分布的多个第一电极11，第一电极11为透光层，第一电极11的截面形状为梯形，第一电极11在阵列基板1上的正投影覆盖遮光单元121。第一电极11可以通过物理气相沉积或者溅射沉积技术沉积到阵列基板1的表面，第一电极11的形状为梯形，且出光侧的边长大于靠近阵列基板1一侧的边长。
步骤S3：在多个第一电极11上涂覆负性光刻胶。光刻胶是一种有机化合物，根据光刻胶内交联反应与紫外线的关系，分为正性光刻胶和负性光刻胶。对于正性光刻胶，被紫外线照射的区域光刻胶发生交联分解反应，此部分可以溶解到显影液中；对于负性光刻胶，被紫外线照射的区域光刻胶发生交联分解反应，此部分难于溶解到显影液中。
步骤S4：从阵列基板1的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成像素限定层2，像素限定层2包括多个像素开口21，且像素开口21暴露第一电极11，其中，像素开口21的侧壁具有坡度，且坡度的倾斜角度随第一电极11的厚度的增大而增大。
如图4所示，本实施例中，在多个第一电极11上涂覆负性光刻胶，并从阵列基板1的背光侧照射负性光刻胶，使得多个遮光单元121及多个第一电极11相当于光罩(Mask)，其中第一电极11覆盖遮光单元121的区域为未曝光区域，未曝光区域的负性光刻胶将被显影液刻蚀掉，而第一电极11的边缘未覆盖遮光单元121的区域为曝光区域，曝光区域的负性光刻胶保留而形成图案化的像素限定层2。由于第一电极11的截面形状为梯形，且第一电极11为透光层，使得曝光区域的负性光刻胶随着第一电极11的两侧边缘的厚度变化而透光量也不同，从而使得曝光后保留下来的光刻胶形成具有坡度的多个像素开口21。
相关技术中，在阵列基板1的出光侧通过一套光罩(Mask)照射第一电极11上涂覆的负性光刻胶以制备像素限定层2，曝光对位时存在对位偏差导致像素开口21的偏移，使得像素限定层2与其他膜层之间具有一定的重叠(overlap)，造成像素开口率的损失，导致发光效率降低，亮度降低。
而本申请实施例中提供的显示面板的制备方法，通过在阵列基板1的背光侧照射第一电极11上涂覆的负性光刻胶，由于第一电极11为透光层，且第一电极11在阵列基板1上的正投影覆盖遮光单元121，多个第一电极11可以与多个遮光单元121共同作为光罩进行曝光，与相关技术相比，该制备方法可以减少一套制备像素限定层2的光罩，减少曝光机设备的费用，从而可以节约制作成本。另外，由于可以避免曝光对位时存在对位偏差导致像素开口21的偏移，还可以提高像素开口率，提升显示效果。
步骤S5：在像素限定层2远离阵列基板1一侧形成发光功能层3。
本申请实施例中，显示面板可以为底发射OLED显示面板，也可以为顶发射OLED显示面板。发光功能层3包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极32，第一电极11、发光结构31和第二电极32组成发光元件，每个发光元件的至少部分位于像素开口21内。另外，第一电极11和第二电极32中的任一者为发光元件的阳极，另一者为发光元件的阴极。为便于描述，本申请实施例以顶发射OLED显示面板、且第一电极11为发光元件的阳极为例进行说明。
进一步地，像素开口21的截面形状为梯形，像素开口21被第一电极11的金属走线包围环绕。像素开口21的侧壁具有坡度，即像素开口21的侧壁与阵列基板1所在的平面之间形成倾斜角度θ。发光功能层3通过蒸镀等方式形成于像素开口21的侧壁上，由于发光功能层3的厚度较薄，一般仅为10nm～30nm，其在像素开口21的侧壁上爬坡的过程中容易断线，形成难以修复的暗点，降低产品良率。
为此，本申请实施例中，可以在制备显示面板的过程中，根据第一电极11的厚度调整像素开口21的侧壁坡度，即第一电极11的厚度越大，第一电极11的两侧边缘的倾斜角度也越大，相应地曝光、显影后形成的像素开口21的侧壁坡度越大，通过多次调试确定第一电极11的厚度最佳值及像素开口21的侧壁坡度最佳值，防止在蒸镀发光功能层3时出现爬坡断线的问题。
如图2所示，在一些实施例中，多个发光元件可以分别为红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，其发光结构31的颜色分别为红色R、绿色G和蓝色B。在另一些实施例中，多个发光元件还可以包括黄色发光元件或者白色发光元件等。
如图3所示，在一些实施例中，发光功能层3的发光结构31包括第一载流子层311、发光层313和第二载流子层312，第一载流子层311包括位于第一电极11表面的空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)和空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)，第二载流子层312包括位于发光层313表面的电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。发光元件在电场的作用下，第一电极11产生的空穴和第二电极32产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层HTL和电子传输层ETL注入，迁移到发光结构31中。当二者在发光结构31中相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
可以理解的是，发光结构31的第一载流子层311可以仅包括空穴注入层HIL或者空穴传输层HTL，相应地，第二载流子层312可以仅包括电子传输层ETL或者电子注入层EIL，不再赘述。
根据本申请实施例提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板1上形成阵列分布的多个第一电极11，第一电极11为透光层，且第一电极11的截面形状为梯形，第一电极11在阵列基板1上的正投影覆盖遮光单元121；在多个第一电极11上涂覆负性光刻胶；从阵列基板1的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层2，像素限定层2包括多个像素开口21，且像素开口21暴露第一电极11，像素开口21的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极11的厚度的增大而增大，从而可以调整像素开口21的侧壁的坡度大小，防止发光功能层3在像素开口21的爬坡处断线，提高产品良率。另外，该显示面板的制备方法可以减少一套制备像素限定层2的光罩，减少曝光机设备的费用，从而可以节约制作成本。另外，由于可以避免曝光对位时存在对位偏差导致像素开口21的偏移，还可以提高像素开口率，提升显示效果。
在一些实施例中，第一电极11的材质为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和镁(Mg)中的任一者。氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和镁(Mg)均为透光导电材料，其透光率可以为80％～90％，甚至90％以上，便于曝光机设备从阵列基板1的背光侧照射进行曝光。
在一些实施例中，在步骤S1中，提供阵列基板1包括：
步骤S01：提供衬底基板10。衬底基板10的材质可以为玻璃，也可以为聚亚酰胺。
步骤S02：在衬底基板10上形成驱动阵列层12，驱动阵列层12包括多个遮光单元121。
在一个示例中，遮光单元121可以为像素电路，像素电路包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容，用于为发光元件供电。像素电路一般采用不透光的金属制作，例如钼Mo、铝Al、铜Cu、银Ag或者合金等。第一电极11在衬底基板10上的正投影面积大于像素电路在衬底基板10上的正投影面积，如此设置，可以使像素电路的金属和第一电极11共同形成像素限定层PDL的光罩，其中第一电极11覆盖像素电路的金属部分为未曝光区域，对应的负性光刻胶将被显影液刻蚀掉；第一电极11的边缘未覆盖像素电路的部分为曝光区域，曝光区域的负性光刻胶保留而形成图案化的像素限定层2的像素开口21。
另外，术语“像素电路”指驱动子像素发光的电路结构，该像素电路可以为2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。其中，“2T1C电路”指像素电路包括2个薄膜晶体管和1个电容，其它“7T1C电路”、“7T2C电路”、“9T1C电路”等依此类推。
在另一个示例中，遮光单元121还可以为遮光层，其中，遮光层在衬底基板10上的正投影覆盖薄膜晶体管TFT在衬底基板10上的正投影，遮光层用于防止像素电路中的薄膜晶体管TFT在被光照后产生光漏电流。
图5示出图1所示的显示面板中第一电极与像素开口的坡度变化关系示意图。
在一些实施例中，第一电极11的厚度与对应的像素开口21的侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
在一个示例中，如图5中的图a、b、c、d所示，第一电极11的整体厚度逐渐增大，像素开口的坡度θ越来越大。即第一电极11的厚度与像素开口的坡度之间的变化正相关，第一电极11的厚度越厚，其两侧边缘的倾斜角度也越大，相应地曝光、显影后形成的像素开口21的侧壁坡度越大，二者之间可以为正线性比例变化关系。在其它的示例中，第一电极11的厚度与对应的像素开口21的侧壁的坡度之间也可以为其他非线性比例关系，根据现场检测试验确定，不再赘述。
在一些实施例中，第一电极11的厚度范围为0.1μm～1μm，对应的像素开口21的侧壁坡度为10°～60°。
当第一电极11的厚度低于0.1μm时，无法导通较大的电流，影响使用寿命，相应地，像素开口21的侧壁坡度较低，像素开口21的占用面积较大，降低了显示面板的开口率。当第一电极11的厚度高于1μm时，制作成本较高，相应地，像素开口21的侧壁坡度较高，发光功能层3容易在爬坡处断线，且发光元件的发光面积也较小，影响显示面板的显示效果。因此，第一电极11的厚度范围为0.1μm～1μm时，可以使显示面板在开口率、显示效果、使用寿命以及成本之间获得平衡。
在一个示例中，第一电极11的厚度为0.5μm，对应的像素开口21的侧壁的坡度为25°～30°。此时显示面板在开口率、显示效果、使用寿命以及成本之间获得较佳的平衡。
在一些实施例中，制备方法还包括：在发光功能层3背离阵列基板1的一侧形成封装层(图中未示出)，封装层包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层均为透明的无机膜层，无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层为图案化的有机层，其具有较高的弹性，有机层夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以提高整个封装层的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。
需要说明的是，本申请中，图案化工艺可以包括光刻工艺，或者包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等工艺，可以根据本申请中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
另外，本申请实施例还提供了一种显示面板，采用如前所述的制备方法制备而成。
具体来说，如图2所示，显示面板包括阵列基板1、依次形成于阵列基板1上的多个第一电极11、像素限定层2及发光功能层3，阵列基板1包括多个遮光单元121，像素限定层2包括多个像素开口21，且像素开口21暴露第一电极11。其中，第一电极为透光层，第一电极11的截面形状为梯形，第一电极11在阵列基板1上的正投影覆盖遮光单元121，像素开口21的侧壁具有坡度，且坡度的倾斜角度随第一电极11的厚度的增大而增大。
在一些实施例中，第一电极11的厚度与对应的像素开口21的侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
在一个示例中，如图5中的图a、b、c、d所示，第一电极11的整体厚度逐渐增大，像素开口的坡度θ越来越大。即第一电极11的厚度与像素开口的坡度之间的变化正相关，第一电极11的厚度越厚，像素开口的坡度越大，二者之间可以为正线性比例变化关系。在其它的示例中，第一电极11的厚度与对应的像素开口21的侧壁的坡度之间也可以为二次抛物线变化关系，根据现场检测试验确定，不再赘述。
在一些实施例中，第一电极11的厚度范围为0.1μm～1μm，对应的像素开口21的侧壁的坡度为10°～60°。在一个示例中，第一电极11的厚度为0.5μm，对应的像素开口21的侧壁的坡度为30°。此时显示面板在开口率、显示效果、使用寿命以及成本之间获得较佳的平衡。
在一些实施例中，第一电极11的材质为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和镁(Mg)中的任一者。氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和镁(Mg)均为透光导电材料，通过物理气相沉积或者溅射沉积技术沉积到阵列基板1的表面。第一电极11的透光率可以为80％～90％，甚至90％以上，便于曝光机设备从阵列基板1的背光侧照射进行曝光。
在一些实施例中，发光功能层3包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极32，发光结构31包括第一载流子层311、发光层313和第二载流子层312，第一载流子层311包括位于第一电极11表面的空穴注入层和/或空穴传输层，第二载流子层312包括位于发光层313表面的电子传输层和/或电子注入层。
在一些实施例中，阵列基板1包括衬底基板10和形成于衬底基板10上的驱动阵列层12，驱动阵列层12包括多个遮光单元121。如此设置，可以使多个遮光单元121及多个第一电极11相当于光罩(Mask)，其中第一电极11覆盖遮光单元121的区域为未曝光区域，未曝光区域的负性光刻胶将被显影液刻蚀掉，而第一电极11的边缘未覆盖遮光单元121的区域为曝光区域，曝光区域的负性光刻胶保留而形成图案化的像素限定层2。由于第一电极11的截面形状为梯形，且第一电极11为透光层，使得曝光区域的负性光刻胶随着第一电极11的两侧边缘的厚度变化而透光量也不同，从而使得曝光后保留下来的光刻胶形成具有坡度的多个像素开口21。
根据本申请实施例提供的显示面板，通过在阵列基板1上形成阵列分布的多个第一电极11，第一电极11为透光层，且第一电极11的两侧边缘的厚度沿出光方向逐渐增大；在多个第一电极11上涂覆负性光刻胶；从阵列基板1的背光侧照射负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层2，像素限定层2包括多个像素开口21，且像素开口21暴露第一电极11，像素开口21的侧壁具有坡度，且坡度随第一电极11的厚度的增大而增大，从而可以调整像素开口21的侧壁的坡度大小，防止发光功能层3在像素开口21的爬坡处断线，提高产品良率。另外，该显示面板的制备方法可以减少一套制备像素限定层2的光罩，减少曝光机设备的费用，从而可以节约制作成本。另外，由于可以避免曝光对位时存在对位偏差导致像素开口21的偏移，还可以提高像素开口率，提升显示效果。
可以理解的是，本申请实施例的显示面板也可以是其它类似于OLED显示面板的以有源矩阵(Active Matrix，AM)方式驱动的自发光显示面板，不再赘述。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括多个遮光单元；
在所述阵列基板上形成阵列分布的多个第一电极，所述第一电极为透光层，所述第一电极的截面形状为梯形，所述第一电极在所述阵列基板上的正投影覆盖所述遮光单元；
在所述多个第一电极上涂覆负性光刻胶；
从所述阵列基板的背光侧照射所述负性光刻胶，并曝光、显影形成图案化的像素限定层，所述像素限定层包括多个像素开口，且所述像素开口暴露所述第一电极，所述像素开口的侧壁具有坡度，且所述坡度随所述第一电极的厚度的增大而增大；
在所述像素限定层远离所述阵列基板一侧形成发光功能层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的厚度与对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的厚度的取值范围为0.1μm～1μm，对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度为10°～60°。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的厚度为0.5μm，对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度为25°～30°。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材质为氧化铟锡、氧化铟锌和镁中的任一者。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供阵列基板包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成驱动阵列层，所述驱动阵列层包括所述多个遮光单元。
7.一种显示面板，包括阵列基板、依次形成于所述阵列基板上的多个第一电极、像素限定层及发光功能层，所述阵列基板包括多个遮光单元，所述像素限定层包括多个像素开口，且所述像素开口暴露所述第一电极，其特征在于：
所述第一电极为透光层，所述第一电极的截面形状为梯形，所述第一电极在所述阵列基板上的正投影覆盖所述遮光单元，所述像素开口的侧壁具有坡度，且所述坡度随所述第一电极的厚度的增大而增大。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极的厚度与对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度之间呈线性正比例关系。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极的厚度的取值范围为0.1μm～1μm，对应的所述像素开口的所述侧壁的坡度为10°～60°。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的驱动阵列层，所述驱动阵列层包括所述多个遮光单元。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116456770A (zh) * 2023-04-27 2023-07-18 惠科股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN116666523A (zh) * 2023-06-30 2023-08-29 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 Led单面发光实现方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102024843A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 卡西欧计算机株式会社 发光面板以及发光面板的制造方法
CN102709243A (zh) * 2012-05-18 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN102969329A (zh) * 2011-08-30 2013-03-13 三星显示有限公司 含具有反射结构的电极的有机发光显示装置及其制造方法
US20170236889A1 (en) * 2015-10-12 2017-08-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED Display Panel and Manufacturing Method Thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102024843A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 卡西欧计算机株式会社 发光面板以及发光面板的制造方法
CN102969329A (zh) * 2011-08-30 2013-03-13 三星显示有限公司 含具有反射结构的电极的有机发光显示装置及其制造方法
CN102709243A (zh) * 2012-05-18 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
US20170236889A1 (en) * 2015-10-12 2017-08-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED Display Panel and Manufacturing Method Thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116456770A (zh) * 2023-04-27 2023-07-18 惠科股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN116666523A (zh) * 2023-06-30 2023-08-29 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 Led单面发光实现方法

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