CN102024843A - 发光面板以及发光面板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的发光面板以及发光面板的制造方法，减少在发光面板的制造时使用的光掩模，实现开口率的提高。具备：遮光部，形成在基板(2)的上部，具有开口；第一电极(41)，形成在遮光部的开口的上部；隔壁(6)，具有第一电极(41)露出的开口(8)；载体输送层(42)，形成在第一电极(41)上，至少由一层构成；以及第二电极(46)，形成在隔壁(6)及载体输送层(42)上；遮光部的形状与隔壁(6)的形状对应。

Description

发光面板以及发光面板的制造方法
技术领域
本发明涉及发光面板以及发光面板的制造方法。
背景技术
有机电致发光元件(有机EL元件)为在阴极电极与阳极电极之间夹着例如电子注入层、发光层、空穴注入层的层叠构造。如果对阳极电极与阴极电极之间施加正向偏置电压，则从电子注入层向发光层注入电子，从空穴注入层向发光层注入空穴，在发光层内电子与空穴发生再结合，从而发光层发光。
发光层及空穴注入层由有机化合物构成，通过将在溶剂中溶解了这些材料的有机化合物溶液涂布在各像素的电极上并使其干燥而形成。在彩色显示器中，为了防止混色，在相邻的像素之间形成隔壁，防止了有机化合物溶液的混合(参照专利文献1，日本公开特许公报特开2007-234391号公报)。
为了形成隔壁，有例如将感光性树脂涂布在基板、使用光掩模图形化的方法。但是，需要另外制造隔壁形成用的光掩模。此外，如果光掩模的定位精度较低，则需要设定符合精度的边缘，所以有1个像素区域中的发光区域的面积的比率(开口率)下降的问题。
发明内容
本发明的目的是减少在发光面板的制造时使用的光掩模的片数、并且实现开口率的提高。
为了解决以上的问题，根据本发明的一个技术方案，提供一种发光面板，具备：遮光部，形成在基板的上部，具有开口；第一电极，形成在上述遮光部的上述开口的上部；隔壁，具有使上述第一电极的至少一部分露出的开口，并具备与上述遮光部的开口形状对应的开口；第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成。
优选的是，在技术方案1所述的发光面板中，上述遮光部由导电性材料形成。
优选的是，技术方案1所述的发光面板具备对向上述第一电极的电力供给进行控制的像素晶体管。上述遮光部将上述像素晶体管遮光。
优选的是，在技术方案3所述的发光面板中，上述遮光部包括布线，上述布线连接至上述像素晶体管。
优选的是，在技术方案3所述的发光面板中，上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
优选的是，在技术方案1所述的发光面板中，上述隔壁包括由感光性树脂材料形成的第一隔壁以及设置在上述第一隔壁下的第二隔壁。
优选的是，在技术方案6所述的发光面板中，仅对上述第一隔壁的上面实施了疏液处理。
根据本发明的另一技术方案，提供一种发光面板的制造方法，该发光面板具备：第一电极，形成在基板上；第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成，该发光面板的制造方法包括：对设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂的工序；以上述遮光部为掩模，从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成隔壁的工序，该隔壁具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
优选的是，技术方案8所述的发光面板的制造方法还包括在涂布上述正型感光性树脂之前、形成对上述光具有透射性的上述第一电极的工序。
优选的是，技术方案8所述的发光面板的制造方法还包括在形成具有上述开口的隔壁的工序之后、在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂、从上述基板的下面照射光、并将上述开口内部的上述疏液剂分解的工序。
优选的是，在技术方案8所述的发光面板的制造方法中，上述疏液剂由下述化合物构成，该化合物具有在环上至少具有一个氮原子的杂环、多个硫醇基以及通过上述硫醇基结合的氟化烷基。
优选的是，技术方案8所述的发光面板的制造方法还包括在涂布上述正型感光性树脂的工序之前，在上述遮光部的上方形成对向上述第一电极的电力供给进行控制的像素晶体管的工序。
优选的是，在技术方案12所述的发光面板的制造方法中，上述遮光部包括布线，上述布线连接至上述像素晶体管。
优选的是，在技术方案12所述的发光面板的制造方法中，上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
根据本发明的另一技术方案，提供一种发光面板，具备：第一电极，形成在基板上；第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成，上述发光面板具备隔壁，该隔壁是在设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂、并以上述遮光部为掩模从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成的，并具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
优选的是，技术方案15所述的发光面板还具备疏液层，该疏液层是在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂，从上述基板的下面照射光，并将上述开口的内部的上述疏液剂分解而仅在上述隔壁的上面形成的。
本发明通过以下的详细说明及附图会更充分地得到理解，但这些仅是用来说明的，并不限定本发明的范围。
附图说明
图1是有机EL显示面板10的1个像素PX的电路图。
图2是表示1个像素PX的俯视图。
图3是图2的III-III向视截面图。
图4是图2的IV-IV向视截面图。
图5是图2的V-V向视截面图。
图6是表示有关本发明的有机EL显示面板10的截面图。
图7是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序的截面图。
图8是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图9是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图10是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图11是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图12是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图13是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图14是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图15是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图16是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图17是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图18是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图19是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图20是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图21是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图22是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图23是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图24是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图25是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图26是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图27是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图28是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图29是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图30是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图31是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
图32是用于说明制造与图3相同的截面的有机EL显示面板10的制造工序进行说明的截面图。
具体实施方式
以下，利用附图对用来实施本发明的优选的方式进行说明。但是，在以下所述的实施方式中，附加了为了实施本发明而在技术上优选的各种限定，但并不是将发明的范围限定于以下的实施方式及图示例。此外，在以下的说明中，将电致发光(Electro Luminescence)的用语简称作EL。
图1是有关本发明的第一实施方式的有机EL显示面板10的1个像素PX的电路图。在该有机EL显示面板10中，由红、蓝及绿的像素PX构成1点的像素，这样的像素在整个显示区域中以矩阵状排列。如果着眼于图1的横向的排列，则以红像素PX、蓝像素PX、绿像素PX的顺序反复排列，如果着眼于图1的纵向的排列，则相同的颜色排列为一列。
在该有机EL显示面板10中，为了对像素PX输出各种信号，设有多个信号线51、扫描线52及共用电源线53。扫描线52和信号线51沿相互正交的方向延伸，信号线51沿图1的纵向延伸，扫描线52及共用电源线53沿图1的横向延伸。
像素PX具备具有两个n沟道型晶体管21、22和电容器27的像素电路PC以及有机EL元件40。两个n沟道型晶体管21、22和电容器27根据信号线51、扫描线52及共用电源线53的输入信号，对有机EL元件40施加电压。
图2是表示1个像素PX的俯视图，图3是图2的III-III向视截面图，图4是图2的IV-IV向视截面图，图5是图2的V-V向视截面图。另外，图1和图2的纵横方向对应。
如图2～图5所示，在透明的绝缘基板2之上，在形成以矩阵状排列的有机EL元件20的部分之间，沿图2的横向隔开间隔形成有遮光膜4。遮光膜4也可以一体化在比有机EL显示面板10的显示区域靠外侧。
在遮光膜的材料中，使用光的反射率较低、并且不会被在形成于遮光膜4的上部的辅助信号线54的形成中使用的蚀刻剂蚀刻的金属等的导电性材料、例如铬、氧化铬、氮化铬、或氮氧化铬等的铬化合物。通过使这些材料以约50～150nm的厚度成膜而形成遮光膜4。另外，也可以将这些薄膜层叠而形成。遮光膜4防止光从绝缘基板2侧向晶体管21、22入射。因此，能够抑制晶体管21、22的光泄露及光劣化。此外，通过使用光反射率较低的材料，能够得到与形成黑矩阵(black matrix)的情况相同的效果，能够抑制相邻的像素同时发光时的混色、提高显示品质。
在遮光膜4的上部，在形成信号线51的部分上设有辅助信号线54。辅助信号线54例如由Al、AlTi、AlTiNd等至少包括Al的合金、铜或银、以及包括铜或银的合金的任一种构成，与遮光膜4导通。辅助信号线54例如可以在用溅镀法形成厚度约200～500nm的金属膜之后、通过使用感光性抗蚀剂蚀刻而形成。或者也可以通过将厚度为0.5μm～5μm的金属箔层叠而形成。由于遮光膜4和信号线51经由辅助信号线54导通，所以能够防止遮光膜4成为浮动电位。此外，通过使辅助信号线54和信号线51一体化而信号线51低电阻化，能够抑制信号延迟、信号电压的下降及焦耳热的产生。辅助布线54也可以为了防止电池反应而与Cr等的阻挡金属(barriermetal)层叠来构成。
遮光膜4及信号线51被平坦化膜5覆盖。此外，在平坦化膜5上，在辅助信号线54的上部形成有接触孔5a。
平坦化膜5可以通过将SiO2、SiN、SiON等的无机绝缘体用CVD法(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积法)或溅镀法成膜100～10000nm而形成。或者，可以通过涂布聚硅氧烷、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、氟树脂等的有机绝缘体来形成。此外，也可以将有机绝缘体的膜与无机绝缘体的膜层叠。在有机绝缘体的膜上设置无机绝缘体的膜的情况下，能够将从有机绝缘体的膜产生的气体等阻断，所以是优选的。此外，平坦化膜5优选的是光透过性膜。
另外，也可以对有机绝缘体赋予感光性，并进行显影处理而形成希望的接触孔5a。
平坦化膜5的厚度可以设为100～10000nm，但只要是辅助信号线54的厚度的2倍左右，就并不限定于此。
在平坦化膜5的上部设有晶体管21、22的栅极电极21G、22G，并且设有电容器27的一个电极27a、信号线51。栅极电极21G、22G、电极27a、信号线51例如通过将Al、AlTi、AlTiNd、MoNb等的薄膜图形化而形成。另外，如图2所示，电极27a和栅极电极21一体地形成。信号线51的一部分形成在接触孔5a内，与辅助信号线54导通。
栅极电极21G、22G、电极27a、信号线51都被共用的栅极绝缘膜31覆盖。栅极绝缘膜31可以通过将SiO2、SiN、SiON等的无机绝缘体用CVD法或溅镀法成膜而形成。
此外，在栅极绝缘膜31上，在信号线51的上部的与晶体管22的漏极电极22D重叠的部分上形成有接触孔31a，在电容器27的一个电极27a的上部的与晶体管22的源极电极22S重叠的部分上形成有接触孔31b，在晶体管22的栅极电极22G的上部的与扫描线52重叠的部分上形成有接触孔31c。
如图2～图5所示，在栅极绝缘膜31之上，以矩阵状排列有透明的像素电极(第一电极)41。这些像素电极41是通过将在栅极绝缘膜31上成膜的导电性膜(例如掺锡氧化铟(ITO)、掺锌氧化铟、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或镉-锡氧化物(CTO))用光刻法及蚀刻法图形化而形成。
此外，在栅极绝缘膜31之上，设有电容器27的另一个电极27b、晶体管21、22的半导体膜21a、22a、沟道保护膜21b、22b、n型半导体膜21c、21d、22c、22d、源极电极21S、22S及漏极电极21D、22D、扫描线52及共用电源线53。扫描线52及共用电源线53与遮光膜4一起构成遮光部。
半导体膜21a、22a形成在栅极电极21G、22G的上方，将非晶硅(a-Si)等成膜并图形化而成。沟道保护膜21b、22b形成在半导体膜21a、22a的上部，将SiO2、SiN、SiON等的无机绝缘体成膜并图形化而成。
n型半导体膜21c、21d、22c、22d形成为：一部分与沟道保护膜21b、22b重叠。
扫描线52及共用电源线53沿图2的横向形成在以矩阵状排列的像素电极41之间。
另外，漏极电极21D与共用电源线53一体地形成，源极电极21S与电极27b一体地形成。源极电极21S形成为一部分与像素电极41的一部分重叠，与像素电极41导通。
漏极电极22D的一部分形成在接触孔31a内，与信号线51导通。源极电极22S的一部分形成在接触孔31b内，与电极27a导通。扫描线52的一部分形成在接触孔31c内，与栅极电极22G导通。
晶体管21、22的源极电极21S、22S及漏极电极21D、22D、电容器27的另一个电极27b、扫描线52及共用电源线53、像素电极41被共用的保护绝缘膜(第二隔壁)32覆盖。保护绝缘膜32可以通过将SiO2、SiN、SiON等的无机绝缘体用CVD法或溅镀法成膜而形成。
在保护绝缘膜32的像素电极41的部分上形成有使像素电极41的至少一部分露出的开口部33。通过形成开口部33，保护绝缘膜32形成为网眼状以穿过像素电极41之间，并且与像素电极41的一部分外缘部重叠，围绕着像素电极41。在开口部33内形成有后述的有机EL层42。
另外，从绝缘基板2到保护绝缘膜32的层叠构造是晶体管阵列面板100。
在晶体管阵列面板100上，在与遮光膜4、扫描线52及共用电源线53对应的位置上，形成有网眼状的隔壁(第一隔壁)6，从隔壁6的开口8露出至少一部分像素电极41。隔壁6例如由聚酰亚胺等的正型感光树脂形成，与晶体管21、22的各电极、信号线51、扫描线52及共用电源线53相比足够厚。隔壁6是将由遮光膜4、扫描线52及共用电源线53构成的遮光部作为掩模、经由从绝缘基板2侧的背面曝光而形成的。遮光膜4、扫描线52及共用电源线53的形状与隔壁6的形状对应。隔壁6的开口8的形状与由遮光部的遮光膜4、扫描线52及共用电源线53包围的开口的形状对应。
对于隔壁6的上面，通过疏液剂70实施了疏液处理。疏液处理通过涂布下述疏液剂来进行，该疏液剂由具有在环上至少具有一个氮原子的杂环、多个硫醇基、和经由硫醇基结合的氟化烷基的化合物构成。在这样的疏液剂中，例如有三嗪硫醇氟化烷衍生物。
1.在像素电极41上依次层叠空穴注入层43、发光层44而形成有机EL层42(载体输送层)。空穴注入层43由作为导电性高分子的PEDOT(聚乙撑二氧噻吩)及作为掺杂剂的PSS(聚苯乙烯磺酸钠)构成，发光层44由聚对苯乙炔(poly phenylene vinylene)类发光材料或聚芴类发光材料等的共轭聚合物构成。将各个材料设定为：在子像素是红的情况下，发光层44发光为红色，在子像素是绿的情况下，发光层44发光为绿色，在子像素是蓝的情况下，发光层44发光为蓝色。
空穴注入层43及发光层44通过湿式涂布法(例如喷墨印刷法)成膜。
在此情况下，将含有作为空穴注入层43的PEDOT及PSS的有机化合物含有液涂布在像素电极41上而成膜，然后涂布含有作为发光层44的共轭聚合物发光材料的有机化合物含有液而成膜。另外，由于设置厚膜的隔壁6，所以能够防止涂布在相邻的像素电极41上的有机化合物含有液越过隔壁6而混合。
另外，也可以在发光层44之上还设置电子输送层。此外，有机EL层42也可以是由形成在像素电极41之上的发光层、电子输送层构成的二层构造，载体输送层与发光层的组合可以任意地设定。此外，在这些层构造中，也可以是在适当的层间夹着限制载体输送的中间层的层叠构造，也可以是其他层叠构造。
在发光层44、保护绝缘膜32及隔壁6的上部，成膜有作为有机EL元件40的阴极的一部分的电子注入层45。电子注入层45由功函数比像素电极41低的材料形成，例如由包括铟、镁、钙、锂、钡等的碱类金属或碱土类金属、或稀土类金属的至少一种的单体或合金形成为1～10nm的厚度。或者，电子注入层45也可以为层叠了上述各种材料的层的层叠构造。
在电子注入层45的上部，形成有例如使铝、铬、银、或钯银类的合金等的导电性材料通过气相生长法成膜的作为阴极的一部分的对置电极(第二电极)46。
依次层叠了像素电极41、有机EL层42、电子注入层45、对置电极46的结构为有机EL元件40。
在形成有上述有机EL元件40的晶体管阵列面板100上，如图6所示，在形成有对置电极46的面的外周部上作为封闭部件而涂布粘接剂3，通过用粘接剂3将基板2与对置基板9接合，将有机EL元件40封闭，形成有机EL显示面板10。由于有机EL元件40具有底部发光型的发光构造，所以由有机EL层42发出的光经由像素电极41及绝缘基板2向绝缘基板2的另一面侧(图3～图5的下方)射出。
接着，对EL显示器面板10的制造工序进行说明。
首先，如图7所示，通过以作为遮光膜的材料的氧化铬、氮化铬或氮氧化铬等为靶的溅镀法等，使金属膜61以厚度50～150nm成膜在绝缘基板2上。接着，使用感光性抗蚀剂、用包括硝酸铈铵的蚀刻剂对金属膜61进行湿式蚀刻，从而如图8所示那样留下希望的图形的遮光膜4。
接着，如图9所示，形成厚度约200～500nm的金属膜(辅助信号线金属62)。在形成辅助信号线金属62方面，有例如以Al、AlTi、AlTiNd等至少包括Al的金属、或铜、银、或包括它们的合金为靶的溅镀法。或者，也可以将Al、AlTi、AlTiNd、铜、银等的金属薄膜通过导电性粘接剂粘贴。
接着，使用感光性抗蚀剂将辅助信号线金属62蚀刻，由此如图10所示那样形成辅助信号线54。作为Al合金类的蚀刻剂，可以使用长濑(ナガセ)Al蚀刻剂。作为铜或包括铜的合金的蚀刻剂，可以使用关东化学的Cu-1铜蚀刻剂液等，作为银或包括银的合金的蚀刻剂，可以使用SEA-1银蚀刻剂液等。
接着，如图11所示形成平坦化膜5。接着，通过对平坦化膜5进行干式蚀刻，如图12所示形成接触孔5a。
接着，如图13所示，通过Al、AlTi、AlTiNd等的金属形成栅极金属层63。接着，如图14所示，通过将栅极金属层63图形化，形成栅极电极21G、22G、电极27a、信号线51。
接着，如图15所示形成栅极绝缘膜31。
接着，在栅极绝缘膜31的上部，依次形成作为半导体膜21a、22a的非晶硅层64、作为沟道保护膜21b、22b的绝缘膜65。接着，如图16所示，将非晶硅层64、绝缘膜65图形化，形成半导体膜21a、22a、沟道保护膜21b、22b。
接着，如图17所示，将作为n型半导体膜21c、21d、22c、22d的杂质膜66成膜。接着，如图18所示，将杂质膜66图形化而形成n型半导体膜21c、21d、22c、22d。
接着，如图19所示，使ITO等的透明电极膜67成膜。接着，如图20所示，将透明电极膜67图形化而形成像素电极41。
接着，如图21所示，通过对栅极绝缘膜31进行干式蚀刻，形成接触孔31a、31b、31c。
接着，如图22所示，使漏极金属层68成膜。接着，如图23所示，将漏极金属层68图形化而形成电极27b、源极电极21S、22S及漏极电极21D、22D、扫描线52及共用电源线53。
接着，如图24所示，形成保护绝缘膜32。接着，如图25所示，在保护绝缘膜32上形成开口部33，使像素电极41的至少一部分露出。
接着，如图26所示，涂布聚酰亚胺类等的正型感光性树脂材料69。接着，如图27所示，从绝缘基板2侧将遮光膜4、扫描线52及共用电源线53作为掩模，使感光性树脂材料69曝光。接着，将曝光部分的可溶解的感光性树脂材料69去除。然后，通过进行显影处理，如图28所示形成具有与遮光膜4、扫描线52及共用电源线53的形状对应的形状的开口的隔壁6。
另外，扫描线52与共用电源线53的间隙、并且是被保护绝缘膜32覆盖的部分因为宽度较窄、并且曝光部分没有接触到显影液，因此作为隔壁6残留。
接着，如图29所示，涂布如三嗪硫醇氟化烷衍生物那样的疏液剂70，该疏液剂70由下述化合物构成，该化合物具有在环上至少具有一个氮原子的杂环、多个硫醇基、和经由硫醇基结合的氟化烷基。接着，如图30所示，从绝缘基板2侧，将遮光膜4、扫描线52及共用电源线53作为掩模，使疏液剂70曝光。此时，由于疏液剂70通过光反应被分解，所以如图31所示，仅将被遮光的隔壁6的上面有选择地进行疏液处理。通过以上，晶体管阵列面板100完成。
接着，如图32所示，将在水中溶解了空穴注入材料(例如作为导电性高分子的PEDOT及作为掺杂剂的PSS)的有机化合物含有液涂布在像素电极41上。作为涂布方法，既可以使用喷墨印刷法(液滴吐出法)或其他印刷方法，也可以使用浸涂法、旋涂法等涂法。
然后，在暴露在大气中的状态下，使用加热板使晶体管阵列面板100在160～200℃的温度下干燥，并进行残留溶剂的去除，从而形成空穴注入层43。
接着，将发光色为红、绿、蓝的共轭聚合物发光材料分别溶解到有机溶剂(例如氢化萘、四甲基苯、均三甲苯(mesitylene))中，准备红、绿、蓝各自的有机化合物含有液。接着，在红色的子像素的空穴注入层43上涂布红色的有机化合物含有液，在绿色的子像素的空穴注入层43上涂布绿色的有机化合物含有液，在蓝色的子像素的空穴注入层43上涂布蓝色的有机化合物含有液。由此，在空穴注入层43上成膜发光层44。作为涂布方法，使用喷墨印刷法(液滴吐出法)或其他印刷方法，按照颜色进行分开涂布。
接着，在惰性气体环境(例如氮气环境)下通过加热板使晶体管阵列面板100干燥，进行残留溶剂的去除。另外，也可以在真空中进行基于封装加热器(Sheath Heater)或红外线加热器等的干燥。
在这样通过湿式涂布法形成了空穴注入层43及发光层44的情况下，由于隔壁6的上面被疏液处理，所以涂布在相邻的像素电极41上的有机化合物含有液不会越过隔壁6而混合。因此，能够按照像素电极41独立地形成空穴注入层43。
接着，如图3～图5所示，在发光层44、保护绝缘膜32及隔壁6的上部通过气相生长法成膜电子注入层45。然后，通过在电子注入层45的上部上用蒸镀或溅镀法形成金属膜，形成对置电极46。由此，在晶体管阵列面板100上形成有机EL元件40。
最后，如图6所示，在基板2的形成有对置电极46的面的外周部上涂布粘接剂3，通过将基板2与对置电极9粘接而封入有机EL元件40。由此，EL显示面板10完成。
如以上所示，根据本发明，由于能够从绝缘基板2侧以遮光膜4、扫描线52及共用电源线53为掩模形成隔壁6，所以没有掩模偏移的担心。由此，不需要为掩模偏移准备而设置边缘，能够提高开口率。此外，由于能够从绝缘基板2侧以遮光膜4、扫描线52及共用电源线53为掩模，仅将隔壁6的上面有选择地进行疏液处理，所以不需要另外设置光掩模，也不需要进行定位。因此，能够减少光掩模的片数，能够削减制造工序数而实现制造成本的降低。
另外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内也可以进行各种改良及设计变更。例如，在上述实施方式中，对EL显示面板那样的显示装置进行了说明，但本发明并不限于此，也可以应用到例如印刷头等的曝光装置中。
此外，在上述实施方式中，将扫描线52及共用电源线53沿与遮光膜4交叉的方向设置，但本发明并不限于此，也可以仅将扫描线52或共用电源线53的其一沿与遮光膜4交叉的方向设置。或者也可以将遮光膜4沿与信号线51交叉的方向设置。
此外，在上述实施方式中，设置了开口部8以使像素电极41的至少一部分露出，但本发明并不限于此，也可以设置像素电极41的全部露出那样的开口部8。
这里引用2009年9月14日提出申请的日本专利申请第2009-211230号的包括说明书、权利要求书、附图、说明书摘要的全部内容。
以上表示并说明了各种典型的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式。因而，本发明的范围仅由以下的权利要求书限定。

Claims (16)

1.一种发光面板，具备：
遮光部，形成在基板的上部，具有开口；
第一电极，形成在上述遮光部的上述开口的上部；
隔壁，具有使上述第一电极的至少一部分露出的开口，并具备与上述遮光部的开口形状对应的开口；
第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及
载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成。
2.如权利要求1所述的发光面板，其中，
上述遮光部由导电性材料形成。
3.如权利要求1所述的发光面板，其中，
具备像素晶体管，该像素晶体管控制向上述第一电极的电力供给；
上述遮光部将上述像素晶体管遮光。
4.如权利要求3所述的发光面板，其中，
上述遮光部包括布线，上述布线连接至上述像素晶体管。
5.如权利要求3所述的发光面板，其中，
上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
6.如权利要求1所述的发光面板，其中，
上述隔壁包括由感光性树脂材料形成的第一隔壁以及设置在上述第一隔壁下的第二隔壁。
7.如权利要求6所述的发光面板，其中，
仅对上述第一隔壁的上面实施了疏液处理。
8.一种发光面板的制造方法，该发光面板具备：第一电极，形成在基板上；第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成，该发光面板的制造方法包括：
对设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂的工序；
以上述遮光部为掩模，从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成隔壁的工序，该隔壁具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
9.如权利要求8所述的发光面板的制造方法，其中，
还包括在涂布上述正型感光性树脂之前，形成对上述光具有透射性的上述第一电极的工序。
10.如权利要求8所述的发光面板的制造方法，其中，
还包括在形成具有上述开口的隔壁的工序之后，在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂，从上述基板的下面照射光并将上述开口的内部的上述疏液剂分解的工序。
11.如权利要求8所述的发光面板的制造方法，其中，
上述疏液剂由下述化合物构成，该化合物具有在环上至少具有一个氮原子的杂环、多个硫醇基以及通过上述硫醇基结合的氟化烷基。
12.如权利要求8所述的发光面板的制造方法，其中，
还包括在涂布上述正型感光性树脂的工序之前，在上述遮光部的上方形成像素晶体管的工序，该像素晶体管控制向上述第一电极的电力供给。
13.如权利要求12所述的发光面板的制造方法，其中，
上述遮光部包括布线，上述布线连接至上述像素晶体管。
14.如权利要求12所述的发光面板的制造方法，其中，
上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
15.一种发光面板，具备：第一电极，形成在基板上；第二电极，形成在上述第一电极的上方；以及载体输送层，形成在上述第一电极与上述第二电极之间，至少由一层构成，
上述发光面板具备隔壁，该隔壁是在设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂、并以上述遮光部为掩模从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成的，并具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
16.如权利要求15所述的发光面板，其中，
还具备疏液层，该疏液层是在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂，从上述基板的下面照射光，并将上述开口的内部的上述疏液剂分解而仅在上述隔壁的上面形成的。
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