KR101071712B1 - 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

종래의 유기전계발광소자의 제조는 반도체층 패터닝, 게이트 전극 패터닝, 제 1 전극 패터닝, 제 1, 2 층간 절연막 상의 다수의 콘택홀 형성, 소스 및 드레인 전극 패터닝 및 보호층상에 콘택홀 형성 등을 진행함으로써 총 6회의 마스크 공정을 진행하여 완성할 수 있다.

하지만, 유기전계발광소자의 제조에 있어서, 마스크 공정은 포토레지스트 도포, 노광(exposure), 현상(develop) 및 식각을 포함하는 공정이므로, 전술한 마스크 공정이 많으면 많을수록 제조비용 및 공정 시간이 증가하고, 이로 인하여 생산수율이 떨어지게 되므로 제조 원가가 높아지게 되는 문제가 발생한다.

본 발명은 화소전극을 이루는 투명도전성 물질을 기판 전면에 먼저 형성하고, 패터닝함으로써 유기발광층을 포함하는 유기전계발광 소자를 5개의 마스크 공정을 진행하여 완성함으로써 마스크 공정수를 절감함으로써 공정 단순화를 통한 공정시간을 단축하여 생산수율을 향상시키고 및 제조 비용을 절감시킬 수 있다.

공정단순화, 마스크 절감, 유기전계발광소자, 폴리실리콘

Description

유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법{Organic electroluminescent device and method for fabricating the same}

도 1은 일반적인 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면.

도 2는 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.

도 3은 도 2의 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역에 대한 확대 단면도.

도 4 내지 도 9는 도 3의 종래의 유기전계발광 소자의 제조 공정 단계에 따른 제조 공정 단면도.

도 10은 본 발명에 따른 유기전계방광소자에 있어 구동소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도.

도 11 내지 23은 본 발명에 따른 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역에 대한 제조 공정별 단면을 도시한 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

101 : 기판 103a : 투명금속층

105a : 버퍼층 108 : 반도체층

108a : 액티브층 108b : 오믹콘택층

113 : 제 1 전극 117 : 게이트 절연막

120 : 게이트 전극 125 : 층간절연막

127, 129 : 반도체층 콘택홀 133 : 소스 전극

135 : 드레인 전극 140 : 보호층

145 : 유기 발광층 150 : 제 2 전극

TrA : 박막 트랜지스터부 EA : 발광부

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 저 마스크 공정에 따른 유기전계발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있으므로 소형 크기의 평판디스플레이 소자로서 활용되고 있다.

이하, 유기전계발광 소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 일반적인 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면이다.

도시한 바와 같이, 제 1 방향으로 게이트 배선이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 서로 일정간격 이격된 데이터 배선 및 전력공급배선(powersupply line, PLS)이 형성되어 있어, 하나의 서브픽셀 영역(SP)을 정의한다.

상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에는 어드레싱 엘리먼트(addressing element)인 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT, SwT)가 형성되어 있고, 이 스위칭 박막트랜지스터(SwT) 및 전력 공급배선과 연결되어 스토리지 캐패시터(C_ST)가 형성되어 있으며, 이 스토리지 커패시터(C_ST) 및 전력 공급배선과 연결되어, 전류원 엘리먼트(current source element)인 구동 박막트랜지스터(DrT)가 형성되어 있고, 이 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되어 유기전계발광 다이오드(Electroluminescent Diode, E)가 구성되어 있다.

이때, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 유기발광물질에 순방향으로 전류를 공급하면, 정공 제공층인 양극(anode electrode)과 전자 제공층인 음극(cathode electrode)간의 P(positive)-N(negative) 접합(Junction)부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하여, 상기 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지를 가지게 되므로, 이때 발생하는 에너지 차로 인해 빛을 방출하는 원리를 이용하는 것이다.

이러한 유기전계발광 소자는 유기전계발광 다이오드에서 발광된 빛의 진행방 향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉜다.

이하, 도 2는 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 적, 녹, 청 서브픽셀로 구성되는 하나의 화소영역을 중심으로 도시하였다.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 테두리부는 씰패턴(seal pattern, 40)에 의해 봉지되어 있다. 이때, 상기 제 1 기판(10)의 투명 기판(11) 상부에는 서브픽셀(SP)별로 구동 박막트랜지스터(DrT)가 형성되어 있고, 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되어 유기전계발광 다이오드를 구성하는 구성요소 중 하나인 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결된 제 1 전극(12) 상부에는 각 서브픽셀(SbP)별로 독립적인 적, 녹, 청색을 띠는 발광물질을 포함하는 발광층(14)이 형성되어 있고, 발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다.

그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 도면으로 제시하지는 않았지만, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로부터 유입될 수 있는 수분을 차단하는 흡습제 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프가 포함된다.

상기 발광층(14)과 제 1, 2전극(12, 16)으로 구성되는 유기전계발광 다이오드에 대해 조금 상세히 설명하면, 일예로서, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극으로, 제 2 전극(16)을 음극으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명 도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer), 전자주입층(14e ; electron injection layer)이 순서대로 적층된 구조를 이룬다. 이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀(SbP)별로 적, 녹, 청색을 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다.

도 3은 상기 도 2 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역에 대한 확대 단면도이다.

도시한 바와 같이, 투명 기판(11) 상에는 버퍼층(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 버퍼층(미도시) 위로 액티브층(62a)과 오믹콘택층(62b)으로 구성된 반도체층(62)과 게이트 절연막(63)과 게이트 전극(68)과 반도체층 콘택홀과 제 1 전극 콘택홀을 포함하는 제 1, 2 층간절연막(70, 75)과 상기 제 2 층간절연막(75) 상부로 하부의 반도체층(62)과 연결된 소스 및 드레인 전극(80, 82)이 차례대로 형성되어 박막트랜지스터(Tr)를 형성하고 있으며, 화소영역(P) 내의 발광부(EA)에는 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(80)과 전기적으로 연결되도록 구성된 유기전계발광 다이오드(E)가 형성되어 있다. 즉, 발광부(EA)에는 제 1 전극(12)과 제 2 전극(16) 그리고 상기 제 1, 2 전극(12, 16)의 사이에 개재된 발광층(14)으로 구성되어 자체발광된 빛을 외부로 방출시키는 유기전계발광 다이오드(E)가 형성되어 있으며, 이때, 상기 제 1 전극(12)이 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(82)과 접 촉하고 있다. 조금 더 상세히 박막트랜지스터(Tr) 및 유기전계발광 다이오드(E)의 적층구조에 대해 설명하며, 상기 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(12)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 구성요소인 게이트 전극(68) 위로 전면에 구비된 제 1 층간절연막(70) 상부에 구성되어 있으며, 상기 제 1 전극(12)을 포함하여 상기 제 1 층간절연막(70) 위로 전면에 제 2 층간절연막(75)이 구성되어 있으며, 상기 제 2 층간절연막(75) 위로 상기 제 1, 2 층간절연막(70, 75)내에 하부의 반도체층(62)을 노출시키며 구비된 반도체층 콘택홀(77, 78)을 통해 상기 반도체층(62) 더욱 정확히는 오믹콘택층(62b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(80, 82)이 구성되어 있으며, 이때 상기 드레인 전극(82)의 일끝단이 상기 제 2 층간절연막(75) 상에 구성된 제 1 전극 콘택홀(72)을 통해 상기 제 1 전극(12)과 접촉하여 구성되어 있다. 또한, 상기 제 1 전극(12) 위로는 적, 녹, 청색을 발광하는 발광층(14)이 구성되어 있으며, 상기 발광층(12)을 포함하여 제 2 층간절연막(75) 위로 전면에 제 2 전극(16)이 구비되어 있으며, 상기 박막트랜지스터 영역(TrA)에 있어서는 상기 제 2 전극(16)과 제 2 층간절연막(75) 사이에 보호층(90)이 더욱 구비되어 있다.

또한, 도면에는 나타나지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터(Tr)에서 소정간격 이격한 게이트 절연막(63) 상부에는 전원공급 배선(미도시)과 연결된 파워전극(미도시)이 형성되어 있다.

전술한 구조를 갖는 유기전계발광 소자의 제조에는 종래의 유기전계발광소자의 제조방법을 도시한 도 4 내지 9에 보인 바와 같이, 반도체층(62) 패터닝(제 1 마스크 공정, 도 4참조), 게이트 전극(68) 패터닝(제 2 마스크 공정, 도 5참조), 제 1 전극(12) 패터닝(제 3 마스크 공정, 도6참조), 제 1, 2 층간 절연막(70, 75)상의 다수의 콘택홀(72, 77, 78) 형성(제 4 마스크 공정, 도 7참조), 소스 및 드레인 전극(80, 82) 패터닝(제 5 마스크 공정, 도 8참조) 및 보호층 콘택홀(92) 형성(제 6 마스크 공정, 도 9참조) 등을 진행함으로써 총 6회의 마스크 공정을 진행하여 완성할 수 있다.

전술한 바 종래의 유기전계발광 소자의 유기발광층을 포함하는 어레이 기판의 제조 공정에서는 총 6개의 마스크 공정이 진행함으로써 상기 유기전계발광 소자를 완성하였다.

하지만, 유기전계발광소자의 제조에 있어서, 마스크 공정은 포토레지스트 도포, 노광(exposure), 현상(develop) 및 식각을 포함하는 공정이므로, 전술한 마스크 공정이 많으면 많을수록 제조비용 및 공정 시간이 증가하고, 이로 인하여 생산수율이 떨어지게 되므로 제조 원가가 높아지게 되는 문제가 발생한다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 화소전극을 이루는 투명도전성 물질을 기판 전면에 먼저 형성하고, 패터닝함으로써 유기 발광층을 포함하는 유기전계발광 소자를 5개의 마스크 공정을 진행하여 완성함으로써 마스크 공정수를 절감함으로써 공정 단순화를 통한 공정시간을 단축하여 생산수율을 향상시키고 및 제조 비용을 줄이는 것을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 소자는 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자에 있어서, 기판과; 상기 기판상의 박막트랜지스터부에 순차적으로 동일한 형태로써 패터닝되어 순차적으로 적층된 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 포함하며, 상기 반도체층 위로 게이트 절연막과 게이트 전극과 상기 반도체층을 노출시키는 반도체층 콘택홀을 구비한 층간절연막과, 상기 층간절연막 상부에 구성되며 상기 반도체층 콘택홀을 통해 반도체층과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와; 상기 기판상의 발광부에 상기 투명금속층과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 드레인 전극의 일끝이 접촉하는 것을 특징으로 하는 제 1 전극과; 상기 구동 박막트랜지스터부 전면과 상기 발광부의 제 1 전극의 상부에 개구부를 갖는 보호층과; 상기 발광부의 제 1 전극의 상기 보호층의 개구부에 구비된 유기 발광층과; 상기 보호층 및 유기 발광층 상부로 전면에 구비된 제 2 전극을 포함한다.

이때, 상기 투명도전성 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중에서 선택되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 유기 발광층은 상기 유기발광층을 기준으로 그 하부에는 정공수송층과 정공주입층을 그 상부로는 전자수송층과 전자주입층을 더욱 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 반도체층은 폴리실리콘으로 형성된 것이 특징이며, 상기 소스 및 드레인 전극이 접촉하는 반도체층은 오믹콘택층인 것이 특징이다.

또한, 상기 제 2 금속층은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd) 중에서 선택되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 유기전계발광 소자의 제조방법은 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 투명도전성 물질층과 버퍼층과 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 위로 포토레지스트를 도포하고 반투과영역을 갖는 마스크를 이용하여 노광을 실시하여 상기 박막트랜지스터 형성부에는 제 1 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을, 상기 발광부에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1,2 두께의 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 발광부의 노출된 제 1 전극과 박막 트랜지스터부의 반도체층 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 박막 트랜지스터부에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 도핑을 실시하여 도핑된 오믹콘택층과 상기 게이트 전극을 블록킹 마스크로 하여 도핑되지 않는 상기 게이트 전극에 대응한 액티브층 을 갖는 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간절연막을 패터닝하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층 일부를 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀을 형성하고, 발광부에 있어서는 상기 층간절연막을 제거하여 제 1 전극을 노출시키는 단계와; 상기 반도체층 콘택홀 및 제 1 전극을 노출시키며 형성된 층간절연막 위로 상기 제 1 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하는 소스 전극과, 상기 제 2 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하며 동시에 노출된 제 1 전극과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 위로 박막트랜지스터부 전면을 덮으며, 상기 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 개구부를 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 개구부 내의 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 및 유기 발광층 위로 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

이때, 상기 제 1,2 두께의 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계는 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 박막 트랜지스터부와 발광부와의 경계영역 상의 반도체층과 버퍼층과 투명도전성 물질층을 제거하여 기판을 노출시키는 단계와; 상기 제 2 두께의 포토레지스트 패턴을 애싱하여 발광부의 반도체층을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 발광부의 반도체층과 그 하부의 버퍼층을 식각하여 투명도전성물질층을 노출시켜 제 1 전극을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.

또한, 상기 게이트 전극 외부로 노출된 게이트 절연막을 식각하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층과 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 단계를 더욱 포함한다.

또한, 상기 발광부의 층간절연막의 제거함으로써 제 1 전극을 노출시키는 단계는 상기 박막트랜지스터부와 근접한 제 1 전극의 일끝단부는 층간절연막은 제거되지 않고 남아있도록 패터닝되는 것이 특징이다.

또한, 상기 드레인 전극은 제 1 전극의 일끝단과 접촉하는 것이 특징이다.

또한, 상기 버퍼층은 무기절연물질인 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 반도체층은 폴리실리콘으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 보호층을 둘러싸인 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계는 상기 유기발광층 하부로 상기 제 1 전극과 접촉하는 정공주입층을 형성하는 단계와; 상기 정공주입층 위로 정공수송층을 형성하는 단계와; 상기 정공수송층 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 위로 전자 수송층을 형성하는 단계와; 상기 전자 수송층 위로 전자 주입층을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

도 10은 본 발명에 따른 유기전계방광소자에 있어 구동소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도로서, 크게 구동소자인 박막 트랜지스터가 형성되는 박막 트랜지스터 형성부와 유기전계발광 다이오드가 형성되는 발 광부에 대한 단면을 도시하였다.

도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터부(TrA)에는 기판(101) 상에 투명도전성 물질로 이루어진 투명금속층(103)이 형성되어 있으며, 상기 투명금속층(103) 위로 버퍼층(105)과 그 위로 액티브층(108a) 및 오믹콘택층(108b)을 포함하는 반도체층(108)이 형성되어 있다. 또한 상기 반도체층(108) 위로 상기 반도체층(108) 중 액티브층(108a)에 대응하여 게이트 절연막(117)과 게이트 전극(120)이 순차적으로 형성되어 있다. 또한 상기 게이트 전극(120) 및 상기 게이트 전극(120) 외부로 노출된 반도체층(108) 위로 상기 반도체층(108) 일부를 노출시키는 반도체층 콘택홀(127, 129)을 구비한 층간절연막(125)이 형성되어 있으며, 상기 층간절연막(125) 위로 상기 게이트 전극(120)을 사이에 두고 이격하며, 상기 반도체층 콘택홀(127, 129)을 통해 오믹콘택층(108b)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 135)이 형성되어 있으며, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 135)과 상기 두 전극(133, 135) 사이로 노출된 층간절연막(125) 위로 보호층(140)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(140) 위로 제 2 전극(150)이 형성되어 있다.

한편, 발광부(EA)에 있어서는 기판(101) 상에 투명도전성 물질로써 전술한 박막 트랜지스터부(TrA)의 투명금속층(103)과 이격하여 제 1 전극(113)이 형성되어 있으며, 이때, 상기 제 1 전극(113)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(135)과 일끝이 접촉하고 있는 것이 특징이다. 또한, 상기 제 1 전극(113) 위로 상기 제 1 전극(113)의 테두리, 도면에서는 상기 드레인 전극(135)과 연결된 일끝단 및 타끝단 일부를 덮으며 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 화소영역(P)간 경계가 되는 뱅크(bank)를 형성하게 된다. 또한, 상기 보호층(140)은 개구부(142)를 가지고 있으며, 상기 개구부(142)가 형성된 제 1 전극(113)의 상부에는 유기 발광층(145)이 형성되어 있으며, 상기 유기 발광층(145) 상부를 포함하는 기판(101) 전면에는 제 2 전극(150)이 형성되어 있다. 이때, 도면에서는 나타내지 않았지만, 화소영역(P) 내에는 상기 박막 트랜지스터에서 소정간격 이격한 영역에 게이트 절연막 상부로 전원공급 배선(미도시)과 연결된 파워전극(미도시)이 형성되어 있다.

또한, 전술한 바와 같은 유기전계발광소자에 있어서 상기 제 1 전극(113)을 양극으로, 제 2 전극(150)을 음극으로 구성할 경우 제 1 전극(113)은 비교적 높은 일함수 값을 갖는 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO), 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중에서 선택되고, 제 2 전극(150)은 상기 제 1 전극(113)을 형성하는 금속물질보다 일함수 값이 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 중에서 선택되는 것이 바람직하며, 알루미늄 합금은 AlNd 인 것이 바람직하다. 상기 유기 발광층(145)은 세부적으로 발광효율을 향상시키기 위해 상기 유기 발광층(145)을 기준으로 그 하부에 즉 상기 제 1 전극(113)과 접하는 층에서부터 정공 주입층(hole injection layer)(미도시), 정공 수송층(hole transporting layer)(미도시)이 더욱 형성될 수 있으며, 상기 발광층(145)의 상부로는 상기 전자 수송층(electron transporting layer)(미도시) 및 전자 주입층(electron injection layer)(미도시)이 순서대로 더욱 형성될 수 있다. 이때, 상기 발광층(145)은 화소영역(P)별로 순차 반복하는 적, 녹, 청색을 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 갖는 것이 특징이다.

다음, 도 11 내지 23을 참조하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조방법에 대해 설명한다.

도 11 내지 23은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소영역에 대한 제조 공정별 단면을 도시한 것으로서 상기 화소영역을 구동 박막 트랜지스터가 형성되는 박막 트랜지스터부(TrA)와 제 1, 2 전극과 유기전계발광층이 구비되어 빛이 발산되어 화상을 표시하는 발광부(EA)로 나누어 도시하였다.

우선, 도 11에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 일례로써 일함수 값이 비교적 높은 투명도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중에서 선택되는 하나를 전면에 증착하여 투명금속층(103)을 형성하고, 연속하여 상기 투명금속층(103) 위로 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx) 중에서 선택되는 하나를 전면에 증착하여 버퍼층(105)을 형성한다. 이때, 상기 투명도전성 물질로써 형성된 투명금속층(103)뿐만 일반금속물질로써 금속층을 형성할 수도 있다. 상기 투명금속층 또는 금속층은 유기전계발광 소자의 제 1 전극을 형성하는 것으로 전술한 바와같이 일함수 값이 높은 투명도전성 물질을 이용하게 되면 유기전계발광 다이오드의 양극을 형성하게 되며, 일함수 값이 낮은 금속물질을 이용하게 될 경우 유기전계발광 다이오드의 음극을 형성하게 된다.

다음, 상기 버퍼층(105) 위로 비정질 실리콘을 전면에 증착하고, 레이저 빔 조사 등을 이용한 결정화 공정을 진행하여 상기 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 변형시킴으로서 폴리실리콘의 반도체층(107)을 형성한다.

다음, 도 12에 도시한 바와 같이, 상기 폴리실리콘의 반도체층(107) 위로 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(109)을 형성하고, 상기 포토레지스트층(109) 위로 빛의 투과영역(TA)과 차단영역(BA) 그리고 빛의 투과량을 조절할 수 있는 반투과영역(HTA)을 갖는 마스크(190)를 위치시키고, 상기 마스크(190)를 통한 노광을 실시한다. 이때, 상기 반투과영역(HTA)을 통과하는 빛은 일례로써 상기 반투과영역(HTA)을 슬릿형태로 구성한 마스크의 경우 슬릿에 의해 노광된 빛이 회절함으로써 상기 마스크(190) 상의 슬릿영역(SA)에 대응하는 포토레지스트층 영역은 상기 영역 전면에 빛이 도달하지만, 상기 마스크(190) 상의 투과영역(TA)에 대응하여 조사된 빛 전체가 조사되는 포토레지스트 영역과는 달리 상기 투과영역(TA)을 통과한 빛의 세기 또는 빛량보다는 작게되어 빛과 포토레지스트 간의 반응을 조절하게 됨으로써 상기 포토레지스트층(109)을 현상하게 되면 도 13에서와 같이 두께를 달리하는 포토레지스트 패턴(도 13의 109a, 109b)을 형성하게 되는 것이다. 이러한 슬릿영역을 구비한 마스크를 이용한 노광을 회절노광이라 한다. 전술한 회절노광법 이외에 마스크의 빛의 투과도를 조절하는 하프톤 노광을 이용하여 두께가 다른 포토레지스트층을 형성할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는 회절노광을 실시하여 두께가 다른 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 일례로서 보이고 있다.

다음, 도 13에 도시한 바와 같이, 슬릿영역(도 12의 SA)을 포함하는 마스크(도 12의 190)를 이용하여 노광된 포토레지스트층(도 12의 109)을 현상하면, 상기 마스크(도 12의 190)의 투과영역(도 12의 TA)에 대응하여 충분한 빛이 조사된 영역 의 포토레지스트층(도 12의 109)을 제거되어 기판(101) 상의 반도체층(107)을 노출시키고, 차단영역(도 12의 BA)에 대응된 포토레지스트층(도 12의 109)은 처음 포토레지스트층(도 12의 109)을 형성한 두께 그대로 제 1 포토레지스트 패턴(109a)을 형성하고, 마스크(도 12의 190) 상의 슬릿영역(SA)에 대응된 포토레지스트층(도 12의 109)은 상기 포토레지스트층(도 12의 109)과 반응하는 빛량이 조절되어 상기 제 1 포토레지스트 패턴(109a)의 두께보다는 얇은 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(109b)을 형성하게 된다. 이때, 상기 박막 트랜지스터부(TrA)에 있어서는 제 1 포토레지스트 패턴(109a)이 형성되고, 발광부(EA)에 있어서는 제 2 포토레지스트 패턴(109b)이 형성되고, 상기 박막 트랜지스터부(TrA)와 발광부(EA)의 경계 영역(BrA)에는 포토레지스트층(도 12의 109)이 제거되어 반도체층(107)을 노출시키게 된다.(제 1 마스크 공정)

다음, 도 14에 도시한 바와 같이, 경계영역(BrA)에 있어서, 상기 제 1 , 2 포토레지스트 패턴(109a, 미도시) 외부로 노출된 반도체층(도 13의 107)과 그 하부의 버퍼층(도 13의 105)과 투명금속층(도 13의 103)을 순차적으로 식각하여 기판(101)을 노출시킴으로서 박막트랜지스터부(TrA)에 있어서는 동일한 형태를 갖는 투명금속층(103a)과 버퍼층(105a)과 반도체층(107a)을 형성하고, 발광부(EA)에 있어서는 제 1 전극(113)과 그 상부로 버퍼층(105b)과 반도체층(107b)을 형성한다. 다음, 연속하여 발광부(EA)에 있어서, 얇은 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(도 13의 109b)을 애싱(ashing) 처리함으로써 반도체층(107b)을 노출시킨다. 이때, 상기 애싱(ashing)에 의해 제 1 포토레지스트 패턴(109a)의 두께가 상기 제 2 포토레 지스트 패턴(도 13의 109b)의 두께만큼이 제거되어 얇아지게 된다.

다음, 도 15에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(도 13의 109b)이 제거된 발광부(EA)에 있어서 노출된 반도체층(도 14의 107b)과 그 하부의 버퍼층(도 14의 105b)을 연속하여 식각함으로써 하부의 제 1 전극을 노출시킨다.

다음, 도 16에 도시한 바와 같이, 상기 발광부(EA)에 있어서 제 1 전극(113)이 형성된 기판(101)을 애싱(ashing) 또는 스트립(strip) 처리함으로써 박막 트랜지스터부(TrA)에 남아있는 제 1 포토레지스트 패턴(도 15의 109a) 제거하여 그 하부의 반도체층(107a)을 노출시킨다.

다음, 도 17에 도시한 바와 같이, 상기 박막 트랜지스터부(TrA)의 노출된 반도체층(도 16의 107a) 및 발광부(EA)의 제 1 전극(113) 위로 전면에 무기절연물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO₂) 중에서 선택되는 물질을 증착하여 게이트 절연막(117)을 형성하고, 연속하여, 상기 게이트 절연막(117) 위로 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등의 금속물질 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층의 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 금속층(미도시) 위로 포토레지스트의 도포, 마스크를 통한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상 및 상기 현상 후 남아있는 포토레지스트 외부로 노출된 상기 금속층(미도시)의 식각 및 남아있는 포토레지스트의 애싱(ashing) 또는 스트립(strip) 등 마스크 공정을 통한 패터닝이라 칭하는 일련의 공정을 진행하여 박막 트랜지스터부(TrA)에 게이트 전극(120)을 형성한다(제 2 마스 크 공정). 이때 도면에는 나타나지 않았으나, 상기 게이트 전극(120)과 연결되며 데이터 배선(미도시)과 함께 화소영역(P)을 정의하는 일방향의 게이트 배선(미도시)이 형성되며, 전원공급 배선(미도시)과 연결된 파워전극(미도시)이 형성된다.

다음, 상기 게이트 전극(120)이 형성된 기판(101)에 적정 도즈량을 갖는 이온주입에 의해 n+ 또는 p+ 도핑을 실시한다. 이때, 박막 트랜지스터부(TrA)의 반도체층(108, 상기 반도체층에 도핑을 실시함으로써 반도체층 내부에서 특성이 다른 두 형태의 반도체층이 형성되므로 이를 칭하는 번호를 107에서 108로 변경함)에 있어서, 상기 게이트 전극(120)에 의해 상기 이온주입이 블록킹(blocking)된 부분은 액티브층(108a)을 형성하게 되고, 그 외의 이온 주입된 반도체층 영역은 오믹콘택층(108b)을 형성하게 된다.

다음, 도 18에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(108a) 및 오믹콘택층(108a)이 형성된 기판(101)에 있어서, 게이트 전극(120) 및 게이트 배선(미도시)과 파워전극(미도시) 외부로 노출된 게이트 절연막(도 17의 117)을 식각하여 제거함으로써 제 1 전극(113) 및 오믹콘택층(108b)을 노출시킨다.

다음, 도 19에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(120)을 포함하여 노출된 제 1 전극(113) 및 오믹콘택층(108b) 위로 전면에 무기절연물질을 증착하고, 제 3 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 박막 트랜지스터부(TrA)에 있어서는 게이트 전극(120) 양측의 오믹 콘택층(108b) 일부를 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀(127, 129)을 갖는 층간절연막(125)을 형성한다 . 이때, 상기 층간절연막(125)은 상기 박막 트랜지스터부(TrA)와의 경계영역에 근접한 발광부(EA)의 제 1 전극(113) 상부의 일부영역을 제외하고는 상기 발광부(EA)에 있어서는 모두 제거됨으로써 상기 제 1 전극(113) 대부분을 노출시키며 형성되는 것이 특징이다.

다음, 도 20에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층 콘택홀(127, 129)을 갖는 층간절연막(125)이 형성된 기판(101) 전면에 금속물질을 증착하고, 제 4 마스크 공정을 실시하여 패터닝함으로써 박막 트랜지스터부(TrA)에 있어서 상기 반도체층 콘택홀(127, 129)을 통해 각각 오믹콘택층(108b)과 접촉하며, 상기 게이트 전극(120)을 사이에 두고 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 135)을 형성한다. 이때, 상기 드레인 전극(135)의 일끝단은 층간절연막(125) 사이로 노출된 제 1 전극(113)의 일끝단과 콘택홀 없이 접촉하는 것이 특징이다. 또한, 도면에는 나타나지 않았지만, 상기 소스 전극(133)과 연결되며, 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(미도시)이 형성된다.

다음, 도 21에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 135)이 형성된 기판(101) 전면에 유기절연물질을 도포하고, 제 5 마스크 공정을 통해 패터닝함으로써 박막 트랜지스터부(TrA) 전체에 보호층(140)을 형성하고, 동시에 발광부(EA)에 있어서는 상기 박막 트랜지스터부(TrA)와의 경계영역(BrA)과 상기 경계영역(BrA)과 근접한 상기 제 1 전극(113)의 일부 및 상기 제 1 전극의 타끝단에 보호층(140)을 형성한다. 즉, 발광부(EA)에 있어서는 개구부(142)를 갖는 보호층(140)을 형성한다. 이때, 도면에는 나타나지 않았으나, 상기 보호층(140)은 각 화소영역(P)을 둘러싸며 기판(101) 전체적으로는 격자구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 화소영역(P)간을 구분하는 격벽을 형성하게 된다. 더욱 정확히는 박막 트랜지스터부 (TrA)를 덮으며, 발광부(EA)의 제 1 전극(113)을 테두리하며 형성되는 것이 특징이다.

다음, 도 22에 도시한 바와 같이, 상기 보호층(140) 외부로 노출된 각 화소영역(P) 내의 발광부(EA)에 적, 녹, 청색을 갖는 발광물질을 도포 또는 증착함으로써 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색이 순차 반복되는 유기 발광층(145)을 형성한다. 이때, 상기 적, 녹, 청색의 발광물질은 노즐 코팅장치 또는 잉크 젯 장치를 이용하여 코팅 또는 분사함으로써 각 화소영역(P)별로 각각 분리된 유기 발광층(145)을 형성할 수도 있고, 또는 쉐도우 마스크를 이용하여 적, 녹 ,청색 발광물질을 각각 열증착함으로써 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색의 유기 발광층(145)을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 유기 발광층(145)은 보호층(140) 또는 격벽에 의해 각 화소영역(P)별로 분리되게 된다. 따라서, 상기 유기 발광층(145)의 형성은 별 다른 마스크 공정을 진행하지 않아도 된다.

이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 유기 발광층(145)을 형성한 방법과 동일하게, 상기 유기 발광층(145) 형성 이전에 제 1 전극(113) 상부에 정공주입층(미도시)과 정공수송층(미도시)을 더욱 형성할 수 있으며, 이러한 정공수송층(미도시) 형성 후에 전술한 유기 발광층(145)을 형성하고, 이후에 전자수송층(미도시)과 전자주입층(미도시)을 더욱 형성함으로써 유기 발광층(145)의 발광효율을 향상시킬 수 있다.

다음, 도 23에 도시한 바와 같이, 상기 적, 녹, 청색의 순차 반복적인 유기 발광층(145)이 형성된 기판(101) 전면에 일함수 값이 상기 제 1 전극(113)을 형성 한 투명도전성 물질보다 낮은 금속물질을 증착함으로써 제 2 전극(150)을 형성한다. 이 경우 상기 제 1 전극(113)이 일함수 값이 낮은 금속물질로써 형성되었을 경우 일함수 값이 높은 투명도전성 물질로써 상기 제 2 전극을 형성할 수도 있다.

다음, 도면으로 나타내지 않았지만, 상기 제 2 전극(150)이 형성된 기판(101) 위로 상기 유기 발광층(145)으로 수분 등이 침투하지 못하도록 수분에 강한 유기물질 또는 유리기판 등을 이용하여 인캡슐레이션함으로써 유기전계발광소자를 완성한다.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 유기 발광층의 하부에 형성되며, 구동박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극을 기판과 접촉하여 최하층에 형성함으로써 종래의 유기전계발광소자에 있어서 이중층으로 형성되는 제 1, 2 층간절연막 중 하나의 층간절연막을 생략함으로써 상기 층간절연막에 구비되는 제 1 전극과 드레인 전극과의 접촉을 위한 콘택홀을 생략할 수 있는 유기전계발광소자를 제안함으로써 종래의 6마스크 공정에서 5마스크 공정으로 제조 공정을 단순화하여 생산수율을 향상하고 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.

또한, 종래의 거친 표면 상태를 갖는 층간절연막 상부에 형성된 제1전극의 거친 표면 상태에 의해 발광층이 쉽게 열화되는 것을 본 발명에 의한 유기전계발광소자에 있어서는 상기 제1전극이 매끈한 표면을 갖는 기판 상에 형성됨으로써 상기 제1전극의 표면 거칠기가 비교적 매끈하게 형성됨으로서 발광층의 열화를 방지하여 유기전계발광소자의 수명을 연장시키는 효과가 있다.

Claims (14)

1. 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자에 있어서,

   기판과;

   상기 기판상의 박막트랜지스터부에 순차적으로 동일한 형태로써 패터닝되어 순차적으로 적층된 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 포함하며, 상기 반도체층 위로 게이트 절연막과 게이트 전극과 상기 반도체층을 노출시키는 반도체층 콘택홀을 구비한 층간절연막과, 상기 층간절연막 상부에 구성되며 상기 반도체층 콘택홀을 통해 반도체층과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;

   상기 기판상의 발광부에 상기 투명금속층과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 드레인 전극의 일끝이 접촉하는 것을 특징으로 하는 제 1 전극과;

   상기 구동 박막트랜지스터부 전면과 상기 발광부의 제 1 전극의 상부에 개구부를 갖는 보호층과;

   상기 발광부의 제 1 전극의 상기 보호층의 개구부에 구비된 유기 발광층과;

   상기 보호층 및 유기 발광층 상부로 전면에 구비된 제 2 전극

   을 포함하는 유기전계발광 소자.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 전극은 투명도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중에서 선택되는 물질인 유기전계발광 소자.
3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제 1 항에 있어서,

   상기 유기 발광층은 상기 유기발광층을 기준으로 그 하부에는 정공수송층과 정공주입층을 그 상부로는 전자수송층과 전자주입층을 더욱 포함하는 유기전계발광 소자.
4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제 1 항에 있어서,

   상기 반도체층은 폴리실리콘으로 형성된 유기전계발광 소자.
5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제 1 항에 있어서,

   상기 소스 및 드레인 전극이 접촉하는 반도체층은 오믹콘택층인 유기전계발광 소자.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금 중에서 선택되는 물질로 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자.
7. 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서,

   기판 상에 투명도전성 물질층과 버퍼층과 반도체층을 형성하는 단계와;

   상기 반도체층 위로 포토레지스트를 도포하고 반투과영역을 갖는 마스크를 이용하여 노광을 실시하여 상기 박막트랜지스터 형성부에는 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을, 상기 발광부에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;

   상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계와;

   상기 발광부의 노출된 제 1 전극과 박막 트랜지스터부의 반도체층 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 절연막 위로 박막 트랜지스터부에 게이트 전극을 형성하는 단계와;

   도핑을 실시하여 도핑된 오믹콘택층과 상기 게이트 전극을 블록킹 마스크로 하여 도핑되지 않는 상기 게이트 전극에 대응한 액티브층을 갖는 반도체층을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 전극을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와;

   상기 층간절연막을 패터닝하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층 일부를 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀을 형성하고, 발광부에 있어서는 상기 층간절연막을 제거하여 제 1 전극을 노출시키는 단계와;

   상기 제 1, 2 반도체층 콘택홀 및 제 1 전극을 노출시키며 형성된 층간절연막 위로 상기 제 1 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하는 소스 전극과, 상기 제 2 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하며 동시에 노출된 제 1 전극과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;

   상기 소스 및 드레인 전극 위로 박막트랜지스터부 전면을 덮으며, 상기 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 개구부를 갖는 보호층을 형성하는 단계와;

   상기 개구부 내의 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와;

   상기 보호층 및 유기 발광층 위로 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계

   를 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계는

   상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 박막 트랜지스터부와 발광부와의 경계영역 상의 반도체층과 버퍼층과 투명도전성 물질층을 제거하여 기판을 노출시키는 단계와;

   상기 제 2 포토레지스트 패턴을 애싱하여 발광부의 반도체층을 노출시키는 단계와;

   상기 노출된 발광부의 반도체층과 그 하부의 버퍼층을 식각하여 투명도전성물질층을 노출시켜 제 1 전극을 형성하는 단계

   를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
9. 제 7 항에 있어서,

   상기 게이트 전극 외부로 노출된 게이트 절연막을 식각하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층과 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 단계

   를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
10. 제 7 항에 있어서,

    상기 발광부의 층간절연막의 제거함으로써 제 1 전극을 노출시키는 단계는

    상기 박막트랜지스터부와 근접한 제 1 전극의 일끝단부는 층간절연막은 제거되지 않고 남아있도록 패터닝되는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
11. 제 7 항에 있어서,

    상기 드레인 전극은 제 1 전극의 일끝단과 접촉하는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
12. 제 7 항에 있어서,

    상기 버퍼층은 무기절연물질인 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 형성되는 유기전계발광 소자의 제조방법.
13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 7 항에 있어서,

    상기 반도체층은 폴리실리콘으로 형성되는 유기전계발광 소자의 제조방법.
14. 제 7 항에 있어서,

    상기 보호층을 둘러싸인 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계는

    상기 유기발광층 하부로 상기 제 1 전극과 접촉하는 정공주입층을 형성하는 단계와;

    상기 정공주입층 위로 정공수송층을 형성하는 단계와;

    상기 정공수송층 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와;

    상기 유기 발광층 위로 전자 수송층을 형성하는 단계와;

    상기 전자 수송층 위로 전자 주입층을 형성하는 단계

    를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.

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