KR101065413B1 - 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101065413B1 KR101065413B1 KR1020090060851A KR20090060851A KR101065413B1 KR 101065413 B1 KR101065413 B1 KR 101065413B1 KR 1020090060851 A KR1020090060851 A KR 1020090060851A KR 20090060851 A KR20090060851 A KR 20090060851A KR 101065413 B1 KR101065413 B1 KR 101065413B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- layer
- substrate
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 40
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 Ta 2 O 5 Chemical compound 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 120
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Abstract
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치, 배면발광
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 배면발광시 유기막에 의해 투과도가 저하되고, 단차에 의한 불량방지를 해결할 수 있는 최적화된 유기막을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계발광표시장치는 전자(electron) 주입 전극(cathode)과 정공(hole) 주입 전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 발광 표시 장치이다.
이러한 원리로 인해 종래의 액정 박막 표시 소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
상기 유기전계발광표시장치를 구동하는 방식은 수동 매트릭스 방식(passive matrix type)과 능동 매트릭스 방식(activematrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 수동 매트릭스 방식 유기전계발광표시장치는 그 구성이 단순하여 제조 방법 또한 단순하나 높은 소비 전력과 표시 소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
또한, 유기전계발광표시장치는 유기발광층으로부터 발생된 광이 방출되는 방향에 따라 배면발광구조와 전면발광구조로 나눌 수 있는데, 배면발광구조는 형성된 기판쪽으로 광이 방출되는 것으로서 상부전극으로 반사전극이나 반사막이 형성되고 하부전극으로 투명전극이 형성된다. 여기서, 유기전계발광표시장치가 박막트랜지스터가 형성되는 능동 매트릭스 방식을 채택할 경우에 박막트랜지스터가 형성된 부분은 광이 투과하지 못하게 되므로 빛이 나올 수 있는 면적이 줄어들 수 있다. 이와 달리, 전면발광구조는 상부전극으로 투명전극이 형성되고 하부전극으로 반사전극이나 반사막이 형성됨으로써 광이 기판쪽과 반대되는 방향으로 방출되어 지므로 빛이 투과하는 면적이 넓어지므로 휘도가 향상될 수 있다. 현재는 하나의 기판 상에 전면발광과 배면발광을 동시에 구현할 수 있는 양면 발광 유기전계발광표시장치가 주목받고 있다.
그러나, 종래의 유기전계발광표시장치는 전면발광 영역으로 사용될 때는 문제가 없으나, 배면발광 영역으로 사용될 때는 유기막에 의한 투과도 저하로 고품위의 화질을 구현하기 어려웠다. 또한, 발광부의 유기막을 모두 제거할 시 단차가 생겨 박막인 하부 전극, 유기막, 상부전극을 적층시 단차 피복성(step coverage)이 좋지 못하여 암점 등의 불량을 유발할 수 있다. 그러므로 불량을 방지하고, 투과도를 개선할 수 있는 유기막의 형성이 요구되어진다.
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 배면 또는 양면발광시 유기막에 의해 투과도가 저하되고, 단차에 의한 불량방지를 해결할 수 있는 최적화된 유기막을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다..
본 발명은 발광부의 유기막을 최적화한 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법을 제공함으로써, 배면 도는 양면발광시 발광면에 위치하는 유기막들에 의해 빛의 투과도가 저하되는 단점과, 유기막 제거시 단차에 의한 불량을 해결함으로써, 특성이 개선된 유기전계발광표시장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
또는 기판 “상”에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
(제1 실시예)
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 따른 도면이다.
도 1a를 참조하면, 화소영역(a) 및 비화소영역(b)를 구비하는 기판(100)을 제공한다. 그리고 나서, 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 기판(100)은 플라스틱 또는 유리 등으로 형성된 투명기판이며, 상기 버퍼층(110)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하는 역활을 하며, 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성하며, TiO2, HfO2, Al2O3, HfO2, SiOx, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, Y2O3, La2O3, AZO 등의 물질도 포함할 수 있고, 하나 또는 다수개의 층으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 1b를 참조하면, 상기 버퍼층(110) 상에 비화소영역(b)에 위치하는 반도체층(120)을 형성한다. 상기 반도체층(120)은 비정질 실리콘으로 형성하고, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘을 형성한 후, 패터닝하여 반도체층(120)으로 형성한다. 이때 상기 비정질 실리콘은 화학적 기상 증착법(Chemical VaporDeposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 또한 상기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. 여기서는 실리콘층으로 반도체층을 형성하는 것을 설명하였으나, 상기 반도체층(120)은 산화물 반도체층으로도 형성가능하다.
그리고 나서, 상기 반도체층(120)이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 한 개 또는 다층구조로 형성할 수 있으며, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 이용하여 형성하며, TiO2, HfO2, Al2O3, HfSiOx, Ta2O5, Nb2O5 등의 물질도 포함할 수 있다.
바람직하게 상기 게이트 절연막(130)은 실리콘산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 순으로 적층하여 형성하며, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 각각을 300 내지 500 Å으로 형성할 수 있다. 그 이유는 배면발광 소자에서 빛 발광시 공 진효과를 최대화하여 효율 및 색재현율 증가에 효과가 있기 때문이다.
계속해서, 도 1c를 참조하면, 상기 전면에 형성된 게이트 절연막(130) 상에 화소영역(a) 상에는 제 1전극(132)을 형성하고, 비화소영역(b) 상에는 상기 반도체층(120)에 대응되도록 게이트 전극(135)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 전극(132)과 상기 게이트 전극(135)는 동시에 형성할 수 있다.
그리고, 상기 제 1 전극(132)은 투명전도막인 ITO 계열과 IZO, AZO, GZO 등의 ZnO 계열의 TCO로 형성하며, 두께는 300 내지 500Å으로 형성한다.
그리고, 상기 게이트 전극(135)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층을 게이트 전극용 금속층(도시안됨)을 형성하고, 사진 식각공정으로 상기 게이트 전극용 금속층을 식각하여 상기 게이트 전극(150)을 형성한다.
상기 게이트 전극(150)은 2중막(미도시)으로도 형성이 가능한데, 하부는 ITO, IZO, AZO, GZO 등의 투명 전도막으로 형성하고, 상부는 Al, Al-Nd, Cr, Mo 으로 형성할 수 있으며, 상기 하부의 ITO, IZO, AZO, GZO 등의 투명전도막은 상기 제 1 전극(132)와 동시에 형성가능하다.
이후, 도 1d를 참조하여, 상기 기판 전면에 걸쳐 층간절연막(140)을 형성하고, 상기 반도체층(120) 및 제 1 전극(132)의 일부를 노출시키며 소스/드레인 전극과 연결되는 콘택홀(140a, 140b, 140c)를 형성한다.
그리고 나서, 도 1e를 참조하면, 상기 층간절연막(140) 상에 상기 콘택 홀(140a, 140b ,140c)를 통하여 반도체층(120) 및 제 1 전극(132)와 연결되는 소스/드레인 전극(150a,150b)를 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(150a,150b)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴텅스텐(MoW), 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 구리(Cu), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 알루미늄 합금(Al alloy), 및 구리 합금(Cu alloy) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있다.
이어서, 도 1f 를 참조하면, 상기 기판 전면에 걸쳐 보호막(160)을 형성한다. 그리고 나서, 상기 화소영역(a)에 위치하는 제 1 전극(132)의 일부를 노출시키도록 상기 층간절연막(140) 및 상기 보호막(160)의 일부를 제거한다.
그리고 나서, 도 1g를 참조하면, 상기 노출된 제 1전극(132) 상에 위치하는 유기발광층을 포함하는 유기막(170)을 형성하고, 상기 기판(100) 전면에 걸쳐 제 2 전극(180)을 형성하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 완성한다.
(제 2실시예)
도 2a 내지 2g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 관한 것이다. 제 2 실시예는 제 1 실시예의 소스/드레인 전극과 제 1 전극 사이에 콘택층(235a)를 더 포함한다는 것으로, 콘택층(235a) 형성을 제외한 다른부분은 제 1 실시예와 동일하다. 그러므로 동일한 부분은 반복을 피하기 위하여 생략한다.
도 2a를 참조하면, 화소영역(a) 및 비화소영역(b)를 구비하는 기판(200)을 준비하고, 상기 기판(200) 상에 버퍼층(210)을 형성한다. 플라스틱 또는 유리 등으 로 형성된 투명기판이며, 상기 버퍼층(110)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하는 역활을 하며, 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성하며, TiO2, HfO2, Al2O3, HfSiOx, Ta2O5, Nb2O5 등의 물질도 포함할 수 있다.
이어서, 도 2b를 참조하면, 상기 버퍼층(210) 상에 비화소영역(b)에 위치하는 반도체층(220)을 형성한다. 상기 반도체층(220)은 비정질 실리콘으로 형성하고, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘을 형성한 후, 패터닝하여 반도체층(220)으로 형성한다. 그리고 기판(200) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(230)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(230)은 삼중실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성하며, TiO2, HfO2, Al2O3, HfSiOx, Ta2O5, Nb2O5 등의 물질도 포함할 수 있다.
계속해서, 도 2c를 참조하면, 상기 전면에 형성된 게이트 절연막(230) 상에 화소영역(a) 상에는 제 1전극(232)을 형성한다. 그리고 나서, 상기 제 1 전극(232) 상에 콘택층(235a)과 비화소영역(b) 상에는 상기 반도체층(220)에 대응되도록 게이트 전극(235)을 형성한다.
상기 게이트 전극(150)은 2중막(미도시)으로도 형성이 가능한데, 하부는 ITO, IZO, AZO, GZO 등의 투명 전도막으로 형성하고, 상부는 Al, Al-Nd, Cr, Mo 으로 형성할 수 있으며, 상기 하부의 ITO, IZO, AZO, GZO 등의 투명전도막은 상기 제 1 전극(232)와 동시에 형성가능하다.
이때, 상기 제 1 전극(132)은 투명전도막인 ITO 계열과 IZO, AZO, GZO 등의 ZnO 계열의 TCO로 형성하며, 두께는 300 내지 500Å으로 형성한다.
그리고, 상기 콘택층(235a)과 게이트 전극(135)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층을 게이트 전극용 금속층(도시안됨)을 형성하고, 사진 식각공정으로 상기 게이트 전극용 금속층을 식각하여 상기 게이트 전극(150)을 형성한다.
그리고 나서, 도 2d를 참조하면, 상기 기판 전면에 걸쳐 층간절연막(240)을 형성하고, 상기 층간절연막(240)의 일부를 식각하여 상기 콘택층(235a) 및 반도체층(220)의 일부를 노출시키는 콘택홀(240a, 240b,240c)를 형성한다.
도 2e를 참조하면, 상기 콘택홀(240a, 240b,240c)을 통하여 상기 반도체층(220)과 제 1 전극(232)가 전기적으로 연결할 수 있게 소오스/드레인 전극(250a,250b)를 형성한다.
상기 콘택층(235a)은 상기 소오스/드레인 전극(250a,250b)와 제 1 전극(232) 사이에 위치함으로써, 콘택저항을 감소시키는 기능을 한다.
그리고 나서, 도 2f를 참조하면, 상기 기판(200) 전면에 걸쳐 보호막(260)을 형성한다. 그리고 나서, 상기 층간절연막(240) 및 보호막(260)을 식각하여 제 1 전극(232)의 일부를 노출시킨다.
계속해서 2g를 참조하면, 상기 노출된 제 1 전극(232) 상에 유기발광층을 포 함하는 유기막(270)을 형성하고, 기판(200) 전면에 걸쳐 제 2 전극(280)을 형성하여 제 2 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 완성한다.
상기와 같이 본 발명은 제 1 실시예와 제 2 실시예에 따라 유기전계발광표시장치를 완성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 당업자에게 잘 알려진 기술의 병합으로 응용할 수 있다.
하기 기재되는 것은 제 1 실시예에 따른 게이트 절연막의 조건을 변경하여 레드, 그린, 블루발광층의 발광을 측정한 실험예 및 비교예이다. 하기 기재된 실험예1 내지 실험예 3과 비교예 1 내지 비교예3은 제 1 실시예를 참조할 수 있으며, 동일한 부분은 반복을 줄이기 위해 생략하였다.
도 3은 실시예 1의 화소영역의 게이트 절연막(130)을 더 상세한 구조로 나타낸 단면도로써, 하기 실험예 및 비교예는 도 3을 참조한다.
상기 도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a), 실리콘 질화막(130b), 제 2 실리콘 산화막(130c) 순으로 적층된 게이트 절연막(130)이 위치하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO의 제 1 전극(132)가 위치한다.
(실험예 1)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 300Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(실험예 2)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 400Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(실험예 3)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(실험예 4)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 300Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(실험예 5)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 400Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(실험예 6)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 1)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 200Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 2)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 600Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 3)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 500Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 700Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 4)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 200Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 5)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 600Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
(비교예 6)
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 위치하며, 상기 버퍼층(110) 상에 제 1 실리콘 산화막(130a)을 300Å, 실리콘 질화막(130b)을 700Å, 제 2 실리콘 산화막(130c) 500Å 순으로 적층된 게이트 절연막(130)을 형성하며, 상기 게이트 절연막(130) 상에 ITO로 제 1 전극(132)을 형성하였다.
도 4 a 및 도 4b는 상기 게이트 절연막(130) 중 제 1 전극(132)과 직접 접촉해 있는 제 2 실리콘산화막(130c)의 두께를 변화시킨 후, 색좌표와 휘도를 측정한 것으로써, 도4a 및 4b는 레드발광층의 색좌표와 휘도 이며, 도 4c는 그린발광층의 색좌표이고, 도 4d는 블루발광층의 색좌표이다.
도 4a를 참조하면, 제 2 실리콘 산화막(130c)을 200Å으로 형성한 비교예1 의 경우 레드발광이 바람직한 색좌표를 벗어났다. 그리고 제 2 실리콘 산화막(130c)을 600Å으로 형성한 비교예 2와 제 2 실리콘 산화막(130c)을 700Å으로 형성한 비교예3의 경우 레드발광은 발현되나, 도 4b를 참조하여 휘도를 살펴보면, 비교예2 및 비교예3의 휘도가 현저히 저하됨을 알 수 있다.
그리고 도 4c를 참조하면, 그린발광의 경우 제 2 실리콘 산화막(130c)을 300Å, 400Å, 500Å, 600Å 으로 형성한, 실험예1, 실험예2, 실험예 3, 비교예 2가 바람직한 그린색을 발현시키고, 도 4d를 참조하면, 블루발광의 경우 제 2 실리콘 산화막(130c)을 300Å, 400Å, 500Å, 600Å 으로 형성한, 실험예1, 실험예2, 실험예 3, 비교예 2가 바람직한 블루색을 발현시키는 것을 알 수 있다.
그러므로 상기 레드발광, 그린발광, 블루발광의 효과를 최대화 하기 위해서는 제 2 실리콘 산화막(130c)을 300 내지 500Å으로 형성하여야 한다.
도 5a 내지 도 5d는 실리콘 질화막(130b)의 두께를 변화시킨 후 측정한 레드발광층, 그린발광층, 블루발광층의 색좌표 및 휘도에 관한 그래프로써, 도5a 및 5b는 레드발광층의 색좌표와 휘도 이며, 도 5c는 그린발광층의 색좌표이고, 도 5d는 블루발광층의 색좌표이다.
도 5a를 참조하면, 실리콘 질화막(130b)을 200Å으로 형성한 비교예4의 경우 레드발광이 바람직한 색좌표를 벗어났다. 그리고 제 2 실리콘 질화막(130b)을 600Å으로 형성한 비교에 5와 실리콘 질화막(130b)을 700Å으로 형성한 비교예6의 경우 레드발광은 발현되나, 도 5b를 참조하여 휘도를 살펴보면, 비교예5 및 비교예6의 휘도가 현저히 저하됨을 알 수 있다.
그리고 도 5c를 참조하면, 그린발광의 경우 실리콘 질화막(130b)을 400Å, 500Å, 600Å 으로 형성한, 실험예2, 실험예3, 비교예 5가 바람직한 그린색을 발현시키고, 도 5d를 참조하면, 블루발광의 경우 제 2 실리콘 산화막(130c)을 500Å, 600Å 으로 형성한, 실험예6, 비교예 5가 바람직한 블루색을 발현시키는 것을 알 수 있다.
그러므로, 상기 레드발광, 그린발광, 블루발광을 가장 바람직하게 실현시킬 수 있는 것은 실리콘 질화막(130c)의 두께를 300 내지 500Å으로 형성하였을 때 있음 결론지을 수 있다.
(제 3 실시예)
제 3 실시예는 게이트 전극을 반도체층 하부에 형성하는 바텀게이트 구조의 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 제 1 실시예와 비교하였을 때, 제 1 실시예는 탑 게이트 구조의 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 게이트 전극의 위치만 상이하고, 다른 부분은 모두 동일한 방법을 적용한다. 그러므로 중복을 피하기 위하여 동일한 부분은 생략한다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 관한 도면이다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 화소영역(a)와 비화소영역(b)를 구비하는 기판(300)을 제공하고, 상기 기판(300) 상에 버퍼층(310)을 형성하고, 상기 버퍼층(310) 상에 게이트 전극(320)을 형성한다. 상기 게이트 전극(320)은 비화소영역(b) 상에 위치하게 형성한다.
그리고 나서, 상기 기판(300) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(330)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(300) 상의 화소영역(a)에는 제 1 전극(350)을 형성하고, 비화소영역(b) 상에는 반도체층(340)을 형성한다. 상기 반도체층(340)은 상기 게이트 전극(320)에 대응되도록 형성한다.
상기 기판(300), 버퍼층(310), 반도체층(340), 게이트 절연막(330), 제 1 전극(350)은 제 1 실시예와 동일한 방법으로 형성한다.
이어서, 도 6b를 참조하면, 상기 기판(300) 상의 제 1 전극(350)과 반도체층(340)을 전기적으로 연결하는 소오스/드레인 전극(360a,360b)를 형성한다. 여기서는 소오스/드레인 전극(360a,360b)을 상기 제 1 전극(350) 상에 직접 형성하였으나, 상기 소스/드레인 전극과 상기 제 1 전극 사이에 절연막을 더 포함한 후, 콘택홀을 형성하여 전기적으로 연결되도록 형성할 수도 있다.
상기 게이트 전극(350)은 제 1 실시예에 기재한 바와 같이, 게이트 전극용 금속으로 단일층으로 형성할 수도 있고, 제 1 전극(350)과 동일한 물질로 하부를 형성하고, 상부는 게이트 전극용 물질로 형성하여 2층 구조로도 형성가능하다.
그리고 나서, 도 6c를 참조하면, 소오스/드레인 전극(360a, 360b)를 형성한 기판(300) 상에 상기 제 1 전극(350)의 일부를 노출시켜 화소를 정의하는 보호막(370)을 형성한다.
이 후, 상기 노출된 제 1 전극(350) 상에 유기발광층을 포함하는 유기막(375)를 형성한다. 그리고 나서, 상기 제 2 전극(380)을 기판(300) 전면에 형성하여, 본 발명의 실시예 3에 따른 유기전계발광표시장치를 완성한다.
상기와 같이, 배면발광의 유기전계발광소자에서는 제 1 전극 하부에 위치하는 게이트 절연막의 종류 및 두께에 따라 색발현 및 휘도가 달라지므로, 레드발광, 그린발광, 블루발광을 잘 구현하기 위해서는 적절한 범위의 두께 및 물질로 절연막을 형성해야한다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 제 1 실시예에 대한 유기전계발광표시장치에 관한 도면이고,
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 제 2 실시예에 대한 유기전계발광표시장치에 관한 도면이고,
도 3은 본 발명의 실험예에 대한 도면이고,
도 4a 내지 도 5d는 본 발명의 실험예 및 비교예에 대한 그래프이고,
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제 3 실시예에 대한 유기전계발광표시장치에 관한 도면이다.
Claims (28)
- 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극;상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막;상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극은 TCO 계열 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두께는 각각 300 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 하나 또는 복수개의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, TiO2, HfO2, Al2O3, HfO2, SiOx, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, Y2O3, La2O3, AZO 중 어느 하나를 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극;상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막;상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극과 상기 소오스/드레인 전극 사이에는 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 8항에 있어서,상기 제 1 전극은 TCO 계열의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두께는 각각 300 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 버퍼층은 하나 또는 복수개의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, TiO2, HfO2, Al2O3, HfO2, SiOx, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, Y2O3, La2O3, AZO 중 어느 하나를 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 콘택층은 동일한 물질로 이루어 진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판을 제공하고,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고,상기 버퍼층의 비발광영역 상에 반도체층을 형성하고,상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하고,상기 반도체층에 대응되도록 게이트 전극을 형성하고,상기 게이트 절연막 상의 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극을 형성하고,상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 게이트 전극과 절연되는 소스/드레인 전극을 형성하고,제 1 전극을 개구시키며 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막을 형성하고,상기 제 1 전극 상에 유기막을 형성하고,상기 기판 전면에 걸쳐 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에는 층간절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘산화막 및 실리콘 질화막을 적층하여 다층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 순으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,상기 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막은 각각 300 내지 500Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,상기 제 1 전극은 TCO 계열의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 게이트 전극;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 비발광영역에 위치하며, 상기 게이트 전극에 대응되는 반도체층;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극;상기 비발광영역 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극;상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막;상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 22항에 있어서,상기 제 1 전극은 TCO 계열 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두께는 각각 300 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 버퍼층은 하나 또는 복수개의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, TiO2, HfO2, Al2O3, HfO2, SiOx, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, Y2O3, La2O3, AZO 중 어느 하나를 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090060851A KR101065413B1 (ko) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2010047860A JP2011014870A (ja) | 2009-07-03 | 2010-03-04 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US12/822,838 US8415659B2 (en) | 2009-07-03 | 2010-06-24 | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| CN2010102220309A CN101944537B (zh) | 2009-07-03 | 2010-07-05 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| EP10168418A EP2270866B1 (en) | 2009-07-03 | 2010-07-05 | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090060851A KR101065413B1 (ko) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110003201A KR20110003201A (ko) | 2011-01-11 |
| KR101065413B1 true KR101065413B1 (ko) | 2011-09-16 |
Family
ID=42937851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090060851A KR101065413B1 (ko) | 2009-07-03 | 2009-07-03 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8415659B2 (ko) |
| EP (1) | EP2270866B1 (ko) |
| JP (1) | JP2011014870A (ko) |
| KR (1) | KR101065413B1 (ko) |
| CN (1) | CN101944537B (ko) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120031772A (ko) * | 2010-09-27 | 2012-04-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120032904A (ko) | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101782557B1 (ko) | 2010-10-25 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101911509B1 (ko) | 2011-06-27 | 2018-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101862606B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 ｏｌｅｄ 표시장치 |
| KR101912923B1 (ko) | 2011-12-12 | 2018-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| DE102012200084B4 (de) * | 2012-01-04 | 2021-05-12 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes organisches bauteil |
| US9854839B2 (en) | 2012-01-31 | 2018-01-02 | Altria Client Services Llc | Electronic vaping device and method |
| CN102820322B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-07-01 | 电子科技大学 | 含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法 |
| KR102295537B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101943687B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2019-01-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| CN106941134A (zh) * | 2017-02-20 | 2017-07-11 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示设备及其制备方法 |
| CN109768070A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060028251A (ko) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100601370B1 (ko) | 2004-04-28 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP2006216539A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置の電極形成方法、有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2008165170A (ja) | 2007-01-03 | 2008-07-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG114502A1 (en) * | 2000-10-24 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of driving the same |
| JP2002293687A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Sony Corp | 多結晶性ダイヤモンド薄膜及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
| JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| US7897979B2 (en) * | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100496297B1 (ko) * | 2003-03-06 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 |
| KR100581901B1 (ko) | 2004-02-06 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
| KR100615211B1 (ko) | 2004-02-26 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100635064B1 (ko) | 2004-05-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 |
| JP5025095B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2012-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7554265B2 (en) | 2004-06-25 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR100600878B1 (ko) | 2004-06-29 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP4063266B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
| KR100647683B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| KR100683766B1 (ko) | 2005-03-30 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101180863B1 (ko) | 2005-05-31 | 2012-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP4959961B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2012-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| KR100731753B1 (ko) | 2005-09-26 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| TWI294192B (en) * | 2006-04-06 | 2008-03-01 | Au Optronics Corp | Method for manufacturing an organic light-emitting display (oled) with black matrix |
| KR100853545B1 (ko) | 2007-05-15 | 2008-08-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| TWI345836B (en) | 2007-06-12 | 2011-07-21 | Au Optronics Corp | Dielectric layer and thin film transistor,display planel,and electro-optical apparatus |
| KR101009646B1 (ko) * | 2007-08-01 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 표시 장치 |
| JP2009111023A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| WO2010065835A2 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for solution processed electronic devices |
-
2009
- 2009-07-03 KR KR1020090060851A patent/KR101065413B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-03-04 JP JP2010047860A patent/JP2011014870A/ja active Pending
- 2010-06-24 US US12/822,838 patent/US8415659B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-05 CN CN2010102220309A patent/CN101944537B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-05 EP EP10168418A patent/EP2270866B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601370B1 (ko) | 2004-04-28 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR20060028251A (ko) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2006216539A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置の電極形成方法、有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2008165170A (ja) | 2007-01-03 | 2008-07-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110001139A1 (en) | 2011-01-06 |
| KR20110003201A (ko) | 2011-01-11 |
| CN101944537A (zh) | 2011-01-12 |
| US8415659B2 (en) | 2013-04-09 |
| JP2011014870A (ja) | 2011-01-20 |
| EP2270866B1 (en) | 2012-11-28 |
| CN101944537B (zh) | 2013-06-05 |
| EP2270866A1 (en) | 2011-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101065413B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| CN105720081B (zh) | 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法 | |
| KR101125566B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| EP1840984B1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| KR101726620B1 (ko) | 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR100731753B1 (ko) | 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100651936B1 (ko) | 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2005340197A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
| KR20060050803A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8633479B2 (en) | Display device with metal oxidel layer and method for manufacturing the same | |
| KR20130071823A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4637831B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 | |
| US10084026B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| KR20100068644A (ko) | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150069834A (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| KR102430705B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20110031478A1 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| KR20100137272A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20090021709A (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR102221426B1 (ko) | 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN104752463B (zh) | 一种有机发光显示装置及其制备方法 | |
| KR101889950B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| CN114725128B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| KR101936124B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
| KR20150033406A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160831 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |