KR102221426B1 - 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 각각이 다수의 부화소를 포함하는 제1기판과; 상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 제1전극, 발광층, 제2전극을 포함하고, 자외선을 방출하는 발광다이오드와; 상기 발광다이오드 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드에 연결되는 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드의 자외선을 가시광선으로 변환하는 파장변환층을 포함하는 발광다이오드 표시장치를 제공한다.

Description

발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 {Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same}
본 발명은 발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자외선 발광다이오드와 파장변환층을 포함하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device), 마이크로 엘이디 표시장치(micro-LED display device)와 같은 평판표시장치(flat panel display)는 고해상도 구현이 용이한 장점을 갖는다.
그런데, 액정표시장치는, 자발광 타입이 아니며 광원으로서 백라이트 유닛을 포함하므로, 경량박형에 한계가 있으며, 완벽한 블랙을 구현하지 못하여 대조비가 저하되는 문제가 있다.
그리고, 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED display device)는, 대면적 고해상도에서 발광층을 화소 별로 미세하게 패터닝 하기 어려운 문제가 있다. 이러한 문제를 해소하기 위하여, 백색 발광층을 패터닝 없이 모든 화소에 형성하거나, 청색 발광층을 패터닝 없이 모든 화소에 형성하고 파장변환층을 각 화소에 형성할 수 있는데, 이 경우에는 효율이 저하되고 소비전력이 증가하는 문제가 있다.
또한, 평판표시장치 중 마이크로 엘이디 표시장치(micro-LED display device)는, 표시품질이나 소비전력 면에서는 우수한 특성을 갖지만, 미세한 마이크로 엘이디 칩을 대면적 기판에 부착하는 공정이 복잡하고 난해하여 수율 및 생산성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 기판 상부의 각 부화소에 자외선 발광다이오드 및 파장변환층을 형성함으로써, 대조비, 효율 및 소비전력이 개선되고 대면적 고해상도 적용이 용이한 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은, 증착을 통하여 기판 상부에 직접 자외선 발광다이오드를 형성함으로써, 공정이 단순화 되고 수율 및 생산성이 향상되는 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 각각이 다수의 부화소를 포함하는 제1기판과; 상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 제1전극, 발광층, 제2전극을 포함하고, 자외선을 방출하는 발광다이오드와; 상기 발광다이오드 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드에 연결되는 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드의 자외선을 가시광선으로 변환하는 파장변환층을 포함하는 발광다이오드 표시장치를 제공한다.
그리고, 상기 발광다이오드는, 상기 제1기판 내면 전면에 배치되는 제1전극과; 상기 제1전극 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 버퍼층, 활성층, 콘택층을 포함하는 발광층과; 상기 발광층 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 제2전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1전극은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr) 중 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 버퍼층은 알루미늄 나이트라이드(AlN)를 포함하고, 상기 활성층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlxGa(1-x)N)를 포함하고, 상기 콘택층은 P타입의 갈륨 나이트라이드(GaN)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 자외선은 450nm 이하의 파장을 가질 수 있다.
그리고, 상기 파장변환층은 양자점을 포함하고, 상기 파장변환층은 6μm 내지 50μm의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드 표시장치는, 상기 제1기판과 마주보며 이격되는 제2기판과; 상기 제2기판 내면의 상기 다수의 부화소의 경계부에 배치되는 격벽과; 상기 제2기판 내면의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 반사층과; 상기 파장변환층과 상기 반사층 사이와 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 컬러필터층을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 반사층은 티타늄 옥사이드(TiOx), 징크 옥사이드(ZnOx), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 알루미늄 옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은, 제1기판 상부의 다수의 부화소에 각각 제1전극, 발광층, 제2전극을 포함하고 자외선을 방출하는 발광다이오드를 형성하는 단계와; 상기 발광다이오드 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 발광다이오드에 연결되는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 발광다이오드의 자외선을 가시광선으로 변환하는 파장변환층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공한다.
그리고, 상기 파장변환층을 형성하는 단계는, 제2기판 상부의 상기 다수의 부화소의 경계부에 격벽을 형성하는 단계와; 상기 제2기판 내면의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 반사층을 형성하는 단계와; 상기 반사층 상부의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터층 상부의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 파장변환층을 형성하는 단계와; 상기 발광다이오드 및 상기 구동 박막트랜지스터를 갖는 상기 제1기판과 상기 파장변환층을 갖는 상기 제2기판을 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은, 기판 상부의 각 부화소에 자외선 발광다이오드 및 파장변환층을 형성함으로써, 대조비, 효율 및 소비전력이 개선되고 대면적 고해상도 적용이 용이해지는 효과를 갖는다.
그리고, 본 발명은, 증착을 통하여 기판 상부에 직접 자외선 발광다이오드를 형성함으로써, 공정이 단순화 되고 수율 및 생산성이 향상되는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치를 도시한 블록도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치의 하부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치의 상부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 설명한다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치를 도시한 블록도 및 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치(110)는, 제1 및 제2기판(120, 160), 박막트랜지스터(Ts, Td), 발광다이오드(D), 파장변환층(168)을 포함한다.
구체적으로, 제1 및 제2기판(120, 160)은, 서로 마주보며 이격되어 배치되고, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)를 포함한다.
제1 및 제2기판(120, 160)은 각각 유리와 같은 비정질 물질로 이루어질 수 있다.
제1기판(120) 내면 전면에는 제1전극(122)이 배치되는데, 제1전극(136)은, 후속공정에서 증착(deposition) 등을 통하여 형성되는 발광층(138)의 결정성 향상을 위한 시드(seed) 역할을 하는 베리어(barrier)층 일 수 있으며, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr) 중 하나로 이루어질 수 있다.
도 2에서는 제1전극(122)이 제1기판(120) 전면에 배치되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 제1전극(122)이 제1기판(120) 내면의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 분리되어 배치될 수도 있다.
제1전극(122) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 발광층(138)이 배치되는데, 발광층(138)은 제1전극(136) 상부에 순차적으로 배치되는 버퍼층(126), 활성층(128), 콘택층(130)을 포함할 수 있다.
발광층(124)은 증착 및 노광식각(photolithography) 공정을 통하여 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 배치될 수 있다.
버퍼층(126)은, 제1전극(122)과 활성층(128) 사이의 부정합을 완화하는 역할을 할 수 있으며, 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 이루어질 수 있다.
활성층(128)은, 전자(electron)와 홀(hole)의 재결합에 의하여 자외선(UV)과 같은 빛을 생성하는 역할을 하는 양자우물(quantum well)층 일 수 있으며, 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlxGa(1-x)N)와 같은 합금으로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 활성층(128)은 약 450nm 이하의 파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다.
그리고, 합금으로 이루어지는 활성층(128)은 약 450도 내지 약 650도의 상대적으로 낮은 온도에서 형성되므로, 유리로 이루어지는 제1기판(120) 상부에 직접 형성될 수 있으며, 미세결정(microcrystal) 구조를 가질 수 있다.
콘택층(130)은, 활성층(128)이 후속공정에서 형성되는 제2전극(132)과 오믹콘택이 되도록 하는 역할을 하며, P타입의 갈륨 나이트라이드(GaN)로 이루어질 수 있다.
도 2에서는 발광층(124)이 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 분리되어 배치되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 발광층(124)이 제1기판(120) 전면에 배치될 수도 있다.
발광층(124) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 제2전극(132)이 배치된다.
제2전극(148)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO)와 같은 투명도전물질의 단일층이나 투명도전물질과 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질의 이중층으로 이루어질 수 있다.
여기서, 제1전극(122), 발광층(124), 제2전극(132)은 자외선과 같은 빛을 방출하는 발광다이오드(D)를 구성한다.
예를 들어, 제1 및 제2전극(122, 132)은 각각 양극 및 음극일 수 있다.
발광다이오드(D) 상부의 제1기판(120) 전면에는 패시베이션층(134)이 배치되고, 패시베이션층(134) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 반도체층(136)이 배치된다.
패시베이션층(134)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.
반도체층(136)은 실리콘(silicon), 산화물 반도체(oxide semiconductor)와 같은 반도체물질로 이루어질 수 있으며, 중앙의 채널영역, 채널영역 양측의 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다. 실리콘은 비정질(amorphous) 또는 다결정(polycrystalline) 일 수 있다.
반도체층(136) 상부의 제1기판(120) 전면에는 게이트절연층(138)이 배치되고, 반도체층(136)에 대응되는 게이트절연층(138) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 게이트전극(140)이 배치된다.
그리고, 게이트절연층(138) 상부에는 제1방향(예를 들어, 가로방향 또는 수평방향)을 따라 연장되는 게이트배선(GL)이 배치된다.
게이트절연층(138)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있고, 게이트전극(140) 및 게이트배선(GL)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다.
게이트전극(140) 및 게이트배선(GL) 상부의 제1기판(120) 전면에는 층간절연층(142)이 배치되는데, 층간절연층(142) 및 게이트절연층(138)은 반도체층(136)의 소스영역 및 드레인영역을 각각 노출하는 제1 및 제2콘택홀을 포함하고, 층간절연층(142), 게이트절연층(138) 및 패시베이션층(134)은 발광다이오드(D)의 제2전극(132)을 노출하는 제3콘택홀을 포함한다.
층간절연층(142)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.
층간절연층(142) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 제1콘택홀을 통하여 반도체층(136)의 소스영역에 연결되고 제3콘택홀을 통하여 발광다이오드(D)의 제2전극(132)에 연결되는 소스전극(144)과, 제2콘택홀을 통하여 반도체층(136)의 드레인영역에 연결되는 드레인전극(146)이 배치된다.
그리고, 층간절연층(142) 상부에는 제2방향(예를 들어, 세로방향 또는 수직방향)을 따라 연장되는 데이터배선(DL)이 배치되는데, 데이터배선(DL)은 게이트배선(GL)과 교차하여 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각을 정의한다.
소스전극(144), 드레인전극(146), 데이터배선(DL)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다.
여기서, 반도체층(136), 게이트전극(140), 소스전극(144), 드레인전극(146)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성하는데, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극(140)에 인가되는 데이터신호를 제어하고, 구동 박막트랜지스터(Td)는 발광다이오드(D)에 인가되는 전류를 제어할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td) 외에도 센싱 박막트랜지스터, 발광 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터와 같은 다수의 소자가 배치될 수 있다.
예를 들어, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극 및 소스전극에 각각 연결되고, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인전극은 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극(140)에 연결될 수 있다.
한편, 제2기판(160) 내면의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 경계부에는 격벽(162)이 배치되는데, 예를 들어 격벽(162)은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 가장자리부를 덮고 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 매트릭스 형태일 수 있다.
격벽(162)은, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각의 빛이 인접한 부화소에 전달되는 것을 방지하여 크로스토크(crosstalk)와 같은 불량을 방지하는 역할을 하는데, 예를 들어 격벽(162)은 빛을 흡수 또는 반사하는 수지(resin) 또는 금속으로 이루어질 수 있다.
제2기판(160) 내면의 격벽(162) 사이의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 반사층(164), 컬러필터층(166) 및 파장변환층(168)이 순차적으로 배치된다.
반사층(164)은, 발광다이오드(D)로부터 방출되는 자외선 중 파장변환층(168) 및 컬러필터층(166)에 흡수되지 않은 자외선을 반사하여 파장변환층(168)으로 재입사 시키는 역할을 하며, 이에 따라 파장변환층(168)의 효율이 향상되고 발광다이오드 표시장치(110)로부터 자외선이 방출되는 것이 방지된다.
예를 들어, 반사층(164)은 티타늄 옥사이드(TiOx), 징크 옥사이드(ZnOx), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 알루미늄 옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
컬러필터층(166)은, 파장변환층(168)으로부터 전달되는 빛 중에서 특정 파장(컬러) 성분만 통과시키고 나머지 성분은 흡수하는 역할을 하며, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 배치되어 각각 적, 녹, 청색 성분만 통과시키는 적, 녹, 청 컬러필터(166r, 166g, 166b)를 포함한다.
파장변환층(168)은, 발광다이오드(D)로부터 전달되는 빛의 파장(컬러)을 변환하여 방출하는 역할을 하며, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 배치되어 발광다이오드(D)의 자외선을 흡수하여 각각 적, 녹, 청색의 가시광선을 방출하는 적, 녹, 청 변환층(168r, 168g, 168b)을 포함한다.
예를 들어, 파장변환층(168)은 변환된 파장에 대응되는 크기(지름)를 갖는 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe 등을 포함한다.
양자점의 자외선에 대한 흡수율은 양자점의 청색 가시광에 대한 흡수율의 약 3배 내지 약 10배이므로, 자외선을 방출하는 발광다이오드(D)를 이용하여 광변환 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 광변환 효율을 향상시키기 위하여, 파장변환층(168)은 약 6μm 내지 약 50μm의 두께를 가질 수 있다.
파장변환층(168)이 자외선을 가시광선으로 정밀하고 충분하게 변환하는 실시예에서는, 컬러필터층(166) 및 반사층(164) 중 적어도 하나를 생략할 수도 있다.
도시하지는 않았지만, 제1기판(120)의 소스전극(144) 및 드레인전극(146)과 제2기판(160)의 격벽(162) 사이에는 광학용 투명접착제(optically clear adhesive: OCA)와 같은 물질로 이루어지는 접착층이 배치될 수 있다.
이러한 발광다이오드 표시자치(110)에서는, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 발광다이오드(D)가 각각 자외선을 방출하고, 방출된 자외선은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 파장변환층(168)에 전달되고, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 파장변환층(168)의 적, 녹, 청 변환층(168r, 168g, 168b)은 전달된 자외선을 각각 적, 녹, 청색의 가시광선으로 변환하여 방출하고, 방출된 적, 녹, 청색의 가시광선은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 컬러필터층(166)의 적, 녹, 청 컬러필터(166r, 166g, 166b)과 반사층(164)을 통과한 후, 제2기판(160)을 통하여 방출되어 영상을 표시한다.
즉, 발광다이오드(D)가 자외선을 방출하고, 파장변환층(168)이 자외선을 가시광선으로 변환하므로, 대조비, 광효율 및 소비전력이 개선된다.
그리고, 발광다이오드(D)를 제1기판(120) 내면에 직접 형성하므로, 대면적 고해상도 적용이 용이해지고, 공정이 단순화 되고, 수율 및 생산성이 향상된다.
이러한 발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치의 하부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 표시장치의 상부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 제1기판(120) 상부 전면에 제1전극(122)을 형성한다.
예를 들어, 제1전극(136)은 스퍼터(sputter)와 같은 물리기상증착(physical vapor deposition: PVD) 장치를 이용하여 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr) 중 하나로 형성할 수 있다.
도 3a에서는 제1전극(122)이 제1기판(120) 전면에 배치되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 제1전극(122)이 제1기판(120) 내면의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 분리되어 배치될 수도 있다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 제1전극(122) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 버퍼층(126), 활성층(128), 콘택층(130)을 순차적으로 형성하여 발광층(138)을 형성한다.
버퍼층(126)은, 제1전극(122)과 활성층(128) 사이의 부정합을 완화하는 역할을 할 수 있으며, 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition: MOCVD) 장치를 이용하여 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성할 수 있다.
활성층(128)은, 전자(electron)와 홀(hole)의 재결합에 의하여 자외선(UV)과 같은 빛을 생성하는 역할을 하는 양자우물(quantum well)층 일 수 있으며, 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlxGa(1-x)N)와 같은 합금으로 형성할 수 있다.
예를 들어, 활성층(128)은 약 450nm 이하의 파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다.
그리고, 활성층(128)은 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치를 이용하여 약 450도 내지 약 650도의 상대적으로 낮은 온도에서 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlxGa(1-x)N)와 같은 합금으로 형성할 수 있다.
특히, 하부의 제1전극(136)을 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr) 중 하나로 형성할 경우, 하부의 제1전극(136)이 결정 구조의 시드(seed) 역할을 하는 베리어(barrier)층으로 작용하므로, 상대적으로 낮은 온도에서도 유리로 이루어지는 제1기판(120) 상부에 미세결정(microcrystal) 구조를 갖는 활성층(128)을 직접 형성할 수 있다.
콘택층(130)은, 활성층(128)이 후속공정에서 형성되는 제2전극(132)과 오믹콘택이 되도록 하는 역할을 하며, 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치를 이용하여 P타입의 갈륨 나이트라이드(GaN)로 형성할 수 있다.
도 3b에서는 발광층(124)이 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 분리되어 배치되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 발광층(124)이 제1기판(120) 전면에 배치될 수도 있다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 발광층(124) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 제2전극(132)을 형성한다.
제2전극(148)은 스퍼터(sputter)와 같은 물리기상증착(PVD) 장치를 이용하여 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO)와 같은 투명도전물질의 단일층이나 투명도전물질과 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질의 이중층으로 형성할 수 있다.
여기서, 제1전극(122), 발광층(124), 제2전극(132)은 자외선과 같은 빛을 방출하는 발광다이오드(D)를 구성한다.
이후, 발광다이오드(D) 상부의 제1기판(120) 전면에 패시베이션층(134)을 형성한다.
패시베이션층(134)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성할 수 있다.
도 3d에 도시한 바와 같이, 패시베이션층(134) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에는 각각 반도체층(136)을 형성한다.
반도체층(136)은 실리콘(silicon), 산화물 반도체(oxide semiconductor)와 같은 반도체물질로 형성할 수 있으며, 중앙의 채널영역, 채널영역 양측의 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다. 실리콘은 비정질(amorphous) 또는 다결정(polycrystalline) 일 수 있다.
이후, 반도체층(136) 상부의 제1기판(120) 전면에 게이트절연층(138)을 형성한다.
게이트절연층(138)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성할 수 있다.
이후, 반도체층(136)에 대응되는 게이트절연층(138) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 게이트전극(140)을 형성하고, 게이트절연층(138) 상부에 제1방향(예를 들어, 가로방향 또는 수평방향)을 따라 연장되는 게이트배선(도 1의 GL)을 형성한다.
게이트전극(140) 및 게이트배선(GL)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질로 형성할 수 있다.
이후, 게이트전극(140) 및 게이트배선(GL) 상부의 제1기판(120) 전면에 층간절연층(142)을 형성한다.
층간절연층(142)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나 포토아크릴(photoacryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성할 수 있다.
도 3e에 도시한 바와 같이, 층간절연층(142) 및 게이트절연층(138)에 반도체층(136)의 소스영역 및 드레인영역을 각각 노출하는 제1 및 제2콘택홀을 형성하고, 층간절연층(142), 게이트절연층(138) 및 패시베이션층(134)에 발광다이오드(D)의 제2전극(132)을 노출하는 제3콘택홀을 형성한다.
이후, 층간절연층(142) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 제1콘택홀을 통하여 반도체층(136)의 소스영역에 연결되고 제3콘택홀을 통하여 발광다이오드(D)의 제2전극(132)에 연결되는 소스전극(144)과, 제2콘택홀을 통하여 반도체층(136)의 드레인영역에 연결되는 드레인전극(146)을 형성하고, 층간절연층(142) 상부에 제2방향(예를 들어, 세로방향 또는 수직방향)을 따라 연장되는 데이터배선(도 1의 DL)을 형성한다.
데이터배선(DL)은 게이트배선(GL)과 교차하여 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각을 정의한다.
소스전극(144), 드레인전극(146), 데이터배선(DL)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 그 합금과 같은 금속물질로 형성할 수 있다.
여기서, 반도체층(136), 게이트전극(140), 소스전극(144), 드레인전극(146)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성하는데, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극(140)에 인가되는 데이터신호를 제어하고, 구동 박막트랜지스터(Td)는 발광다이오드(D)에 인가되는 전류를 제어할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td) 외에도 센싱 박막트랜지스터, 발광 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터와 같은 다수의 소자가 배치될 수 있다.
한편, 도 4a에 도시한 바와 같이, 제2기판(160) 상부의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 경계부에 격벽(162)을 형성한다.
예를 들어, 격벽(162)은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 가장자리부를 덮고 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 매트릭스 형태일 수 있다.
격벽(162)은, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb) 각각의 빛이 인접한 부화소에 전달되는 것을 방지하여 크로스토크(crosstalk)와 같은 불량을 방지하는 역할을 하는데, 예를 들어 격벽(162)은 빛을 흡수 또는 반사하는 수지(resin) 또는 금속으로 형성할 수 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 제2기판(160) 상부의 격벽(162) 사이의 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 반사층(164), 컬러필터층(166) 및 파장변환층(168)을 순차적으로 형성한다.
반사층(164)은, 발광다이오드(D)로부터 방출되는 자외선 중 파장변환층(168) 및 컬러필터층(166)에 흡수되지 않은 자외선을 반사하여 파장변환층(168)으로 재입사 시키는 역할을 하며, 이에 따라 파장변환층(168)의 효율이 향상되고 발광다이오드 표시장치(110)로부터 자외선이 방출되는 것이 방지된다.
예를 들어, 반사층(164)은 티타늄 옥사이드(TiOx), 징크 옥사이드(ZnOx), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 알루미늄 옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나로 형성할 수 있다.
컬러필터층(166)은, 파장변환층(168)으로부터 전달되는 빛 중에서 특정 파장(컬러) 성분만 통과시키고 나머지 성분은 흡수하는 역할을 하며, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 배치되어 각각 적, 녹, 청색 성분만 통과시키는 적, 녹, 청 컬러필터(166r, 166g, 166b)를 포함한다.
파장변환층(168)은, 발광다이오드(D)로부터 전달되는 빛의 파장(컬러)을 변환하여 방출하는 역할을 하며, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)에 각각 배치되어 발광다이오드(D)의 자외선을 흡수하여 각각 적, 녹, 청색의 가시광선을 방출하는 적, 녹, 청 변환층(168r, 168g, 168b)을 포함한다.
예를 들어, 파장변환층(168)은 변환된 파장에 대응되는 크기(지름)를 갖는 양자점(quantum dot)으로 형성할 수 있으며, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe 등을 포함할 수 있다.
양자점의 자외선에 대한 흡수율은 양자점의 청색 가시광에 대한 흡수율의 약 3배 내지 약 10배이므로, 자외선을 방출하는 발광다이오드(D)를 이용하여 광변환 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 광변환 효율을 향상시키기 위하여, 파장변환층(168)은 약 6μm 내지 약 50μm의 두께를 가질 수 있다.
이후, 도 3a 내지 도 3e의 제조방법을 통하여 형성된 발광다이오드(D), 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)를 갖는 제1기판(120)과 도 4a 및 도 4b의 제조방법을 통하여 형성된 파장변환층(168)을 갖는 제2기판(160)을 파장변환층(168)과 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)이 마주보도록 합착하여 발광다이오드 표시장치(도 2의 110)를 완성한다.
도시하지는 않았지만, 제1기판(120)의 소스전극(144) 및 드레인전극(146)과 제2기판(160)의 격벽(162) 사이에는 광학용 투명접착제(optically clear adhesive: OCA)와 같은 물질로 이루어지는 접착층이 배치될 수 있다.
도 3a 내지 도 3e와 도 4a 및 도 4b에서는 제1기판(120)에 발광다이오드(D), 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)를 형성하고 제2기판(160)에 파장변환층(168)을 형성한 후 제1 및 제2기판(120, 160)을 합착하는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 하나의 기판 상부에 발광다이오드(D), 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td), 격벽(162), 파장변환층(168), 컬러필터층(166), 반사층(164)을 순차적으로 형성하고 반사층(164) 상부에 봉지층(encapsulation layer)을 형성할 수도 있다.
이러한 발광다이오드 표시자치(110)에서는, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 발광다이오드(D)가 각각 자외선을 방출하고, 방출된 자외선은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 파장변환층(168)에 전달되고, 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 파장변환층(168)의 적, 녹, 청 변환층(168r, 168g, 168b)은 전달된 자외선을 각각 적, 녹, 청색의 가시광선으로 변환하여 방출하고, 방출된 적, 녹, 청색의 가시광선은 적, 녹, 청 부화소(SPr, SPg, SPb)의 컬러필터층(166)의 적, 녹, 청 컬러필터(166r, 166g, 166b)과 반사층(164)을 통과한 후, 제2기판(160)을 통하여 방출되어 영상을 표시한다.
즉, 발광다이오드(D)가 자외선을 방출하고, 파장변환층(168)이 자외선을 가시광선으로 변환하므로, 대조비, 광효율 및 소비전력이 개선된다.
그리고, 발광다이오드(D)를 제1기판(120) 내면에 직접 형성하므로, 대면적 고해상도 적용이 용이해지고, 공정이 단순화 되고, 수율 및 생산성이 향상된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 발광다이오드 표시장치 D: 발광다이오드
Ts: 스위칭 박막트랜지스터 Td: 구동 박막트랜지스터
162: 격벽 164: 반사층
166: 컬러필터층 168: 파장변환층

Claims (12)

  1. 각각이 다수의 부화소를 포함하는 제1기판과;
    상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 제1전극, 발광층, 제2전극을 포함하고, 자외선을 방출하는 발광다이오드와;
    상기 발광다이오드 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드에 연결되는 구동 박막트랜지스터와;
    상기 구동 박막트랜지스터 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 상기 발광다이오드의 자외선을 가시광선으로 변환하는 파장변환층
    을 포함하고,
    상기 발광층의 활성층은 유리로 이루어지는 상기 제1기판 상부에 직접 형성되어 미세결정 구조를 갖는 발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는,
    상기 제1기판 내면 전면에 배치되는 제1전극과;
    상기 제1전극 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되고, 버퍼층, 활성층, 콘택층을 포함하는 발광층과;
    상기 발광층 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 제2전극
    을 포함하는 발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1전극은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr) 중 하나를 포함하는 발광다이오드 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 알루미늄 나이트라이드(AlN)를 포함하고,
    상기 활성층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlxGa(1-x)N)를 포함하고,
    상기 콘택층은 P타입의 갈륨 나이트라이드(GaN)를 포함하는 발광다이오드 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 자외선은 450nm 이하의 파장을 갖는 발광다이오드 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장변환층은 양자점을 포함하고, 상기 파장변환층은 6μm 내지 50μm의 두께를 갖는 발광다이오드 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1기판과 마주보며 이격되는 제2기판과;
    상기 제2기판 내면의 상기 다수의 부화소의 경계부에 배치되는 격벽과;
    상기 제2기판 내면의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 반사층과;
    상기 파장변환층과 상기 반사층 사이와 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 배치되는 컬러필터층
    을 더 포함하는 발광다이오드 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사층은 티타늄 옥사이드(TiOx), 징크 옥사이드(ZnOx), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 알루미늄 옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 발광다이오드 표시장치.
  9. 제1기판 상부의 다수의 부화소에 각각 제1전극, 발광층, 제2전극을 포함하고 자외선을 방출하는 발광다이오드를 형성하는 단계와;
    상기 발광다이오드 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 발광다이오드에 연결되는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 구동 박막트랜지스터 상부의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 발광다이오드의 자외선을 가시광선으로 변환하는 파장변환층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 발광다이오드를 형성하는 단계는, 유리로 이루어지는 상기 제1기판 상부에 미세결정 구조를 갖는 상기 발광층의 활성층을 직접 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 파장변환층을 형성하는 단계는,
    제2기판 상부의 상기 다수의 부화소의 경계부에 격벽을 형성하는 단계와;
    상기 제2기판 내면의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 반사층을 형성하는 단계와;
    상기 반사층 상부의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 컬러필터층을 형성하는 단계와;
    상기 컬러필터층 상부의 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소에 각각 상기 파장변환층을 형성하는 단계와;
    상기 발광다이오드 및 상기 구동 박막트랜지스터를 갖는 상기 제1기판과 상기 파장변환층을 갖는 상기 제2기판을 합착하는 단계
    를 포함하는 발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사층은, 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소 각각의 전면에 배치되어, 상기 자외선을 반사하여 상기 파장변환층으로 재입사 시키고, 상기 가시광선을 통과시켜 상기 제2기판을 통하여 방출하는 발광다이오드 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사층은, 상기 격벽 사이의 상기 다수의 부화소 각각의 전면에 배치되어, 상기 자외선을 반사하여 상기 파장변환층으로 재입사 시키고, 상기 가시광선을 통과시켜 상기 제2기판을 통하여 방출하는 발광다이오드 표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895932A (en) * 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
KR100970611B1 (ko) * 2003-12-17 2010-07-15 우리엘에스티 주식회사 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법
KR100835063B1 (ko) * 2006-10-02 2008-06-03 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ를 이용한 면광원 발광장치
DE102008017071A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Projektionsvorrichtung mit dem optoelektronischen Modul
KR101577300B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR101071016B1 (ko) * 2009-07-27 2011-10-06 한국광기술원 풀스펙트럼 발광다이오드, 이의 제조방법 및 발광다이오드들을 구비하는 감성 조명용 기구
KR101688163B1 (ko) * 2015-03-30 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102573586B1 (ko) * 2016-06-16 2023-09-01 엘지이노텍 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102605472B1 (ko) * 2016-09-09 2023-11-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20180078941A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 (재)한국나노기술원 액티브 매트릭스 디스플레이용 led 소자 및 그의 제조방법
KR102476136B1 (ko) * 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치

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