KR100435054B1 - 유기전계 발광소자와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 서로 이격 하여 구성되고 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;상기 제 1 기판 일면의 각 화소 영역마다 구성되는 스위칭 소자와, 이에 연결된 구동소자와;상기 구동소자에 연결된 연결전극과;상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 일면에 구성되는 제 1 전극과;상기 제 1 전극의 상부에 구성되고 화소영역에 대응하여 투과홀이 구성된 격자형상의 격벽과;상기 격벽의 투과홀 마다 패턴된 유기 발광층과;상기 유기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 격벽에 의해 화소영역마다 독립적으로 패턴되고, 상기 연결전극과 접촉되는 제 2 전극을 포함하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽은 제 2 기판을 기준으로 하부에서 상부로 갈수록 그 너비가 커지는 단면형상을 가진 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 구성한 유기전계 발광소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 구성한 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 연결전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 구성한 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 발광층은 상기 제 1 전극에 근접하여 홀 수송층이 더욱 구성되고, 상기 제 2 전극에 근접하여 전자 수송층이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽과 제 1 전극 사이에, 상기 격벽의 상부 면적과 동일한 절연 패턴이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 구동소자와 스위칭 소자는 액티브층과 게이트 전극과 소스전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터인 유기전계 발광소자
- 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와;제 1 기판과 제 2 기판에 다수의 화소영역을 정의하는 단계와;제 1 기판의 각 화소마다 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자를 형성하는 단계와 ;상기 구동소자와 접촉하고 화소영역 마다 독립적으로 구성되는 연결전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 기판의 전면에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극의 상부에 구성되고, 상기 화소영역에 대응한 부분에는 투과홀을 포함하는 격자 형상의 격벽을 형성하는 단계와;상기 격벽의 투과홀을 통해 노출되는 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와;상기 발광층의 상부에 화소영역 마다 독립적으로 구성되도록 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판의 연결전극이 상기 제 2 전극과 접촉하도록 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 격벽은 제 2 기판을 기준으로 하부에서 상부로 올라갈수록 너비가 커지는 단면형상을 가진 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)인 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 연결전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 형성한 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 발광층은 상기 제 1 전극에 근접하여 홀 수송층과 상기 제 2 전극에 근접하여 전자 수송층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 격벽과 제 1 전극 사이에, 상기 격벽의 상부 면적과 동일한 면적의 절연 패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 구동소자와 스위칭 소자는 액티브층과 게이트 전극과 소스전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터인 유기전계 발광소자
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