JP2003323986A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
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Classifications
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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-
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- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、薄膜トランジスタアレー部と有機
発光部を別途の基板に構成した後これらを合着した上部
発光式有機電界発光素子とその製造方法を提案する。 【解決手段】 本発明は有機電界発光素子に係り、特に
上部発光形有機電界発光素子に関する。本発明は有機電
界発光素子を構成する薄膜トランジスタアレー部と発光
部を別途の基板に各々構成して、これらを合着して製作
した有機電界発光素子の構成とその製造方法を提案す
る。このとき、発光部には格子状の隔壁を形成する。前
述したように製作された有機電界発光素子は、高開口率
を具現できて生産性向上による収率を改善することがで
きる。
発光部を別途の基板に構成した後これらを合着した上部
発光式有機電界発光素子とその製造方法を提案する。 【解決手段】 本発明は有機電界発光素子に係り、特に
上部発光形有機電界発光素子に関する。本発明は有機電
界発光素子を構成する薄膜トランジスタアレー部と発光
部を別途の基板に各々構成して、これらを合着して製作
した有機電界発光素子の構成とその製造方法を提案す
る。このとき、発光部には格子状の隔壁を形成する。前
述したように製作された有機電界発光素子は、高開口率
を具現できて生産性向上による収率を改善することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
係り、特に高開口率と高解像度を具現できて生産収率を
改善することができる有機電界発光素子とその製造方法
に関する。
係り、特に高開口率と高解像度を具現できて生産収率を
改善することができる有機電界発光素子とその製造方法
に関する。
【０００２】
【関連技術】一般的に、有機電界発光素子は、電子注入
電極と正孔注入電極から各々電子と正孔を発光層内部に
注入させて、注入された電子と正孔が結合した励起子が
励起状態から基底状態に落ちる時に発光する素子であ
る。
電極と正孔注入電極から各々電子と正孔を発光層内部に
注入させて、注入された電子と正孔が結合した励起子が
励起状態から基底状態に落ちる時に発光する素子であ
る。
【０００３】このような原理によって従来の薄膜液晶表
示素子とは違って別途の光源を必要としないので、素子
の体積と重量を減らすことができる長所がある。
示素子とは違って別途の光源を必要としないので、素子
の体積と重量を減らすことができる長所がある。
【０００４】また、有機電界発光素子（ＯＥＬＤ）は、
高品位パネル特性（低電力、高輝度、高反応速度、低重
量）を示す。このような特性のためにＯＥＬＤは移動通
信端末機、ＣＮＳ（ｃａｒ ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ ｓ
ｙｓｔｅｍ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔ
ａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、キャムコーダ（ｃａｍｃ
ｏｒｄｅｒｓ）、そしてｐａｌｍ ＰＣｓ等大部分のコ
ンシューマー電子応用製品に用いることができる強力な
次世代ディスプレーとして認められている。
高品位パネル特性（低電力、高輝度、高反応速度、低重
量）を示す。このような特性のためにＯＥＬＤは移動通
信端末機、ＣＮＳ（ｃａｒ ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ ｓ
ｙｓｔｅｍ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔ
ａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、キャムコーダ（ｃａｍｃ
ｏｒｄｅｒｓ）、そしてｐａｌｍ ＰＣｓ等大部分のコ
ンシューマー電子応用製品に用いることができる強力な
次世代ディスプレーとして認められている。
【０００５】また製造工程が単純なために生産原価を既
存の液晶表示装置（ＬＣＤ）より多く減らすことができ
る長所がある。
存の液晶表示装置（ＬＣＤ）より多く減らすことができ
る長所がある。
【０００６】このような有機電界発光素子を駆動する方
式は、パッシブ・マトリックス型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍ
ａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）とアクティブ・マトリックス型
（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘｔｙｐｅ）に分けること
ができる。
式は、パッシブ・マトリックス型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍ
ａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）とアクティブ・マトリックス型
（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘｔｙｐｅ）に分けること
ができる。
【０００７】前記パッシブ・マトリックス型有機電界発
光素子は、その構成が単純で製造方法も単純だが高い消
費電力と表示素子の大面積化に難しさがあり、配線の数
が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。
光素子は、その構成が単純で製造方法も単純だが高い消
費電力と表示素子の大面積化に難しさがあり、配線の数
が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。
【０００８】反面アクティブ・マトリックス型有機電界
発光素子は、高い発光効率と高画質を提供することがで
きる長所がある。
発光素子は、高い発光効率と高画質を提供することがで
きる長所がある。
【０００９】以下、図１を参照してこれまでのアクティ
ブ・マトリックス型有機電界発光素子の構成を概略的に
説明する。
ブ・マトリックス型有機電界発光素子の構成を概略的に
説明する。
【００１０】図１は、関連技術における有機電界発光素
子の構成を概略的に示した図面である。
子の構成を概略的に示した図面である。
【００１１】図示したように、有機電界発光素子１０
は、透明な第１基板１２の上部に複数の薄膜トランジス
タＴと前記薄膜トランジスタＴに各々連結された複数の
第１電極１６が形成されている。前記薄膜トランジスタ
Ｔと第１電極１６上部には有機発光層１８と第２電極２
０が形成されている。
は、透明な第１基板１２の上部に複数の薄膜トランジス
タＴと前記薄膜トランジスタＴに各々連結された複数の
第１電極１６が形成されている。前記薄膜トランジスタ
Ｔと第１電極１６上部には有機発光層１８と第２電極２
０が形成されている。
【００１２】この場合、前記発光層１８は、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーを表現するようにするた
め、一般的な方法としては前記各画素Ｐごとに赤、緑、
青色を発光する別途の有機物質をパターニングして用い
る。
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーを表現するようにするた
め、一般的な方法としては前記各画素Ｐごとに赤、緑、
青色を発光する別途の有機物質をパターニングして用い
る。
【００１３】前記第１基板１２は、吸湿剤２２が付着さ
れた第２基板２８とシーラント２６を介在して合着され
て、カプセル化された有機電界発光素子１０が完成され
る。
れた第２基板２８とシーラント２６を介在して合着され
て、カプセル化された有機電界発光素子１０が完成され
る。
【００１４】この場合、前記吸湿剤２２は、カプセル内
部に浸透できる水分と酸素を除去するためのものであ
り、第２基板２８の一部をエッチングして、そのエッチ
ングされた部分に吸湿剤２２を充填してテープ２５で固
定する。
部に浸透できる水分と酸素を除去するためのものであ
り、第２基板２８の一部をエッチングして、そのエッチ
ングされた部分に吸湿剤２２を充填してテープ２５で固
定する。
【００１５】以下、図２を参照して有機電界発光素子の
薄膜トランジスタアレー部を概略的に説明する。
薄膜トランジスタアレー部を概略的に説明する。
【００１６】図２は、有機電界発光素子に含まれる薄膜
トランジスタアレー部の一画素を概略的に示した平面図
である。
トランジスタアレー部の一画素を概略的に示した平面図
である。
【００１７】一般的に、アクティブ・マトリックス型有
機電界発光素子の薄膜トランジスタアレー部は、基板１
２に定義された複数の画素Ｐごとにスイッチング素子Ｔ
Ｓと駆動素子ＴＤとストレージキャパシタＣＳＴが構成
され、動作の特性によって前記スイッチング素子ＴＳま
たは駆動素子ＴＤは各々一つ以上の薄膜トランジスタの
組合せで構成することができる。
機電界発光素子の薄膜トランジスタアレー部は、基板１
２に定義された複数の画素Ｐごとにスイッチング素子Ｔ
Ｓと駆動素子ＴＤとストレージキャパシタＣＳＴが構成
され、動作の特性によって前記スイッチング素子ＴＳま
たは駆動素子ＴＤは各々一つ以上の薄膜トランジスタの
組合せで構成することができる。
【００１８】この場合、前記基板１２は、透明な絶縁基
板を用い、その材質としてはガラスやプラスチックを例
に挙げることができる。
板を用い、その材質としてはガラスやプラスチックを例
に挙げることができる。
【００１９】図示したように、基板１２上に相互に所定
間隔離隔して１方向に構成されたゲート配線３２と、前
記ゲート配線３２と絶縁膜を挟んで相互に交差するデー
タ配線３４が構成される。
間隔離隔して１方向に構成されたゲート配線３２と、前
記ゲート配線３２と絶縁膜を挟んで相互に交差するデー
タ配線３４が構成される。
【００２０】同時に、前記データ配線３４と平行に離隔
された位置に１方向に電源配線３５が構成される。
された位置に１方向に電源配線３５が構成される。
【００２１】前記スイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤ
として各々ゲート電極３６、３８とアクティブ層４０、
４２とソース電極４６、４８及びドレイン電極５０、５
２を含む薄膜トランジスタが用いられる。
として各々ゲート電極３６、３８とアクティブ層４０、
４２とソース電極４６、４８及びドレイン電極５０、５
２を含む薄膜トランジスタが用いられる。
【００２２】前述した構成において、前記スイッチング
素子ＴＳのゲート電極３６は、前記ゲート配線３２と連
結され、前記ソース電極４６は前記データ配線３４と連
結される。
素子ＴＳのゲート電極３６は、前記ゲート配線３２と連
結され、前記ソース電極４６は前記データ配線３４と連
結される。
【００２３】前記スイッチング素子ＴＳのドレイン電極
５０は、前記駆動素子ＴＤのゲート電極３８と第１コン
タクトホール５４を通して連結される。
５０は、前記駆動素子ＴＤのゲート電極３８と第１コン
タクトホール５４を通して連結される。
【００２４】前記駆動素子ＴＤのソース電極４８は、前
記電源配線３６と第２コンタクトホール５６を通して連
結される。
記電源配線３６と第２コンタクトホール５６を通して連
結される。
【００２５】また、前記駆動素子ＴＤのドレイン電極５
２は、画素部Ｐに構成された第１電極１６と接触するよ
うに構成される。
２は、画素部Ｐに構成された第１電極１６と接触するよ
うに構成される。
【００２６】この場合、前記電源配線３５とその下部の
多結晶シリコンパターン１５は、絶縁膜を挟んで重なり
ストレージキャパシタＣＳＴを形成する。
多結晶シリコンパターン１５は、絶縁膜を挟んで重なり
ストレージキャパシタＣＳＴを形成する。
【００２７】以下、図３を参照して前述したように構成
された薄膜トランジスタアレー部を含む有機電界発光素
子の断面構成を説明する。
された薄膜トランジスタアレー部を含む有機電界発光素
子の断面構成を説明する。
【００２８】図３は、図２のIII−IIIに沿って切断した
有機電界発光素子の断面図であって駆動素子ＴＤと発光
部の断面のみを示した図面である。
有機電界発光素子の断面図であって駆動素子ＴＤと発光
部の断面のみを示した図面である。
【００２９】図示したように、有機電界発光素子は、ゲ
ート電極３８と、アクティブ層４２とソース電極４８と
ドレイン電極５２を含む駆動素子である薄膜トランジス
タＴ Ｄが構成されていて、駆動素子ＴＤの上部には絶縁
膜５７を挟んで駆動素子ＴＤのドレイン電極５２と接触
する第１電極１６と、第１電極１６の上部に、特定の色
の光を発光する発光層１８と、発光層１８の上部には第
２電極２０が構成される。
ート電極３８と、アクティブ層４２とソース電極４８と
ドレイン電極５２を含む駆動素子である薄膜トランジス
タＴ Ｄが構成されていて、駆動素子ＴＤの上部には絶縁
膜５７を挟んで駆動素子ＴＤのドレイン電極５２と接触
する第１電極１６と、第１電極１６の上部に、特定の色
の光を発光する発光層１８と、発光層１８の上部には第
２電極２０が構成される。
【００３０】図４は、図２のIV−IVに沿って切断した断
面図であって、スイッチング素子と電源配線が形成され
た領域に該当する。
面図であって、スイッチング素子と電源配線が形成され
た領域に該当する。
【００３１】図示したように、基板１２上部にポリシリ
コンであるアクティブ層４０と、このアクティブ層４０
の上部に構成されたゲート電極３６とソース電極４６及
びドレイン電極５０とからなるスイッチング素子ＴＳが
形成されている。一方、キャパシタ電極１５と電源配線
３５からなるストレージキャパシタＣＳＴが基板１２上
に形成されている。キャパシタ電極１５は多結晶シリコ
ンからなり、スイッチング素子ＴＳのドレイン電極５０
と連結されている。続いて、スイッチング素子ＴＳとス
トレージキャパシタＣＳＴ上部に絶縁膜５７が形成され
ており、その上に第１電極（図示せず）と、有機発光層
１８とシャドウマスクを用いた第２電極２０が構成され
る。
コンであるアクティブ層４０と、このアクティブ層４０
の上部に構成されたゲート電極３６とソース電極４６及
びドレイン電極５０とからなるスイッチング素子ＴＳが
形成されている。一方、キャパシタ電極１５と電源配線
３５からなるストレージキャパシタＣＳＴが基板１２上
に形成されている。キャパシタ電極１５は多結晶シリコ
ンからなり、スイッチング素子ＴＳのドレイン電極５０
と連結されている。続いて、スイッチング素子ＴＳとス
トレージキャパシタＣＳＴ上部に絶縁膜５７が形成され
ており、その上に第１電極（図示せず）と、有機発光層
１８とシャドウマスクを用いた第２電極２０が構成され
る。
【００３２】一般的に前記有機発光層１８は、多層で構
成され、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐ
ｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）とホール輸送層
（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）
及びこれら間に位置する主発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ
ｌａｙｅｒ）を含む。
成され、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐ
ｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）とホール輸送層
（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）
及びこれら間に位置する主発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ
ｌａｙｅｒ）を含む。
【００３３】この場合、データ配線３４及び電源配線３
５の上部に隔壁７０が構成され、有機発光層１８は隣接
する隔壁７０間に位置する。隔壁７０は隣接した画素領
域Ｐ間の有機発光層１８が相互に接触することを防止す
る。
５の上部に隔壁７０が構成され、有機発光層１８は隣接
する隔壁７０間に位置する。隔壁７０は隣接した画素領
域Ｐ間の有機発光層１８が相互に接触することを防止す
る。
【００３４】前記隔壁７０の形状は、上部に上がるほど
狭い形状で構成され、このような形状は前記有機発光層
１８の上部に構成される第２電極２０が隔壁７０を跨っ
て蒸着されることによって基板１２の全面に蒸着される
効果を得るためである。
狭い形状で構成され、このような形状は前記有機発光層
１８の上部に構成される第２電極２０が隔壁７０を跨っ
て蒸着されることによって基板１２の全面に蒸着される
効果を得るためである。
【００３５】前述したような構成を通して関連技術によ
るアクティブ・マトリックス型有機電界発光素子を製作
することができる。
るアクティブ・マトリックス型有機電界発光素子を製作
することができる。
【００３６】しかし、関連技術の有機電界発光素子は、
薄膜トランジスタと有機発光層を形成した基板とは別途
のカプセル封止用の基板を合着して素子を製作してい
た。
薄膜トランジスタと有機発光層を形成した基板とは別途
のカプセル封止用の基板を合着して素子を製作してい
た。
【００３７】このような場合、薄膜トランジスタの収率
と有機発光層の収率の積が薄膜トランジスタと有機発光
層を形成したパネルの収率を決定する。
と有機発光層の収率の積が薄膜トランジスタと有機発光
層を形成したパネルの収率を決定する。
【００３８】関連技術の場合のように構成された下板
は、前記有機発光層の収率によりパネルの収率が大幅に
制限されるという問題点を有していた。
は、前記有機発光層の収率によりパネルの収率が大幅に
制限されるという問題点を有していた。
【００３９】特に、薄膜トランジスタが良好に形成され
たとしても、１，０００Å程度の薄膜を用いる有機発光
層の形成時に異物やその他ほかの要素により不良が発生
するようになればパネルは不良等級と判定される。
たとしても、１，０００Å程度の薄膜を用いる有機発光
層の形成時に異物やその他ほかの要素により不良が発生
するようになればパネルは不良等級と判定される。
【００４０】これによって良品の薄膜トランジスタを製
造するのに要した諸般経費及び原材料費の損失につなが
って、収率が低下する問題点を有していた。
造するのに要した諸般経費及び原材料費の損失につなが
って、収率が低下する問題点を有していた。
【００４１】また、下部発光方式は、カプセル封止によ
る安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限が
あって高解像度製品に適用するに難しい問題点があり、
また上部発光方式は、薄膜トランジスタ設計が容易であ
って開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利
であるが、既存の上部発光方式構造では、有機電界発光
層上部に通常的に陰極を配置することによって、材料の
選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下す
る点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型保護
膜を構成しなければならない場合に外気を十分に遮断で
きない問題点があった。
る安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限が
あって高解像度製品に適用するに難しい問題点があり、
また上部発光方式は、薄膜トランジスタ設計が容易であ
って開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利
であるが、既存の上部発光方式構造では、有機電界発光
層上部に通常的に陰極を配置することによって、材料の
選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下す
る点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型保護
膜を構成しなければならない場合に外気を十分に遮断で
きない問題点があった。
【００４２】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれを解決す
るために提案されたものであり、前記薄膜トランジスタ
アレー部と有機発光部を別途の基板に構成した後、これ
を合着した上部発光式有機電界発光素子とその製造方法
を提案する。
るために提案されたものであり、前記薄膜トランジスタ
アレー部と有機発光部を別途の基板に構成した後、これ
を合着した上部発光式有機電界発光素子とその製造方法
を提案する。
【００４３】この場合、前記有機発光層の上部には格子
状の隔壁を構成するが、前記隔壁は断面積であって上部
に上がるほど幅が大きくなる形状（すなわち、基板の上
部に逆台形状に構成される）で構成する。
状の隔壁を構成するが、前記隔壁は断面積であって上部
に上がるほど幅が大きくなる形状（すなわち、基板の上
部に逆台形状に構成される）で構成する。
【００４４】このようにすると、前記薄膜トランジスタ
と接触する第１電極（関連技術とは違って不透明な電
極）を前記アレー部に定義された各画素ごとに独立的に
構成する。また、このような場合に関連技術とは違って
シャドウマスクを用いる必要がない。
と接触する第１電極（関連技術とは違って不透明な電
極）を前記アレー部に定義された各画素ごとに独立的に
構成する。また、このような場合に関連技術とは違って
シャドウマスクを用いる必要がない。
【００４５】前述したような本発明は収率及び生産性向
上のみならず高解像度と高信頼性を有する有機電界発光
素子を製作することを目的にする。
上のみならず高解像度と高信頼性を有する有機電界発光
素子を製作することを目的にする。
【００４６】
【課題を解決するための手段】前述したような目的を達
成するための本発明による有機電界発光素子は、第１基
板と、前記第１基板と離隔されて向かい合う第２基板、
前記第１基板の内側面に形成されているスイッチング素
子、前記スイッチング素子と電気的に連結されている駆
動素子、前記駆動素子と電気的に連結されている連結電
極、前記第２基板の内側面に形成されている第１電極、
前記第１電極上部に位置して、前記第１基板と第２基板
間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁、前記
第１基板上部の透過ホール内に位置する有機層、そして
前記有機層上部に第２電極とを含み、前記第２電極は前
記連結電極を通して前記駆動素子と電気的に連結され
る。
成するための本発明による有機電界発光素子は、第１基
板と、前記第１基板と離隔されて向かい合う第２基板、
前記第１基板の内側面に形成されているスイッチング素
子、前記スイッチング素子と電気的に連結されている駆
動素子、前記駆動素子と電気的に連結されている連結電
極、前記第２基板の内側面に形成されている第１電極、
前記第１電極上部に位置して、前記第１基板と第２基板
間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁、前記
第１基板上部の透過ホール内に位置する有機層、そして
前記有機層上部に第２電極とを含み、前記第２電極は前
記連結電極を通して前記駆動素子と電気的に連結され
る。
【００４７】ここで、前記隔壁は、前記第１電極と接触
して第１幅を有する第１端と、前記第２電極と隣接して
第２幅を有する第２端で構成することができる。このと
き前記第２幅は前記第１幅よりさらに広いことが望まし
い。
して第１幅を有する第１端と、前記第２電極と隣接して
第２幅を有する第２端で構成することができる。このと
き前記第２幅は前記第１幅よりさらに広いことが望まし
い。
【００４８】前記第１電極は、前記有機層にホールを注
入する陽極電極であって、第２電極は前記有機層に電子
を注入する陰極電極で有り得る。前記第１電極はインジ
ウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成することがで
き、前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム
（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択
された一つで構成することができる。
入する陽極電極であって、第２電極は前記有機層に電子
を注入する陰極電極で有り得る。前記第１電極はインジ
ウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成することがで
き、前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム
（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択
された一つで構成することができる。
【００４９】一方、前記連結電極は、カルシウム（Ｃ
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで構成することができ
る。
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで構成することができ
る。
【００５０】前記有機層は、前記第１電極に接触する正
孔輸送層と、前記第２電極に接触する電子輸送層及び前
記正孔輸送層と電子輸送層間の発光層で構成することも
できる。
孔輸送層と、前記第２電極に接触する電子輸送層及び前
記正孔輸送層と電子輸送層間の発光層で構成することも
できる。
【００５１】本発明は前記隔壁と第１電極間に絶縁パタ
ーンをさらに含むこともあり、前記絶縁パターンは前記
第２電極に接触する隔壁の幅と同一大きさの第１幅を有
することが望ましい。
ーンをさらに含むこともあり、前記絶縁パターンは前記
第２電極に接触する隔壁の幅と同一大きさの第１幅を有
することが望ましい。
【００５２】前記駆動素子とスイッチング素子は、各々
アクティブ層とゲート電極、ソース電極及びドレイン電
極を含む。
アクティブ層とゲート電極、ソース電極及びドレイン電
極を含む。
【００５３】本発明による有機電界発光素子の製造方法
は、第１基板上に電気的に連結されているスイッチング
素子と駆動素子を形成する段階と、前記駆動素子と電気
的に連結される連結電極を形成する段階と、前記第２基
板上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上部に
前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホ
ールを有する隔壁を形成する段階と、前記第１電極上部
の前記透過ホール内に有機層を形成する段階と、前記有
機層上部に第２電極を形成する段階と、そして前記第１
及び第２基板を合着する段階とを含んでおり、ここで前
記連結電極は前記第２電極に電気的に連結される。
は、第１基板上に電気的に連結されているスイッチング
素子と駆動素子を形成する段階と、前記駆動素子と電気
的に連結される連結電極を形成する段階と、前記第２基
板上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上部に
前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホ
ールを有する隔壁を形成する段階と、前記第１電極上部
の前記透過ホール内に有機層を形成する段階と、前記有
機層上部に第２電極を形成する段階と、そして前記第１
及び第２基板を合着する段階とを含んでおり、ここで前
記連結電極は前記第２電極に電気的に連結される。
【００５４】前記隔壁を形成する段階は、前記第１電極
に接触して第１幅を有する第１端を形成する段階と、前
記第２電極に接触して第２幅を有する第２端を形成する
段階とを含むことができる。このとき、前記第２幅は前
記第１幅より広いことが望ましい。
に接触して第１幅を有する第１端を形成する段階と、前
記第２電極に接触して第２幅を有する第２端を形成する
段階とを含むことができる。このとき、前記第２幅は前
記第１幅より広いことが望ましい。
【００５５】前記第１電極は、前記発光層に正孔を注入
する陽極電極であって、第２電極は前記発光層に電子を
注入する陰極電極で有り得る。このとき、前記第１電極
はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成し、
前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択され
た一つで形成することができる。
する陽極電極であって、第２電極は前記発光層に電子を
注入する陰極電極で有り得る。このとき、前記第１電極
はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成し、
前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択され
た一つで形成することができる。
【００５６】一方、前記連結電極は、カルシウム（Ｃ
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで形成することもでき
る。
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで形成することもでき
る。
【００５７】前記有機層を形成する段階は、前記第１電
極上部に正孔輸送層を形成する段階と、前記正孔輸送層
上部に発光層を形成する段階及び前記発光層上部に電子
輸送層を形成する段階を含むことができる。
極上部に正孔輸送層を形成する段階と、前記正孔輸送層
上部に発光層を形成する段階及び前記発光層上部に電子
輸送層を形成する段階を含むことができる。
【００５８】前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンを形
成する段階をさらに含むこともできる。前記絶縁パター
ンの一端は前記第１電極に隣接した前記隔壁の幅と同一
大きさの幅を有することが望ましい。
成する段階をさらに含むこともできる。前記絶縁パター
ンの一端は前記第１電極に隣接した前記隔壁の幅と同一
大きさの幅を有することが望ましい。
【００５９】前記駆動素子とスイッチング素子は、各々
アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン電極
を含む。
アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン電極
を含む。
【００６０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明による望ましい実施例を説明する。
発明による望ましい実施例を説明する。
【００６１】−−実施例−−
本発明の特徴は薄膜トランジスタアレー部を構成した第
１基板と、発光部を構成した第２基板を合着して有機電
界発光素子を構成するが、前記発光部に構成する第２電
極（陰極電極）を格子状の隔壁を介在して分離すること
を特徴とする。
１基板と、発光部を構成した第２基板を合着して有機電
界発光素子を構成するが、前記発光部に構成する第２電
極（陰極電極）を格子状の隔壁を介在して分離すること
を特徴とする。
【００６２】図５は、本発明による有機電界発光素子の
構成を概略的に示した断面図である。
構成を概略的に示した断面図である。
【００６３】図示したように、本発明による有機電界発
光素子は、透明な第１基板１００と第２基板２００をシ
ーラント３００を介在して合着して構成する。
光素子は、透明な第１基板１００と第２基板２００をシ
ーラント３００を介在して合着して構成する。
【００６４】第１基板１００の内側面には駆動素子であ
る複数の薄膜トランジスタＴが形成されている。図示し
なかったが、第１基板１００内側面にはスイッチング素
子とゲート配線、データ配線及び電源配線も形成されて
いる。
る複数の薄膜トランジスタＴが形成されている。図示し
なかったが、第１基板１００内側面にはスイッチング素
子とゲート配線、データ配線及び電源配線も形成されて
いる。
【００６５】前記第２基板２００の内側面には全面に透
明な正孔注入電極である第１電極２０２を構成して、第
１電極２０２の上部には有機発光層２０８と、第２電極
２１０を順に構成する。
明な正孔注入電極である第１電極２０２を構成して、第
１電極２０２の上部には有機発光層２０８と、第２電極
２１０を順に構成する。
【００６６】前記第２電極２１０は、隔壁を介在して前
記画素領域Ｐに対応する位置ごとに独立的に構成されて
いるが、このとき隔壁２０４は格子状に構成する。
記画素領域Ｐに対応する位置ごとに独立的に構成されて
いるが、このとき隔壁２０４は格子状に構成する。
【００６７】前記第２電極２１０と駆動素子Ｔは、別途
の連結電極１２４を通して電気的に連結される。すなわ
ち、前記連結電極１２４を第１基板１００に構成して第
１基板１００及び第２基板２００を合着すれば前記連結
電極１２４が発光層２０８の上部に構成された電子注入
電極である第２電極２１０と接触するようになる。
の連結電極１２４を通して電気的に連結される。すなわ
ち、前記連結電極１２４を第１基板１００に構成して第
１基板１００及び第２基板２００を合着すれば前記連結
電極１２４が発光層２０８の上部に構成された電子注入
電極である第２電極２１０と接触するようになる。
【００６８】このとき、連結電極１２４は、望ましくは
前記第２電極２１０と同一な物質で形成する。
前記第２電極２１０と同一な物質で形成する。
【００６９】以下、図面を参照して本発明による有機電
界発光素子の製造方法を説明する。
界発光素子の製造方法を説明する。
【００７０】図６Ａないし図６Ｃは、本発明による有機
電界発光素子を構成する薄膜トランジスタアレー部の製
造方法を工程順に説明するための工程品の断面図であ
る。
電界発光素子を構成する薄膜トランジスタアレー部の製
造方法を工程順に説明するための工程品の断面図であ
る。
【００７１】図６Ａに示したように、複数の画素領域Ｐ
が定義された基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含むシリコン絶縁物
質グループ中から選択された一つで第１絶縁膜であるバ
ッファ層１０２を形成する。
が定義された基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含むシリコン絶縁物
質グループ中から選択された一つで第１絶縁膜であるバ
ッファ層１０２を形成する。
【００７２】前記バッファ層１０２の上部に非晶質シリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着した後、脱水素化過程と熱
を利用した結晶化工程を進めて多結晶シリコン層を形成
後パターニングして、多結晶シリコン層１０４を形成す
る。
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着した後、脱水素化過程と熱
を利用した結晶化工程を進めて多結晶シリコン層を形成
後パターニングして、多結晶シリコン層１０４を形成す
る。
【００７３】前記多結晶シリコン層１０４は、アクティ
ブ領域１０４ａと、前記アクティブ領域１０４ａの両側
に各々位置するソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１
０４ｃで定義される。
ブ領域１０４ａと、前記アクティブ領域１０４ａの両側
に各々位置するソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１
０４ｃで定義される。
【００７４】前記多結晶シリコン層１０４が形成された
基板１００の全面に第２絶縁膜であるゲート絶縁膜１０
６を形成する。ゲート絶縁膜１０６は窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ ｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物
質グループ中から選択された一つで形成する。
基板１００の全面に第２絶縁膜であるゲート絶縁膜１０
６を形成する。ゲート絶縁膜１０６は窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ ｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物
質グループ中から選択された一つで形成する。
【００７５】続いて、前記アクティブ領域１０４ａ上部
のゲート絶縁膜１０６上に金属物質を蒸着してパターニ
ングしてゲート電極１０８を形成する。このとき、前記
ゲート絶縁膜１０６は前記ゲート電極１０８と同一な形
状にエッチングして形成することもできるが、基板１０
０全面にそのまま残して置くこともできる。
のゲート絶縁膜１０６上に金属物質を蒸着してパターニ
ングしてゲート電極１０８を形成する。このとき、前記
ゲート絶縁膜１０６は前記ゲート電極１０８と同一な形
状にエッチングして形成することもできるが、基板１０
０全面にそのまま残して置くこともできる。
【００７６】前記ゲート電極１０８が形成された基板１
００の全面に３価または４価の不純物（ＢまたはＰ）を
ドーピングして前記ソース領域１０４ｂ及びドレイン領
域１０４ｃに不純物を注入する。
００の全面に３価または４価の不純物（ＢまたはＰ）を
ドーピングして前記ソース領域１０４ｂ及びドレイン領
域１０４ｃに不純物を注入する。
【００７７】次に、ゲート電極１０８が形成された基板
１００の全面に第３絶縁膜である層間絶縁膜１１０を形
成してパターニングして、前記ソース領域１０４ｂ及び
ドレイン領域１０４ｃを各々露出するための第１コンタ
クトホール１１２と第２コンタクトホール１１４を形成
する。
１００の全面に第３絶縁膜である層間絶縁膜１１０を形
成してパターニングして、前記ソース領域１０４ｂ及び
ドレイン領域１０４ｃを各々露出するための第１コンタ
クトホール１１２と第２コンタクトホール１１４を形成
する。
【００７８】前記ゲート電極１０８は、アルミニウム
（Ａｌ）とアルミニウム合金と銅（Ｃｕ）とタングステ
ン（Ｗ）とタンタル（Ｔａ）とモリブデン（Ｍｏ）を含
んだ導電性金属グループ中から選択された一つで形成し
て、層間絶縁膜１１０は前述したような絶縁物質グルー
プ中から選択された一つで形成する。
（Ａｌ）とアルミニウム合金と銅（Ｃｕ）とタングステ
ン（Ｗ）とタンタル（Ｔａ）とモリブデン（Ｍｏ）を含
んだ導電性金属グループ中から選択された一つで形成し
て、層間絶縁膜１１０は前述したような絶縁物質グルー
プ中から選択された一つで形成する。
【００７９】図６Ｂに示したように、前記層間絶縁膜１
１０が形成された基板１００の全面に第２金属層を形成
した後パターニングして、前記露出されたソース領域１
０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃに各々接触するソース
電極１１６とドレイン電極１１８を形成する。
１０が形成された基板１００の全面に第２金属層を形成
した後パターニングして、前記露出されたソース領域１
０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃに各々接触するソース
電極１１６とドレイン電極１１８を形成する。
【００８０】続いて、前記ソース電極１１６及びドレイ
ン電極１１８が形成された基板１００の全面に前述した
無機絶縁物質グループ中から選択された一つまたは場合
によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル
（ａｃｒｙｌ）系樹脂を含む有機絶縁物質グループ中か
ら選択された一つを蒸着または塗布して第４絶縁膜であ
る保護膜１２０を形成する。
ン電極１１８が形成された基板１００の全面に前述した
無機絶縁物質グループ中から選択された一つまたは場合
によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル
（ａｃｒｙｌ）系樹脂を含む有機絶縁物質グループ中か
ら選択された一つを蒸着または塗布して第４絶縁膜であ
る保護膜１２０を形成する。
【００８１】次に、前記保護膜１２０をパターニングし
て前記駆動素子Ｔのドレイン電極１１８の一部を露出す
るドレインコンタクトホール１２２を形成する。
て前記駆動素子Ｔのドレイン電極１１８の一部を露出す
るドレインコンタクトホール１２２を形成する。
【００８２】図６Ｃに示したように、前記保護膜１２０
が形成された基板１００の全面に導電性金属を蒸着して
パターニングして、前記ドレイン電極１１８と接触する
連結電極１２４を形成する。
が形成された基板１００の全面に導電性金属を蒸着して
パターニングして、前記ドレイン電極１１８と接触する
連結電極１２４を形成する。
【００８３】前述した工程中、図示しなかったが、前記
駆動素子Ｔと連結されるスイッチング素子は駆動素子Ｔ
と同一な工程で形成し、このとき前記スイッチング素子
のドレイン電極と前記駆動素子Ｔのゲート電極１０８は
連結されるようにする。
駆動素子Ｔと連結されるスイッチング素子は駆動素子Ｔ
と同一な工程で形成し、このとき前記スイッチング素子
のドレイン電極と前記駆動素子Ｔのゲート電極１０８は
連結されるようにする。
【００８４】また、前記スイッチング素子のゲート電極
を形成する工程でゲート配線を形成して、スイッチング
素子のソース電極及びドレイン電極を形成する工程中に
前記ソース電極と連結されるデータ配線を形成する工程
を進める。
を形成する工程でゲート配線を形成して、スイッチング
素子のソース電極及びドレイン電極を形成する工程中に
前記ソース電極と連結されるデータ配線を形成する工程
を進める。
【００８５】前述した図６Ａないし図６Ｃの工程を通し
て本発明による薄膜トランジスタアレー部を形成するこ
とができる。
て本発明による薄膜トランジスタアレー部を形成するこ
とができる。
【００８６】以下、図７Ａないし図７Ｃを通して、前記
薄膜トランジスタアレー部と合着される発光部の製造工
程を説明する。
薄膜トランジスタアレー部と合着される発光部の製造工
程を説明する。
【００８７】図７Ａないし図７Ｃは、本発明による発光
部の製造工程を順序に従って説明するための、工程品の
断面図であって、図８は図７Ａの第２基板の斜視図であ
る。
部の製造工程を順序に従って説明するための、工程品の
断面図であって、図８は図７Ａの第２基板の斜視図であ
る。
【００８８】図７Ａに示したように、透明な絶縁基板２
００上に透明な第１電極２０２を形成する。
００上に透明な第１電極２０２を形成する。
【００８９】前記第１電極２０２は、以後形成される有
機発光層（図示せず）に正孔を注入する正孔注入電極と
して、主に透明で仕事関数が高いインジウム−スズ−オ
キサイド（ＩＴＯ）を蒸着して形成する。
機発光層（図示せず）に正孔を注入する正孔注入電極と
して、主に透明で仕事関数が高いインジウム−スズ−オ
キサイド（ＩＴＯ）を蒸着して形成する。
【００９０】次に、前記第１電極２０２の上部に有機ま
たは無機絶縁物質を蒸着または塗布して、前記薄膜トラ
ンジスタアレー部に定義した画素領域間領域に対応する
位置に隔壁２０４を形成する。
たは無機絶縁物質を蒸着または塗布して、前記薄膜トラ
ンジスタアレー部に定義した画素領域間領域に対応する
位置に隔壁２０４を形成する。
【００９１】図８に示したように、前記隔壁２０４は、
平面的な絶縁板の前記画素領域に対応する部分に画素領
域と同一な形状の透過ホール２０６を構成した形状であ
る。
平面的な絶縁板の前記画素領域に対応する部分に画素領
域と同一な形状の透過ホール２０６を構成した形状であ
る。
【００９２】この場合、図示しなかったが前記隔壁２０
４を形成する前に、隔壁上端の幅と同一な幅の絶縁パタ
ーンを第１電極２０２の上部にさらに構成することがで
きる。
４を形成する前に、隔壁上端の幅と同一な幅の絶縁パタ
ーンを第１電極２０２の上部にさらに構成することがで
きる。
【００９３】絶縁パターン（図示せず）は、以後に形成
される第２電極（図示せず）が前記第１電極２０２と接
触することを避けるための構成である。
される第２電極（図示せず）が前記第１電極２０２と接
触することを避けるための構成である。
【００９４】次に、図７Ｂに示したように、前記第１電
極２０２の上部の前記各画素領域に対応する位置に赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を発光する有機発光
層２０８を形成する。有機発光層２０８は隔壁間に位置
する。
極２０２の上部の前記各画素領域に対応する位置に赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を発光する有機発光
層２０８を形成する。有機発光層２０８は隔壁間に位置
する。
【００９５】このとき、前記有機発光層２０８は、単層
または多層で構成することができ、前記有機膜が多層で
構成される場合には、発光層２０８ａに正孔輸送層２０
８ｂと電子輸送層２０８ｃをさらに構成する。
または多層で構成することができ、前記有機膜が多層で
構成される場合には、発光層２０８ａに正孔輸送層２０
８ｂと電子輸送層２０８ｃをさらに構成する。
【００９６】次に、図７Ｃに示したように、前記発光層
２０８の上部に第２電極２１０を蒸着する工程を進め
る。
２０８の上部に第２電極２１０を蒸着する工程を進め
る。
【００９７】このとき、前記隔壁２０４の形状は、断面
積において逆台形状に構成されるために、前記隔壁２０
４の両側表面には金属層が蒸着できない構成である。
積において逆台形状に構成されるために、前記隔壁２０
４の両側表面には金属層が蒸着できない構成である。
【００９８】したがって、前記第２電極２１０を形成す
るための金属層は、隔壁２０４の上部と隔壁間に存在す
る発光層２０８の上部にのみ存在する形で、各画素領域
Ｐごとに独立的に形成される。
るための金属層は、隔壁２０４の上部と隔壁間に存在す
る発光層２０８の上部にのみ存在する形で、各画素領域
Ｐごとに独立的に形成される。
【００９９】前記第２電極２１０を形成する物質は、ア
ルミニウム（Ａｌ）とカルシウム（Ｃａ）とマグネシウ
ム（Ｍｇ）の中から選択された一つで形成するか、、又
はそれとリチウムフッ素／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａ
ｌ）合金との二重金属層で形成することができる。
ルミニウム（Ａｌ）とカルシウム（Ｃａ）とマグネシウ
ム（Ｍｇ）の中から選択された一つで形成するか、、又
はそれとリチウムフッ素／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａ
ｌ）合金との二重金属層で形成することができる。
【０１００】望ましくは、前述した薄膜トランジスタア
レー部の工程において前記連結電極（図６Ｃの１２４）
は、発光部の第２電極と同一な物質で形成する。
レー部の工程において前記連結電極（図６Ｃの１２４）
は、発光部の第２電極と同一な物質で形成する。
【０１０１】前述したような工程を通して発光部が形成
された別途の第２基板を形成することができる。
された別途の第２基板を形成することができる。
【０１０２】前述したように製作された薄膜トランジス
タアレー部と発光部が構成された基板を合着して図５に
示したように本発明による上部発光形有機電界発光素子
を製作することができる。
タアレー部と発光部が構成された基板を合着して図５に
示したように本発明による上部発光形有機電界発光素子
を製作することができる。
【０１０３】
【発明の効果】本発明による有機電界発光素子は、下記
のような効果がある。
のような効果がある。
【０１０４】第一に、上部発光形であるので下部アレー
パターンの形状に影響を受けなくて開口率を確保するこ
とができる効果がある。
パターンの形状に影響を受けなくて開口率を確保するこ
とができる効果がある。
【０１０５】第二に、発光部を薄膜トランジスタアレー
パターンの上部に構成せず別途に構成するために、有機
電界発光層を形成する工程中に前記薄膜トランジスタに
およぼすことがある影響を考慮しなくても良いので収率
を向上する効果がある。
パターンの上部に構成せず別途に構成するために、有機
電界発光層を形成する工程中に前記薄膜トランジスタに
およぼすことがある影響を考慮しなくても良いので収率
を向上する効果がある。
【０１０６】第三に、前記隔壁を平面的には格子状で、
断面積としては逆台形状で構成するのでシャドウマスク
を用いなくても前記隔壁の形状により前記発光層の上部
に構成される第２電極を画素ごとに独立的に対応するよ
うに形成することができるために生産性を向上する効果
がある。
断面積としては逆台形状で構成するのでシャドウマスク
を用いなくても前記隔壁の形状により前記発光層の上部
に構成される第２電極を画素ごとに独立的に対応するよ
うに形成することができるために生産性を向上する効果
がある。
【図１】関連技術における有機電界発光素子の構成を概
略的に示した断面図である。
略的に示した断面図である。
【図２】薄膜トランジスタアレー部の一画素を概略的に
示した平面図である。
示した平面図である。
【図３】図２のIII−IIIを切断した断面図である。
【図４】図２のIV-IVを切断して示した断面図である。
【図５】本発明による有機電界発光素子の構成を概略的
に示した断面図である。
に示した断面図である。
【図６Ａ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
【図６Ｂ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
【図６Ｃ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図
である。
【図７Ａ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
【図７Ｂ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
【図７Ｃ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
工程を順序に従って説明するための工程品の断面図であ
る。
【図８】図７Ａに対応する基板の斜視図である。
１００：第１基板
Ｔ：駆動素子
２００：第２基板
２０２：第１電極
２０４：隔壁
２０８：有機層
２１０：第２電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ
(72)発明者 ヨー チュン−クン
大韓民国 403−032，インチョン，ブピョ
ン−グ，チョンチョン２−ドン，グァンミ
ョン アパートメント 103−610
(72)発明者 キム オク−ヒ
大韓民国 430−016，ギョンギ−ド，アン
ヤン−シ，マナン−グ，アンヤン６−ド
ン，435−１，フリーヴィル 711−ホ
(72)発明者 リー ナム−ヤン
大韓民国 463−729，ギョンギ−ド，ソン
ナム−シ，ブンダン−グ，ネヨン−ドン,
サミック アパートメント 120−604
(72)発明者 キム クウァン−ソ
大韓民国 440−320，ギョンギ−ド，スウ
ォン−シ，ジャンガン−グ，ユルジョン−
ドン，518，サムホジンドック 203−1104
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB04 AB11 AB12 AB13
AB18 BA06 BB05 BB07 DB03
FA00
5C094 AA05 AA14 AA42 AA43 BA03
BA29 CA19 CA24 EA04 EA05
EA07 EA10 FB12
Claims (22)
- 【請求項１】 第１基板と；前記第１基板と離隔されて
向かい合う第２基板と；前記第１基板の内側面に形成さ
れているスイッチング素子と；前記スイッチング素子と
電気的に連結されている駆動素子と；前記駆動素子と電
気的に連結されている連結電極と；前記第２基板の内側
面に形成されている第１電極と；前記第１電極上部に位
置して、前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応す
る透過ホールを有する隔壁と；前記第１基板上部の透過
ホール内に位置する有機層；そして前記有機層上部に第
２電極を含み、 前記第２電極は、前記連結電極を通して前記駆動素子と
電気的に連結される有機電界発光素子。 - 【請求項２】 前記隔壁は、前記第１電極と接触して第
１幅を有する第１端と、前記第２電極と隣接して第２幅
を有する第２端とからなることを特徴とする請求項１に
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項３】 前記第２幅は、前記第１幅よりさらに広
いことを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項４】 前記第１電極は、前記有機層にホールを
注入する陽極電極であって、第２電極は前記有機層に電
子を注入する陰極電極であることを特徴とする請求項１
に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記第１電極は、インジウム−スズ−オ
キサイド（ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項４
に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項６】 前記第２電極は、カルシウム（Ｃａ）、
アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金
属中から選択された一つで構成したことを特徴とする請
求項４に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記連結電極は、カルシウム（Ｃａ）、
アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金
属中から選択された一つで構成したことを特徴とする請
求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項８】 前記有機層は、前記第１電極に接触する
正孔輸送層と、前記第２電極に接触する電子輸送層及び
前記正孔輸送層と電子輸送層間の発光層からなることを
特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項９】 前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンを
さらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項１０】 前記絶縁パターンは、前記第２電極に
接触する隔壁の幅と同一の大きさの第１幅を有すること
を特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１１】 前記駆動素子とスイッチング素子は、
各々アクティブ層とゲート電極、ソース電極及びドレイ
ン電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電
界発光素子 - 【請求項１２】 第１基板上に電気的に連結されている
スイッチング素子と駆動素子を形成する段階と；前記駆
動素子と電気的に連結される連結電極を形成する段階
と；前記第２基板上に第１電極を形成する段階と；前記
第１電極上部に前記第１基板と第２基板間の画素領域に
対応する透過ホールを有する隔壁を形成する段階と；前
記第１電極上部の前記透過ホール内に有機層を形成する
段階と；前記有機層上部に第２電極を形成する段階；そ
して前記第１及び第２基板を合着する段階を含んでい
て、 前記連結電極は、前記第２電極に電気的に連結される有
機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記隔壁を形成する段階は、前記第１
電極に接触して第１幅を有する第１端を形成する段階
と、前記第２電極に接触して第２幅を有する第２端を形
成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の
有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第２幅は、前記第１幅より広いこ
とを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１電極は、前記発光層に正孔を
注入する陽極電極であって、第２電極は前記発光層に電
子を注入する陰極電極であることを特徴とする請求項１
２に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１電極は、インジウム−スズ−
オキサイド（ＩＴＯ）であることを特徴とする請求項１
５に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２電極は、カルシウム（Ｃ
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで形成したことを特徴と
する請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１８】 前記連結電極は、カルシウム（Ｃ
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を
含む金属中から選択された一つで形成したことを特徴と
する請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１９】 前記有機層を形成する段階は、前記第
１電極上部に正孔輸送層を形成する段階と、前記正孔輸
送層上部に発光層を形成する段階及び前記発光層上部に
電子輸送層を形成する段階を含むことを特徴とする請求
項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２０】 前記隔壁と第１電極間に絶縁パターン
を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１
２に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２１】 前記絶縁パターンの一端は、前記第１
電極に隣接した前記隔壁の幅と同一大きさの幅を有する
ことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光素子
の製造方法。 - 【請求項２２】 前記駆動素子とスイッチング素子は、
各々アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン
電極を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電
界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-024552 | 2002-05-03 | ||
| KR10-2002-0024552A KR100435054B1 (ko) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
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|---|---|
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ID=29267931
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100435054B1 (ja) |
| CN (1) | CN100461979C (ja) |
| TW (1) | TWI255149B (ja) |
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| KR100497095B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| KR100503129B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2005-07-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| CN100438119C (zh) * | 2003-12-15 | 2008-11-26 | 乐金显示有限公司 | 双面板型有机电致发光器件及其制造方法 |
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| KR100711001B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-04-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
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