TWI255149B - Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1255149 ----— 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 地說，i:::—種電致發光顯示裝s，以及更明確 、 有機電致發光顯示裝置及其製造方法。 先前技術 夾ό ^ , a ，一有機電致發光顯示裝置，係藉由將一此 ^ : ί電子和—些來自-陰極之電…射進1: 狀態，變遷至-基態，而發射出光波。ΐ 二額外夕：電致發光顯示裝置，係'因自我發光性而不需要 液晶顯示步:：：種有機電致發光顯示裝置’相較於薄膜 電致i :-士、具有一小的尺寸和輕的重量。此種有機 p: \頒不l置，亦具有一較低之電力消耗、高的亮 ς '心的響應時間。因此’此種有機電致發光顯示裝 ，，被使用在大部份消費性電子應用例中，諸如行動電 ] 輛導航系統（CNG)、個人數位助理（pD幻、手提攝影 ^、和掌上電腦。此外，由於此種有機電致發光顯示 C LD)裝置之製造過程係很簡單，彼等製造成本將可使降 低0 此種有機電致發光顯示 法，而被分類成一被動矩陣 陣式有機電致發光顯示裝置 係透過一簡單之製造過程來 陣式有機電致發光顯示裝置 裝置，可依據其装置之驅動方 式和 主動矩陣式。一被動矩 ’係具有一簡單之結構，以及 加以製造。然而，此種被動矩 ’係具有咼的電力消耗，因而

1255149 五、發明說明（2) ::適用於大面積之顯示裝£。此外，在一些被動 卜電致發光顯示裝置中，彼等孔徑比將會因導電線路； 一# 口此忒4被動矩陣式有機電致發光 電；=皮用作小尺寸之顯示裝置。彼等主動矩陣 通常係被用作大尺寸 高晝質之影像。彼等係具有’的發光效率及可提供 亍(ΑΜ^Ι^)為:詈據J知技術之主動矩陣式有機電致發光顯 =且右：橫截面圖。在第1圖中，此_嶋裝 分隔而面斜。i ί : ί板12和—第二基板28，彼等係彼此 之薄膜φ曰_ /、 一基板12之内表面上，係形成有多個 之潯Μ電日日脰ΐ和多個之第一電極丨6， 一 極16，係使連接至每一薄膜雷曰 —:母弟電 形成有一些有機層18，以及在此有 三i色…之* Π ΐ 一第二電極20。該有機層18可發出 和驻LV :及·、二二區，内之紅色(R)、綠色⑹、 形：）以及通“系精由圖案化-有機材料，來加以 “有一乾燥劑22，係使形成在上述之第二芙 错以移除任何可能會滲透進該等第 货 土 之空間内的水分和空氣。上述二第：=二基板12和28間 m ^ 弟一基板2 8之内表面，係使 而：成一㈣’以及上述之 丄 槽溝内，並且係以一膠帶25加以固定。 于又1作 有-黏結劑26係使形成在該等第—與第二基板12㈣

$ 11頁 1255149 五、發明說明（3) 之間，以及係使環繞一些類似薄膜電晶體T、第一電極 1 6、有機層1 8、和第二電極2 〇等元件四周。此黏結劑2 6可 化成一氣密空間，以便保護此等元件，以防外來之水分和 空氣。 第2圖為依據其習知技術之AM〇ELD裝置的像素有關之 平面圖。在第2圖中’該像素係包括：一切換薄膜電晶體 (TFT) Ts、一驅動薄膜電晶體（TFT) Td、和一儲存電容器

C

ST 此外’一閘極線32和一資料線34，係使形成在一基板 1 2上面’以及係由一類似玻璃和塑料等透明性材料所形 成此專閘極線3 2和資料線3 4 ’係使彼此相交而界定成一 像素區域P，以及一電力線35在形成上係使平行上述之資 料線3 4。 ' 該等切換TFT Ts和驅動TFT TD，係分別包括一閘極電 極36和38、一活性層4〇和42、一源極電極46和48、和一汲 極電極50和52。上述切換TFT Ts之閘極電極％，係使連接 :其閘極線32，以及上述切換TFT Ts之源極電極46，係使 =至其資料線34。上述切換爪Ts之汲極電極5〇，係透 =第一接觸孔54，使連接至上述驅動TFT TD之閘極電極 網二二及上述驅動TFT Td之源極電極48，係透過一第二接 ，使連接至其電力線35。上述驅動TFT TD之汲極電 ^ 52，係使連接至上述像素區域,,p，，内之第一電極η。直 極15 ’係使與其電力線35相重疊，藉以形成上 st’以及係以摻雜之多晶儀，並且係 使連接至上述切換TFT Ts之汲極電極5〇。

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第3圖為依據其習知技術而沿第2圖之線皿—皿所截成 的AMOELD裝置之橫截面圖。在第3圖中，上述之驅動Mi TD係使形成在其基板1 2上面，以及係包括··該等閘極電 極38、活性層42、和源極電極48與汲極電極52。其一絕緣 層W，係使覆蓋上述之驅動TFT Td，以及其第一電極16， 係使形成在此絕緣層57上面，而以電氣方式使連接至盆汲 =奶2。其—可發出一光色彩之有機川，係使形成在 '弟-電極16上面，以及上述之第二電極2〇，係使形成在 上述之有機層18上面，而使在上述基板12之整個表面上 第4圖為依據其習知技術而沿第2圖之線w所截成 的AMOELD裝置之橫截面圖。在第4圖中，上述之切換τρτ U糸使形成在其基板12上方，以及係包括：該等閘極電 ° 活性層4 0、和源極電極4 6與汲極電極5 〇。另一方 面，上述之儲存電容器CST，係使形成在其基板12上方，以 及係包括該等電容器電極15和電力線35。上述之絕緣層 π，係使覆蓋該等切換TFT Ts和儲存電容器CsT，以及其曰第 一電極（未圖示），係使形成在此絕緣層57上面。苴次， ”,有機層，係使形成在該第一電極上面，α及係設置 之分隔壁70中間。上述之有機層18，通常係包括-發射層、—電洞傳輸層、和一電子傳輸層。立發射層係使 設置在該等電洞傳輪層與電子傳輸層之間。上 分隔壁 7=應：該等資料線34和電力線35，藉以使該有機層避 免接觸U鄰之像素區域Ρ。上述之第二電極2〇，係使

1255149 五、發明說明（5) $成在该有機發射層上面’以及使在上述分隔壁7 〇之側壁 上面。上述分隔壁70之上部，係具有一較此分隔壁7〇之；^ T為窄之寬度，藉以不但在該等發射層上面，而且在此分 隔壁7〇上面，形成上述之第二電極2〇。 此外’上述AMOELD裝置之良率，係依據該等薄膜電曰 體和有機層之良率而定。該AMOELD裝置之良率，會因上& 有機層形成至厚度大約1，0 0 0 A之過程中的雜質而變化， 該AMOELD之良率將會因雜質而被降低，因而會造 /、薄膜電晶體有關製造成本和來源材料之損失。 一=外，上述2AM0ELD裝置，就其製造過程而言，係屬 /、有穩定度和自由度之底部發射式裝置。 部發射爷壯恶 於曰士 μ 、衣罝然而’此種底 發射ΐΐ衣置，係具有一鈿小之孔徑比。因此，此種底部 土射式裝置，係難以被用作一高孔徑之裝置：p 一頂部發射式AM〇ELD，係呈有一 方面， 具。姑 ^ ^ 回孔控比，以及係锣泮夂 一而，在此種頂部發射式AM〇ELD中， ^ 係被設置在其有機層上方，其L制 二於-陰極通常 :係受到限制。因*，其光透射率之材料的選 光效能會被降低。此外，為提昇制甘以及其發 層便應使為-薄的薄膜，因而其將其薄膜純化 氣和空氣。 /、I "、、法元王阻隔外來之濕

發明内容 因此， 製造方法， 本發明係針對一種有 其可大幅排除上述習 機電致發光顯示裝置和其 知技術之限制和缺點所致

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五、發明說明（6) 的一項或多項問題。 本發明之一目的，旨 機電致發光顯示裝置和萝造^種具有—高孔徑比之有 本發明之另一g的7 t =担;^。 和生產力的有機電致發光；—種具有，改良之良率 本發明之另-目的，其製造方法。 光顯示裝置和其製造方法。^ I、一種可靠之有機電致發 本發明之額外特徵和 以及部份可由其之說明而接Μ 係闡明於下文之說明中， 而習得。本發明之甘、明確，或者可自本發明之實務 及其申請專利範卜I A他優點，將可藉由此書面說明 加以實現及完成 附諸圖中所特別指出之結構，來 意說明之目的等：：：目的’以及依據本發明所具現及廣 基板；一鱼此第：工f電致發光顯示裝置係包括：-第-述第一美柄夕允土板为隔相向之第二基板；一設置在上 連接5 ^ 表面上的切換薄膜電晶體；一以電氣方式 式連接S二、溥膜電晶體之驅動薄膜電晶體；一以電氣方 一妾至此驅動薄膜電晶體之連接電極·，一設置在上述第 二= 第一電極；-設置在此第-電極上面 射孔之分ρ :·、C第二基板間之一像素區域的透 有機層；和一 -f名肤右嬙s 電才上面之透射孔内的 一 σ又置在此有械層上面之第二電極，苴中之第 一電極，係透過上述之連接電極，以 /、 之驅動薄膜電晶體。 Λ χ連接至上述 第15胃 1255149 五、發明說明（7) 在另一觀點 法係包括··形成 使以電氣方式相 極，使以電氣方 基板上面，形成 分隔壁，使具有 區域的透射孔； 有機層；在此有 第一和第二基板 方式與上述之第 理應瞭解的 細說明，係屬範 本發明之進一步 此專被納 而構成此申請案 例，以及連同其 明之原理。

中，一種有機電致發光顯示裝 膜電晶體和一驅動薄 一第一基板上面；形 動薄膜電晶體 電極上 一基板 在上述第一電極上面之透射孔 一第二電極； 中之連接電極 一切換薄 互連接在 式接觸上 述之驅 極；在 一第一電 一對應於該等第 此第一 一與第 機層上面 黏結在一 二電極相 是，本發 例性和解 解釋。 入用以提供本發明之進一步瞭 之一部分的附圖，係例示本發 之說明，係用以圖示之簡單說 ，形成 起，其 接觸。 明前述 釋性， 之一般性說明 以及其思在提 置之製造方 膜電晶體， 成一連接電 ;在一第二 面，形成一 間之一像素 内，形成一 以及使該等 係以電氣 和下文之詳 供其所主張 解及被合併 明之實施 明解釋本發 實施方法 兹將詳細說明本發明之例示實施例，其係例示在所附 諸圖中。 第5圖為依據本發明之範例性AM〇ELD裝置的橫截面 圖。在第5圖中，此AMOELD裝置，可能包括彼此面對分隔 之第一基板1 0 0和第二基板2 0 〇。此等第一和第二基板1 〇 〇

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和2 0 0之間，可能形成有一黏結劑3〇〇， 五、發明說明（8) 第二基板1 0 0和2 〇 〇黏結在一起。 違等第一和 在該第一基板100之内表面上，可能 膜電晶體T，其中之薄膜電晶體τ，在功能成有夕個之薄 AMOELD裝置之一驅動薄膜電晶體。雖然未 2為此 第一基板100之内表面上，亦可能形成有一切丁 '在上述 體、一閘極線、一資料線、和一電力線。 、潯膜電晶 在上述第二基板2〇〇之内表面上，可使 々 電極202。此第一電極2〇2，可能包括一些明第一 料’以及在功能上可能作為一陽極，而；將材 要形成在其上之有機層内。上述之第—電極2〇2上射，進一 使形成有一分隔壁204，藉以包括多個可界定出一 ^ 域”p"之孔、。該分隔壁m可能具有—自平面圖視去之拇品格 形狀。上述第一電極2 〇 2上面之像素區域” ρ μ内，可使形成 有多個之有機層2 0 8，以及此有機發射層2 〇 8上面，可使形 成有多個之第二電極210。 y =電極210 【二電極 可使形 以及可以 有多個之連接電極124，可使形成在該等第 與薄膜電晶體T之間，以及可以電氣方式使該等 210和薄膜電晶體τ相互連接。此等連接電極124 成在上述包括薄膜電晶體T之第一基板100上面 一與上述第二電極2 1 0相同之材料製成。 第6A至6C圖為可製造一包括一依據本發明之AMOELD裝 置的薄膜電晶體之第一基板的範例性過程之橫截面圖。在 第6A圖中，一緩衝區層1〇2，可使形成在一第一基板100之

第17頁 五、發明說明（9) 整個表面上。此緩衝區層1 〇 2，可包括一内含類似氮化矽 和氧化石夕等石夕絕緣材料。一多晶矽層丨〇 4在上述緩衝區層 1 0 2上面形成，可藉由沉積一非晶形矽層、使此非晶形矽 層脫氫、加熱使此非晶形矽層形成結晶、以及加以圖案 化。該多晶矽層1 〇 4，可包括一活性層丨〇 “、和源極電極 與汲極區域1 〇4b和1 〇4c，其中之活性層丨〇4a，可使設置在 該等源極電極與汲極區域1〇4b和1〇杬之間。其次，有一閘 極絕緣層106和一閘極電極1〇8，可隨繼使形成在上述之活 ^生層^4a上面’以及可使形成在上述包括多晶矽層1〇4之 =個第一基板1 〇 〇上面。上述之閘極絕緣層丨〇 6，可包括一 類似氮化矽和氧化矽等絕緣材料。上述之閘極電極1〇8可 使包括I呂、铭合金、銅、鎮、艇、和姐中的一個。其次， 2使用此閘極電極1 0 8作為一摻雜遮罩，使一些三價或四 =之払雜物摻雜進該等源極電極和汲極區域丨〇4b和104c 中η ib等摻雜物舉例而言’可能包㈣⑻或鱗⑺。有一 # 1 η η曰1 1 〇可使形成在上述具有閘極電極1 0 8之整個第一基 板1 0 0上面，以及可Λ 岡安 觸孔112和114。此等第圖Λ 成一些第一和第二接 上可伟八別眼雨山4第一苐二接觸孔112和114,在形成 #八刀* ^出该等源極電極和汲極區域1 04b和1 04c之 絕i::中間層Π°’可包括-些類似氮…氧化 萨由t :6B = I ’ —些源極電極和汲極電極116和118，可 精由〉儿積一金屬層，以乃桩牮 在、+、Θ ^ 乂及接者圖案化此金屬層，而使形成 ；L 9 1 〇上面。此等源極電極和汲極電極1 1 6和

第18頁 1255149 五、發明說明（10) 118，可分別透過該等第—和第二接觸孔112和114，使以 電氣方式連接至該等源極電極和沒極區域1041)和10切。繼 Γ二鈍化層1ΓΛ使形成在上述包括源極電極和汲極電 極lj6和118之整個苐一基板1〇〇上面”匕鈍化層12〇可加以 圖木化，使形成一可曝露出一部份汲極電極118之第三接 觸孔122。該等閘極電極108、和源極電極與汲極電極116 = 11/，係形成為一在功能上作為上述AM〇ELD裝置之驅動 溥胺電晶體（TFT)的薄膜電晶體。另一方面，一切換^丁可 使用上述製造驅動TFT之過程，使在形成上以電氣方 接至該驅動TFT。 在第6C圖中，一連接電極124可藉由沉積及圖案化一 導電性材料，使形成在上述之鈍化層12〇上面。上述之連 接電極124，可透過其第三接觸孔122，以電氣方式使連 至上述之汲極電極118。雖然未顯示出，一閘極線可使在 形成上述閘極電極1 08之步驟期間形成’以及一資料線可 使在形成上述源極電極和汲極電極丨丨6和丨丨8之步驟期間形 成。 ^ 苐7A至7C圖為可製造一包括一依據本發明之發光二極 體的第二基板之範例性過程的橫截面圖，以及第8圖係第 7A圖依據本發明之第二基板的透視圖。在第7A圖中，一第 一電極202，可使形成在一第二基板2〇〇上面，其中之第一 電極2 0 2，在功能上可作為一可將電洞注射進一隨後形成 之發射層内的陽極。此第一電極2 〇 2可能具有一相當高之 工作函數，以及可能包括銦錫氧化物。其次，一分隔壁

第19頁 I255J49 五' 發明^' -------------- 2 Ο 4可藉由沉藉 螓妊柯 積或塗佈一絕緣材料，以及接著圖案化此絕 緣材枓，而伟 ° 在* 1文小成在上述之第一電極2 02上面。 々第8圖中’上述之分隔壁2〇4可使形成以包括多個對 ^ Γ 像素區域？之透射孔2 0 6。上述之分隔壁2 0 4可能 ☆ 一钱材料或無機材料，亦可使形成具有一上部，其係 二，；一，觸到上述第—電極2〇2之下部。雖然圖式未顯 二’一見度與上述分隔壁2 〇 4之上部相同的絕緣層，可使 心，在3等第一電極202與分隔壁204之間，藉以防止上述 之^ 電極2 0 2接觸到隨後將會形成在上述分隔壁2 0 4上面 之苐二電極 〇

在第7B圖中，一有機層2〇8可使形成在上述第一電極 2〇2上面之每一透射孔2〇6内。此有機層2〇8可發出紅色 (R)、綠色（G)、和藍色（b)之光波，以及可由一單一層或 多重層形成。該有機層2〇8可能包括：一發射層2〇8a、一 電洞傳輸層2 0 8b、和一電子傳輸層208c，其中之電洞傳輸 層2 08b，可使與上述之第一電極2〇2相接觸，以及上述之 發射層2 0 8a，可使設置在該等電洞傳輸層2〇8b與電子傳輸 層208c之間。此外，上述之分隔壁2〇4，可能且有一大 上述有機層208之高度的高度。 …大於

在第7C圖中’一第二電極210，可使形成在該等有機 層208和分隔壁204上面。由於該分隔壁2〇4可能具有一反 梯形之形狀’上述之第二電極210，可不被形成^上述分 隔壁204之側壁上面。因此，上述形成在有機層2〇8上面之 第二電極210，可在上述之分隔壁2〇4處，使在實體上與上

1255149 五、發明說明（12) 述之第二電極210分離。由於該第二電極21〇可能具有一相 當低之工作函數’此第一電極可在功能上作為上述發光二 極體之一陰極。上述之第二電極2 1 0，舉例而言可能包括 鋁、約、和鎂中的一個。 其次’該等第一基板1 〇 〇和第二基板2 〇 〇，可使黏合在 一起’其中之連接電極124 (第6C圖中），係以電氣方式 使接觸到上述之第二電極2 1 〇。 在本發明中，上述之薄膜電晶體，係使形成在其第一 基板上面，以及上述之有機層，係形成在其第二基板上 面。此外，由於其第一電極，係使設置在其第二電極上 方，以及係屬透明性，此種AMOELD係屬一頂部發射式。因籲 此’此種AMOELD和其製造方法，係具有一高孔徑比，以及 可提供一改進之良率和生產力。此外，此種AM〇ELD和其製 造方法為可靠。 热習此技術之人士，顯然可在不偏離本發明之精神或 範圍下，在本發明之有機電致發光顯示裝置和其製造方法 中’製成各種修飾體和變更形式。因此，其係意在使本發 3 >函蓋本發明在所附申請專利範圍和彼等之等價體的界定 辜巳圍内之修飾體和變更形式。

第21頁 1255149 圖式簡單說明 第1圖為依據習知技術之主動矩陣式有機電致發光顯 示（AMOELD)裝置的橫截面圖； 第2圖為依據習知技術之AMOELD裝置的像素之平面 圖； 第3圖為依據習知技術而沿第2圖之線jjj ~ u[所截成的 AMOELD裝置的橫戴面圖； 第4圖為依據習知技術而沿第2圖之線贝―贝所截成的 AMOELD裝置的橫戴面圖; 第5圖為依據本發明之範例性a μ 〇 £ l D裝置的橫截面 圖；

第6Α至6C圖為可製造一包括一依據本發明之am〇eld裝 置的薄膜電晶體之第一基板的範例性過程之橫截面圖； 第7A至7.C圖為可製造一包括—依據本發明之發光二極 體的第二基板之範例性過程的橫截面圖；而 第8圖則為第7A圖依據本發明之第二基板的透視圖。 元件符號對照表 1 0主動矩陣式有機電致發光顯示裝 12第一基板 又 1 5電容器電極 1 6第一電極 18有機層 2 0 第二電極

1255149 圖式簡單說明 22 乾燥劑 25 膠帶 26 黏結劑 28 第二基板 32 閘極線 34 資料線 35 電力線 36、 3 8 閘極電極 40、 ‘ 4 2 活性層 46、 * 4 8 源極電極 50、 k 5 2 >及極電極 54 第一接觸孔 56 第二接觸孔 57 絕緣層 70 分隔壁 100 第一基板 102 緩衝區層 104 多晶矽層 1 0 4 a 活性層 1 0 4 b 源極區域 1 0 4 c 汲極區域 106 閘極絕緣層 108 閘極電極 110 中間層

第23頁 1255149_ 圖式簡單說明 1 1 2 第一接觸孔 I 1 4 第二接觸孔 II 6 源極電極 1 18 汲極電極 1 2 0 鈍化層 1 2 2 第三接觸孔 1 2 4 連接電極 2 0 0 第二基板 2 0 2 第一電極 2 0 4 分隔壁 2 0 6透射孔 _ # 2 0 8 有機層 2 0 8 a 發射層 2 0 8 b 電洞傳輸層 20 8c電子傳輸層 2 1 0 第二電極 3 0 0 黏結劑 T 薄膜電晶體 P 像素區域 •

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Claims (1)

1. J255149 六、申請專利範圍 1 · 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵 一第一基板； 苟匕括·· 一與此第一基板分隔相向之第二基板； 體丨〜置在上述第-基板之内表面上的切換㈣電晶 一以電氣方式連接至此切換薄膜電晶 晶體，· 之驅動薄膜電 一以電氣方式連接至此驅動薄膜電晶體 一設置在上述第二基板之内表面上的第一，電極； 一設置在此第一電極上面而具有一對應於哕= 第二基板間之一像素區域的透射孔之分隔壁；^、第一與 一：ίίΐΐΐ —電極上面之透射孔内的有機居 一设置在此有機層上面之第二電極， 馎層，和 其中之第二電極透過上述之連接電極，以 接至上述之驅動薄膜電晶體。 电乳方式連 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中 分隔壁的第一端部包括：一具有一第一 極相接觸之第一端邻《 又 與其第一電 I, 币而。[^ 口一具有一第二寬度而鱼j：牮 电 相接觸之第二端部。 /、具弟二電極 —3 ·如申請專利範圍第2項之裝置，其中 苐一寬度大於上述之第一寬产。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中 之2極”可作為一可將電洞注射進其 1255149 六、申請專利範圍 射進其有機層内之陰極。 5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中 第一電極包括钢錫氧化物。 6. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中 第二電極包括約、銘、和鎂中的一個。 7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中 連接電極包括妈、紹、和鎂中的一個。 8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中

   有機層係包括：一與其第一電極相接觸之電洞傳輸層、一 與其第二電極相接觸之電子傳輸層、和一在此等電洞傳輸 層與電子傳輸層之間的發射層。 _ 9. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中 更包括一在該等第一電極與分隔壁之間的絕緣圖案。 1 0.如申請專利範圍第9項之裝置，其中 絕緣圖案包括一等於上述與其第二電極相接觸之分隔壁的 寬度之第一寬度。 1 1.如申請專利範圍第1項之裝置，其中 每一切換和驅動薄膜電晶體包括：一閘極電極、一活性 層、以及一些源極電極與沒極電極。

   1 2. —種有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵 為包括以下步驟： 形成一切換薄膜電晶體和一驅動薄膜電晶體，使以 電氣方式相互連接在一第一基板上面； 形成一連接電極，使以電氣方式接觸上述之驅動薄

   第26頁 1255149 六、申請專利範圍 膜電晶體； 在一第二基板上面，形成一第一電極； 在此第一電極上面，形成一分隔壁，使具有一對應 於該等第一與第二基板間之一像素區域的透射孔； 在上述第一電極上面之透射孔内，形成一有機層； 在此有機層上面，形成一第二電極；以及 使該等第一和第二基板黏結在一起， 其中之連接電極，係以電氣方式與上述之第二電極 相接觸。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 形成分隔壁之步驟係包括： — Φ 形成上述分隔壁具有一第一寬度而與其第一電極相 接觸之第一端部，以及形成上述分隔壁具有一第三寬度而 與其第三電極相接觸之第三端部。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中之 第二寬度大於上述之第一寬度。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 第一電極在功能上作為一可將電洞注射進其有機層内之陽 極，以及上述之第二電極在功能上作為一可將電子注射進 其有機層内之陰極。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中 鲁 第一電極包括銦錫氧化物。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中 第二電極包括妈、銘、和鎂中的一個。

   第27頁 1255149 六、申請專利範圍 1 8.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 連接電極包括鈣、鋁、和鎂中的一個。 1 9.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 形成一有機層之步驟係包括： 在其第一電極上面，形成一電洞傳輸層；在此電洞傳輸層 上面，形成一發射層；以及在此發射層上面，形成一電子 傳輸層。 2 0.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中更包括 在該等第一電極與分隔壁之間形成一絕緣圖案的步驟。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之方法，其中 絕緣圖案與其第一電極相鄰的第一端部，具有一等於其分 籲 隔壁之第二寬度的第三寬度。 2 2.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 切換和驅動薄膜電晶體兩者係包括：一閘極電極、一活性 層、和一些源極電極與；:及極電極。

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