CN109728054A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，采用该制备方法可有效降低电极电阻并提高产品良率。该制备方法包括：在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；辅助电极与第一电极在衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；形成像素界定层；像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部；第一开口部与第一电极一一对应，且露出第一电极；第二开口部与辅助电极一一对应，且露出辅助电极；形成发光功能层，发光功能层覆盖像素界定层、第一电极被露出的区域及辅助电极被露出的区域；在发光功能层覆盖辅助电极的区域内，形成露出辅助电极的开孔；形成第二电极，第二电极覆盖发光功能层及辅助电极被露出的区域。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
根据发光方向的不同，OLED(即Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件可分为底发射型(即Bottom Emission)和顶发射型(即Top Emission)。对于底发射型OLED器件而言，由于其发射出的光线是通过衬底基板一侧射出，故显示面板的开口率会受到位于OLED器件下方的驱动晶体管等不透光结构的限制，难以满足高分辨率显示的需求，因此，目前多采用顶发射型OLED器件，即发光层发出的光从上方的阴极一侧射出，不会受到下方不透光结构的限制。
在顶发射型OLED器件中，阴极的材料通常为IZO(即Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等透明导电氧化物，以提高出光率。但是，IZO等透明导电氧化物的导电性相比于金属较差，导致阴极电阻较大，进而产生阴极电压降(IR Drop，即电阻两端的电位差)较大的问题，从而影响信号传输效率。并且，随着显示面板尺寸的增大，阴极电压降的问题愈发严重，导致信号传输发生明显延迟，影响显示品质。
现有技术中，为解决阴极电压降的问题，采用的一种方式是在彩膜基板的隔垫物(即Post Spacer，简称为PS)表面形成辅助电极(即Auxiliary Electrode，简称为AUX)，将彩膜基板与发白光的OLED显示面板进行对合后，将PS表面的辅助电极压合在OLED器件中位于上方的阴极表面，以使二者相接触，从而降低阴极的电阻。
然而，由于PS通常采用弹性材料制成，在压合的过程中容易发生偏移，导致辅助电极与阴极接触面积不足，无法有效降低阴极电阻；并且，当压合力过大时，还会导致厚度较小的阴极被压碎，产生水汽入侵和/或阴极与阳极发生短路不良，从而使得显示面板上产生黑点等显示不良，降低产品良率。
发明内容
鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，采用该制备方法形成的显示面板，可在有效降低电极电阻的同时，提高产品良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例一方面提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；在所述衬底基板上形成像素界定层；所述像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部；所述第一开口部与所述第一电极一一对应，且露出所述第一电极；所述第二开口部与所述辅助电极一一对应，且露出所述辅助电极；形成发光功能层，所述发光功能层覆盖所述像素界定层、所述第一电极被露出的区域及所述辅助电极被露出的区域；在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内，形成露出所述辅助电极的开孔；形成第二电极，所述第二电极覆盖所述发光功能层及所述辅助电极被露出的区域。
在本发明一些实施例中，所述在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域，包括：在衬底基板上形成多个驱动晶体管和至少一个辅助电极；在所述衬底基板上形成隔离层；所述隔离层上形成有多个第一过孔和至少一个第二过孔；所述第一过孔与所述驱动晶体管的输出端一一对应，且露出所述输出端；所述第二过孔与所述辅助电极一一对应，且露出所述辅助电极；在所述隔离层远离所述衬底基板的表面形成多个与所述驱动晶体管一一对应的第一电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；所述第一电极通过所述第一过孔，与对应的所述驱动晶体管的输出端连接。
在本发明一些实施例中，所述在衬底基板上形成多个驱动晶体管和至少一个辅助电极，包括：采用一次构图工艺，形成所述驱动晶体管的输出端、输入端及所述辅助电极；或者，采用一次构图工艺，形成所述驱动晶体管的控制端和所述辅助电极。
在本发明一些实施例中，所述在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内，形成露出所述辅助电极的开孔，包括：利用突出物，在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔。
在本发明一些实施例中，所述利用突出物，在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔，包括：将压合基板固定在封装设备中的上基板朝向下基板的一侧；所述压合基板包括：基底及设置在所述基底上的与待形成的开孔一一对应的突出物；将形成有所述第一电极、所述辅助电极、所述像素界定层及所述发光功能层的所述衬底基板固定在所述封装设备中的所述下基板朝向所述上基板的一侧；对所述压合基板与所述衬底基板进行对位，以使所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域垂直对应有所述突出物；使所述下基板与所述上基板相互靠近，以通过所述突出物在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔；分离所述压合基板与所述衬底基板。
在本发明一些实施例中，所述使所述下基板与所述上基板相互靠近，以通过所述突出物在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔，还包括：通过开设在所述封装设备上的抽气孔，对所述封装设备内进行抽真空。
在本发明一些实施例中，所述压合基板还包括：设置在所述基底和所述突出物表面的金属薄膜。
在本发明一些实施例中，所述形成多个第一电极，包括：形成多个反射阳极；所述形成发光功能层，包括：形成用于发出白光的白光功能层；所述形成第二电极，包括：形成透明阴极；所述制备方法还包括：在所述第二电极上方形成彩色滤光层；其中，沿所述衬底基板板面的垂直方向，所述彩色滤光层包括多个与所述第一开口部垂直对应的滤色块。
本发明实施例再一方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括：设置在衬底基板上的多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；设置在所述衬底基板上方的像素界定层；所述像素界定层包括：多个第一开口部和至少一个第二开口部；所述第一开口部与所述第一电极一一对应，所述第二开口部与所述辅助电极一一对应；设置在所述像素界定层上的发光功能层；所述发光功能层包括：至少一个开孔；所述发光功能层覆盖所述像素界定层及所述第一电极对应于所述第一开口部的区域；所述开孔与所述辅助电极对应于所述第二开口部的区域一一对应；覆盖所述发光功能层，及所述辅助电极对应于所述开孔的区域的第二电极。
在本发明一些实施例中，所述显示面板还包括：多个驱动晶体管和隔离层；其中，所述驱动晶体管、所述辅助电极设置在所述隔离层靠近所述衬底基板的一侧；所述第一电极、所述像素界定层、所述发光功能层及所述第二电极设置在所述隔离层远离所述衬底基板的一侧；所述隔离层包括：多个第一过孔和至少一个第二过孔；所述第一过孔与所述驱动晶体管的输出端一一对应，所述第一电极通过所述第一过孔与对应的所述驱动晶体管的输出端连接；所述第二过孔与所述辅助电极一一对应，所述第二电极通过所述第二开口部及所述第二过孔与对应的所述辅助电极连接。
在本发明一些实施例中，所述辅助电极与所述驱动晶体管的输出端、输入端同层设置；或者，所述辅助电极与所述驱动晶体管的控制端同层设置。
在本发明一些实施例中，所述衬底基板包括：阵列排布且间隔设置的多个子像素区域；每个所述子像素区域内对应有一个所述驱动晶体管；沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个所述子像素区域之间，对应有至少一个所述辅助电极。
在本发明一些实施例中，所述第一电极包括反射阳极，所述发光功能层包括用于发出白光的白光功能层，所述第二电极包括透明阴极；所述显示面板还包括：设置在所述第二电极上方的彩色滤光层；其中，沿所述衬底基板板面的垂直方向，所述彩色滤光层包括：多个与所述第一开口部垂直对应的滤色块。
本发明实施例另一方面提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
基于此，通过本发明实施例提供的上述制备方法，在形成第二电极之前，先在衬底基板上形成辅助电极，并通过露出辅助电极的垂直贯通的像素界定层上的第二开口部和对应的发光功能层上的开孔，使得形成的第二电极覆盖到下方的辅助电极被露出的区域上。
本发明实施例提供的上述制备方法，采用先形成辅助电极后沉积阴极的设计思路，从而使得在后形成的第二电极能够通过露出辅助电极的贯通的开孔与第二开口部，直接沉积在至少一个辅助电极被露出的表面上。这样，无需通过PS压合的方式即能使得至少一个辅助电极与第二电极充分接触，从而降低第二电极的电阻，减小电压降，同时不会产生由于PS偏移所导致的辅助电极与阴极接触面积不足，无法有效降低阴极电阻的问题，也不会产生由于PS压合力过大而压碎阴极的问题，从而可以在有效降低电极电阻的同时，显著提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；
图2(a)为本发明一些实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤S01a的示意图；
图2(b)为本发明一些实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤S02a的示意图；
图2(c)为本发明一些实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤S03a的示意图；
图2(d)为本发明一些实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤S04a的示意图；
图2(e)为本发明一些实施例提供的一种显示面板的制备方法中步骤S05a的示意图；
图3(a)为本发明一些实施例提供的再一种显示面板的制备方法中步骤S01b的示意图；
图3(b)为本发明一些实施例提供的再一种显示面板的制备方法中步骤S02b的示意图；
图3(c)为本发明一些实施例提供的再一种显示面板的制备方法中步骤S03b的示意图；
图3(d)为本发明一些实施例提供的再一种显示面板的制备方法中步骤S04b的示意图；
图3(e)为本发明一些实施例提供的再一种显示面板的制备方法中步骤S05b的示意图；
图4为本发明一些实施例提供的另一种显示面板的制备方法所形成的显示面板的结构示意图；
图5为本发明一些实施例提供的显示面板的制备方法中，在发光功能层上压出露出辅助电极的开孔的过程示意图；
图6为本发明一些实施例提供的显示面板的制备方法中，在发光功能层上压出露出辅助电极的开孔所使用的压合基板的结构示意图；
图7为本发明一些实施例提供的又一种显示面板的制备方法所形成的显示面板的结构示意图；
图8(a)为本发明一些实施例提供的显示面板中驱动晶体管和辅助电极的一种排列方式；
图8(b)为本发明一些实施例提供的显示面板中驱动晶体管和辅助电极的一种排列方式；
图8(c)为本发明一些实施例提供的显示面板中驱动晶体管和辅助电极的一种排列方式；
图8(d)为本发明一些实施例提供的显示面板中驱动晶体管和辅助电极的一种排列方式；
图9为本发明一些实施例提供的显示装置的结构示意图。
附图标记：
100-显示装置；01-显示面板；10-衬底基板；P-子像素区域；
11-驱动晶体管；11g-控制端；11s-输入端；11d-输出端；
11a-有源层；a1-n型离子掺杂区；a2-未掺杂区；
12-辅助电极；13-隔离层；13a-表面；
131-第一子层；132-第二子层；V1-第一过孔；V2-第二过孔；
14-第一电极；15-像素界定层；O1-第一开口部；O2-第二开口部；
16-发光功能层；H-开孔；
17-第二电极；18-栅绝缘图形、栅绝缘层；19-层间绝缘层；
40-彩色滤光层；41-滤色块；42-黑矩阵；50-封装层；
02-压合基板；20-基底；21-突出物；22-金属薄膜；
03-封装设备；31-上基板；32-下基板；33-抽气孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
并且，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
例如，本发明说明书以及权利要求书中所使用的术语“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上/上方”、“下/下方”、“行/行方向”以及“列/列方向”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
例如，在某些情况下，涉及“行方向”的实施例可以在“列方向”的情况下实施等等，相反亦如此。将本专利所述方案进行90°旋转或镜像后亦属本专利权利范畴。
本发明实施例第一方面提供一种显示面板的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤S01-步骤S05：
S01：在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；辅助电极与第一电极在衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；
S02：在衬底基板上形成像素界定层；像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部；第一开口部与第一电极一一对应，且露出第一电极；第二开口部与辅助电极一一对应，且露出辅助电极；
S03：形成发光功能层，发光功能层覆盖像素界定层、第一电极被露出的区域及辅助电极被露出的区域；
S04：在发光功能层覆盖辅助电极的区域内，形成露出辅助电极的开孔；
S05：形成第二电极，第二电极覆盖发光功能层及辅助电极被露出的区域。
在上述S01，辅助电极可以与第一电极设置在同一层，或者设置在不同层，本发明实施例对此不作限定，只要使得辅助电极与第一电极均设置在衬底基板(如玻璃基板)上的同一侧即可，具体设置位置可灵活调整。
需要说明的是，为了避免后续形成的第二电极在与辅助电极连接的同时，还连接到了第一电极上，从而导致第一电极与第二电极发生短路，因此，在上述S01中，使得形成的辅助电极与第一电极在衬底基板上的各自正投影无重叠的区域，以使得后续形成的第二电极仅与辅助电极连接，而不会连接到第一电极上。
可以理解的是，在上述显示面板中，第一电极有多个(即该显示面板包括有多个OLED器件)，辅助电极至少有一个，因此，上述的“辅助电极与第一电极在衬底基板上的各自正投影无重叠的区域”，具体是指，至少一个辅助电极中的任意一个在衬底基板上的正投影，均与多个第一电极中的任意一个在衬底基板上的正投影没有重叠的区域。
示例的，在上述S01中，可以形成多个辅助电极，以使后续形成的第二电极可以通过与多个辅助电极相接触(相当于第二电极与多个辅助电极进行并联)，进一步降低第二电极的电阻。
在上述S02中，上述的“第一开口部与第一电极一一对应，且露出第一电极”，是指沿衬底基板板面的垂直方向，每个第一电极均垂直对应有一个第一开口部，这样，当还未进行后续S03时，透过该第一开口部可以看到下方对应的第一电极远离衬底基板一侧的上表面(例如露出该上表面的部分或全部)。
相应的，上述的“第二开口部与辅助电极一一对应，且露出辅助电极”，是指沿衬底基板板面的垂直方向，每个辅助电极均垂直对应有一个第二开口部，这样，当还未进行后续S03时，透过该第二开口部可以看到下方对应的辅助电极远离衬底基板一侧的上表面(例如露出该上表面的部分或全部)。这里，当上述显示面板中仅形成有一个辅助电极时，则为与该辅助电极对应的一个第二开口部露出该辅助电极远离衬底基板一侧的上表面(例如露出该上表面的部分或全部)。
在上述S03中，形成的发光功能层覆盖整个像素界定层、第一电极被对应的第一开口部露出的区域以及辅助电极被对应的第二开口部露出的区域，因此，该发光功能层为整层设置的发光功能层(即发射出一种颜色的光)，每个第一电极均与该发光功能层连接。
这里，发光功能层具体可包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等，具体结构可沿用相关技术，本发明实施例对此不作限定。当上述S01形成的第一电极为阳极、后续S05形成的第二电极为阴极时，则空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层的层叠方式为依次远离第一电极设置，空穴注入层与提供空穴的第一电极(即阳极)相接触，电子传输层与提供电子的第二电极(即阴极)相接触。
可以理解的是，在上述S04中，由于发光功能层上的开孔是形成在发光功能层覆盖辅助电极的区域内，而辅助电极在前一S03中被露出的区域(即发光功能层能够覆盖到的区域)，是垂直对应于第一开口部的区域。因此，发光功能层上形成的开孔在衬底基板上的正投影，是位于相应的第一开口部在衬底基板上的正投影的区域内。即，发光功能层上的开孔与对应的像素界定层上的第二开口部为垂直贯通的结构。
也即是说，沿衬底基板板面的垂直方向，在发光功能层上形成的露出辅助电极的开孔的位置，垂直对应于前述S02形成的像素界定层上的第二开口部，即在还未进行后续S05时，透过开孔及该开孔垂直下方的第二开口部，可以看到更下方对应的辅助电极远离衬底基板一侧的上表面(例如露出该上表面的部分或全部)。
进一步的，在上述S05中，第二电极覆盖整个发光功能层以及辅助电极被第二开口部露出的区域，则第二电极为整层设置的电极。
即每个第一电极、整层的发光功能层覆盖在每个第一电极上的部分以及整层的第二电极对应于每个第一电极的部分构成一个OLED发光器件。各OLED器件的发光功能层为连接在一起的整层结构，各OLED器件的第二电极为连接在一起的整层结构。
这里，前述S01中可以形成多个辅助电极，且该多个辅助电极可均匀分布在衬底基板上，这样可以使得后续S05形成的整层的第二电极与辅助电极相接触的区域也为均匀分布，使得第二电极整体电阻均匀降低。
基于此，通过本发明实施例提供的上述制备方法，在形成第二电极之前，先在衬底基板上形成辅助电极，并通过露出辅助电极的垂直贯通的像素界定层上的第二开口部和对应的发光功能层上的开孔，使得形成的第二电极覆盖到下方的辅助电极被露出的区域上。
本发明实施例提供的上述制备方法，摒弃了相关技术中先形成阴极、再形成辅助电极、进而使得二者相接触的设计思路，采用完全相反的设计思路，即先形成辅助电极后沉积阴极的制备方法，从而使得在后形成的第二电极能够通过露出辅助电极的贯通的开孔与第二开口部，直接沉积在至少一个辅助电极被露出的表面上。这样，无需通过PS压合的方式即能使得至少一个辅助电极与第二电极充分接触，从而降低第二电极的电阻，减小电压降，同时不会产生由于PS偏移所导致的辅助电极与阴极接触面积不足，无法有效降低阴极电阻的问题，也不会产生由于PS压合力过大而压碎阴极的问题，从而可以在有效降低电极电阻的同时，显著提高产品良率。
在上述S01中，可以采用一次构图工艺形成上述的辅助电极与第一电极，即至少一个辅助电极与多个第一电极同层设置。
这里，典型的构图工艺是指应用一次掩膜板，通过包括：在薄膜表面涂覆光刻胶、光刻胶曝光、曝光后显影、刻蚀薄膜中被光刻胶暴露出的区域以形成特定图案并去除光刻胶的工艺，形成所需的图形(在本发明实施例中，例如为上述的多个第一电极和至少一个辅助电极)。
由于辅助电极可以与第一电极在一次构图工艺下形成，因此，二者的材料相同，即可以利用制作第一电极(通常为阳极)的材料一并制作辅助电极。
同层设置是指针对至少两种图形(在本发明实施例中例如为上述的第一电极的图形和辅助电极的图形)而言的，是指将至少两种图形设置在同一层衬底上的设置方式。
或者，上述S01还包括形成：位于衬底基板上的阵列结构层、覆盖阵列结构层的隔离层的步骤；至少一个辅助电极形成在隔离层靠近衬底基板的一侧，多个第一电极形成在隔离层远离衬底基板的一侧。这里，阵列结构层即由多个驱动TFT(即Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)构成的结构层。衬底基板和位于其上的阵列结构层即构成通常所称的背板(即Back Panel，简称为BP)，可实现背板中集成有辅助电极(即AUX on BP)的设计。即，形成的上述显示面板具体为有源寻址OLED显示面板(即Active Matrix OLED显示面板)。
根据上述S01形成的不同的具体结构，下面提供三个示例，用于详细说明以上制备方法。
本发明实施例中的一种示例提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括如下步骤S01a-步骤S05a：
S01a：如图2(a)中的(i)部分所示，在衬底基板10上形成多个驱动晶体管11(图2(a)中仅示意出其中的一个)和至少一个辅助电极12；其中，采用一次构图工艺，形成驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s及辅助电极12；
如图2(a)中的(ii)部分所示，在形成有上述多个驱动晶体管11和至少一个辅助电极12的衬底基板10上形成隔离层13；该隔离层13上形成有多个第一过孔V1和至少一个第二过孔V2；第一过孔V1与驱动晶体管11的输出端11d一一对应，且露出对应的输出端11d；第二过孔V2与辅助电极12一一对应，且露出对应的辅助电极12；
如图2(a)中的(iii)部分所示，在隔离层13远离衬底基板10的表面13a形成多个与驱动晶体管11一一对应的第一电极14；辅助电极12与第一电极14在衬底基板10上的各自正投影无重叠的区域；第一电极14通过第一过孔V1，与对应的驱动晶体管11的输出端11d连接，以接收相应的驱动信号；
S02a：如图2(b)所示，在形成的上述驱动晶体管11、辅助电极12以及第一电极14上形成像素界定层(Pixel Defining Layer，简称为PDL)15；该像素界定层15上形成有多个第一开口部O1(图2(b)中仅示意出其中的一个)和至少一个第二开口部O2；第一开口部O1与第一电极14一一对应，且露出该第一电极14；第二开口部O2与辅助电极12一一对应，且露出该辅助电极12；
S03a：如图2(c)所示，形成发光功能层16，该发光功能层16覆盖像素界定层15、第一电极14被露出的区域及辅助电极12被第二开口部O2露出的区域；
S04a：如图2(d)所示，在发光功能层16覆盖辅助电极12的区域内，形成露出该辅助电极12的开孔H；
S05a：如图2(e)所示，形成第二电极17，该第二电极17覆盖发光功能层16及辅助电极12被露出的区域(如图2(e)中的虚线框所示)，从而形成上述显示面板01。
需要说明的是，以图2(a)中示意出的TFT结构为例，驱动晶体管11具体包括：依次设置在衬底基板10(或位于衬底基板表面的缓冲层buffer，图2(a)中未示意出)上的有源层11a、控制端11g、输入端11s以及输出端11d。
其中，请继续参阅图2(a)，有源层11a进一步包括：n型离子掺杂区a1(即n+Active)和未掺杂区a2。控制端(也可被称为栅极)11g与有源层11a之间形成有栅绝缘图形18，以隔离控制端11g与有源层11a；衬底基板10上还形成有覆盖控制端11g和有源层11a的层间绝缘层(即Inter Layer Dielectric，简称为ILD)19，输入端(也可被称为源极，即Source)11s与输出端(也可被称为漏极，即Drain)11d分别通过层间绝缘层19上的不同过孔与有源层11a中的n型离子掺杂区a1连接，由于该区域经过n型离子的掺杂，可提高输入端11s、输出端11d分别与有源层11a之间的电性连接。
由于输入端11s、输出端11d设置在层间绝缘层19远离衬底基板10一侧的表面上，因此，在上述S01a中，与驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s采用同一次构图工艺形成的辅助电极12也位于层间绝缘层19远离衬底基板10一侧的表面上。
这里，由于辅助电极12与驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s采用一次构图工艺形成，从而可减少单独制备辅助电极12所需的构图工艺，节省了掩膜板(Mask)，在实现AUX on BP的同时，通过使辅助电极12沿用输出端11d、输入端11s的S/D层金属，可降低工艺难度和工艺成本，使得上述制备方法更适用于量产的设计要求。
在上述S01a中，形成的隔离层13具体可包括依次远离层间绝缘层19设置的第一子层(通常为PVX层，即passivation layer)131和第二子层(通常为常规绝缘层Resin)132。第一过孔V1即为贯通第一子层131和第二子层132的贯通孔，同样的，第二过孔V2也为贯通第一子层131和第二子层132的贯通孔，可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成以上各贯通孔，具体工艺可沿用相关技术，本发明实施例对此不作限定。
形成的第一电极14具体可以为反射阳极，即上述显示面板的出光方向为远离衬底基板10、向上出光。
在上述S02a中，像素界定层15可采用光刻胶材料经涂覆工艺制成，这样，通过对像素界定层15曝光、显影，即可形成像素界定层15上的第一开口部O1和第二开口部O2，简化制备工艺。
在上述S03a中，发光功能层16(可包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等结构)可采用整面蒸镀的方式形成，示例的，形成的发光功能层16为用于发白光的白光功能层。
在上述S05a中，第二电极17具体可以为透明阴极，即形成的上述显示面板为顶发射型。透明阴极可采用整面沉积的方式形成，以使其与下方的辅助电极12相接触，从而降低透明阴极的电阻。
本发明实施例中的再一种示例提供再一种显示面板的制备方法，该制备方法包括如下步骤S01b-步骤S05b：
S01b：如图3(a)中的(i)部分所示，在衬底基板10上形成多个驱动晶体管11(图3(a)中仅示意出其中的一个)和至少一个辅助电极12；其中，采用一次构图工艺，形成驱动晶体管11的控制端11g和辅助电极12；
如图3(a)中的(ii)部分所示，在形成有上述多个驱动晶体管11和至少一个辅助电极12的衬底基板10上形成隔离层13；该隔离层13上形成有多个第一过孔V1和至少一个第二过孔V2；第一过孔V1与驱动晶体管11的输出端11d一一对应，且露出对应的输出端11d；第二过孔V2与辅助电极12一一对应，且露出对应的辅助电极12；
如图3(a)中的(iii)部分所示，在隔离层13远离衬底基板10的表面13a形成多个与驱动晶体管11一一对应的第一电极14；辅助电极12与第一电极14在衬底基板10上的各自正投影无重叠的区域；第一电极14通过第一过孔V1，与对应的驱动晶体管11的输出端11d连接，以接收相应的驱动信号；
S02b：如图3(b)所示，在形成的上述驱动晶体管11、辅助电极12以及第一电极14上形成像素界定层(Pixel Defining Layer，简称为PDL)15；该像素界定层15上形成有多个第一开口部O1(图3(b)中仅示意出其中的一个)和至少一个第二开口部O2；第一开口部O1与第一电极14一一对应，且露出该第一电极14；第二开口部O2与辅助电极12一一对应，且露出该辅助电极12；
S03b：如图3(c)所示，形成发光功能层16，该发光功能层16覆盖像素界定层15、第一电极14被露出的区域及辅助电极12被第二开口部O2露出的区域；
S04b：如图3(d)所示，在发光功能层16覆盖辅助电极12的区域内，形成露出该辅助电极12的开孔H；
S05b：如图3(e)所示，形成第二电极17，该第二电极17覆盖发光功能层16及辅助电极12被露出的区域(如图3(e)中的虚线框所示)，从而形成上述显示面板01。
需要说明的是，以图3(a)中示意出的TFT结构为例，驱动晶体管11具体包括：依次设置在衬底基板10(或位于衬底基板表面的缓冲层buffer，图3(a)中未示意出)上的有源层11a、控制端11g、输入端11s以及输出端11d。
其中，请继续参阅图3(a)，有源层11a进一步包括：n型离子掺杂区a1(即n+Active)和未掺杂区a2。控制端(也可被称为栅极)11g与有源层11a之间形成有栅绝缘层18，以隔离控制端11g与有源层11a；衬底基板10上还形成有覆盖控制端11g和有源层11a的层间绝缘层(即Inter Layer Dielectric，简称为ILD)19，输入端(也可被称为源极，即Source)11s与输出端(也可被称为漏极，即Drain)11d分别通过贯通层间绝缘层19和栅绝缘层18上的不同过孔与有源层11a中的n型离子掺杂区a1连接，由于该区域经过n型离子的掺杂，可提高输入端11s、输出端11d分别与有源层11a之间的电性连接。
由于控制端11g设置在栅绝缘层18远离衬底基板10一侧的表面上，因此，在上述S01b中，与驱动晶体管11的控制端11g采用同一次构图工艺形成的辅助电极12也位于栅绝缘层18远离衬底基板10一侧的表面上，因此，层间绝缘层19上相应地也形成有露出辅助电极12的过孔。
这里，由于辅助电极12与驱动晶体管11的控制端11g采用一次构图工艺形成，从而可减少单独制备辅助电极12所需的构图工艺，节省了掩膜板(Mask)，在实现AUX on BP的同时，通过使辅助电极12沿用控制端11g的Gate层金属，可降低工艺难度和工艺成本，使得上述制备方法更适用于量产的设计要求。
在上述S01b中，形成的隔离层13具体可包括依次远离层间绝缘层19设置的第一子层(通常为PVX层，即passivation layer)131和第二子层(通常为常规绝缘层Resin)132。第一过孔V1即为贯通第一子层131和第二子层132的贯通孔，并且，该第一过孔V1垂直对应于下方的层间绝缘层19上露出辅助电极12的过孔。
同样的，第二过孔V2也为贯通第一子层131和第二子层132的贯通孔，可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成以上各贯通孔，具体工艺可沿用相关技术，本发明实施例对此不作限定。
形成的第一电极14具体可以为反射阳极，即上述显示面板的出光方向为远离衬底基板10、向上出光。
在上述S02b中，像素界定层15可采用光刻胶材料经涂覆工艺制成，这样，通过对像素界定层15曝光、显影，即可形成像素界定层15上的第一开口部O1和第二开口部O2，简化制备工艺。
在上述S03b中，发光功能层16(可包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等结构)可采用整面蒸镀的方式形成，示例的，形成的发光功能层16为用于发白光的白光功能层。
在上述S05b中，第二电极17具体可以为透明阴极，即形成的上述显示面板为顶发射型。透明阴极可采用整面沉积的方式形成，以使其与下方的辅助电极12相接触，从而降低透明阴极的电阻。
本发明实施例中的另一种示例提供另一种显示面板的制备方法，其中，该制备方法与上述两种制备方法的主要区别在于，辅助电极与第一电极在一次构图工艺下形成，形成的显示面板01的结构如图4所示，具体步骤可参考上述制备过程，此处不再赘述。
这里，以上述驱动晶体管11为顶栅型为例，由于顶栅型结构的TFT中，输出端11d、输入端11s至衬底基板10的距离要大于控制端11g至衬底基板10的距离，即，输出端11d、输入端11s相比于控制端11g而言，更靠近后续形成的第二电极17。
这样一来，在本发明实施例上述第一示例提供的辅助电极12与驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s采用一次构图工艺形成的方案中，沉积第二电极17时，第二电极17中用于与辅助电极12相接触的部分更容易沉积到靠近的与输出端11d、输入端11s同层设置的辅助电极12表面。这样，相比于本发明实施例第二示例提供的辅助电极12与驱动晶体管11的控制端11g采用一次构图工艺形成的方案，第一示例能够提供相比于第二示例的更高的产品良率。
在上述各示例中，仅以形成的驱动晶体管11为顶栅结构(即Top Gate)的氧化物TFT为例进行示意，驱动晶体管11的具体结构和类型可沿用相关技术，即，驱动晶体管11也可以为底栅结构(即Bottom Gate)的TFT、BCE型TFT(即Back Channel Etched，背沟道刻蚀型)、ESL型TFT(即Etch Stop Layer，具有刻蚀阻挡层的TFT)；并且，TFT中的有源层11a可以为氧化物半导体、硅半导体以及有机半导体中的至少一种。
其中，氧化物半导体包括但不限于：a-IGZO(即a-Indium Gallium Zinc Oxide，非晶铟镓锌氧化物)，ZnON(氮氧化锌)以及IZTO(即Indium Zinc Tin Oxide，铟锌锡氧化物)；硅半导体包括但不限于：非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)；有机半导体包括但不限于：六噻吩、聚噻吩。
在上述各示例中，形成的驱动晶体管的控制端、输出端、输入端、辅助电极以及第一电极(即作为反射阳极)可以采用金属单质制成，例如Ag(银)、Al(铝)、Cu(铜)、Mo(钼)以及Nb(铌)中的任意一种；或者，也可以采用层叠设置(即具有堆栈结构)的多层金属，例如MoNb/Cu/MoNb(钼铌合金/铜单质/钼铌合金)等；再或者，还可以采用上述金属的合金材料，例如AlNd(铝铌合金)、MoNb(钼铌合金)等。
在上述各示例中，形成的第二电极(即作为透明阴极)可以采用IZO、ITO(即IndiumTin Oxide，氧化铟锡)以及AZO(即ZNO-Al2O3氧化铝掺杂氧化锌)等透明导电氧化物制成，还可以采用厚度很薄(即透过率较高)的金属与透明导电氧化物层叠设置而成，例如为ITO/Ag/ITO等。
在上述各示例中，缓冲层、隔离层、栅绝缘图形或栅绝缘层、层间绝缘层可以采用无机介质材料，例如，SiOx(氧化硅)、SiNx(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)以及AlOx(氧化铝)、HfOx(氧化铪)、TaOx(氧化钽)等高介电常数(High k)材料；其中，下标x表示氧元素或氮元素比例不作限定。
并且，上述各层还可以采用有机绝缘材料，例如聚硅氧烷系材料，亚克力系材料，或聚酰亚胺系材料等具有平坦化(即Over Coat，简称为OC)效果的材料。
进一步的，在上述各示例中，在发光功能层16覆盖辅助电极12的区域内，形成露出该辅助电极12的开孔H的方式，示例的可以为：
利用突出物，在发光功能层覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔。
由于发光功能层通常由有机材料构成且其厚度非常小，例如在0.10至0.15μm，即能够较为容易地被尖锐物体戳破，因此，可以通过使用较为坚硬的突出物，在发光功能层覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔。这样，可以避免使用激光打孔设备，进一步降低工艺难度和制备成本。
示例的，可以利用相关技术中的封装设备，通过设置有柱状突出物的基板，在发光功能层覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔。
下面提供一个通过突出物在发光功能层覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔的具体过程，如图5所示，包括如下步骤S41-步骤S45：
S41：将压合基板02固定在封装设备03中的上基板31朝向下基板32的一侧；压合基板02包括：基底20及设置在基底20上的与待形成的开孔一一对应的突出物21；
S42：将形成有第一电极、辅助电极、像素界定层及发光功能层16的衬底基板10固定在封装设备03中的下基板32朝向上基板31的一侧；
S43：对压合基板02与衬底基板10进行对位，以使发光功能层16覆盖辅助电极的区域垂直对应有上述的突出物21；
S44：使下基板32与上基板31相互靠近，以通过突出物21在发光功能层16覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔H；
S45：分离压合基板02与衬底基板10。
需要说明的是，图5中仅以辅助电极的数量为多个，即用于露出每个辅助电极的开孔的数量也为多个，相应的，用于压出开孔的突出物21的数量也为多个为例进行示意，上述压合过程对于仅需要压出一个开孔的情况也同样适用，此处不再赘述。
由于第一电极、辅助电极、像素界定层的图形较小，为清楚起见，上述图5中仅示意出发光功能层16和衬底基板10，其余层结构可参见上述制备过程的详细说明。
对压合基板02与衬底基板10进行对位的原理可参见相关技术，例如可以是在压合基板02与衬底基板10上分别形成对位标记(Mark)，利用封装设备03通常自带的激光或成像等对位系统，对压合基板02与衬底基板10进行对位。
使下基板32与上基板31相互靠近的方式例如可以是，使其中一者固定，移动另一者，上述图5中即是以下基板32固定、移动上基板31为例进行示意，反之亦可；或者，也可以使两个基板相向移动，具体移动方式均可沿用相关技术，本发明实施例对此不作限定。
可以理解的是，为了使得突出物21在发光功能层16覆盖辅助电极的区域内压出露出辅助电极的开孔H，突出物21相比于基底20表面的高度，应至少大于辅助电极远离衬底基板一侧的表面，与发光功能层16覆盖在像素界定层上的部分远离衬底基板一侧的表面之间的垂直距离。
请继续参阅图5，上述S44还包括：通过开设在封装设备03上的抽气孔33，对封装设备03内进行抽真空(如图5中的曲线箭头所示)，从而可以利用真空压合的方式，增加突出物21下压的力量。
进一步的，考虑到突出物21需要具有一定的高度，采用金属等材料会增加制备难度，故可以采用PS材料制备突出物21，为了防止突出物21脱落并进一步增加压合时的力度，如图6所示，上述压合基板02还包括：设置在基底(如玻璃基板)20和突出物21表面的金属薄膜22。
可以理解的是，金属薄膜22的厚度可以设置地较小，即金属薄膜22覆盖在基底20和突出物21表面后，不会将突出物21高度完全盖住，能使得突出物21及其表面的金属薄膜22仍具有所需的高度。
在上述基础上，当形成的多个第一电极包括多个反射阳极、形成的发光功能层包括用于发出白光的白光功能层、形成的第二电极包括透明阴极时，可以在整层沉积的透明阴极上方(即远离衬底基板的一侧)形成彩色滤光层，从而使得白光功能层经电致激发后发射出的白光透过彩色滤光层转变为相应颜色的光(例如为红光、绿光以及蓝光等)，从而实现彩色显示。
示例的，上述制备方法还包括步骤S06：如图7所示，在第二电极17上方形成彩色滤光层(即通常所称的彩膜)40；其中，沿衬底基板10板面的垂直方向，彩色滤光层40包括多个与第一开口部O1垂直对应的滤色块41。
需要指出的是，在以上图7中，仅以辅助电极12集成在背板中(即AUX on BP)，且辅助电极12与驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s采用一次构图工艺形成为例进行说明，本发明实施例不限于向，辅助电极12的具体位置可灵活调整，只要使得彩色滤光层形成在第二电极17上方，且其中的每个滤色块41与下方的每个第一开口部O1垂直对应，以使得从每个第一开口部O1发射出的白光透光上方的滤色块41显示出相应的颜色即可。
可以理解的是，当多个第一开口部O1呈阵列排布时，与每个第一开口部O1垂直对应的滤色块41也呈阵列排布，并且，多个滤色块41可以包括红色滤色块、绿色滤色块以及蓝色滤色块等；彩色滤光层40中还可包括黑矩阵42，每个滤色块41设置在黑矩阵的开口处，以避免相邻两个滤色块41产生混光，具体结构可沿用相关设计，本发明实施例对此不作限定。
由于本发明实施例提供的上述制备方法，是先形成辅助电极后形成透明阴极，因此，不需要通过PS压合的方式使辅助电极与透明阴极相接触。这样，彩色滤光层40上无需再形成隔垫物，可以直接形成在透明阴极表面，或者，当透明阴极表面还形成有封装层50等其他结构层时，彩色滤光层40可以直接形成在封装层表面，从而降低了形成的显示面板01的整体厚度，满足显示产品薄型化的设计发展。
在上述基础上，本发明实施例第二方面提供一种显示面板，请参阅图2(e)、图3(e)以及图4，上述显示面板01包括：设置在衬底基板10上的多个第一电极14及至少一个辅助电极12；该辅助电极12与第一电极14在衬底基板10上的各自正投影无重叠的区域；设置在衬底基板10上方的像素界定层15；该像素界定层15包括：多个第一开口部O1和至少一个第二开口部O2；第一开口部O1与第一电极14一一对应，第二开口部O2与辅助电极12一一对应；设置在像素界定层15上的发光功能层16；该发光功能层16包括：至少一个开孔H；该发光功能层16覆盖像素界定层15及第一电极14对应于第一开口部O1的区域；前述的开孔H与辅助电极12对应于第二开口部O2的区域一一对应；以及包括覆盖发光功能层16，及辅助电极12对应于开孔H的区域的第二电极17。
这里，发光功能层16覆盖整个像素界定层15、第一电极14被对应的第一开口部O1露出的区域以及辅助电极12被对应的第二开口部O2露出的区域，因此，该发光功能层16为整层设置的发光功能层(即发射出一种颜色的光)，每个第一电极14均与该发光功能层16连接。
第二电极17覆盖整个发光功能层16以及辅助电极12被第二开口部O2露出的区域，则第二电极17为整层设置的电极。
也即是说，每个第一电极(通常为阳极)14、整层的发光功能层16覆盖在每个第一电极上14的部分以及整层的第二电极(通常为阴极)17对应于每个第一电极14的部分构成一个OLED发光器件。各OLED器件的发光功能层为连接在一起的整层结构，各OLED器件的第二电极为连接在一起的整层结构。
上述显示面板所能实现的有益效果与本发明实施例第一方面所提供的显示面板的制备方法所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
示例的，请具体参阅图2(e)，上述显示面板01还包括：多个驱动晶体管11和隔离层13；其中，驱动晶体管11、辅助电极12设置在隔离层13靠近衬底基板10的一侧，且辅助电极12与驱动晶体管11的输出端11d、输入端11s同层设置；第一电极14、像素界定层15、发光功能层16及第二电极17设置在隔离层13远离衬底基板10的一侧；隔离层13包括：多个第一过孔V1和至少一个第二过孔V2；每个第一过孔V1与驱动晶体管11的输出端11d一一对应，第一电极14通过第一过孔V1与对应的驱动晶体管11的输出端11d连接；第二过孔V2与辅助电极12一一对应，第二电极17通过第二开口部O2及第二过孔V2与对应的辅助电极12连接。
这里，同层设置是指针对至少两种图形(上述实施例中即为辅助电极12的图形与驱动晶体管11的输出端11d的图形、输入端11s的图形)而言的，是指将至少两种图形设置在同一层衬底上的设置方式。
或者，请具体参阅图3(e)，上述显示面板01还包括：多个驱动晶体管11和隔离层13；其中，驱动晶体管11、辅助电极12设置在隔离层13靠近衬底基板10的一侧，且辅助电极12与驱动晶体管11的控制端11g同层设置；第一电极14、像素界定层15、发光功能层16及第二电极17设置在隔离层13远离衬底基板10的一侧；隔离层13包括：多个第一过孔V1和至少一个第二过孔V2；每个第一过孔V1与驱动晶体管11的输出端11d一一对应，第一电极14通过第一过孔V1与对应的驱动晶体管11的输出端11d连接；第二过孔V2与辅助电极12一一对应，第二电极17通过第二开口部O2及第二过孔V2与对应的辅助电极12连接。
这里，同层设置是指针对至少两种图形(上述实施例中即为辅助电极12的图形与驱动晶体管11的控制端11g的图形)而言的，是指将至少两种图形设置在同一层衬底上的设置方式。
或者，请具体参阅图4，上述显示面板01还包括：多个驱动晶体管11和隔离层13；其中，驱动晶体管11设置在隔离层13靠近衬底基板10的一侧；辅助电极12、第一电极14、像素界定层15、发光功能层16及第二电极17设置在隔离层13远离衬底基板10的一侧，且辅助电极12与第一电极14同层设置；隔离层13包括：多个第一过孔V1，每个第一过孔V1与驱动晶体管11的输出端11d一一对应，第一电极14通过第一过孔V1与对应的驱动晶体管11的输出端11d连接；第二电极17通过第二开口部O2与对应的辅助电极12连接。
这里，同层设置是指针对至少两种图形(上述实施例中即为辅助电极12的图形与第一电极14的图形)而言的，是指将至少两种图形设置在同一层衬底上的设置方式。
上述的第一电极14包括反射阳极，发光功能层16包括用于发出白光的白光功能层，第二电极17包括透明阴极。
进一步的，请参阅图7，上述显示面板01还包括：设置在第二电极17上方的彩色滤光层40；其中，沿衬底基板10板面的垂直方向，上述彩色滤光层40包括：多个与第一开口部O1垂直对应的滤色块41，这样，使得白光功能层经电致激发后发射出的白光透过彩色滤光层转变为相应颜色的光(例如为红光、绿光以及蓝光等)，从而实现彩色显示。
示例的，上述显示面板01中可以包括多个均匀分布的辅助电极12，可以使得第二电极17通过与多个均匀分布的辅助电极12相接触(相当于第二电极与多个辅助电极进行并联)，均匀地降低整个第二电极17的电阻。下面提供三种排列的方式：
方式一，如图8(a)所示，上述衬底基板10包括：阵列排布且间隔设置的多个子像素区域P；每个子像素区域P内对应有一个驱动晶体管11；沿行方向(如图8(a)中箭头S1所示)，每相邻两个子像素区域P之间，对应有至少一个辅助电极12。
方式二，如图8(b)所示，上述衬底基板10包括：阵列排布且间隔设置的多个子像素区域P；每个子像素区域P内对应有一个驱动晶体管11；沿列方向(如图8(b)中箭头S2所示)，每相邻两个子像素区域P之间，对应有至少一个辅助电极12。
方式三，如图8(c)所示，上述衬底基板10包括：阵列排布且间隔设置的多个子像素区域P；每个子像素区域P内对应有一个驱动晶体管11；沿行方向和列方向(分别如图8(c)中箭头S1和S2所示)，每相邻两个子像素区域P之间，对应有至少一个辅助电极12。
需要说明的是，每个子像素区域P内对应有一个驱动晶体管11是指，每个驱动晶体管11在衬底基板10上的正投影，均位于一个子像素区域P内，即驱动晶体管11可以直接形成在衬底基板10表面，或者，二者之间还可以根据设计需要，设置缓冲层等结构，只要使得沿衬底基板10板面的垂直方向上，每个子像素区域P内都设置有一个驱动晶体管11即可。
同样的，沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间，对应有至少一个辅助电极12，是指沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间，均有至少一个辅助电极12在衬底基板10上的正投影位于该区域(即沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间)内。即，辅助电极12可以直接形成在衬底基板表面，位于该区域(即沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间)内；或者，辅助电极12也可以是参考前述实施例，形成在衬底基板上方的栅绝缘层、或层间绝缘层、或隔离层上，本发明实施例对此不作限定，只要使得沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间，均对应有至少一个辅助电极12即可。
这里，上述图8(a)至图8(c)中，仅以沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间，对应有一个条状的辅助电极12为例进行说明，沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个子像素区域P之间还可以对应有间隔排列的多个辅助电极12。
并且，进一步的，对于沿行方向和列方向的每相邻两个子像素区域P之间，均对应有一个条状的辅助电极12的情况，如图8(d)所示，各条状的辅助电极12还可以为向行方向、列方向延伸并连接在一起的横纵交叉的一体结构，以进一步简化制备工艺。
需要指出的是，各子像素区域P内还可以对应有至少一个开关晶体管以及存储电容等结构，本发明实施例对此不作限定，可沿用相关设计。
以上各实施例中，显示面板01中各层的具体结构请参阅前述对于制备方法的详细说明，此处不再赘述。
进一步的，本发明实施例第三方面提供一种显示装置，如图9所示，该显示装置100包括上述各实施例提供的显示面板01。
上述显示装置100具体可以是OLED显示装置；该显示装置100可以为电视、平板电脑、手机、数码相框、导航仪、可穿戴显示装置(如智能手环、智能头盔等)等任何具有显示功能的产品或者部件。
上述显示装置100均还可以包括驱动电路部分、触控结构、指纹识别结构等部件，具体结构可参见相关技术，本发明实施例对此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；
在所述衬底基板上形成像素界定层；所述像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部；所述第一开口部与所述第一电极一一对应，且露出所述第一电极；所述第二开口部与所述辅助电极一一对应，且露出所述辅助电极；
形成发光功能层，所述发光功能层覆盖所述像素界定层、所述第一电极被露出的区域及所述辅助电极被露出的区域；
在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内，形成露出所述辅助电极的开孔；
形成第二电极，所述第二电极覆盖所述发光功能层及所述辅助电极被露出的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域，包括：
在衬底基板上形成多个驱动晶体管和至少一个辅助电极；
在所述衬底基板上形成隔离层；所述隔离层上形成有多个第一过孔和至少一个第二过孔；所述第一过孔与所述驱动晶体管的输出端一一对应，且露出所述输出端；所述第二过孔与所述辅助电极一一对应，且露出所述辅助电极；
在所述隔离层远离所述衬底基板的表面形成多个与所述驱动晶体管一一对应的第一电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；所述第一电极通过所述第一过孔，与对应的所述驱动晶体管的输出端连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成多个驱动晶体管和至少一个辅助电极，包括：
采用一次构图工艺，形成所述驱动晶体管的输出端、输入端及所述辅助电极；或者，采用一次构图工艺，形成所述驱动晶体管的控制端和所述辅助电极。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内，形成露出所述辅助电极的开孔，包括：
利用突出物，在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述利用突出物，在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔，包括：
将压合基板固定在封装设备中的上基板朝向下基板的一侧；所述压合基板包括：基底及设置在所述基底上的与待形成的开孔一一对应的突出物；
将形成有所述第一电极、所述辅助电极、所述像素界定层及所述发光功能层的所述衬底基板固定在所述封装设备中的所述下基板朝向所述上基板的一侧；
对所述压合基板与所述衬底基板进行对位，以使所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域垂直对应有所述突出物；
使所述下基板与所述上基板相互靠近，以通过所述突出物在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔；
分离所述压合基板与所述衬底基板。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述使所述下基板与所述上基板相互靠近，以通过所述突出物在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内压出露出所述辅助电极的开孔，还包括：
通过开设在所述封装设备上的抽气孔，对所述封装设备内进行抽真空。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述压合基板还包括：设置在所述基底和所述突出物表面的金属薄膜。
8.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成多个第一电极，包括：形成多个反射阳极；所述形成发光功能层，包括：形成用于发出白光的白光功能层；所述形成第二电极，包括：形成透明阴极；
所述制备方法还包括：在所述第二电极上方形成彩色滤光层；其中，沿所述衬底基板板面的垂直方向，所述彩色滤光层包括多个与所述第一开口部垂直对应的滤色块。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
设置在衬底基板上的多个第一电极及至少一个辅助电极；所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域；
设置在所述衬底基板上方的像素界定层；所述像素界定层包括：多个第一开口部和至少一个第二开口部；所述第一开口部与所述第一电极一一对应，所述第二开口部与所述辅助电极一一对应；
设置在所述像素界定层上的发光功能层；所述发光功能层包括：至少一个开孔；所述发光功能层覆盖所述像素界定层及所述第一电极对应于所述第一开口部的区域；所述开孔与所述辅助电极对应于所述第二开口部的区域一一对应；
覆盖所述发光功能层，及所述辅助电极对应于所述开孔的区域的第二电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：多个驱动晶体管和隔离层；其中，
所述驱动晶体管、所述辅助电极设置在所述隔离层靠近所述衬底基板的一侧；所述第一电极、所述像素界定层、所述发光功能层及所述第二电极设置在所述隔离层远离所述衬底基板的一侧；
所述隔离层包括：多个第一过孔和至少一个第二过孔；所述第一过孔与所述驱动晶体管的输出端一一对应，所述第一电极通过所述第一过孔与对应的所述驱动晶体管的输出端连接；所述第二过孔与所述辅助电极一一对应，所述第二电极通过所述第二开口部及所述第二过孔与对应的所述辅助电极连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极与所述驱动晶体管的输出端、输入端同层设置；或者，所述辅助电极与所述驱动晶体管的控制端同层设置。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括：阵列排布且间隔设置的多个子像素区域；
每个所述子像素区域内对应有一个所述驱动晶体管；
沿行方向和/或沿列方向的每相邻两个所述子像素区域之间，对应有至少一个所述辅助电极。
13.根据权利要求9至12任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极包括反射阳极，所述发光功能层包括用于发出白光的白光功能层，所述第二电极包括透明阴极；
所述显示面板还包括：设置在所述第二电极上方的彩色滤光层；其中，沿所述衬底基板板面的垂直方向，所述彩色滤光层包括：多个与所述第一开口部垂直对应的滤色块。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9至13任一项所述的显示面板。
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