CN112701148B - 顶发射显示面板、显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。该显示面板包括基板，基板具有多个驱动TFT；多个反射底电极，设置于基板上，且多个反射底电极彼此间隔设置；像素界定层，设置于基板和反射底电极上，像素界定层具有多个条形像素坑以及多个第一电极搭接孔，像素坑、第一电极搭接孔与驱动TFT三者一一对应设置；发光功能层，设于像素坑内，且发光功能层具有多个第二电极搭接孔，每个第二电极搭接孔与对应的第一电极搭接孔相对且连通；以及透明顶电极，透明顶电极包括第一部分与第二部分，第一部分设于像素界定层和发光功能层上，第二部分穿过第一电极搭接孔、第二电极搭接孔与驱动TFT连接。该顶发射显示面板提高了发光均匀性。

Description

顶发射显示面板、显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。

背景技术

显示装置中的顶发射显示面板为了改善发光均匀性，往往会引入与顶部透明电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降，改善发光亮度的均匀性。但是，为了提高成膜均匀性，顶发射器件的打印工艺中发展出了line bank（线状隔堤）的打印方式，而在line bank结构中难以应用辅助电极设计，即导致顶发射显示面板仍存在发光不均匀的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法，旨在解决现有技术中具有line bank结构的顶发射显示面板存在发光不均匀的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种顶发射显示面板，包括：

基板，基板具有多个驱动TFT；

多个反射底电极，反射底电极设置于基板上，且多个反射底电极彼此间隔设置；

像素界定层，像素界定层设置于基板和反射底电极上，像素界定层具有多个条形像素坑以及多个第一电极搭接孔，像素坑、第一电极搭接孔与驱动TFT三者一一对应设置；

发光功能层，发光功能层设于像素坑内，且发光功能层具有多个第二电极搭接孔，每个第二电极搭接孔与对应的第一电极搭接孔相对且连通；以及

透明顶电极，透明顶电极包括第一部分与第二部分，第一部分设于像素界定层和发光功能层上，第二部分穿过第一电极搭接孔、第二电极搭接孔与驱动TFT连接。

本发明还提出一种显示装置，包括如前所述的顶发射显示面板。

本发明还提出一种顶发射显示面板的制作方法，包括如下步骤：

提供具有多个驱动TFT的基板，其中该基板上还具有彼此间隔设置的多个反射底电极；

在反射底电极和基板上制作像素界定层，且像素界定层形成有多个条形像素坑，每个条形像素坑内开设第一电极搭接孔，第一电极搭接孔与驱动TFT一一对应；

在像素坑内制作发光功能层，发光功能层覆盖第一电极搭接孔；

去除各第一电极搭接孔内沉积的发光功能层的功能薄膜，露出驱动TFT，以在发光功能层上形成与第一电极搭接孔相对且连通的第二电极搭接孔；

在像素界定层和发光功能层上制作透明顶电极，并使透明顶电极的部分穿过第二电极搭接孔、第一电极搭接孔与驱动TFT连接；

封装形成顶发射显示面板。

本发明技术方案通过针对适用于量产印刷工艺的line bank结构，在像素界定层上挖设漏出驱动TFT的第一电极搭接孔，且在发光功能层上也留出与第一电极搭接孔相对且连通的第二电极搭接孔，然后使得发光功能层上沉积的透明顶电极的每一个独立的电极单元均与基板上对应的驱动TFT电连接，从而解决了大面积显示顶部电极导电性不佳造成的IR-drop（电压降）问题，提高了顶发射显示面板的发光均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明顶发射显示面板的制作方法的步骤流程示意图；

图2为图1中顶发射显示面板的制作方法的中形成像素界定层的结构示意图；

图3为图2的A-A剖面示意图；

图4为图2的B-B剖面示意图；

图5为图1中顶发射显示面板的制作方法的中形成发光功能层的结构示意图；

图6为图5的C-C剖面示意图；

图7为图5的D-D剖面示意图;

图8为图7中顶发射显示面板去除各第一电极搭接孔内沉积的发光功能层的功能薄膜后的结构示意图;

图9为图1中本发明顶发射显示面板的制作方法完成的顶发射显示面板的一实施例的俯视图；

图10为图9的E-E剖面示意图；

图11为图9的F-F剖面示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种顶发射显示面板。本发明一实施例中，图9为顶发射显示面板的俯视图，且图9中每一列为相同颜色的子像素列；图10为图9的E-E剖面示意图；图11为图9的F-F剖面示意图。

本实施例中，顶发射显示面板包括：基板100、反射底电极200、像素界定层300、发光功能层400以及透明顶电极500。

具体而言，基板100具有多个驱动TFT101，该多个驱动TFT101用于驱动发光元器件实现图像显示。多个驱动TFT101构成的TFT阵列可以是非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列等，本申请对此并不限制。其中，基板100可以是刚性基板100，包括但不限于玻璃、硅片等材质制作而成。基板100也可以是柔性基板100，可以是聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等材质制作而成。

反射底电极200设置于基板100上，为共同电极，其可以是ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、IZO/Ag/IZO、ITO/Ag/IGZO、ITO/Ag/MoOx等金属氧化物/金属/金属氧化物叠层结构。参阅图11，多个反射底电极200彼此间隔设置，即反射底电极200呈条状排布。多个反射底电极200沿反射底电极200的宽度方向彼此间隔设置。

像素界定层300设置于基板100与反射底电极200上。参阅图11，像素界定层300的一部分设置于所述基板100上，参阅图10，且另一部分设置于所述反射底电极200上。像素界定层300具有多个条形像素坑350以及多个第一电极搭接孔340，像素坑350、第一电极搭接孔340与驱动TFT三者一一对应设置。

具体而言，像素坑350的长度方向平行于所述反射底电极200的宽度方向，即垂直于反射底电极200的长度方向。在像素坑350的长度方向上的多个条形像素坑形成同一颜色的子像素列。本实施例中，顶发射显示面板被构造为line bank结构。因此，像素界定层300形成有多个条形像素坑350，在每个像素坑350内均形成有一个第一电极搭接孔340。该第一电极搭接孔340为像素界定层300挖设或者留出的孔，并漏出位于其下方的基板100上的与其相对应的一个驱动TFT101。

参阅图10，发光功能层400设于像素坑350内，且参阅图11，发光功能层400具有多个第二电极搭接孔401，每个第二电极搭接孔401与第一电极搭接孔340相对且连通。

具体而言，发光功能层400覆盖同一颜色子像素列的所有像素坑350的底壁。发光功能层400可以为有机发光层或量子点发光层或有机、量子点混合发光层。例如，发光层中可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、光发射层、空穴阻挡层、激子限定层及电子传输层中的一层或多层，其中至少包括光发射层。其中，光发射层以及位于光发射层下方的各功能层材料印刷工艺制作，位于光发射层上方的共同层可以采用蒸镀工艺制作也可以采用印刷工艺制作。值得一提的是，发光功能层400可在像素界定层300内的条状像素坑350内采用印刷工艺依次沉积各个功能层的功能薄膜得到。且由于发光功能层400通过沉积得到，其的形状与条形像素坑350的形状一致。参阅图10，发光功能层包括三种颜色，红色发光功能层400a,绿色发光功能层400b以及蓝色发光功能层400c。

参阅图11，透明顶电极500包括第一部分510和第二部分520。如图10，第一部分510设于像素界定层300和发光功能层400上。如图11，第二部分520穿过第一电极搭接孔340、第二电极搭接孔401与驱动TFT101连接。具体而言，透明顶电极500可采用open mask整面沉积到基板100上，然后被像素界定层300的line bank结构分隔开呈相互独立的电极单元。透明顶电极500的第二部分520通过第一电极搭接孔340、第二电极搭接孔401构成的电极搭接孔与基板100上的驱动TFT101电连接。透明顶电极500包括但不限于薄层高导电金属Ag、Al、Mg:Ag合金等材料制备。

容易理解的，为了提高成膜均匀性，顶发射显示面板通常会采用line bank结构。但是采用line bank结构以后，由于辅助电极通常不透光，并不能制作于发光区域上。因此，顶发射显示面板上与透明顶电极500的相连通的辅助电极难以在line bank结构上应用。

为此，本实施例中，针对适用于量产印刷工艺的line bank结构，在像素界定层300上挖设漏出驱动TFT101的第一电极搭接孔340，且在发光功能层400上也留出与第一电极搭接孔340相对且连通的第二电极搭接孔401，然后使得发光功能层400上的沉积的透明顶电极500的每一个独立的电极单元均与基板100上多个驱动TFT101中的一个电连接，从而解决了大面积显示顶部电极导电性不佳造成的IR-drop（电压降）问题，提高了顶发射显示面板的发光均匀性。

容易理解的，第一电极搭接孔340和第二电极搭接孔401提供了一个可连接透明顶电极500和基板100上的驱动TFT101的通道，该通道内可通过多种结构实现透明顶电极500与驱动TFT101的电连接，例如，在该通道内容纳电路。或者，在一实施例中，第二部分520覆盖第二电极搭接孔401与第一电极搭接孔340的侧壁全部表面，以与驱动TFT101连接。具体而言，参阅图11，在印刷透明顶电极500时，可采用open mask整面沉积顶部透明电极，顶部透明电极沉积到基板100上后，被像素界定层300内的像素坑350分隔呈一个个独立的电极单元。且在此过程中，第二电极搭接孔401与第一电极搭接孔340的侧壁上也完全覆盖了一层透明顶电极500的薄层高导金属薄膜，使得透明顶电极500的每一个独立电极单元直接与基板100上的驱动TFT101电连接，从而解决了大面积显示顶部电极导电性不佳造成的IR-drop问题。值得一提的是，由于制作透明顶电极500的薄层高导金属薄膜因透光性需求，存在一定的方阻，但由于驱动TFT101到透明顶电极500的距离很短，不会造成明显的电压降导致发光面板亮度不均。

参阅图10和图11，在一实施例中，第一电极搭接孔340与第二电极搭接孔401中至少第一电极搭接孔340的纵截面为倒梯形。

具体而言，第一电极搭接孔340的深度较深，其纵截面为倒梯形，即其侧壁均倾斜。第二电极搭接孔401设于发光功能层400上，其侧壁可是垂直的，也可以是与倾斜的第一电极搭接孔340的侧壁共面，也是倾斜的，即在清除第一电极搭接孔340中的功能薄膜时，通过同一工艺步骤形成。

本实施例中，将第一电极搭接孔340与第二电极搭接孔401中至少第一电极搭接孔340的纵截面为倒梯形，可利于透明顶电极500覆盖第一电极搭接孔340与第二电极搭接孔401的侧壁，即在open mask整面沉积顶部透明电极过程中，薄层高导金属薄膜可以沿第一电极搭接孔340与第二电极搭接孔401的侧壁沉积，并覆盖第一电极搭接孔340与第二电极搭接孔401的全部侧壁。

参阅图11，具体而言，本实施例提供的像素界定层300包括：

第一像素界定层310，第一像素界定层310设置于基板100上且位于相邻反射底电极200之间，第一像素界定层310设置有第一电极搭接孔340。

多个第二像素界定层隔堤320，第二像素界定层隔堤320设置于反射底电极200上，且多个第二像素界定层隔堤320沿第一像素界定层310的延伸方向间隔设置，以限定出子像素列。以及，

多个隔离堤330，隔离堤330设于第一像素界定层310上并位于相邻的第二像素界定层隔堤320之间，且每个子像素列内的多个隔离堤330彼此间隔设置。

值得一提的是，第一像素界定层310和隔离堤330即上文中的设置于所述基板100上的像素界定层300的一部分。第二像素界定层隔堤320即上文中的设置于反射底电极200上的像素界定层300的另一部分。第二像素界定层隔堤320和隔离堤330共同形成了第二像素界定层，用于界定出相连同色子像素。

参阅图10和图11，像素界定层300包括第一像素界定层310和第二像素界定层，第一像素界定层310和第二像素界定层共同限定出像素坑350。其中，第一像素界定层310与反射底电极200共同覆盖了基板100的全部表面。在第一像素界定层310上对应于基板100的多个驱动TFT的位置挖设有第一电极搭接孔340，漏出对应的驱动TFT101。

其中，第一像素界定层310采用亲水性材料制作，包括但不限于SiO_x、SiN_x、亲水PI材料等。第一像素界定层310的厚度为50-500nm。作为本实施例的一种选择，参阅图11，第一像素界定层310的两侧壁均具有凸缘311，以覆盖反射底电极200的顶部边缘部分。

第二像素界定层包括第二像素界定层隔堤320和隔离堤330。其中，第二像素界定层隔堤320和隔离堤330围合形成条形的像素坑350。也即是第二像素界定层覆盖每个子像素的四周。参阅图10，第二像素界定层隔堤320设置于反射底电极310上，且每个第二像素界定层隔堤320沿相同颜色的子像素列长度方向延伸，并垂直于第一像素界定层310的延伸方向，从而相邻第二像素界定层隔堤320之间以限定出相同颜色的子像素列。

参阅图10，红色发光功能层400a，绿色发光功能层400b以及蓝色发光功能层400c均被第二像素界定层隔堤320分隔开。即沿第二像素界定层隔堤320的延伸方向，位于相邻的第二像素界定层隔堤320之间的发光功能层的颜色一致，为相同颜色的子像素列。每个子像素列包括多个被隔离堤330分隔开的子像素。

参阅图11，隔离堤330设于第一像素界定层310上，其延伸方向与第一像素界定层310的延伸方向相同。隔离堤330位于相邻的第二像素界定层隔堤320之间，并与第二像素界定层隔堤320连接为一体，每个子像素列内的多个隔离堤330彼此间隔设置。且每一个隔离堤330均位于对应的第一电极搭接孔340的同侧，以使得每个子像素列内相邻的隔离堤330与相邻的第二像素界定层隔堤320限定出像素坑350，该像素坑350与第一电极搭接孔340一一对应。隔离堤330用于隔断相同颜色的同一子像素列中印刷的透明顶电极500，以使得透明顶电极500被分隔为与像素坑350对应的独立的电极单元。

可选的，第一像素界定层310与隔离堤330的整体厚度小于第二像素界定层隔堤320的厚度。即使得在印刷沉积发光功能层400时，不同颜色的子像素列的发光功能层400可以被两者之间的第二像素界定层隔堤320隔开，保证发光功能层400的功能薄膜在像素坑350内的良好铺展。

第二像素界定层隔堤320与隔离堤330的纵截面均为倒梯形，即第二像素界定层的每部分的纵截面均为倒梯形，参阅图10与图11，其侧壁向内倾斜，使得透明顶电极500整面沉积时被第二像素界定层隔断，形成与每个像素坑350对应的独立顶部透明电极。

本实施例中，第二像素界定层隔堤320与隔离堤330均采用疏水性光阻材料制作。例如可以是half-tone疏水性光阻材料，其中，第二像素界定层隔堤320为光阻全保留区。隔离堤330为光阻部分保留区，表面和侧壁均亲水，从而以利于发光功能层400的功能薄膜在像素坑350内的良好铺展。

本发明还提出一种显示装置，该显示装置包括顶发射显示面板，该顶发射显示面板的具体结构参照上述实施例，由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

本发明还提出一种顶发射显示面板的制作方法，请查阅图1至图11，该制作方法包括如下步骤：

步骤S100，提供具有多个驱动TFT101的基板100，其中该基板100上还具有彼此间隔设置的多个反射底电极200。

参阅图2，每个反射底电极200沿X方向延伸，即X方向为反射底电极200的长度方向，Y方向为反射底电极200的宽度方向。驱动TFT101通过相邻反射底电极200之间的间隙暴露于外。

步骤S200，参阅图2至图4，在反射底电极200和基板100上制作像素界定层300，且像素界定层300形成多个条形像素坑350，每个条形像素坑350内开设一个第一电极搭接孔340，第一电极搭接孔340与驱动TFT101一一对应。

该步骤用于制作像素界定层300的line bank结构。在像素界定层300的第一像素界定层310上对应于每个驱动TFT101的位置，留出第一电极搭接孔340，使得对应的驱动TFT101暴露出来。具体而言，在相邻反射底电极200之间制作第一像素界定层310，且第一像素界定层310上对应于驱动TFT101的位置处留出第一电极搭接孔340。在基板310上沿Y方向制作第二像素界定层隔堤320，并在第一像素界定层310上沿X方向制作隔离堤330，隔离堤330和第二像素界定层隔堤320共同围合形成一条形的像素坑350，且该像素坑350与第一电极搭接孔340连通。

步骤S300，在像素坑350内制作发光功能层400，发光功能层400覆盖第一电极搭接孔340。

具体而言，参阅图5，该步骤可在像素界定层300的条形像素坑350内采用印刷工艺依次沉积发光功能层400的各个功能层，例如，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、光发射层、空穴阻挡层、激子限定层及电子传输层中的一层或多层，其中至少包括光发射层。

由于第二像素界定层隔堤320为疏水性材料制作而成，且第二像素界定层隔堤320的厚度大于第一像素界定层310与隔离堤330的整体厚度，使得像素坑350内印刷沉积的薄膜呈条状分布，并覆盖了第一电极搭接孔340的全部侧壁。参阅图6，此时，发光功能层包括三种颜色，红色发光功能层400a,绿色发光功能层400b以及蓝色发光功能层400c。

步骤S400，去除各第一电极搭接孔340内沉积的发光功能层400的功能薄膜，露出驱动TFT，以在发光功能层400上形成与第一电极搭接孔340相对且连通的第二电极搭接孔401。

参阅图7，图7为去除之前发光功能层的截面示意图，图8为去除后发光功能层的截面示意图。具体而言，该步骤中可在发光功能层400的功能薄膜上与第一电极搭接孔340相对应的位置处，使用激光打孔工艺挖设出第二电极搭接孔401，并去除相应的第一电极搭接孔340内的功能薄膜，漏出下方基板100上的驱动TFT101。

步骤S500，在像素界定层300和发光功能层400上制作透明顶电极500，并使透明顶电极500的部分穿过第二电极搭接孔401、第一电极搭接孔340与基板100上的驱动TFT连接。

该步骤中，可采用open mask整面沉积透明顶电极500，透明顶电极500沉积到基板100上后，被倒梯形结构的第二像素界定层上的多个像素坑350分隔成一个个独立的电极单元。参阅图图9、10和图11，透明顶电极包括包括第一部分510和第二部分520，第一部分510设于像素界定层300和发光功能层400上，第二部分520穿过第一电极搭接孔340、第二电极搭接孔401与多个驱动TFT连接。透明顶电极500的薄层高导金属薄膜可覆盖第一电极搭接孔340和第二电极搭接孔401的全部侧壁，使得透明顶电极500直接与基板100上的驱动TFT101连接。

步骤S600，封装形成顶发射显示面板。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种顶发射显示面板，其特征在于，包括

基板，所述基板具有多个驱动TFT；

多个反射底电极，所述反射底电极设置于所述基板上，且所述多个反射底电极彼此间隔设置；

像素界定层，所述像素界定层设置于所述基板和所述反射底电极上，所述像素界定层具有多个条形像素坑以及多个第一电极搭接孔，所述像素坑、所述第一电极搭接孔与所述驱动TFT三者一一对应设置；

发光功能层，所述发光功能层设于所述像素坑内，且所述发光功能层具有多个第二电极搭接孔，每个所述第二电极搭接孔与对应的所述第一电极搭接孔相对且连通；以及

透明顶电极，所述透明顶电极包括第一部分与第二部分，所述第一部分设于所述像素界定层和所述发光功能层上，所述第二部分穿过所述第一电极搭接孔与所述第二电极搭接孔后与所述驱动TFT连接；

其中，所述像素界定层包括：

第一像素界定层，所述第一像素界定层设置于所述基板上且位于相邻所述反射底电极之间，所述第一像素界定层设置有所述第一电极搭接孔；

多个第二像素界定层隔堤，所述第二像素界定层隔堤设置于所述反射底电极上，且多个所述第二像素界定层隔堤沿所述第一像素界定层的延伸方向间隔设置，以限定出子像素列；以及

多个隔离堤，所述隔离堤设于所述第一像素界定层上并位于相邻的所述第二像素界定层隔堤之间，且每个子像素列内的多个隔离堤彼此间隔设置；

其中，每一个所述隔离堤均位于对应的第一电极搭接孔的同侧，以使得每个子像素列内相邻的隔离堤与相邻的所述第二像素界定层隔堤限定出所述像素坑，且所述第二像素界定层隔堤的厚度大于所述第一像素界定层与所述隔离堤的整体厚度。

2.根据权利要求1所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第二部分覆盖所述第二电极搭接孔与所述第一电极搭接孔的侧壁全部表面，以与所述多个驱动TFT连接。

3.根据权利要求2所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第一电极搭接孔与所述第二电极搭接孔中至少所述第一电极搭接孔的纵截面为倒梯形。

4.根据权利要求1所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第一像素界定层与所述隔离堤的整体厚度小于所述第二像素界定层隔堤的厚度。

5.根据权利要求1所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第二像素界定层隔堤与所述隔离堤的截面均为倒梯形。

6.根据权利要求1所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第一像素界定层的两侧壁均具有凸缘，以覆盖所述反射底电极的顶部边缘部分。

7.根据权利要求1所述的顶发射显示面板，其特征在于，所述第一像素界定层采用亲水性材料制作，所述第二像素界定层隔堤与隔离堤均采用疏水性光阻材料制作。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的顶发射显示面板。

9.一种顶发射显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供具有多个驱动TFT的基板，其中该基板上还具有彼此间隔设置的多个反射底电极；

在反射底电极和基板上制作像素界定层，且所述像素界定层形成有多个条形像素坑，每个条形像素坑内开设第一电极搭接孔，所述第一电极搭接孔与所述驱动TFT一一对应；所述像素界定层包括：第一像素界定层，多个第二像素界定层隔堤以及多个隔离堤，所述第一像素界定层设置于所述基板上且位于相邻所述反射底电极之间，所述第一像素界定层设置有所述第一电极搭接孔；所述第二像素界定层隔堤设置于所述反射底电极上，且多个所述第二像素界定层隔堤沿所述第一像素界定层的延伸方向间隔设置，以限定出子像素列；以及所述隔离堤设于所述第一像素界定层上并位于相邻的所述第二像素界定层隔堤之间，且每个子像素列内的多个隔离堤彼此间隔设置；其中，每一个所述隔离堤均位于对应的第一电极搭接孔的同侧，以使得每个子像素列内相邻的隔离堤与相邻的所述第二像素界定层隔堤限定出所述像素坑，且所述第二像素界定层隔堤的厚度大于所述第一像素界定层与所述隔离堤的整体厚度；

在像素坑内制作发光功能层，所述发光功能层覆盖所述第一电极搭接孔；

去除各第一电极搭接孔内沉积的发光功能层的功能薄膜，露出所述驱动TFT，以在发光功能层上形成与第一电极搭接孔相对且连通的第二电极搭接孔；

在所述像素界定层和所述发光功能层上制作透明顶电极，并使所述透明顶电极的部分穿过所述第二电极搭接孔、第一电极搭接孔与所述驱动TFT连接；

封装形成顶发射显示面板。