CN111223890B - 显示面板及其制备方法与显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法与显示装置,所述显示面板包括多个像素区域,所述多个像素区域的每一者包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、以及白色子像素,其中,所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者具有缺口,所述白色子像素配置于所述缺口中。本发明通过将白色子像素嵌入红、绿、蓝子像素中,由于未扩大像素占据空间,在不降低显示面板开口率情况下,同时也能实现通过增加白色子像素而增加面板亮度的目的。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法与显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)因具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点,而被成为第三代显示技术。目前在全球厂商持续资金投入与技术研发的推动下,OLED平板显示技术正趋向于量产技术逐渐成熟与市场需求高速增长阶段。
一般的OLED显示器件通一个像素会有R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三个子像素,但如果只用这三个子像素作为一个像素,OLED器件的亮度相对较低,因此有一些OLED显示器件在R、G、B三个子像素后加入另一个W子像素来提高器件亮度。不过在加入W(白色)子像素后,一个像素由原来的三个子像素变成四个子像素,像素占据空间变大,导致开口率降低。
发明内容
本发明提供一种显示面板,同时具有较高的像素开口率与显示亮度。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素区域,所述多个像素区域的每一者包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、以及白色子像素,其中,所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者具有缺口,所述白色子像素配置于所述缺口中。
进一步地,所述绿色子像素具有缺口,所述白色子像素配置于所述缺口中。
进一步地,所述白色子像素的面积占所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的比例为20%-80%。
进一步地,所述缺口的配置方式包括:
配置于所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的中间区域;及/或
配置于所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的边缘区域。
进一步地,所述显示面板具体包括:
基板;
遮光层,配置于所述基板上;
缓冲层,配置于所述遮光层上;
有源层,配置与所述缓冲层上;
栅极绝缘层,配置于所述有源层上;
栅极,配置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,配置于所述栅极上;
源极与漏极,配置于所述层间绝缘层上;
钝化层,配置于所述源极与漏极上;
色阻层,配置于所述钝化层上,所述色阻层包括多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个红色色阻、多个绿色色阻与多个蓝色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中;
平坦化层,配置于所述色阻层上;
阳极,配置于所述平坦化层上;
像素定义层,配置于所述阳极上,所述像素定义层形成有一个开口露出所述阳极;
OLED层,配置于所述像素定义层的开口区域,与所述阳极接触;以及,
阴极,配置于所述像素定义层与OLED层上。
进一步地,所述层间绝缘层中形成有第一过孔,所述源极通过第一过孔与所述有源层搭接。
进一步地,所述层间绝缘层中形成有第二过孔,所述层间绝缘层与缓冲层中形成有第三过孔,所述漏极通过第二过孔与所述有源层搭接,并通过第三过孔与所述遮光层搭接。
进一步地,所述平坦化层与钝化层中形成有第四过孔,所述阳极通过所述第四过孔与漏极搭接。
另一方面,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括:提供一基板,在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极与漏极、钝化层、色阻层、平坦化层、阳极、像素定义层、OLED层与阴极,
其中,所述形成色阻层包括形成多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个红色色阻、多个绿色色阻与多个蓝色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中。
另一方面,本发明还提供一种显示装置,包括前述的显示面板。
有益效果:本发明提供了一种显示面板,通过将白色子像素嵌入红、绿、蓝子像素中,由于未扩大像素占据空间,较现有的常规RGBW显示面板,具有更大的开口率,同时也能实现通过增加白色子像素而增加面板亮度的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种显示面板的像素排布结构示意图;
图2是本发明实施例提供一种显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种显示面板。以下分别进行详细说明。
请参照图1,给出了所提供的显示面板的任意一个像素中子像素的分布结构。
在本实施例中,提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素区域,所述多个像素区域的每一者包括一个红色(R)子像素C1、一个绿色(G)子像素C2、一个蓝色(B)子像素C3以及一个白色(W)子像素C4,其中,所述红色子像素C1、绿色子像素C2与蓝色子像素C3中的至少一者具有缺口,所述白色子像素C4配置于所述缺口中。
在一种优选的实施例中,因绿色子像素的有较高的效率,牺牲一部分面积嵌入白色子像素更有利于显示效果,故将所述绿色子像素C2设置一个缺口,所述白色子像素C4配置于所述缺口中,即形成如图1所示的结构。
可以理解的是,本发明并不限定于所述W子像素只能配置于G子像素中,所述W子像素的配置方式可有多种。例如,所述W子像素也可配置于所述B子像素或R子像素中,另外,所述W子像素的个数也不作限定,可根据设计需求,配置多个,示例性地,在一个像素区域内,所述W子像素可同时配置于所述G子像素与B子像素内,也可同时配置于所述G子像素与R子像素内,也可同时配置于所述R子像素与B子像素内,或是在RGB三个子像素中均分别配置。还需补充的是,各个像素区域内的W子像素的配置方式也并不限定一致,可根据设计需求分别进行不同的配置方式。
在本实施例中,所述缺口的配置方式包括:
配置于所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的中间区域,即如图1所示的配置方式;
也可配置于所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的边缘区域,未在图中示出。
在本实施例中,所述白色子像素的面积占所述红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的至少一者的比例为20%-80%。
需要说明的是,本实施例仅示例性地给出了一种子像素的排布方式,即RGB子像素并排排列,G子像素分别与R子像素与B子像素相邻,但本发明并非限定于该结构,RGB子像素的排列方式可以采用本领域常规的任意一种方式,本发明实施例的重点在于将W子像素嵌入RGB子像素中。
具体地,本发明提供的显示面板的截面示意图请参照图2,包括:
基板101,所述基板101通常根据实际需求,可以为刚性基板,例如为玻璃;也可以为柔性基板,例如可以为聚酰亚胺膜;
遮光层102,配置于所述基板101上,遮光层102通常可以单层的钼、钛、铝或前述金属的叠层膜层,定义在薄膜晶体管器件的下方,以实现遮光;
缓冲层103,配置于所述遮光层102上,所述缓冲层103的材料通常可以为氧化硅或氮化硅或者其混合膜层,所述缓冲层103的厚度通常可以为3000-10000埃;
有源层104,配置与所述缓冲层103上,所述有源层104的材料根据实际需求,可以为氧化物半导体,如铟镓锌氧化物,也可以为低温多晶硅;
栅极绝缘层105,配置于所述有源层104上,所述栅极绝缘层105通常可以为单层氮化硅或单层氧化硅,也可以为氮化硅与氧化硅的叠层膜层,所述栅极绝缘层105的厚度通常可以为1000-4000埃;
栅极106,配置于所述栅极绝缘层105上,所述栅极106通常可以为单层的钼、钛、铝或前述金属的叠层膜层;
层间绝缘层107,配置于所述栅极106上,所述层间绝缘层107通常可以为单层氮化硅或单层氧化硅,也可以为氮化硅与氧化硅的叠层膜层,所述层间绝缘层107的厚度通常可以为2000-8000埃;
源极1081与漏极1082,配置于所述层间绝缘层107上,所述源极1081与漏极1082通常可以为单层的钼、钛、铝或前述金属的叠层膜层;
钝化层109,配置于所述源极1081与漏极上1082,所述钝化层109通常可以为单层氮化硅或单层氧化硅,也可以为氮化硅与氧化硅的叠层膜层;
色阻层110,配置于所述钝化层109上,所述色阻层110包括多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个红色色阻、多个绿色色阻与多个蓝色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中,所述红色、蓝色、绿色及白色色阻(在图中并未画出),可以理解的是,图2仅给出的是一个子像素的截面示意图,所述色阻层110的颜色与前述实施例的子像素的颜色一一对应;
平坦化层111,配置于所述色阻层110上,所述平坦化层111通常为涂覆的一层有机膜,用于覆盖下层薄膜晶体管的凹凸的表面,为上层OLED器件提供平整的表面;
阳极112,配置于所述平坦化层111上,所述阳极112通常可以为透明的氧化铟锡膜层;
像素定义层113,配置于所述阳极112上,所述像素定义层113形成有一个开口露出所述阳极112;
OLED层114,配置于所述像素定义层113的开口区域,与所述阳极112接触,所述OLED层可以为白光OLED,由下至上通常可以包括空穴注入层、空穴传输层、白光发光层、电子传输层与电子注入层;
以及,阴极115,配置于所述像素定义层113与OLED层114上。
在本实施例中,所述层间绝缘层107中形成有第一过孔,所述源极1081通过所述第一过孔与所述有源层104搭接。
在本实施例中,所述层间绝缘层107中形成有第二过孔,所述层间绝缘层107与缓冲层103中形成有第三过孔,所述漏极1082通过第二过孔与所述有源层104搭接,并通过第三过孔与所述遮光层102搭接。
在本实施例中,所述平坦化层111与钝化层109中形成有第四过孔,所述阳极112通过所述第四过孔与漏极1082搭接。
本发明另一实施例还提供了一种显示面板的制作方法,包括:提供一基板,在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极与漏极、钝化层、色阻层、平坦化层、阳极、像素定义层、OLED层与阴极,即形成图2所示结构
其中,所述形成色阻层包括形成多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个红色色阻、多个绿色色阻与多个蓝色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中。
各膜层与电极的形成方法采用本领域的常规方法即可,本发明对此不做限定,示例性地,所述遮光层的形成包括首先通过物理气相沉积工艺沉积一层金属膜层,再通过构图工艺形成预定的图案,其他在此不再赘述。
本发明另一实施例还提供了一种显示装置,包括前述的显示面板。
需要说明的是,上述显示面板实施例中仅描述了上述结构,可以理解的是,除了上述结构之外,本发明实施例所提供的显示面板中,还可以根据需要包括任何其他的必要结构,具体此处不作限定。
通过采用如上实施例中描述的显示面板,将白色子像素嵌入红、绿、蓝子像素中,由于未扩大像素占据空间,较现有的常规RGBW显示面板,具有更大的开口率,同时也能实现通过增加白色子像素而增加面板亮度的目的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个像素区域,所述多个像素区域的每一者包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素,其中,所述绿色子像素具有缺口,所述白色子像素配置于所述缺口中;
所述显示面板包括:
基板;
色阻层,配置于钝化层上,所述色阻层包括多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个绿色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中;
平坦化层,配置于所述色阻层上;
阳极,配置于所述平坦化层上;
像素定义层,配置于所述阳极上,所述像素定义层形成有一个开口露出所述阳极;
OLED层,配置于所述像素定义层的开口区域,与所述阳极接触;以及,
阴极,配置于所述像素定义层与OLED层上。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述白色子像素的面积占绿色子像素比例为20%-80%。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述缺口的配置方式包括:
配置于所述绿色子像素的中间区域;及/或
配置于所述绿色子像素的边缘区域。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
遮光层,配置于所述基板上;
缓冲层,配置于所述遮光层上;
有源层,配置与所述缓冲层上;
栅极绝缘层,配置于所述有源层上;
栅极,配置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,配置于所述栅极上;
源极与漏极,配置于所述层间绝缘层上;
钝化层,配置于所述源极与漏极上。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述层间绝缘层中形成有第一过孔,所述源极通过第一过孔与所述有源层搭接。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述层间绝缘层中形成有第二过孔,所述层间绝缘层与缓冲层中形成有第三过孔,所述漏极通过第二过孔与所述有源层搭接,并通过第三过孔与所述遮光层搭接。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层与钝化层中形成有第四过孔,所述阳极通过所述第四过孔与漏极搭接。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括多个像素区域,所述多个像素区域的每一者包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素,其中,所述绿色子像素具有缺口,所述白色子像素配置于所述缺口中,所述制备方法包括:提供一基板,在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极与漏极、钝化层、色阻层、平坦化层、阳极、像素定义层、OLED层与阴极,
其中,形成色阻层包括形成多个红色色阻、多个绿色色阻、多个蓝色色阻、以及至少一个白色色阻,其中所述多个绿色色阻中的至少一者具有缺口,所述至少一个白色色阻配置于所述缺口中。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述的显示面板。
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CN111584584B (zh) * | 2020-05-15 | 2023-12-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111580299A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1536943A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ���ǵ�����ʽ���� | 有机电致发光显示装置 |
CN101349845A (zh) * | 2008-09-05 | 2009-01-21 | 上海广电光电子有限公司 | 红绿蓝白型薄膜晶体管液晶显示装置 |
CN105319764A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-10 | 三星显示有限公司 | 液晶显示装置 |
CN105788463A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-07-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及wrgb像素结构 |
CN107817625A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-03-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素结构、彩膜基板及显示面板 |
-
2019
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1536943A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ���ǵ�����ʽ���� | 有机电致发光显示装置 |
CN101349845A (zh) * | 2008-09-05 | 2009-01-21 | 上海广电光电子有限公司 | 红绿蓝白型薄膜晶体管液晶显示装置 |
CN105319764A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-10 | 三星显示有限公司 | 液晶显示装置 |
CN105788463A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-07-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及wrgb像素结构 |
CN107817625A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-03-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素结构、彩膜基板及显示面板 |
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Denomination of invention: Display panel and its preparation method and display device Effective date of registration: 20231117 Granted publication date: 20230124 Pledgee: Industrial and Commercial Bank of China Limited Shenzhen Guangming Sub branch Pledgor: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980066244 |
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