CN113178462B - 一种像素结构及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种像素结构及其制备方法、显示装置，像素结构包括发光层，具有若干发光单元，相邻两个所述发光单元之间具有一交叠区；当两个相邻两个所述发光单元所发的光不同时，所述像素结构还包括绝缘层，设于所述交叠区，且位于这两个相邻发光单元之间，用以阻隔这两个相邻发光单元之间的电流。本申请实施例的有益效果在于，本申请实施例中的像素结构及其制备方法、显示装置，在相邻两个发光单元的交叠区中设置绝缘层，使得其中一发光单元通电时，其内部流动的电流不会流向相邻的发光单元内，避免发生侧向漏电问题。

Description

一种像素结构及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及像素领域，具体涉及一种像素结构及其制备方法、显示装置。

背景技术

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，随着显示技术的不断革新，OLED显示响应速度快，发光效率高，耗能低，可以用于柔性显示等，逐渐成为市场主流技术。在工业生产中，有机发光层通常采用镀膜工艺，但由于设备制程的精度限制，在各像素定义区域进行有机发光材料的蒸镀时，会产生不同发光（红、绿、蓝）区域重叠的情况。如图1所示，在单色发光单元50通电时，除了正常工作的电流的正常流动外，会有部分电流侧向流到相邻发光单元，导致相邻发光单元发光，这在显示时会导致实际发光颜色与设定颜色有偏差。

发明内容

本申请实施例提供一种像素结构及其制备方法、显示装置，可以解决现有技术中相邻发光单元叠加的区域出现侧向漏电、混色的技术问题。

本申请实施例提供一种像素结构，包括：发光层，具有若干发光单元，相邻两个所述发光单元之间具有一交叠区；当两个相邻两个所述发光单元所发的光不同时，所述像素结构还包括绝缘层，设于所述交叠区，且位于这两个相邻发光单元之间，用以阻隔这两个相邻发光单元之间的电流。

可选的，在本申请的一些实施例中，像素结构还包括：电极层，具有电极走线；像素定义层，其具有像素堤坝和由所述像素堤坝围成的像素开孔，所述电极走线裸露在所述像素开孔的底部；空穴注入传输层，设于所述像素堤坝的表面，且沿所述像素开孔的孔壁延伸至所述电极走线的表面；所述发光单元具有主体区域和连接于所述主体区域的延伸区域，所述主体区域设于所述像素开孔内的所述空穴注入传输层上，所述延伸区域设于所述像素堤坝上的所述空穴注入传输层的表面或其上方。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述交叠区，完全落入于所述像素堤坝所在区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层为透明光阻。

可选的，在本申请的一些实施例中，发光单元的延伸区域设置在所述像素堤坝上的所述空穴注入传输层的表面，和/或设置所述绝缘层的一端且部分延伸至所述空穴注入传输层的表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层为遮光光阻。

相应的，本申请实施例还提供一种像素结构的制备方法，包括以下步骤：

形成第一发光单元；形成覆盖所述第一发光单元的边缘的绝缘层；形成第二发光单元，其中所述第二发光单元与所述第一发光单元预设有一交叠区，所述交叠区位于所述绝缘层所在区域；所述第二发光单元位于交叠区的边缘形成于所述绝缘层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，在形成第二发光单元步骤之后，还包括以下步骤：形成覆盖所述第二发光单元远离所述第一发光单元的边缘的绝缘层；形成第三发光单元，其中所述第三发光单元与所述第一发光单元、所述第三发光单元与所述第二发光单元之间均预设有一交叠区，所述第三发光单元位于所述交叠区的边缘形成于所述绝缘层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述空穴注入传输层上蒸镀第二种颜色的发光材料，发光材料覆盖像素开孔侧壁形成第二发光单元，所述第二发光单元的一端搭接于所述绝缘层上，另一端延伸至像素开孔边侧的空穴注入传输层上；在所述第二发光单元的所述另一端上蒸镀绝缘材料，且绝缘材料部分延伸至空穴注入传输层，形成绝缘层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在形成第一发光单元步骤之前，还包括以下步骤：

提供一基板；制备电极层于所述基板上，图案化所述电极层，以形成若干电极走线；制备像素定义层于所述基板上，对像素定义层对应所述电极走线的区域进行刻蚀，形成若干像素开孔，所述像素定义层未被刻蚀的区域为像素堤坝；制备空穴注入传输层于所述像素堤坝、像素开孔以及电极走线的外表面，其中。

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括所述像素结构。

本发明的有益效果在于，本发明中的像素结构及其制备方法、显示装置，在像素结构的相邻两个发光单元的交叠区中设置绝缘层，使得其中一发光单元通电时，其内部流动的电流不会流向相邻的发光单元内，同时绝缘层采用遮光材料，避免发生侧向漏电问题，改善交叠区的混光现象。在制备发光单元时，拓宽了发光掩膜板的开口面积，使得蒸镀的发光单元面积变大，降低了发光单元发光时，其内部流动的电流密度，减缓了发光单元老化的过程。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请相关技术的像素结构示意图；

图2是本申请实施例提供的显示装置示意图；

图3是本申请实施例提供的像素结构示意图；

图4是本申请实施例提供的蒸镀第一发光单元时的结构图；

图5是本申请实施例提供的蒸镀绝缘层时的结构图；

图6是本申请实施例提供的蒸镀第二发光单元时的结构图；

图7是本申请实施例提供的蒸镀第三发光单元时的结构图。

附图标记说明：

像素结构1；对位基板2；

基板10；电极层20；

像素定义层30；空穴注入传输层40；

发光单元50；绝缘层60；

电子注入传输层70；阴极80；

像素堤坝31；像素开孔32；

第一发光单元51；第二发光单元52；

第三发光单元53；交叠区501；

电极走线201；第一发光掩膜板71；

绝缘层掩膜板72；第二发光掩膜板73；

第三发光掩膜板74。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种像素结构及其制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例

如图2和图3所示，本实施例中，本发明的显示装置包括像素结构1以及对位基板2。本实施例中，所述对位基板2可以是彩膜基板。另外本发明的显示装置还可以包括例如偏光片等膜层结构。当然本发明的主要设计要点在于像素结构1。下面对本发明的像素结构1进行具体说明。

像素结构1包括基板10、电极层20、像素定义层30、空穴注入传输层40、发光单元50、绝缘层60、电子注入传输层70以及阴极80。

所述基板10为阵列基板，其具有若干相互间隔排列的薄膜晶体管。本实施例中，所述基板10采用现有的常规的阵列基板即可。

所述电极层20间隔设于基板10的一侧表面上，本实施例中，所述电极层20为阳极。在具体制备时，将电极材料沉积在所述基板10的一面形成层状结构，之后通过蚀刻等方法对层状结构图案化处理，形成若干电极走线201，所述电极走线201对应地连接于一薄膜晶体管的漏极上。其中所述电极层20中的电极走线201用以给所述发光单元50提供电流，所述电极材料为ITO、IZO、Au（黄金）、Pt（铂）、Si（硅）中的至少一种。

所述像素定义层30设于基板10上，且覆盖电极层20。具体地讲，所述像素定义层30具有像素堤坝31和由所述像素堤坝31围成的像素开孔32，所述电极走线201裸露在所述像素开孔32的底部。在具体制备时，首先在所述基板10上沉积一层像素定义层的材料，形成层状结构，之后在所述电极走线201位置再对所述像素定义层的层状结构进行刻蚀或黄光照射处理，形成若干所述像素开孔32和围绕所述像素开孔32的像素堤坝31，此时所述电极走线201裸露于所述像素开孔32中。

在所述像素定义层30对应所述电极走线201的区域开设有像素开孔32，像素开孔32使得电极层20被部分裸露出来，且电极层20的边缘处仍被像素定义层30覆盖，使得像素开孔32的底部完全被电极层20填充，便于后续电连接。

空穴注入传输层40设于所述像素定义层30远离基板10的一侧表面，空穴注入传输层40覆盖像素开孔32，且空穴注入传输层40与电极层20的一侧表面贴合，空穴注入传输层40用以传递电极层20中的空穴，便于后续发光单元50发光。

发光单元50设于空穴注入传输层40远离电极层20的一侧表面，具体的，发光单元50包括第一发光单元51、第二发光单元52以及第三发光单元53，其中，每一发光单元50对应一像素开孔32，发光单元50的两端延伸至像素堤坝31上，相邻两个发光单元50的端部搭接形成交叠区501，其中，交叠区501处的发光颜色取决于远离像素定义层40一侧发光单元的颜色，即交叠区501的颜色为最上方发光单元50的颜色。

当显示装置需要显示其中一种颜色时，该颜色发光单元50对应的电极走线201通电，电流流向该颜色的发光单元50使其发光，由于发光单元50为导电材料，且交叠区501存在多种颜色像素重叠的情况，在其中一种发光单元通电时时，电流会流向其相邻的发光单元，导致其相邻发光单元发光，从而出现混光现象，造成显示装置显示异常。

为了避免交叠区501中的两个发光单元50之间发生漏电现象，本实施例中，在交叠区501中的两个发光单元50之间增加一层绝缘层60。

具体的，绝缘层60设于交叠区501中，且设于两个发光单元50之间，并延伸至空穴注入传输层40上，即相邻两个发光单元50完全被绝缘层60隔开，这样在单一颜色的发光单元50被通电时，其流通的电流也不能通过绝缘层60传递至相邻的发光单元50中，不会导致相邻发光单元50发光，改善了单色发光单元50侧向漏电的问题。

在本发明的其他优选实施例中，绝缘层60为深色或黑色光阻材料，从而能够更有效的降低交叠区501处的混光问题。

为了降低绝缘层60对显示装置发光效率的不良影响，本实施例中，绝缘层60覆盖的发光单元面积占其对应的发光单元总面积的1%～10%。

电子注入传输层70设于空穴注入传输层40以及发光单元50远离基板10的一侧表面。

阴极80设于电子注入传输层70远离空穴注入传输层40的一侧表面，用以给电子注入传输层70提供电子。

为了更好的解释本发明，本实施例中还提供了上述像素结构的制备方法，具体包括以下制备步骤：

在基板上制备一层导电材料，图案化后形成电极走线201，所述电极走线201为阳极。

在阳极上制备像素定义层30，所述像素定义层30覆盖所有所述电极走线201。

在所述像素定义层30上刻蚀若干像素开孔32，所述像素开孔32对应所述电极走线201，所述像素开孔32的横截面小于所述电极走线201的上表面面积，即所述电极走线201的边缘处仍被所述像素定义层30覆盖。

在所述像素定义层30上制备空穴注入传输层40，所述空穴注入传输层40覆盖所述像素开孔32的内侧壁和所述电极走线201的外表面。

如图4所示，采用第一发光掩膜板71在所述空穴注入传输层40上蒸镀第一种颜色的发光材料，发光材料覆盖像素开孔32形成第一发光单元51，所述第一发光单元51的两端部分延伸至像素开孔32的边缘处。

如图5所示，采用绝缘层掩膜板72在所述第一发光单元51的所述两端蒸镀绝缘材料，且绝缘材料部分延伸至空穴注入传输层40，形成绝缘层60。

如图6所示，采用第二发光掩膜板73在所述空穴注入传输层40上蒸镀第二种颜色的发光材料，发光材料覆盖像素开孔32侧壁形成第二发光单元52，所述第二发光单元52的一端搭接于所述绝缘层60上，另一端延伸至像素开孔32边侧的空穴注入传输层40上。

在所述第二发光单元52的所述另一端上蒸镀绝缘材料，且绝缘材料部分延伸至空穴注入传输层40，形成绝缘层60。

如图7所示，采用第三发光掩膜板74在所述空穴注入传输层40上蒸镀第三种颜色的发光材料，发光材料覆盖像素开孔32侧壁形成第三发光单元53，所述第三发光单元53的一端搭接于所述第二发光单元52上的所述绝缘层60上，另一端搭接于所述第一发光单元51上的绝缘层60上。

需指出的是，发光颜色的蒸镀顺序不应受限制，但绝缘层60的位置应为所述相邻两个不同颜色的发光单元50的交叠区501中。

本实施例中，相邻两个发光单元50的交叠区501中设有绝缘层60，故不需要考虑交叠区501混色和漏电的问题，发光掩膜板的开口可以适当增大，从而使得单个发光单元50的面积也相应增大，降低了发光单元50发光时，其内部流动的电流密度，也降低了掩膜板的开口尺寸精度，从而有利于实现大批量生产。

本实施例的有益效果在于，本实施例中的像素结构及其制备方法、显示装置，在相邻两个发光单元的交叠区中设置绝缘层，使得其中一发光单元通电时，其内部流动的电流不会流向相邻的发光单元内，避免发生侧向漏电问题，同时绝缘层采用遮光材料，改善交叠区的混光现象。在制备发光单元时，拓宽了发光掩膜板的开口面积，使得蒸镀的发光单元面积变大，降低了发光单元发光时，其内部流动的电流密度。

以上对本申请实施例所提供的一种像素结构及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

发光层，具有若干发光单元，相邻两个所述发光单元之间具有一交叠区；

当两个相邻两个所述发光单元所发的光不同时，所述像素结构还包括绝缘层，设于所述交叠区，且位于这两个相邻发光单元之间，所述绝缘层与这两个相邻发光单元直接接触，所述绝缘层用以阻隔这两个相邻发光单元之间的电流。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

电极层，具有电极走线；

像素定义层，其具有像素堤坝和由所述像素堤坝围成的像素开孔，所述电极走线裸露在所述像素开孔的底部；

空穴注入传输层，设于所述像素堤坝的表面，且沿所述像素开孔的孔壁延伸至所述电极走线的表面；

所述发光单元具有主体区域和连接于所述主体区域的延伸区域，所述主体区域设于所述像素开孔内的所述空穴注入传输层上，所述延伸区域设于所述像素堤坝上的所述空穴注入传输层的表面或其上方。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，

所述交叠区，完全落入于所述像素堤坝所在区域。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，

发光单元的延伸区域设置在所述像素堤坝上的所述空穴注入传输层的表面，和/或

设置所述绝缘层的一端且部分延伸至所述空穴注入传输层的表面。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述绝缘层为透明光阻。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述绝缘层为遮光光阻。

7.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成第一发光单元；

形成覆盖所述第一发光单元的边缘的绝缘层，所述绝缘层与所述第一发光单元直接接触；

形成第二发光单元，其中所述第二发光单元与所述第一发光单元预设有一交叠区，所述交叠区位于所述绝缘层所在区域；

所述第二发光单元位于交叠区的边缘形成于所述绝缘层且与所述绝缘层直接接触。

8.根据权利要求7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，

在形成第二发光单元步骤之后，还包括以下步骤：

形成覆盖所述第二发光单元远离所述第一发光单元的边缘的绝缘层；

形成第三发光单元，其中所述第三发光单元与所述第一发光单元、所述第三发光单元与所述第二发光单元之间均预设有一交叠区，所述第三发光单元位于所述交叠区的边缘形成于所述绝缘层上。

9.根据权利要求7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，

在形成第一发光单元步骤之前，还包括以下步骤：

提供一基板；

制备电极层于所述基板上，图案化所述电极层，以形成若干电极走线；

制备像素定义层于所述基板上，对像素定义层对应所述电极走线的区域进行刻蚀，形成若干像素开孔，所述像素定义层未被刻蚀的区域为像素堤坝；

制备空穴注入传输层于所述像素堤坝、像素开孔以及电极走线的外表面。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的像素结构。

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