CN213042915U - 显示基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域；所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝，所述隔离坝中设置有辅助电源线，位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。本公开通过在边缘区域形成电源线和辅助电源线，实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。

Description

显示基板和显示装置

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。

随着屏幕尺寸不断增大和显示亮度不断提高，现有OLED存在显示亮度均一性差的问题。

实用新型内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板和显示装置，以解决现有OLED存在显示亮度均一性差的问题。

本公开提供了一种显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域；所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝，所述隔离坝中设置有辅助电源线，位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

在示例性实施方式中，所述隔离坝包括第一隔离坝和第二隔离坝，所述第二隔离坝设置在所述电源线上，所述第一隔离坝设置在所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线上，所述第二隔离坝中设置有所述辅助电源线，位于所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述第二隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

在示例性实施方式中，所述边缘区域还包括第二连接电极，所述第一隔离坝中设置有所述第二连接电极，位于所述第一隔离坝邻近所述显示区域一侧的第二连接电极和位于所述第一隔离坝远离所述显示区域一侧的第二连接电极均搭接在所述辅助电源线上。

在示例性实施方式中，所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述第一坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面；所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一表面、第一近侧面和第一远侧面；所述第三坝基设置在覆盖所述第一表面的辅助电源线上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上。

在示例性实施方式中，所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述第一坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面；所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面，部分覆盖所述第一坝基的第一表面，所述第三坝基设置在部分覆盖所述第一表面的辅助电源线上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上；或者，所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面，所述第三坝基设置在所述第一坝基的第一表面上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上。

在示例性实施方式中，所述第二隔离坝中的辅助电源线上设置有第一放气结构，所述第一放气结构在基底上的正投影位于所述第一表面在基底上的正投影范围之内。

在示例性实施方式中，所述第一放气结构包括至少一个第一通孔，所述第一通孔的第一长度为所述第一表面的第一长度的80％至100％，所述第一通孔的第二长度为所述第一通孔的第一长度的20％至60％，相邻第一通孔之间的间距为第一通孔的第一长度的20％至60％；所述第一长度是沿着远离显示区域方向的特征尺寸，所述第二长度是沿着显示区域边缘方向的特征尺寸。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝还包括第二坝基和第四坝基；所述第二坝基设置在所述辅助电源线上，所述第二坝基包括远离所述电源线一侧的第二表面、邻近所述显示区域一侧的第二近侧面以及远离所述显示区域一侧的第二远侧面；所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二表面、第二近侧面和第二远侧面；所述第四坝基设置在覆盖所述第二表面的第二连接电极上。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝还包括第二坝基和第四坝基；所述第二坝基设置在所述辅助电源线上，所述第二坝基包括远离所述电源线一侧的第二表面、邻近所述显示区域一侧的第二近侧面以及远离所述显示区域一侧的第二远侧面；所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二近侧面和第二远侧面，部分覆盖所述第二坝基的第二表面，所述第四坝基设置在部分覆盖所述第二表面的第二连接电极上；或者，所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二近侧面和第二远侧面，所述第四坝基设置在所述第二坝基的第二表面上。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝中的第二连接电极上设置有第二放气结构，所述第二放气结构在基底上的正投影位于所述第二表面在基底上的正投影范围之内。

在示例性实施方式中，所述第二放气结构包括至少一个第二通孔，所述第二通孔的第一长度为所述第二表面的第一长度的80％至100％，所述第二通孔的第二长度为所述第二通孔的第一长度的20％至60％，相邻第二通孔之间的间距为第二通孔的第一长度的20％至60％；所述第一长度是沿着远离显示区域方向的特征尺寸，所述第二长度是沿着显示区域边缘方向的特征尺寸。

在示例性实施方式中，所述第二隔离坝还包括第一钝化坝基；所述第一钝化坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基设置在所述第一钝化坝基上。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝还包括第二钝化坝基；所述第二钝化坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述第二钝化坝基；所述第二坝基设置在覆盖所述第二钝化坝基的辅助电源线上。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝还包括第二钝化坝基，所述第二隔离坝还包括第一钝化坝基；所述第二钝化坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述第二钝化坝基，所述第二坝基设置在覆盖所述第二钝化坝基的辅助电源线上；所述第一钝化坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基设置在所述第一钝化坝基上。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝还包括平坦坝基；所述平坦坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述平坦坝基；所述第二坝基设置在覆盖所述平坦坝基的辅助电源线上。

在示例性实施方式中，所述平坦坝基与所述第一坝基同层设置，所述平坦坝基的厚度为所述第一坝基的厚度的30％至70％。

在示例性实施方式中，所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层以及设置在所述驱动结构层上的发光元件；所述电源线与所述驱动结构层的第一源漏金属层同层设置，所述辅助电源线与所述驱动结构层的第二源漏金属层同层设置，所述第二连接电极与所述发光元件的阳极同层设置。

本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。

本公开提供了一种显示基板和显示装置，通过在边缘区域形成电源线和辅助电源线，实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一种显示基板的结构示意图；

图2为一种OLED像素驱动电路的等效电路示意图；

图3为一种显示基板边缘区域的结构示意图；

图4为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；

图5为图4中A-A向的剖视图；

图6为本公开形成驱动结构层和电路结构层图案后的示意图；

图7为图6中A-A向的剖视图；

图8为本公开形成第五绝缘层图案后的示意图；

图9为图8中A-A向的剖视图；

图10为本公开形成第一平坦层图案后的示意图；

图11为图10中A-A向的剖视图；

图12为本公开形成第二源漏金属层图案后的示意图；

图13为图12中A-A向的剖视图；

图14为图12中B-B向的剖视图；

图15为本公开形成第二平坦层图案后的示意图；

图16为图15中A-A向的剖视图；

图17为本公开形成阳极和第二连接电极图案后的示意图；

图18为图17中A-A向的剖视图；

图19为图17中B-B向的剖视图；

图20为本公开形成像素定义层和隔离柱图案后的示意图；

图21为图20中A-A向的剖视图；

图22为本公开形成有机发光层和阴极图案后的示意图；

图23为图22中A-A向的剖视图；

图24为本公开第二隔离坝的放大图；

图25为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图；

图26为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；

图27为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。

附图标记说明:

1—玻璃载板； 10—基底； 11—第一绝缘层；

12—第二绝缘层； 13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层；

15—第五绝缘层； 16—第一平坦层； 17—第二平坦层；

21—阳极； 22—像素定义层； 23—隔离柱；

24—有机发光层； 25—阴极； 26—封装层；

100—显示区域； 101—第一晶体管； 102—第二晶体管；

103—第三晶体管； 104—第一存储电容； 105—第二存储电容；

106—第一连接电极； 107—第二连接电极； 200—绑定区域；

300—边缘区域； 301—电路区； 302—隔离坝区；

303—裂缝坝区； 304—切割区； 310—电源线；

320—辅助电源线； 401—第一坝基； 402—第二坝基；

403—第三坝基； 404—第四坝基； 405—第五坝基；

410—第一隔离坝； 411—第一钝化坝基； 420—第二隔离坝；

421—第二钝化坝基； 431—平坦坝基。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且 95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

图1为一种显示基板的结构示意图。如图1所示，在示例性实施方式中，显示基板包括显示区域100、位于显示区域100一侧的绑定区域200和位于显示区域100其它侧的边缘区域300。显示区域100至少包括规则排列的多个显示单元(子像素)，绑定区域200至少包括隔离坝和将多个显示单元的信号线连接至外部驱动装置的绑定电路，边缘区域300至少包括隔离坝、栅极驱动电路和向多个显示单元传输电压信号的第二电源线VSS，绑定区域 200和边缘区域300的隔离坝形成环绕显示区域100的环形结构。

在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，显示单元包括设置在基底上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的发光元件以及设置在发光元件上的封装层，驱动结构层包括像素驱动电路，发光元件与像素驱动电路连接，发光元件配置为出射光线，像素驱动电路配置为驱动发光元件。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和存储电容，如3T1C、4T1C、5T1C、6T1C或7T1C 等，本公开对此不做限定。

图2为一种OLED像素驱动电路的等效电路示意图，示意了一种3T1C 的驱动结构。如图2所示，像素驱动电路与第一扫描线GN、第二扫描线SN、数据线DN、第一电源线VDD以及补偿线SE电连接，像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容C_ST。在示例性实施方式中，第一晶体管T1为驱动晶体管，第二晶体管T2为开关晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。在示例性实施方式中，第一晶体管T1的栅电极连接第二晶体管T2的第二极和存储电容C_ST的第一极，第一晶体管T1的第一极连接第一电源线VDD，第一晶体管T1的第二极连接存储电容C_ST的第二极以及第三晶体管T3的第二极。第二晶体管T2的栅电极连接扫描线GN，第二晶体管T2的第一极连接数据线DN。第三晶体管T3的栅电极连接第二扫描线SN，第三晶体管T3的第一极连接补偿线SE。OLED的阳极连接第一晶体管T1的第二极，OLED的阴极连接第二电源线VSS，OLED配置为响应第一晶体管T1的第二极的电流而发出相应亮度的光。在示例性实施方式中，第三晶体管T3能够响应补偿的时序提取第一晶体管T1的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿，存储电容C_ST配置为保持在一帧发光周期内N1节点和N2节点电压。

图3为一种显示基板边缘区域的结构示意图，为图1中C区域的放大图。如图3所示，在平行于显示基板的平面内，边缘区域300包括沿着远离显示区域100的方向依次设置的电路区301、隔离坝区302、裂缝坝区303和切割区304。在示例性实施方式中，电路区301至少包括栅极驱动电路，栅极驱动电路与显示区域100中像素驱动电路的第一扫描线和第二扫描线连接。隔离坝区302至少包括电源线310、第一隔离坝410和第二隔离坝420，电源线310 沿着平行于显示区域边缘110的方向延伸，与显示区域100中像素驱动电路的第二电源线VSS连接，第一隔离坝410和第二隔离坝420沿着平行于显示区域边缘110的方向延伸，配置为阻隔从边缘区域300进入显示区域100的水汽。第一隔离坝410与显示区域边缘110的距离小于第二隔离坝420与显示区域边缘110的距离，即第二隔离坝420设置在第一隔离坝410远离显示区域100的一侧。在示例性实施方式中，裂缝坝区303包括在复合绝缘层上设置的多个裂缝，多个裂缝配置为在切割过程中减小显示区域100和电路区 301的受力，避免影响显示区域100和电路区301的膜层结构，截断裂纹向显示区域100和电路区301方向传递。在示例性实施方式中，切割区304包括在复合绝缘层上设置的切割槽，切割槽配置为在显示基板的所有膜层制备完成后，切割设备分别沿着切割槽进行切割。在示例性实施方式中，显示区域边缘110是显示区域100邻近边缘区域300一侧的边缘。

在示例性实施方式中，显示区域100中像素驱动电路所需的低电压(VSS) 从绑定区域200的绑定焊盘引入，经过绑定区域200后进入边缘区域300，通过边缘区域300环形的电源线310输送给每个像素驱动电路的第二电源线 VSS。由于电源线存在一定的阻抗，电压信号传输存在压降，因此距离绑定区域200较远的电源线310的电压会低于距离绑定区域200较近的电源线310 的电压，电源线310的电压损失降低了显示区域的显示亮度均一性，已经成为影响高品质显示的重要因素。

为了提高显示亮度均一性，本公开提供了一种显示基板，在平行于显示基板的平面上，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域；所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝，所述隔离坝中设置有辅助电源线，位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

在示例性实施方式中，所述隔离坝包括第一隔离坝和第二隔离坝，所述第二隔离坝设置在所述电源线上，所述第一隔离坝设置在所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线上，所述第二隔离坝中设置有所述辅助电源线，位于所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述第二隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

在示例性实施方式中，所述边缘区域还包括第二连接电极，所述第一隔离坝中设置有所述第二连接电极，位于所述第一隔离坝邻近所述显示区域一侧的第二连接电极和位于所述第一隔离坝远离所述显示区域一侧的第二连接电极均搭接在所述辅助电源线上。

在示例性实施方式中，所述第二隔离坝可以包括第一坝基、辅助电源线、第三坝基和第五坝基，或者包括第一钝化坝基、第一坝基、辅助电源线、第三坝基和第五坝基。

在示例性实施方式中，第二隔离坝中的辅助电源线设置有第一放气结构。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝可以包括第二坝基、第二连接电极和第四坝基，或者包括第二钝化坝基、辅助电源线、第二坝基、第二连接电极和第四坝基，或者包括平坦坝基、辅助电源线、第二坝基、第二连接电极和第四坝基。

在示例性实施方式中，所述第一隔离坝中的第二连接电极设置有第二放气结构。

所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层以及设置在所述驱动结构层上的发光元件；所述电源线与所述驱动结构层的第一源漏金属层同层设置，所述辅助电源线与所述驱动结构层的第二源漏金属层同层设置，所述第二连接电极与所述发光元件的阳极同层设置。

在示例性实施方式中，所述第一坝基与所述驱动结构层的第一平坦层同层设置，所述第二坝基和第三坝基与所述驱动结构层的第二平坦层同层设置，所述第四坝基和第五坝基与所述发光元件的像素定义层同层设置，所述复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。

在示例性实施方式中，第一钝化坝基和第二钝化坝基与第五绝缘层同层设置，平坦坝基与第一坝基同层设置，平坦坝基的厚度为第一坝基的厚度的 30％至70％。

在示例性实施方式中，所述边缘区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的电路区、隔离坝区、裂缝坝区和切割区，所述电源线、辅助电源线和隔离坝设置在所述隔离坝区，所述裂缝坝区设置有裂缝坝，所述切割区设置有切割槽。

本公开提供了一种显示基板，通过在边缘区域形成电源线和辅助电源线，实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。

图4为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图，图5为图4中 A-A向的剖视图，示意了一种顶发射型OLED显示区域和外围区域的剖面结构。按照出光方向，OLED可以分为底发射型、顶发射型与双面发射型。与底发射型OLED相比，顶发射型OLED具有开口率高、色纯度高、容易实现高分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)等优点，逐渐成为目前主流结构。对于顶发射型OLED，由于出光方向在阴极一侧，为了保证良好的透光性，要求阴极很薄，因此为阴极提供低电压的电源线310的压降对提高显示亮度均一性有比较重要的影响。

如图4和图5所示，并结合图6～图24，本公开示例性实施例显示基板包括显示区域100和边缘区域300，边缘区域300包括沿着远离显示区域100 的方向依次设置的电路区301、隔离坝区302、裂缝坝区303和切割区304。

在示例性实施方式中，显示基板的显示区域100包括：

基底10；

设置在基底10上的第一绝缘层11；

设置在第一绝缘层11上的半导体层，半导体层至少包括位于第一有源层；

覆盖半导体层的第二绝缘层12；

设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层，第一栅金属层至少包括第一栅电极；

覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13和第四绝缘层14，其上设置有暴露出第一有源层的两个第一过孔；

设置在第四绝缘层14上的第一源漏金属层，第一源漏金属层至少包括第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层连接；

覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层15和第一平坦层16，其上设置有暴露出第一漏电极的第二过孔；

设置在第一平坦层16上的第一连接电极106，第一连接电极106通过第二过孔与第一漏电极连接；

覆盖第一连接电极106的第二平坦层17，其上设置有暴露出第一连接电极106的第三过孔；

设置在第二平坦层17上的阳极21，阳极21通过第三过孔与第一连接电极106连接；

设置在阳极21上的像素定义层22，像素定义层22上设置有暴露出阳极21的像素开口；

设置在像素开口内的有机发光层24，有机发光层24与阳极22连接；

设置有机发光层24和像素定义层22上的阴极25，阴极25与有机发光层 24连接；

覆盖上述结构的封装层26，封装层26为无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。

在示例性实施方式中，显示基板的边缘区域300包括：

基底10；

设置在基底10上的第一绝缘层11；

设置在第一绝缘层11上的半导体层，半导体层至少包括位于位于电路区 301的第二有源层和第三有源层；

覆盖半导体层的第二绝缘层12；

设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层，第一栅金属层至少包括位于电路区301的第二栅电极、第三栅电极、第一电容电极和第二电容电极；

覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13；

设置在第三绝缘层13的第二栅金属层，第二栅金属层至少包括位于电路区301的第三电容电极和第四电容电极；

覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14，电路区301的第四绝缘层14上设置有暴露出第二有源层和第三有源层的多个第一过孔，裂缝坝区303的第四绝缘层14形成包括多个裂缝的裂缝坝31，切割区304的第四绝缘层14形成包括第一凹槽和第二凹槽的切割槽32；

设置在第四绝缘层14上的第一源漏金属层，第一源漏金属层至少包括位于电路区301的第二源电极、第二漏电极、第三源电极和第三漏电极，以及位于隔离坝区302的电源线310；第二源电极和第二漏电极分别通过第一过孔与第二有源层连接，第三源电极和第三漏电极分别通过第一过孔与第三有源层连接；

覆盖第一源漏金属层的第五绝缘层15，裂缝坝区303和切割区304的第五绝缘薄膜被去掉，隔离坝区302的第五绝缘层15覆盖电源线310的边缘；

设置在电路区301、裂缝坝区303和切割区304的第一平坦层16，以及形成在隔离坝区302的第一坝基401；电路区301的第一平坦层16设置在第五绝缘层15上，裂缝坝区303的第一平坦层16完全填充裂缝坝31，切割区 304的第一平坦层16完全填充凹槽32，隔离坝区302的第一坝基401设置在电源线310上；

设置在隔离坝区302的辅助电源线320，辅助电源线320覆盖第一坝基 401远离电源线310一侧的第一表面、邻近显示区域100一侧的第一近侧面以及远离显示区域100一侧的第一远侧面，位于第一坝基401邻近显示区域100 一侧的辅助电源线320和位于第一坝基401远离显示区域100一侧的辅助电源线320均搭接在电源线310上，覆盖第一坝基401的第一表面的辅助电源线320上设置有第一放气结构；

设置在电路区301的第二平坦层17，以及设置在隔离坝区302的第二坝基402和第三坝基403，第三坝基403设置在覆盖第一表面的辅助电源线320 上，第二坝基402设置在第一坝基401邻近显示区域100一侧的辅助电源线 320上；

设置在电路区301和隔离坝区302的第二连接电极107，电路区301的第二连接电极107设置在第二平坦层17上，其上设置有多个第四过孔；隔离坝区302的第二连接电极107覆盖第二坝基402远离电源线310一侧的第二表面、邻近显示区域100一侧的第二近侧面以及远离显示区域100一侧的第二远侧面，且覆盖第三坝基403的部分表面；位于第二坝基402邻近显示区域 100一侧的第二连接电极107和位于第二坝基402远离显示区域100一侧的第二连接电极107均搭接在辅助电源线320上，覆盖第二坝基402的第二表面的第二连接电极107上设置有第二放气结构；

设置在电路区301的多个隔离柱23，以及设置在隔离坝区302的第四坝基404和第五坝基405；多个隔离柱23的位置与第二连接电极107上设置的多个第四过孔的位置相对应，相邻的隔离柱23之间暴露出第二连接电极107；第四坝基404设置在覆盖第二表面的第二连接电极107上，第五坝基405设置在第三坝基403上，第二坝基402、覆盖第二表面的第二连接电极107和第四坝基404形成第一隔离坝410，第一坝基401、覆盖第一表面的辅助电源线 320、第三坝基403和第五坝基405形成第二隔离坝420；

设置在电路区301的阴极25，阴极25包裹多个隔垫柱23，阴极25与多个隔离柱23之间暴露出的第二连接电极107连接；

覆盖上述结构的封装层26，电路区301的封装层26为无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，隔离坝区302的封装层26为无机材料/无机材料的叠层结构。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在示例性实施方式中，显示基板包括显示区域100和边缘区域300，边缘区域300包括沿着远离显示区域100的方向依次设置的电路区301、隔离坝区 302、裂缝坝区303和切割区304。显示基板的制备过程可以包括如下操作。

(1)在玻璃载板1上制备基底10。在示例性实施方式中，基底10可以包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx) 等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡 (Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底10的制备。本次工艺后，显示区域100和外围区域300均包括基底10。

(2)在基底10上制备驱动结构层和电路结构层图案。显示区域100的驱动结构层包括构成像素驱动电路的第一晶体管101，外围区域300的电路结构层包括构成阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)电路的第二晶体管102、第三晶体管103、第一存储电容104和第二存储电容105，还包括电源线310。在示例性实施方式中，驱动结构层和电路结构层的制备过程可以包括：

在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于显示区域100的第一有源层，以及位于电路区301的第二有源层和第三有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括位于显示区域100的第一栅电极，以及位于电路区301的第二栅电极、第三栅电极、第一电容电极和第二电容电极。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括位于电路区301的第三电容电极和第四电容电极，第三电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应，第四电容电极的位置与第二电容电极的位置相对应。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成多个第一过孔、裂缝坝 31和切割槽32图案。显示区域100中两个第一过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一有源层的两端。电路区 301中的四个第一过孔分别暴露出第二有源层和第三有源层的两端。裂缝坝 31形成在裂缝坝区303，裂缝坝31包括多个间隔设置的裂缝，每个裂缝暴露出第一绝缘层11的表面。切割槽32形成在切割区304，切割槽32包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽暴露出基底10，第二凹槽暴露出第一凹槽，即第一凹槽在基底10上的正投影包含第二凹槽在基底10上的正投影。本次图案化工艺后，隔离坝区302包括设置在基底10上的复合绝缘层，裂缝坝区303 包括设置在基底10上具有多个裂缝的复合绝缘层，切割区304包括设置在基底10上具有凹槽的复合绝缘层。在示例性实施方式中，复合绝缘层包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。

在示例性实施方式中，可以采用两次图案化工艺形成裂缝、第一凹槽和第二凹槽。例如，先通过第一次掩膜(Etch Bending A MASK，简称EBA MASK)刻蚀第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12，在切割区304 形成第二凹槽，在裂缝坝区303形成多个裂缝，在电路区301和显示区域100 形成多个第一过孔，第二凹槽和多个裂缝内的第四绝缘层14、第三绝缘层13 和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一绝缘层11的表面，多个第一过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层、第二有源层和第三有源层的两端。然后通过第二次掩膜(Etch Bending B MASK，简称EBB MASK)刻蚀切割区304中第二凹槽内的第一绝缘层11，在第一绝缘层11上形成第一凹槽，第一凹槽内的第一绝缘层被刻蚀掉，暴露出基底10的表面。这样，在切割区304，第二凹槽暴露出第一凹槽，第一凹槽暴露出基底10，形成台阶状的凹槽结构。在裂缝坝区303，多个间隔设置的裂缝暴露出第一绝缘层11的表面，形成凹凸状的裂缝坝结构。 EBA MASK和EBB MASK工艺是对绑定区域的弯折区进行挖槽的图案化工艺，以减少弯折区的厚度。在示例性实施方式中，在裂缝坝区303形成凹凸状的裂缝坝结构，是为了避免在切割过程中影响显示区域100和电路区301 的膜层结构，多个间隔设置的裂缝不仅能够减小显示区域100和电路区301 的受力，而且能够截断裂纹向显示区域100和电路区301方向传递。在示例性实施方式中，第一凹槽内可以刻蚀掉基底10中第二阻挡层的部分厚度。

随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层14上形成第一源漏金属层图案，第一源漏金属层图案至少包括：形成在显示区域100的第一源电极和第一漏电极，形成在电路区301 的第二源电极、第二漏电极、第三源电极、第三漏电极，以及形成在隔离坝区302的电源线310。第一源电极和第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层连接，第二源电极和第二漏电极分别通过第一过孔与第二有源层连接，第三源电极和第三漏电极分别通过第一过孔与第三有源层连接。形成在隔离坝区302的电源线310设置在第四绝缘层14上，电源线310远离显示区域100 的一端与裂缝坝31之间具有间隔。在示例性实施方式中，第一源漏金属层的厚度可以约为700nm至1000nm。在一些可能的实现方式中，第一源漏金属层的厚度可以约为860nm。

至此，在基底10上制备完成驱动结构层和电路结构层图案，如图6和图 7所示，图7为图6中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管101，第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极组成第二晶体管102，第三有源层、第三栅电极、第三源电极和第三漏电极组成第三晶体管103，第一电容电极和第三电容电极组成第一存储电容104，第二电容电极和第四电容电极组成第二存储电容105。在示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，第二晶体管102可以是GOA电路中输出扫描(SCAN) 信号的扫描晶体管，第三晶体管103可以是GOA电路中输出使能(EM)信号的使能晶体管，驱动晶体管、扫描晶体管和使能晶体管均可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。

(3)在形成前述图案的基底上沉积第五绝缘薄膜，通过图案化工艺对第五绝缘薄膜进行图案化，在显示区域100、电路区301和隔离坝区302形成第五绝缘层15图案，裂缝坝区303和切割区304的第五绝缘薄膜被去掉。显示区域100和电路区301的第五绝缘层15覆盖第一晶体管101、第二晶体管102 和第三晶体管103的源电极和漏电极，隔离坝区302的第五绝缘层15仅覆盖电源线310的边缘，即电源线310邻近显示区域100一侧的第一边缘和远离显示区域100一侧的第二边缘被第五绝缘层15覆盖，第一边缘和第二边缘之间的第五绝缘层15被去掉，暴露出电源线310的表面，如图8和图9所示，图9为图8中A-A向的剖视图。

(4)在形成前述图案的基底上涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，在显示区域100、电路区301、裂缝坝区303和切割区304形成第一平坦(PLN)层16，第一平坦层16上形成有第二过孔、隔断和平坦坝基图案。第二过孔形成在显示区域100，第二过孔内的第一平坦层 16和第五绝缘层15被去掉，暴露出第一晶体管101的第一漏电极的表面。隔断形成在隔离坝区302，隔断内的第一平坦层16被去掉，暴露出电源线310的表面，第一坝基401形成在隔断内的电源线310上。形成在裂缝坝区303 的第一平坦层16完全填充裂缝坝31中的裂缝，形成在切割区304的第一平坦层16完全填充凹槽32，如图10和图11所示，图11为图10中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，第一坝基401的第一长度可以约为20μm到 60μm，第一坝基401配置为形成第二隔离坝。本公开中，“第一长度”是指沿着远离显示区域方向的特征尺寸。

(5)在形成前述图案的基底上沉积第四金属薄膜，通过图案化工艺对第四金属薄膜进行图案化，形成第二源漏金属层图案，第二源漏金属层图案至少包括连接电极106和辅助电源线320。第一连接电极106形成在显示区域 100，通过第二过孔与第一晶体管101的第一漏电极连接。辅助电源线320形成在隔离坝区302，辅助电源线320覆盖第一坝基401的表面，辅助电源线 320邻近显示区域100的第一侧和远离显示区域100的第二侧均搭接在电源线 310上，即辅助电源线320设置在第一坝基401两侧暴露出的电源线310上，实现电源线310与辅助电源线320的连接，辅助电源线320上设置有第一放气结构K1，如图12、图13和图14所示，图13为图12中A-A向的剖视图，图14为图12中B-B向的剖视图。在示例性实施方式中，第一坝基401包括远离电源线310一侧的第一表面(上表面)、邻近显示区域100一侧的第一近侧面(右侧表面)以及远离显示区域100一侧的第一远侧面(左侧表面)，第一放气结构K1设置在覆盖第一坝基401的第一表面的辅助电源线320上，第一放气结构K1在基底上的正投影位于第一表面在基底上的正投影范围之内。在示例性实施方式中，第一放气结构K1可以是至少一个第一通孔，至少一个第一通孔内的辅助电源线320被去掉，暴露出第一坝基401的第一表面。这样，第一源漏金属层的电源线310和第二源漏金属层的辅助电源线320在边缘区域300形成双层电源线，通过在隔离坝区302搭接实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。在示例性实施方式中，多个第一通孔可以沿着显示区域边缘方向间隔设置，在平行于显示基板的平面内，第一通孔的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在示例性实施方式中，第一通孔的形状可以是矩形，矩形的第一长度可以约为10μm到40μm，矩形的第二长度可以约为10μm到40μm，相邻第一通孔之间的间距可以约为10μm到40μm。本公开中，“第二长度”是指沿着显示区域边缘方向的特征尺寸。

在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第一坝基401的截面形状可以为梯形，远离基板一侧的上底(第一表面)的第一长度小于邻近基板一侧的下底的第一长度，上底(第一表面)的第一长度可以约为20μm到40μm。在示例性实施方式中，第一通孔的形状可以是沿着远离显示区域方向延伸的第一条形，第一条形的第一长度可以约为第一坝基中上底(第一表面) 的第一长度的80％至100％，第一条形的第二长度可以约为第一条形的第一长度的20％至60％，相邻第一条形之间的间距可以约为第一条形的第一长度的 20％至60％。在示例性实施方式中，第一条形的第一长度可以约为20μm到 40μm，第一条形的第二长度可以约为10μm到20μm，相邻第一条形之间的间距可以约为10μm到20μm。

在示例性实施方式中，第一坝基401包括第一表面、第一近侧面和第一远侧面。辅助电源线320覆盖第一坝基401的表面可以是指，辅助电源线320 完全覆盖第一坝基401的第一近侧面和第一远侧面，部分覆盖第一坝基401 的第一表面，如图13所示。部分覆盖第一坝基401的第一表面是指，辅助电源线320覆盖邻近显示区域100一侧的部分第一表面(第一近区域)，以及覆盖远离显示区域100一侧的部分第一表面(第一远区域)，第一近区域与第一远区域之间的区域为第一通孔所在位置，暴露出第一坝基401的第一表面。在示例性实施方式中，辅助电源线320覆盖第一坝基401的表面可以是指，辅助电源线320只完全覆盖第一坝基401的第一近侧面和第一远侧面，即第一坝基401的第一表面均是第一通孔所在位置。

在示例性实施方式中，第一坝基401包括第一表面、第一近侧面和第一远侧面。辅助电源线320覆盖第一坝基401的表面可以是指，辅助电源线320 完全覆盖第一坝基401的第一表面、第一近侧面和第一远侧面，即辅助电源线320将第一坝基401的第一表面、第一近侧面和第一远侧面包裹起来，如图14所示。

在示例性实施方式中，辅助电源线320上设置的第一放气结构K1配置为形成放气通道，在工艺过程中排放平坦化膜层产生的气体，避免造成膜层剥离(peeling)，提高工艺质量。在示例性实施方式中，第二源漏金属层的厚度可以约为700nm至1000nm。在一些可能的实现方式中，第二源漏金属层的厚度可以约为860nm。

(6)在形成前述图案的基底上涂覆第二平坦薄膜，通过图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成第二平坦层17、第二坝基402和第三坝基403 图案。第二平坦层17形成在显示区域100和电路区301，其上设置有第三过孔，第三过孔内的第二平坦层17被显影掉，暴露出第一连接电极106的表面。第二坝基402和第三坝基403形成在隔离坝区302，第三坝基403设置在覆盖第一坝基401的第一表面的辅助电源线320上，第二坝基402设置在第一坝基401邻近显示区域100一侧的辅助电源线320上，第二坝基402与显示区域100的距离小于第一坝基401与显示区域100的距离，第二坝基402 邻近第三坝基403的一侧和第二坝基402远离第三坝基403的一侧均暴露出辅助电源线320，如图15和图16所示，图16为图15中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，第二坝基402的第一长度可以约为20μm到60μm，第三坝基403的第一长度可以约为20μm到60μm，第一坝基401在基底上的正投影包含第三坝基403在基底上的正投影，第二坝基402和第三坝基403配置为形成两个隔离坝(dam)。

(7)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行图案化，形成阳极21和第二连接电极107图案。阳极21形成在显示区域100的第二平坦层17上，通过第三过孔与第一连接电极106连接。第二连接电极107形成在电路区301和隔离坝区302，第二连接电极107 的一部分设置在电路区301的第二平坦层17上，其上设置有多个第四过孔，第二连接电极107的另一部分设置在隔离坝区302，第二连接电极107覆盖第二坝基402、部分覆盖第三坝基403以及覆盖第二坝基402两侧暴露出的辅助电源线320的表面，第二连接电极107设置有第二放气结构K2，如图17、图 18和图19所示，图18为图17中A-A向的剖视图，图19为图17中B-B向的剖视图。在示例性实施方式中，第二坝基402包括远离电源线310一侧的第二表面(上表面)、邻近显示区域100一侧的第二近侧面(右侧表面)以及远离显示区域100一侧的第二远侧面(左侧表面)，第二放气结构K2设置在覆盖第二坝基402的第二表面的第二连接电极107上，第二一放气结构K2 在基底上的正投影位于第二表面在基底上的正投影范围之内。在示例性实施方式中，第二放气结构K2可以是至少一个第二通孔，至少一个第二通孔内的第二连接电极107被去掉，暴露出第二坝基402的第二表面。由于第二连接电极107与辅助电源线320连接，辅助电源线320与电源线310连接，因而实现了第二连接电极107与电源线310的连接。在示例性实施方式中，多个第二通孔可以沿着显示区域边缘方向间隔设置，在平行于显示基板的平面内，第二通孔的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在示例性实施方式中，第二通孔的形状可以是矩形，矩形的第一长度可以约为10μm到 40μm，矩形的第二长度可以约为10μm到40μm，相邻第二通孔之间的间距可以约为10μm到40μm。

在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第二坝基402的截面形状可以为梯形，远离基板一侧的上底(第二表面)的第一长度小于邻近基板一侧的下底的第一长度，上底(第二表面)的第一长度可以约为20μm到 40μm。在示例性实施方式中，第二通孔的形状可以是沿着远离显示区域方向延伸的第二条形，第二条形的第一长度可以约为第二坝基中上底(第二表面) 的第一长度的80％至100％，第二条形的第二长度可以约为第二条形的第一长度的20％至60％，相邻第二条形之间的间距可以约为第二条形的第一长度的20％至60％。在示例性实施方式中，第二条形的第一长度可以约为20μm到 40μm，第二条形的第二长度可以约为10μm到20μm，相邻第二通孔之间的间距可以约为10μm到20μm。

在示例性实施方式中，第二坝基402包括第二表面、第二近侧面和第二远侧面。第二连接电极107覆盖第二坝基402的表面可以是指，第二连接电极107完全覆盖第二坝基402的第二近侧面和第二远侧面，部分覆盖第二坝基402的第二表面，如图18所示。部分覆盖第二坝基402的第二表面是指，第二连接电极107覆盖邻近显示区域100一侧的部分第二表面(第二近区域)，以及覆盖远离显示区域100一侧的部分第二表面(第二远区域)，第二近区域与第二远区域之间的区域为第二通孔所在位置，暴露出第二坝基402的第二表面。在示例性实施方式中，第二连接电极107覆盖第二坝基402的表面可以是指，第二连接电极107只完全覆盖第二坝基402的第二近侧面和第二远侧面，即第二坝基402的第二表面均是第二通孔所在位置。

在示例性实施方式中，第二坝基402包括第二表面、第二近侧面和第二远侧面。第二连接电极107覆盖第二坝基402的表面可以是指，第二连接电极107完全覆盖第二坝基402的第二表面、第二近侧面和第二远侧面，即第二连接电极107将第二坝基402的第二表面、第二近侧面和第二远侧面包裹起来，如图19所示。

在示例性实施方式中，第二连接电极107上设置的第二放气结构K2配置为形成放气通道，在工艺过程中排放平坦化膜层产生的气体，避免造成膜层剥离，提高工艺质量。

(8)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义(PDL)层22、隔离柱(PS)23、第四坝基404和第五坝基405图案。像素定义层22形成在显示区域100，其上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极21的表面。多个隔离柱(PS)23形成在电路区301，多个隔离柱23的位置与第二连接电极107上设置的多个第四过孔的位置相对应，相邻的隔离柱23之间暴露出第二连接电极107。第四坝基404和第五坝基405形成在隔离坝区302，第四坝基404设置在覆盖第二坝基402的第二表面的第二连接电极107上，第五坝基405设置在第三坝基403上，第二坝基402、覆盖第二表面的第二连接电极107和第四坝基404形成第一隔离坝410，第一坝基401、覆盖第一表面的辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405形成第二隔离坝420，如图 20和图21所示，图21为图20中A-A向的剖视图。

在示例性实施方式中，第一隔离坝410与显示区域100之间的距离小于第二隔离坝420与显示区域100之间的距离，第四坝基404的第一长度可以约为20μm到60μm，第五坝基405的第一长度可以约为20μm到60μm，第二坝基402在基底上的正投影包含第四坝基404在基底上的正投影，第三坝基 403在基底上的正投影包含第五坝基405在基底上的正投影，第一隔离坝410 和第二隔离坝420在基底10上正投影的第一长度可以约为20μm到60μm，第一隔离坝410与第二隔离坝420之间的间距可以约为20μm到60μm。在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第一隔离坝410和第二隔离坝 420的截面形状可以为梯形。

(9)在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层24和阴极25，有机发光层24形成在显示区域100的像素开口内，实现有机发光层24与阳极21 连接。由于阳极21与第一连接电极106连接，第一连接电极106与第一晶体管101的漏电极连接，因而实现了有机发光层24与第一晶体管101的漏电极的连接。阴极25的一部分形成在显示区域100的有机发光层24上，阴极25 与有机发光层24连接，阴极25的另一部分形成在电路区301，阴极25包裹多个隔垫柱23，阴极25与多个隔离柱23之间暴露出的第二连接电极107连接，如图22和图23所示，图23为图22中A-A向的剖视图。由于阴极25与第二连接电极107连接，第二连接电极107与辅助电源线320连接，辅助电源线320与电源线310连接，因而实现了阴极25与电源线310的连接。在示例性实施方式中，有机发光层24可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝 (Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

(10)在形成前述图案的基础上形成封装层26，封装层26形成在显示区域100、电路区301和隔离坝区302。显示区域100和电路区301的封装层26 采用第一封装层、第二封装层和第三封装层的叠层结构，第一封装层采用无机材料，在显示区域100覆盖阴极24，在电路区301包裹多个隔垫柱23，在隔离坝区302包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420。第二封装层采用有机材料，设置在显示区域100和电路区301。第三封装层采用无机材料，覆盖显示区域100和电路区301的第二封装层，以及覆盖隔离坝区302的第一封装层。即显示区域100和电路区301的封装层26采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，隔离坝区302的封装层26采用无机材料/无机材料的叠层结构。在示例性实施方式中，由于隔离坝区302邻近裂缝坝区303的区域暴露出第五绝缘层15的表面，因而隔离坝区302的两个无机材料层直接形成在第五绝缘层15上，保证封装效果和工艺质量。在示例性实施方式中，显示基板的制备过程还可以包括：通过剥离工艺将显示基板从玻璃载板1上剥离，采用滚轮贴合方式在显示基板背面(基底10远离膜层的一侧表面)贴附一层背膜，利用切割设备沿着切割槽进行切割等等，形成的显示基板如图4和图5所示。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ILD)层，第五绝缘层称为钝化(PVX)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜和第四金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti) 和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金 (AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如 Ti/Al/Ti等。透明导电薄膜可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

本公开示例性实施例通过第一源漏金属层形成电源线310，通过第二源漏金属层形成辅助电源线320，在边缘区域300形成了双层电源线，通过辅助电源线320跨过第二隔离坝与电源线310搭接的连接结构，实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域300电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。本公开示例性实施例通过在辅助电源线320和第二连接电极107上分别设置第一放气结构和第二放气结构，第一放气结构和第二放气结构形成放气通道，可以在工艺过程中有效排放平坦层产生的气体，避免造成膜层剥离，提高工艺质量。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

结合图4到图23，本公开示例性实施例显示基板包括显示区域100和边缘区域300。在示例性实施方式中，显示区域100包括设置在基板10上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的发光结构层以及设置在发光结构层上的封装层。驱动结构层至少包括形成像素驱动电路的第一晶体管101，发光结构层至少包括阳极21、有机发光层24和阴极25。

在示例性实施方式中，边缘区域300包括电路区301、隔离坝区302、裂缝坝区303和切割区304。在示例性实施方式中，电路区301包括设置在基板 10上的电路结构层、设置在电路结构层上的电路连接层以及设置在电路连接层上的封装层。电路结构层至少包括形成GOA电路的第二晶体管102、第三晶体管103、第一存储电容104和第二存储电容105，电路连接层至少包括实现电源线310与阴极25连接的第二连接电极107。

在示例性实施方式中，隔离坝区302包括设置在基板10上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的电源线310、辅助电源线320、第二连接电极107、第一隔离坝410、第二隔离坝420、以及包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420 的封装层。辅助电源线320邻近显示区域100的第一侧和远离显示区域100 的第二侧搭接在电源线310上，第一侧与第二侧之间的辅助电源线320设置在第二隔离坝420中，第二连接电极107设置在第一隔离坝410中，且与第一隔离坝410两侧暴露出的辅助电源线320搭接。

在示例性实施方式中，裂缝坝区303包括设置在基板10上的复合绝缘层，复合绝缘层形成有裂缝坝31，第一平坦层16覆盖并填充裂缝坝31。

在示例性实施方式中，切割区304包括设置在基板10上的复合绝缘层，复合绝缘层形成有切割槽32，第一平坦层16覆盖并填充切割槽32。

在示例性实施方式中，复合绝缘层包括在基板10上叠设的第一绝缘层 11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。

图24为本公开第二隔离坝的放大图。如图24所示，电源线310设置在第四绝缘层14上，第一坝基401设置在电源线310上，辅助电源线320完全覆盖第一坝基401的左侧表面和右侧表面，部分覆盖第一坝基401的上表面。辅助电源线320部分覆盖第一坝基401的上表面是指，辅助电源线320覆盖邻近显示区域一侧的部分第一表面(第一近区域)，以及覆盖远离显示区域一侧的部分第一表面(第一远区域)，第一近区域与第一远区域之间的区域为设置第一放气结构(第一通孔)的区域，第一放气结构所在区域暴露出第一坝基401的上表面。第三坝基403设置在位于第一坝基401上的辅助电源线320上，第二连接电极107设置在辅助电源线320上，并覆盖第三坝基403 的部分表面，第五坝基405设置在第三坝基403上。在示例性实施方式中，第一坝基401的左侧(右侧)表面与下表面之间的夹角β可以约为30°至60°，电源线310和辅助电源线320的厚度可以约为700nm至1000nm。在一些可能的实现方式中，第一坝基401的左侧(右侧)表面与下表面之间的夹角β可以约为45°，电源线310和辅助电源线320的厚度可以约为860nm。

本公开显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。

图25为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图，示意了一种顶发射型OLED显示区域和外围区域的剖面结构。在示例性实施方式中，显示区域100的结构可以与前述实施例基本上相同，边缘区域300中电路区301、裂缝坝区303和切割区304的结构可以与前述实施例基本上相同，所不同的是隔离坝区302的结构。在示例性实施方式中，隔离坝区302的第一隔离坝 410包括依次叠设的第二坝基402、第二连接电极107和第四坝基404，隔离坝区302的第二隔离坝420包括依次叠设的第一钝化坝基411、第一坝基401、辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405。

在示例性实施方式中，边缘区域300的隔离坝区302包括：

基底10；

设置在基底10上的复合绝缘层；

设置在复合绝缘层上的电源线310；

覆盖电源线310边缘的第五绝缘层15，以及设置在电源线310上的第一钝化坝基411；

设置在第一钝化坝基411上的第一坝基401，第一钝化坝基411和第一坝基401形成第一复合坝基；

设置在电源线310和第一复合坝基上的辅助电源线320，辅助电源线320 覆盖第一复合坝基远离电源线310一侧的第一表面、邻近显示区域100一侧的第一近侧面以及远离显示区域100一侧的第一远侧面，位于第一复合坝基邻近显示区域100一侧的辅助电源线320和位于第一复合坝基远离显示区域 100一侧的辅助电源线320均搭接在电源线310上，覆盖第一复合坝基的第一表面的辅助电源线320上设置有第一放气结构；

设置在覆盖第一表面的辅助电源线320上的第三坝基403，以及设置在第一复合坝基邻近显示区域100一侧辅助电源线320上的第二坝基402；

覆盖第二坝基402远离电源线310一侧的第二表面、邻近显示区域100 一侧的第二近侧面以及远离显示区域100一侧的第二远侧面的第二连接电极 107，位于第二坝基402邻近显示区域100一侧的第二连接电极107和位于第二坝基402远离显示区域100一侧的第二连接电极107均搭接在辅助电源线 320上，覆盖第二坝基402的第二表面的第二连接电极107上设置有第二放气结构；

设置在覆盖第二表面的第二连接电极107上的第四坝基404，以及设置在第三坝基403上的第五坝基405；第二坝基402、覆盖第二表面的第二连接电极107和第四坝基404形成第一隔离坝410，第一钝化坝基411、第一坝基401、覆盖第一表面的辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405形成第二隔离坝420；

包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420的封装层26，封装层26为无机材料/无机材料的叠层结构。

在示例性实施方式中，图25所示显示基板的制备过程可以与前述实施例的制备过程基本上相同，所不同的是，在通过图案化工艺形成第五绝缘层15 图案过程中，同时在隔离坝区302的电源线310上形成第一钝化坝基411，第一钝化坝基411与第五绝缘层15同层设置且通过同一次图案化工艺形成。

在示例性实施方式中，通过形成第一钝化坝基，可以增加第二隔离坝的高度，提高第二隔离坝对水汽的隔离效果，提高产品质量和使用寿命。

图26为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种顶发射型OLED显示区域和外围区域的剖面结构。在示例性实施方式中，显示区域100的结构可以与前述实施例基本上相同，边缘区域300中电路区301、裂缝坝区303和切割区304的结构可以与前述实施例基本上相同，所不同的是隔离坝区302的结构。在示例性实施方式中，隔离坝区302的第一隔离坝 410包括依次叠设的第二钝化坝基421、辅助电源线320、第二坝基402、第二连接电极107和第四坝基404，隔离坝区302的第二隔离坝420包括依次设置的第一坝基401、辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405。

在示例性实施方式中，边缘区域300的隔离坝区302包括：

基底10；

设置在基底10上的复合绝缘层；

设置在复合绝缘层上的电源线310；

覆盖电源线310边缘的第五绝缘层15，以及设置在电源线310上的第二钝化坝基421；

设置在电源线310上的第一坝基401，第一坝基401与显示区域100的距离大于第二钝化坝基421与显示区域100的距离；

设置在电源线310、第二钝化坝基421和第一坝基401上的辅助电源线 320，辅助电源线320分别覆盖第二钝化坝基421和第一坝基401，位于第二钝化坝基421邻近显示区域100一侧的辅助电源线320、位于第一坝基401远离显示区域100一侧的辅助电源线320、以及位于第二钝化坝基421和第一坝基401之间的辅助电源线320均搭接在电源线310上，覆盖第一坝基401的第一表面的辅助电源线320上设置有第一放气结构；

设置在覆盖第一表面的辅助电源线320上的第三坝基403，以及设置在覆盖第二钝化坝基421上表面的辅助电源线320上的第二坝基402，第二钝化坝基421、覆盖第二钝化坝基421上表面的辅助电源线320和第二坝基402形成第二复合坝基；

覆盖第二复合坝基远离电源线310一侧的第二表面、邻近显示区域100 一侧的第二近侧面以及远离显示区域100一侧的第二远侧面的第二连接电极 107，位于第二复合坝基邻近显示区域100一侧的第二连接电极107和位于第二复合坝基远离显示区域100一侧的第二连接电极107均搭接在辅助电源线 320上，覆盖第二复合坝基的第二表面的第二连接电极107上设置有第二放气结构；

设置在覆盖第二表面的第二连接电极107上的第四坝基404，以及设置在第三坝基403上的第五坝基405；第二钝化坝基421、覆盖第二钝化坝基421 上表面的辅助电源线320、第二坝基402、覆盖第二表面的第二连接电极107 和第四坝基404形成第一隔离坝410，第一坝基401、覆盖第一表面的辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405形成第二隔离坝420；

包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420的封装层26，封装层26为无机材料/无机材料的叠层结构。

在示例性实施方式中，图26所示显示基板的制备过程可以与前述实施例的制备过程基本上相同，所不同的是，在通过图案化工艺形成第五绝缘层15 图案过程中，同时在隔离坝区302的电源线310上形成第二钝化坝基421，第二钝化坝基421与第五绝缘层15同层设置且通过同一次图案化工艺形成。

在示例性实施方式中，通过形成第二钝化坝基，可以增加第一隔离坝的高度，提高第一隔离坝对水汽的隔离效果，提高产品质量和使用寿命。

在示例性实施方式中，可以将图25和图26的结构组合起来，在通过图案化工艺形成第五绝缘层15图案过程中，同时在隔离坝区302的电源线310 上形成第一钝化坝基411和第二钝化坝基421。这样，所形成的隔离坝区302 的第一隔离坝410包括依次设置的第二钝化坝基421、辅助电源线320、第二坝基402、第二连接电极107和第四坝基404，隔离坝区302的第二隔离坝420 包括依次设置的第一钝化坝基411、第一坝基401、辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405。

图27为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了一种顶发射型OLED显示区域和外围区域的剖面结构。在示例性实施方式中，显示区域100的结构可以与前述实施例基本上相同，边缘区域300中电路区301、裂缝坝区303和切割区304的结构可以与前述实施例基本上相同，所不同的是隔离坝区302的结构。在示例性实施方式中，隔离坝区302的第一隔离坝 410包括依次叠设的平坦坝基431、辅助电源线320、第二坝基402、第二连接电极107和第四坝基404，隔离坝区302的第二隔离坝420包括依次设置的第一坝基401、辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405。

在示例性实施方式中，边缘区域300的隔离坝区302包括：

基底10；

设置在基底10上的复合绝缘层；

设置在复合绝缘层上的电源线310；

覆盖电源线310边缘的第五绝缘层15；

设置在电源线310上的第一坝基401和平坦坝基431，平坦坝基431与显示区域100的距离小于第一坝基401与显示区域100的距离，平坦坝基431 的厚度小于第一坝基401的厚度；

设置在电源线310、平坦坝基431和第一坝基401上的辅助电源线320，辅助电源线320分别覆盖平坦坝基431和第一坝基401，位于平坦坝基431邻近显示区域100一侧的辅助电源线320、位于第一坝基401远离显示区域100 一侧的辅助电源线320、以及位于平坦坝基431和第一坝基401之间的辅助电源线320均搭接在电源线310上，覆盖第一坝基401的第一表面的辅助电源线320上设置有第一放气结构；

设置在覆盖第一表面的辅助电源线320上的第三坝基403，以及设置在覆盖平坦坝基431上表面上的第二坝基402，平坦坝基431、覆盖平坦坝基431 的辅助电源线320和第二坝基402形成第三复合坝基；

覆盖第三复合坝基远离电源线310一侧的第二表面、邻近显示区域100 一侧的第二近侧面以及远离显示区域100一侧的第二远侧面的第二连接电极 107，位于第三复合坝基邻近显示区域100一侧的第二连接电极107和位于第三复合坝基远离显示区域100一侧的第二连接电极107均搭接在辅助电源线 320上，覆盖第三复合坝基的第二表面的第二连接电极107上设置有第二放气结构；

设置在覆盖第二表面的第二连接电极107上的第四坝基404，以及设置在第三坝基403上的第五坝基405；平坦坝基431、覆盖平坦坝基431上表面的辅助电源线320、第二坝基402、覆盖第二表面的第二连接电极107和第四坝基404形成第一隔离坝410，第一坝基401、覆盖第一表面的辅助电源线320、第三坝基403和第五坝基405形成第二隔离坝420；

包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420的封装层26，封装层26为无机材料/无机材料的叠层结构。

在示例性实施方式中，图27所示显示基板的制备过程可以与前述实施例的制备过程基本上相同，所不同的是，在通过图案化工艺形成第一平坦层16 图案过程中，同时在隔离坝区302的电源线310上形成第一坝基401和平坦坝基431，第一坝基401和平坦坝基431同层设置且通过同一次图案化工艺形成。在示例性实施方式中，可以采用半色调或灰色调掩膜板的图案化工艺，使平坦坝基431的厚度小于第一坝基401的厚度。在示例性实施方式中，平坦坝基431的厚度可以约为第一坝基401的厚度的30％至70％。

在示例性实施方式中，通过形成平坦坝基，可以增加第一隔离坝的高度，提高第一隔离坝对水汽的隔离效果，提高产品质量和使用寿命。

本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域；在示例性实施方式中，所述制备方法包括：

S1、在基底的边缘区域形成复合绝缘层和设置在所述复合绝缘层上的电源线；

S2、在所述电源线远离所述基底的一侧形成隔离坝，所述隔离坝中设置有辅助电源线，位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

在示例性实施方式中，所述复合绝缘层可以包括叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。

在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：

在所述电源线上形成第一坝基；

在所述电源线和第一坝基上形成辅助电源线，所述辅助电源线邻近所述显示区域的第一侧和远离所述显示区域的第二侧搭接在所述电源线上，所述第一侧与第二侧之间的辅助电源线覆盖所述第一坝基；

形成第二坝基和第三坝基，所述第三坝基设置在覆盖所述第一坝基的辅助电源线上，所述第二坝基设置在所述第一坝基与所述显示区域之间的辅助电源线上；

形成与所述辅助电源线搭接的第二连接电极，所述第二连接电极覆盖所述第二坝基；

形成第四坝基和第五坝基，所述第四坝基设置在覆盖所述第二坝基的第二连接电极上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上；所述第二坝基、第二连接电极和第四坝基形成第一隔离坝，所述第一坝基、辅助电源线、第三坝基和第五坝基形成第二隔离坝。

本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过在边缘区域形成电源线和辅助电源线，通过辅助电源线跨过第二隔离坝与电源线搭接的连接结构，实现了并联结构的双层电源走线，减小了边缘区域电源走线的电阻，最大限度地减小了电压信号的压降，提高了显示区域显示亮度均一性，提高了显示品质。本公开示例性实施例通过在辅助电源线和第二连接电极上分别设置第一放气结构和第二放气结构，第一放气结构和第二放气结构形成放气通道，可以在工艺过程中有效排放平坦层产生的气体，避免造成膜层剥离，提高工艺质量。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域；所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝，所述隔离坝中设置有辅助电源线，位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离坝包括第一隔离坝和第二隔离坝，所述第二隔离坝设置在所述电源线上，所述第一隔离坝设置在所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线上，所述第二隔离坝中设置有所述辅助电源线，位于所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述第二隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述边缘区域还包括第二连接电极，所述第一隔离坝中设置有所述第二连接电极，位于所述第一隔离坝邻近所述显示区域一侧的第二连接电极和位于所述第一隔离坝远离所述显示区域一侧的第二连接电极均搭接在所述辅助电源线上。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述第一坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面；所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一表面、第一近侧面和第一远侧面；所述第三坝基设置在覆盖所述第一表面的辅助电源线上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述第一坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面；所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面，部分覆盖所述第一坝基的第一表面，所述第三坝基设置在部分覆盖所述第一表面的辅助电源线上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上；或者，所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面，所述第三坝基设置在所述第一坝基的第一表面上，所述第五坝基设置在所述第三坝基上。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离坝中的辅助电源线上设置有第一放气结构，所述第一放气结构在基底上的正投影位于所述第一表面在基底上的正投影范围之内。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一放气结构包括至少一个第一通孔，所述第一通孔的第一长度为所述第一表面的第一长度的80％至100％，所述第一通孔的第二长度为所述第一通孔的第一长度的20％至60％，相邻第一通孔之间的间距为第一通孔的第一长度的20％至60％；所述第一长度是沿着远离显示区域方向的特征尺寸，所述第二长度是沿着显示区域边缘方向的特征尺寸。

8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝还包括第二坝基和第四坝基；所述第二坝基设置在所述辅助电源线上，所述第二坝基包括远离所述电源线一侧的第二表面、邻近所述显示区域一侧的第二近侧面以及远离所述显示区域一侧的第二远侧面；所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二表面、第二近侧面和第二远侧面；所述第四坝基设置在覆盖所述第二表面的第二连接电极上。

9.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝还包括第二坝基和第四坝基；所述第二坝基设置在所述辅助电源线上，所述第二坝基包括远离所述电源线一侧的第二表面、邻近所述显示区域一侧的第二近侧面以及远离所述显示区域一侧的第二远侧面；所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二近侧面和第二远侧面，部分覆盖所述第二坝基的第二表面，所述第四坝基设置在部分覆盖所述第二表面的第二连接电极上；或者，所述第二连接电极全部覆盖所述第二坝基的第二近侧面和第二远侧面，所述第四坝基设置在所述第二坝基的第二表面上。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝中的第二连接电极上设置有第二放气结构，所述第二放气结构在基底上的正投影位于所述第二表面在基底上的正投影范围之内。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二放气结构包括至少一个第二通孔，所述第二通孔的第一长度为所述第二表面的第一长度的80％至100％，所述第二通孔的第二长度为所述第二通孔的第一长度的20％至60％，相邻第二通孔之间的间距为第二通孔的第一长度的20％至60％；所述第一长度是沿着远离显示区域方向的特征尺寸，所述第二长度是沿着显示区域边缘方向的特征尺寸。

12.根据权利要求4至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离坝还包括第一钝化坝基；所述第一钝化坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基设置在所述第一钝化坝基上。

13.根据权利要求8至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝还包括第二钝化坝基；所述第二钝化坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述第二钝化坝基；所述第二坝基设置在覆盖所述第二钝化坝基的辅助电源线上。

14.根据权利要求4至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝包括第二钝化坝基、第二坝基和第四坝基，所述第二隔离坝包括第一钝化坝基、第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述第二钝化坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述第二钝化坝基，所述第二坝基设置在覆盖所述第二钝化坝基的辅助电源线上；所述第一钝化坝基设置在所述电源线上，所述第一坝基设置在所述第一钝化坝基上。

15.根据权利要求4至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离坝包括平坦坝基、第二坝基和第四坝基，所述第二隔离坝包括第一坝基、第三坝基和第五坝基；所述平坦坝基设置在所述电源线上，所述辅助电源线覆盖所述平坦坝基；所述第二坝基设置在覆盖所述平坦坝基的辅助电源线上。

16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，所述平坦坝基与所述第一坝基同层设置，所述平坦坝基的厚度为所述第一坝基的厚度的30％至70％。

17.根据权利要求3、8、9、10或11所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层以及设置在所述驱动结构层上的发光元件；所述电源线与所述驱动结构层的第一源漏金属层同层设置，所述辅助电源线与所述驱动结构层的第二源漏金属层同层设置，所述第二连接电极与所述发光元件的阳极同层设置。

18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17任一项所述的显示基板。

Images