CN112490272B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及但不限于显示技术领域，所述显示基板包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区；所述岛区或/和所述桥区包括与所述孔区相邻的边缘区；所述边缘区包括设置在基底上的复合结构层，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述边缘区还包括设置在所述复合结构层上并设置在所述台阶结构上的无机封装层，所述无机封装层的边缘位于高度最低的第一台阶的朝向孔区的侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。本公开实施例的显示基板可改善取下工艺时无机封装层的受损问题。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electro luminesecent Display，OLED)凭借低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，柔性OLED产品因可以满足各种特殊结构而逐步成为OLED显示主流。随着柔性工艺的发展，柔性显示面板从弯曲(Bendable)、弯折(Foldable)，逐步过渡到弹性柔性(Rollable)，对器件柔性方面的要求也逐步提升。
一些可拉伸(Stretchable)显示面板中，采用岛-桥-孔的结构来提供拉伸性能。可拉伸显示基板在制备过程中由玻璃等硬质载板承载，孔区的开孔形成后会暴露出硬质载板的表面，封装层形成时会同时形成在硬质载板被孔区开孔暴露的表面，这样，后续将硬质载板与可拉伸显示基板剥离分开(取下工艺)时，硬质载板上的封装层与孔区侧壁处的封装层很难彻底断开，非彻底断开则会对孔区的开孔侧壁处的封装层造成拉扯而易产生裂纹，使封装层在取下工艺时发生损伤。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可改善在取下工艺时封装层受损的问题。
本公开实施例提供一种显示基板，包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔；
所述岛区或/和所述桥区包括与所述孔区相邻的边缘区；
所述边缘区包括设置在基底上的复合结构层，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面；
所述边缘区还包括设置在所述复合结构层上，并设置在所述台阶结构上的无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
可选地，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面中对应所述基底的区域上。
可选地，所述第一台阶侧面包括相交的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面相交处形成朝向所述孔区凸出的凸棱。
可选地，所述复合结构层包括设置在所述基底上的无机复合绝缘层和设于所述无机复合绝缘层上的有机复合层，所述台阶结构包括形成在所述无机复合绝缘层上的至少一个台阶和形成在所述有机复合层上的至少一个台阶。
可选地，所述无机复合绝缘层包括依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；所述有机复合层包括依次叠设在所述第四绝缘层上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。
可选地，所述台阶结构包括由所述第一绝缘层和所述基底形成的所述第一台阶，由所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层形成的第二台阶，由所述第一有机绝缘层形成的第三台阶，以及由所述第二有机绝缘层形成的第四台阶；
或者，所述台阶结构包括由所述基底和所述无机复合绝缘层形成的所述第一台阶，由所述第一有机绝缘层形成的第二台阶，以及由所述第二有机绝缘层形成的第三台阶。
可选地，所述第一有机绝缘层与所述岛区的平坦层同层且同材料，所述第二有机绝缘层与所述岛区的像素界定层同层且同材料。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔，所述制备方法包括：
在硬质载板上形成所述显示基板的基底；
在所述岛区或/和所述桥区的与所述孔区相邻的边缘区的基底上形成复合结构层；其中，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面；
在所述边缘区和所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面形成无机封装薄膜，所述无机封装薄膜设置在所述复合结构层上并设置在所述台阶结构上；
将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，或者，将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除，使所述边缘区的所述无机封装薄膜与所述硬质载板上的所述无机封装薄膜断开；其中，所述相交位置是指所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的相交位置；
将所述硬质载板与所述基底相剥离，得到所述显示基板，其中，所述显示基板的所述边缘区的所述无机封装薄膜为无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
可选地，所述将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，包括：将所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域或者全部区域的所述无机封装薄膜去除。
可选地，所述将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除的同时，所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域的所述无机封装薄膜在厚度方向上被部分去除。
本公开实施例的显示基板，在岛区或/和桥区的朝向孔区的边缘区形成有台阶结构，将边缘区的无机封装层形成在台阶结构上，并使无机封装层的边缘位于高度最低的第一台阶的朝向孔区的侧面上，且无机封装层暴露出第一台阶侧面的至少部分区域。如此，由于设计了台阶结构，无机封装层在制备过程中沉积在台阶处的厚度会较其他地方薄，在刻蚀工艺中无机封装层易被刻蚀干净，容易与硬质载板上的无机封装层彻底断开，从而减少取下工艺时硬质载板上的无机封装层对孔区侧壁处无机封装层的拉扯而造成的裂纹等损伤。
本公开实施例的显示基板的制备方法，在岛区或/和桥区的朝向孔区的边缘区形成有台阶结构，将无机封装薄膜形成在台阶结构上和硬质载板的被孔区暴露的表面上，并将第一台阶侧面(台阶结构中高度最低的第一台阶的朝向孔区的侧面)与硬质载板的被孔区暴露的表面的相交位置处的无机封装薄膜去除，或者将第一台阶侧面上靠近所述相交位置的无机封装薄膜去除，使边缘区的无机封装薄膜与硬质载板上的无机封装薄膜断开，此后将硬质载板与所述基底剥离分开。如此，由于设计了台阶结构，台阶处的无机封装薄膜的厚度会较其他地方薄，在采用刻蚀工艺去除无机封装薄膜时，无机封装薄膜易被刻蚀干净，容易与硬质载板上的无机封装薄膜彻底断开，从而可减少后续取下工艺时硬质载板上的无机封装薄膜对孔区侧壁处无机封装薄膜的拉扯而造成的裂纹等损伤。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一些技术中显示基板的剖面结构示意图；
图2a为本公开实施例的一种显示基板的可拉伸区域的平面结构示意图；
图2b为本公开实施例的另一种显示基板的可拉伸区域的平面结构示意图；
图3a为本公开实施例的显示基板在图2a中A-A处的一种剖面结构示意图；
图3b为本公开实施例的显示基板在图2a中A-A处的另一种剖面结构示意图；
图3c为在一些示例性实施例中图2a中B-B处的剖面结构示意图；
图4为在一些示例性实施例中在硬质载板上形成基底后的结构示意图；
图5为在一些示例性实施例中在基底上形成第四绝缘薄膜后的结构示意图；
图6为在一些示例性实施例中形成第四绝缘层、第一开口和第二开口后的结构示意图；
图7为在一些示例性实施例中形成第三金属层后的结构示意图；
图8为在一些示例性实施例中形成平坦层和第三开口后的结构示意图；
图9为在一些示例性实施例中形成阳极、像素界定层、第四开口和隔垫柱后的结构示意图；
图10为在一些示例性实施例中形成发光层和阴极后的结构示意图；
图11为在一些示例性实施例中形成封装结构薄膜后的结构示意图；
图12a为在一些示例性实施例中形成封装结构层后的结构示意图；
图12b为在另一些示例性实施例中形成封装结构层后的结构示意图；
图12c为在又一些示例性实施例中形成封装结构层后的结构示意图；
附图标记为：
01、载板，02、封装层，03、开孔；
100、岛区，110、发光区、120、岛区的边缘区，101、薄膜晶体管，102、存储电容，P1、第一子像素，P2、第二子像素，P3、第三子像素，200、桥区，201、桥区的边缘区，300、孔区，
1、载板，10、基底，10A、柔性层，10B、阻挡层，11、第一绝缘层，12、有源层，13、第二绝缘层，14A、栅电极，14B、第一电容电极，15、第三绝缘层，16、第二电容电极，17、第四绝缘层，18A、源电极，18B、漏电极，18C、数据引线，18D、数据连接线，19、平坦层，20、阳极，21、像素界定层，22、隔垫柱，23、有机发光层，24、阴极，25、第一无机封装层，26、有机封装层，27、第二无机封装层；
41、第一台阶，42、第二台阶，43、第三台阶，44、第四台阶，51、第一台阶，52、第二台阶，53、第三台阶；
61、第一开口，62、第二开口，63、第三开口，64、第四开口；
70、凸棱；
171、第四绝缘薄膜，271、第二无机封装薄膜。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本申请的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。
可拉伸显示面板中，褶皱的方式因为需要考虑到在一定范围内的均匀分布以对相应的走线及像素进行均匀分布的匹配，为了实现更高的分辨率(PPI)，往往采用剪纸的方式进行，即在面板上开槽以提供拉伸性能(一般为一字形或工字形开孔)。而在采用剪纸工艺时，发现可拉伸性能在开槽后受到一定的限制，封装结构中与玻璃载板接触的部分在取下工艺时很难彻底断开，而非彻底的断开则会对孔区侧壁的封装层造成拉扯，使其在取下工艺时发生损伤。
一些技术中，显示基板在制备过程中，先在硬质载板上形成柔性基底，后续在柔性基底上形成膜层结构，在制备完成显示基板后，将硬质载板与显示基板剥离分开，从而得到显示基板。可拉伸显示基板在制备过程中，会在形成封装层之前形成孔区的开孔，后续在形成封装层时，封装层会形成在显示基板上，还会同时形成在硬质载板的被孔区的开孔暴露的表面。一些技术中，在将硬质载板与显示基板剥离过程中，硬质载板上的封装层与显示基板上的封装层很难彻底断开，硬质载板剥离过程中封装层的非彻底断开会使硬质载板上的封装层对显示基板上孔区侧壁处的封装层造成拉扯，这会使显示基板上孔区侧壁处的封装层产生裂纹，影响封装效果。如图1所示，图1为一些技术中可拉伸显示基板在形成封装层后的剖面结构示意图，封装层02形成在显示基板上和硬质载板01的被显示基板的孔区的开孔03暴露的表面上，在将硬质载板01与显示基板剥离过程中，显示基板上开孔03侧壁的靠近柔性基底的区域(L指示的区域)的封装层02易发生裂纹，影响封装效果。即使在图1的结构中对封装层02进行图形化，也会因为开孔03的深度较深而导致光刻胶残留，从而导致封装层02移除不彻底，孔区03侧壁处的封装层02与硬质载板01上的封装层02不能彻底断开，取下工艺时对孔区03侧壁处的封装层02造成损坏。此外，也会在可拉伸显示基板拉伸时使得柔性基底超出拉伸限制而损坏。
本公开实施例提供一种显示基板，包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔。所述岛区或/和所述桥区包括与所述孔区相邻的边缘区。所述边缘区包括设置在基底上的复合结构层，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面。所述边缘区还包括设置在所述复合结构层上，并设置在所述台阶结构上的无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
本公开实施例的显示基板，在岛区或/和所述桥区的朝向孔区的边缘区形成有台阶结构，将边缘区的无机封装层形成在台阶结构上，并使无机封装层的边缘位于高度最低的第一台阶的朝向孔区的侧面上，且无机封装层暴露出第一台阶侧面的至少部分区域。如此，由于设计了台阶结构，无机封装层在制备过程中沉积在台阶处的厚度会较其他地方薄，在刻蚀工艺中无机封装层易被刻蚀干净，容易与硬质载板上的无机封装层彻底断开，从而减少取下工艺时硬质载板上的无机封装层对孔区侧壁处无机封装层的拉扯而造成的裂纹等损伤。
在一些示例性实施例中，本公开实施例的显示基板包括可拉伸区域，示例性地，如图2a所示，图2a示出了可拉伸区域的部分区域的结构，可看作是可拉伸区域的重复单元。所述可拉伸区域包括彼此隔开的多个岛区100、多个孔区300，以及连接相邻岛区100的桥区200，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔。每个岛区100的周围可以围绕多个孔区300，桥区200位于相邻的孔区300之间和相邻岛区100之间。在平行于显示基板的平面，每个岛区100的形状可以是矩形，多个岛区100可阵列排布，桥区200的形状可以是矩形、弧形、T形、L形、“工”字型等。本示例中，所述岛区100和所述桥区200均与所述孔区300相邻，则所述桥区200和所述岛区100均包括与所述孔区300相邻的边缘区，在其他示例中，桥区200与孔区300相邻，岛区100可不与孔区300相邻，只有所述桥区200包括与所述孔区300相邻的边缘区。其中，显示基板的基底可以为柔性基底，使显示基板的可拉伸区域能够拉伸，岛区100用于显示图像，孔区300用于在拉伸时提供变形空间，桥区200用于走线(使相邻岛区100之间信号连通)和传递拉力。每个岛区100可以包括多个像素单元，每个像素单元包括多个发不同颜色光的子像素，比如每个像素单元包括三个子像素，分别为第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以配置为分别发红色光、绿色光和蓝色光。通过调节每个像素单元的多个子像素的发光亮度，可使得相应像素单元基本能够显示所需的任意颜色。每个子像素包括一个发光器件，每个发光器件可为OLED器件，包括叠设的阳极、有机发光层和阴极，有机发光层在阳极和阴极之间的电压下发光。可拉伸区域在外力作用下拉伸时，形变主要发生在桥区200，岛区100的发光器件基本保持形状，不会受到破坏。
在一些示例性实施例中，如图2b所示，图2b示出了另一种可拉伸区域的部分区域的结构，可看作是可拉伸区域的重复单元。本示例中，岛区100的形状可以是八边形，每个岛区100的朝向孔区300的边缘区形成有凸棱70。所述第一台阶侧面可以包括相交的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面相交处形成朝向所述孔区300凸出的凸棱70。其中，所述第一平面和所述第二平面可以分别与八边形图形的两个边相对应。所述台阶结构中，其他台阶的朝向孔区300的侧面均可以设置由两个相交平面而形成的朝向孔区300凸出的凸棱。通过设置凸棱70结构，可以使得后续形成在边缘区的无机封装薄膜的厚度在凸棱70处变薄，有利于后续刻蚀工艺中将局部的无机封装薄膜完全刻蚀掉，使得边缘区的无机封装薄膜与硬质载板上的无机封装薄膜彻底断开。此外，凸棱结构的设计有利于缓冲岛区100形变带来的应力。
在一些示例性实施例中，如图3a所示，图3a为图2a中的A-A剖面结构示意图。本示例中，相邻两个岛区100之间形成有孔区300，岛区100包括发光区110和与孔区300相邻的边缘区120。发光区110可以包括多个像素单元，每个像素单元包括多个发不同颜色光的子像素，每个子像素包括一个发光器件，每个发光器件可为OLED器件，包括叠设的阳极20、有机发光层23和阴极24，有机发光层23在阳极20和阴极24之间的电压下发光。如图3所示，示例性地，发光区110包括设置在基底10上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的发光结构层和设置在所述多个发光器件的远离基底10一侧的封装结构层。发光结构层包括多个发光器件，每个发光器件可为OLED器件，包括叠设的阳极20、有机发光层23和阴极24。驱动结构层包括像素驱动电路，像素驱动电路包括多个薄膜晶体管和存储电容102，其中一个薄膜晶体管101的漏电极与发光器件的阳极20连接，以驱动发光器件发光。封装结构层可以为包括有机材料和无机材料的复合结构，比如可以包括依次叠设的第一无机封装层25、有机封装层26和第二无机封装层27。
在一些示例性实施例中，如图3a所示，边缘区120包括设置在基底10上的复合结构层，所述复合结构层的朝向所述孔区300的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区300的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶41包括所述基底10，所述第一台阶41的朝向所述孔区300的侧面为第一台阶侧面。所述边缘区120还包括设置在所述复合结构层上，并设置在所述台阶结构上的无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的靠近所述基底10的背离显示侧的侧面的区域。边缘区120的无机封装层的层数与发光区110的封装结构层中无机封装层的层数可以相同，本示例中，边缘区120的无机封装层包括叠设的第一无机封装层25和第二无机封装层27，第一无机封装层25和第二无机封装层27可以叠设在所述台阶结构上，第二无机封装层27的边缘可以包覆第一无机封装层25的边缘。本实施例中，位于第二无机封装层27的边缘之外的第一台阶侧面的靠近基底10的背离显示侧的侧面的区域未被第一无机封装层25或第二无机封装层27覆盖。本实施例的一个示例中，第二无机封装层27的边缘可位于所述第一台阶侧面中对应基底10的区域上，在形成第二无机封装层27过程中，第二无机封装层27在第一台阶侧面中对应基底10的区域上较易与硬质载板上被孔区300暴露的表面形成的第二无机封装层彻底断开，避免在将显示基板与硬质载板剥离过程中，硬质载板上的第二无机封装层对孔区300侧壁上的第二无机封装层27造成拉扯而产生裂纹。
在一些示例性实施例中，边缘区的所述复合结构层可以包括设置在所述基底上的无机复合绝缘层和设于所述无机复合绝缘层上的有机复合层，所述台阶结构包括形成在所述无机复合绝缘层上的至少一个台阶和形成在所述有机复合层上的至少一个台阶。本示例中所述台阶结构的台阶数目可以根据复合结构层和有机复合层的结构设计，比如，可以为三个、四个等。
本实施例的一个示例中，如图3a所示，所述无机复合绝缘层包括依次叠设在所述基底10上的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17；所述有机复合层包括依次叠设在所述第四绝缘层17上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。本实施例的一个示例中，所述第一有机绝缘层与岛区100的平坦层19同层且同材料，所述第二有机绝缘层与所述岛区100的像素界定层21同层且同材料。
示例性地，如图3a所示，所述台阶结构可以包括由所述第一绝缘层11和所述基底10形成的所述第一台阶41，由所述第二绝缘层13、所述第三绝缘层15和所述第四绝缘层17形成的第二台阶42，由所述第一有机绝缘层形成的第三台阶43，以及由所述第二有机绝缘层形成的第四台阶44。或者，如图3b所示，所述台阶结构包括由所述基底10和所述无机复合绝缘层形成的所述第一台阶51，由所述第一有机绝缘层形成的第二台阶52，以及由所述第二有机绝缘层形成的第三台阶53，所述第二有机绝缘层与所述岛区100的像素界定层21同层且同材料。本示例中，在边缘区设计台阶结构，无机封装层设置在台阶结构上，不会对显示基板的封装性能产生影响，还可以保持适度的弹性，在取下工艺和后继拉伸时，在达到所需拉伸量后，无机膜层之间产生了相应的结构强化，从而既可以提高拉伸性能，同时保留了抵抗拉伸破坏的能力。
在一些示例性实施例中，岛区的边缘区可以包括信号引线，信号引线可以连接发光区的信号线和桥区的信号连接线，通过桥区的信号连接线使相邻岛区之间信号连通。示例性地，在第一方向上，如图3a所示，岛区100的边缘区120的信号引线可以包括数据引线18C、电源线等。在第二方向上，岛区的边缘区的信号引线可以包括栅引线等。
在一些示例性实施例中，如图3c所示，图3c为图2a中B-B处的剖面结构示意图，桥区200包括与孔区300相邻的边缘区201，边缘区201包括依次叠设在基底10上的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层17、第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。所述台阶结构包括由所述第一绝缘层11和基底10形成的所述第一台阶41，由所述第二绝缘层13、所述第三绝缘层15和所述第四绝缘层17形成的第二台阶42，由所述第一有机绝缘层形成的第三台阶43，以及由所述第二有机绝缘层形成的第四台阶44。所述第一有机绝缘层与所述岛区100的平坦层19同层且同材料，所述第二有机绝缘层与所述岛区100的像素界定层21同层且同材料。边缘区201还包括设置在所述台阶结构上的第一无机封装层25和第二无机封装层27，第二无机封装层27的边缘位于所述第一台阶侧面上，且第二无机封装层27暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。桥区200的位于边缘区201的远离孔区300的区域包括信号连接线，所述信号连接线包括设于所述第四绝缘层17上的数据连接线18D，数据连接线18D通过岛区100的边缘区120的数据引线18C与岛区100的数据线连接。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
在一些示例性实施例中，图3a的显示基板的制备过程可以包括如下步骤：
(1)在硬质载板1上制备柔性基底10。
柔性基底10可以包括一层柔性层或者多层柔性层，以一层柔性层结构为例，柔性基底10包括叠设的柔性层和阻挡层(Barrier)。柔性层的的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等。阻挡层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力。
所述柔性基底10的制备过程可以包括：先在载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成柔性层；随后在柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖柔性层的阻挡(Barrier1)层，完成柔性基底10的制备，如图4所示。本次工艺后，岛区100、桥区200和孔区300均包括柔性基底10。
(2)在柔性基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案形成在岛区100的发光区110，至少包括有源层12，如图5所示。本次构图工艺后，岛区100的边缘区120、桥区200和孔区300包括设置在柔性基底10上的第一绝缘层11。在其他示例中，在沉积有源层薄膜之前，可以在第一绝缘薄膜上形成遮挡层，遮挡层形成在岛区100的发光区110的对应于后续有源层图案的位置，然后沉积有源层薄膜并进行构图形成有源层图案。遮挡层可以起到遮光作用，防止光线对有源层12造成影响。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案包括形成在岛区100的发光区110的栅电极14A、第一电容电极14B和栅线(图未示)，以及形成在桥区200的栅连接线(图未示)，如图5所示。本次构图工艺后，岛区100的边缘区120、桥区200的边缘区，以及孔区300包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案包括形成在岛区100的发光区110的第二电容电极16，第二电容电极16的位置与第一电容电极14B的位置相对应，如图5所示。本次构图工艺后，岛区100的边缘区120、桥区200和孔区300包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层17图案，如图6所示，位于岛区100的发光区110的第四绝缘层17上开设有两个过孔，分别为V1和V2，该两个过孔内的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12的表面。第四绝缘层17的与孔区300对应的部分形成有贯穿第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13的第一开口61，第一开口61内的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出第一绝缘层11的表面。
随后，在第一绝缘层11的被第一开口61暴露的部分上形成第二开口62，第二开口62贯穿基底10。其中，第一开口61在基底10上的正投影包含第二开口62在基底10上的正投影。如此，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区内，基底10和第一绝缘层11的凸出于第一开口61侧壁的部分形成所述台阶结构的第一台阶41，如图6所示。本实施例的一些示例中，可以在形成第二开口62的同时，使岛区100的边缘区120内的基底10和第一绝缘层11的朝向第二开口62的侧面(即第一台阶侧面)上形成凸棱70(图2b示出)。本次工艺后，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17，所述边缘区内形成有第一台阶41，孔区300的基底10及其上的膜层被去除。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层17上形成第三金属层图案，第三金属层图案包括位于岛区100的发光区110的源电极18A、漏电极18B和数据线(图未示)，以及位于岛区100的边缘区120的数据引线18C，以及桥区200的数据连接线，源电极18A和漏电极18B分别通过贯穿第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13的过孔V1和过孔V2与有源层12连接，如图7所示。
至此，在柔性基底10上制备完成岛区100的发光区110的驱动结构层、岛区100的边缘区120的信号引线和桥区200的走线。岛区100的驱动结构层中，有源层12、栅电极14A、源电极18A和漏电极18B组成薄膜晶体管101，该薄膜晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，该驱动晶体管的漏电极18B与发光器件中的阳极连接。第一电容电极14B和第二电容电极16组成存储电容102。岛区100的边缘区120和桥区200的边缘区包括设置在柔性基底10上的无机复合绝缘层，无机复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17。桥区200包括设置在第二绝缘层13上的栅连接线，以及设置在无机复合绝缘层上的数据连接线，栅连接线连接相邻岛区100中的栅线，数据连接线可以连接相邻岛区100中的数据线，用于相邻岛区100之间的信号连通。
在示例性实施方式中，第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜和第四绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层11称之为缓冲(Buffer)层，用于提高柔性基底10的抗水氧能力，第二绝缘层13和第三绝缘层15称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层17称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(3)在形成前述图案的柔性基底10上形成平坦层19，以及发光结构层。在一些示例性实施例中，本步骤的制备过程可以包括：
在形成前述图案的柔性基底10上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺形成平坦(PLN)层19。岛区100的平坦层19上形成过孔V3，该过孔V3内的平坦层19被显影掉，暴露出薄膜晶体管101的漏电极18B的表面，平坦层19的与孔区300对应的区域形成第三开口63，第三开口63内的平坦层19被显影掉，第三开口63在基底10上的正投影包含第一开口61在基底10上的正投影。如此，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区内，形成第一开口61的第四绝缘层17、第三绝缘层15和第二绝缘层13的凸出于第三开口63侧壁的部分形成所述台阶结构的第二台阶42，如图8所示。本次构图工艺后，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区包括设置在第四绝缘层17上的平坦层19，平坦层19即第一有机绝缘层。
在形成前述图案的柔性基底10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极20图案，阳极20形成在岛区100的发光区110的平坦层19上，并通过平坦层19上的过孔V3与薄膜晶体管101的漏电极18B连接。在示例性实施方式中，透明导电薄膜的材料可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
在形成前述图案的柔性基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素界定(PDL)层21图案。岛区100的像素界定层21上设有像素开口，像素开口内的像素界定层21被显影掉，暴露出阳极20的表面。像素界定层21对应于孔区300的区域形成有第四开口64，第四开口64内的像素界定层21被显影掉。第四开口64在基底10上的正投影包含第三开口63在基底10上的正投影。如此，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区内，形成第三开口63的平坦层19凸出于第四开口64侧壁的部分形成所述台阶结构的第三台阶43，边缘区形成第四开口64的像素界定层21形成所述台阶结构的第四台阶44，如图9所示。本次构图工艺后，岛区100的与孔区300相邻边缘区120或/和桥区200的与孔区300相邻的边缘区包括叠设在第四绝缘层17上的平坦层19和像素界定层21，平坦层19即第一有机绝缘层，像素界定层21即第二有机绝缘层。
在形成前述图案的柔性基底10上涂覆隔垫柱薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在岛区100的发光区110的像素界定层21上形成隔垫柱22，如图9所示。隔垫柱22可以起到支撑作用，在后续蒸镀有机发光层过程中可支撑掩膜版。
在形成前述图案的柔性基底10上依次形成有机发光层23和阴极24，如图10所示。有机发光层23和阴极24均形成在岛区100，有机发光层23形成在像素界定层21的像素开口内并与阳极20连接，阴极24形成在有机发光层23上和像素界定层21上。有机发光层23和阴极24可均采用蒸镀工艺制备形成。阴极23的材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
(4)在形成前述图案的柔性基底10上形成封装层，在一些示例性实施例中，本步骤的制备过程可以包括：
在形成前述图案的柔性基底10上形成第一无机封装层25，第一无机封装层25可形成在岛区100和桥区200。第一无机封装层25可形成在岛区100的边缘区120或/和桥区200的边缘区的台阶结构上，如图11所示。第一无机封装层25可以采用化学气相沉积(CVD)方式制作。
在岛区100的发光区110的第一无机封装层25上形成有机封装层26，如图11所示。有机封装层26可采用喷墨打印法制作。
第二无机封装层27的制备可以包括：
先在形成有有机封装层26的柔性基底10上形成第二无机封装薄膜271，第二无机封装薄膜271形成在岛区100、桥区200，以及硬质载板1的被孔区300暴露的表面上，第二无机封装薄膜271形成在所述边缘区的台阶结构上，如图11所示。第二无机封装薄膜271可以采用化学气相沉积(CVD)方式制作。
然后，将所述硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面的全部区域的第二无机封装薄膜271去除(包括将所述第一台阶侧面与所述硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜271去除)，使所述边缘区的无机封装薄膜271与硬质载板1上的无机封装薄膜271断开；从而，显示基板上剩余的第二无机封装薄膜271为第二无机封装层27，如图12a所示；
或者，将所述硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面的靠近所述第一台阶侧面的周边区域(即硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面的周向边缘区域)的第二无机封装薄膜271去除(包括将所述第一台阶侧面与所述硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜271去除)，使所述边缘区的无机封装薄膜271与硬质载板1上的无机封装薄膜271断开；从而显示基板上的第二无机封装薄膜271即为第二无机封装层27，如图12b所示；
或者，将所述第一台阶侧面上靠近相交位置(所述相交位置是指所述第一台阶侧面与所述硬质载板1的被所述孔区300暴露的表面的相交位置)的所述无机封装薄膜271去除，使所述边缘区的无机封装薄膜271与硬质载板1上的无机封装薄膜271断开。断开后，硬质载板1的被孔区300暴露的表面的周向边缘区域的无机封装薄膜271可能在厚度方向上被部分去除，可能仍然与第一台阶侧面相连，如图12c所示，此部分第二无机封装薄膜271可在后续的硬质载板1与显示基板的剥离工艺中随硬质载板1从第一台阶侧面上剥离，剥离后留在显示基板上的第二无机封装薄膜271即为第二无机封装层27，最终的第二无机封装层27的结构可以如图3a所示。其中，图12a、图12b和图12c所示的去除部分无机封装薄膜271，使边缘区的无机封装薄膜271与硬质载板1上的无机封装薄膜271断开的方法，最终形成的第二无机封装层27的结构可以均如图3a所示。
上述形成第二无机封装层27后，将硬质载板1与显示基板剥离，即可得到本公开实施例的显示基板，显示基板的结构可以如图3a所示。
上述三种形成第二无机封装层27的方法中，对第一台阶侧面上部分第二无机封装薄膜271的去除可采用刻蚀工艺进行，由于刻蚀过程中刻蚀条件可能存在的不稳定因素，刻蚀工艺完成后，在第一台阶侧面和硬质载板1的被孔区300暴露的表面上的第二无机封装薄膜271在不同位置可能同时存在图12b和图12c所示的刻蚀结构。在将硬质载板1与显示基板剥离后，最终形成在显示基板上的第二无机封装层27可以均是此种结构：第二无机封装层27的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述第二无机封装层27暴露出所述第一台阶侧面的靠近所述基底的背离显示侧的侧面的区域，如图3a所示。
前文图12a、图12b和图12c所示的形成第二无机封装层27的方法中，形成第二无机封装薄膜271之前，第一台阶侧面以及硬质载板1的被孔区300暴露的表面均无第一无机封装层25覆盖。在其他示例中，在形成第二无机封装薄膜271之前，可在岛区100、桥区200、所述边缘区的所述台阶结构上，以及硬质载板1的被孔区300暴露的表面上形成第一无机封装薄膜，这样，后续形成第二无机封装薄膜271后，在第一台阶侧面以及硬质载板1的被孔区300暴露的表面，第二无机封装薄膜271形成在第一无机封装薄膜上，可在对第二无机封装薄膜271进行刻蚀工艺中，同时去除第一台阶侧面以及硬质载板1的被孔区300暴露的表面上相应位置的第二无机封装薄膜271和第一无机封装薄膜，刻蚀后或者在硬质载板1与显示基板剥离后，在显示基板上同时形成第一无机封装层25和第二无机封装层25。
本公开实施例的显示基板的制备方法，在岛区100或/和桥区200的朝向孔区300的边缘区形成有台阶结构，将无机封装薄膜形成在台阶结构上和硬质载板1的被孔区300暴露的表面上，并将第一台阶侧面(台阶结构中高度最低的第一台阶的朝向孔区300的侧面)与硬质载板1的被孔区300暴露的表面的相交位置处的无机封装薄膜去除，或者将第一台阶侧面上靠近所述相交位置的无机封装薄膜去除，使边缘区的无机封装薄膜与硬质载板1上的无机封装薄膜断开，此后将硬质载板与所述基底剥离分开。如此，由于设计了台阶结构，台阶处的无机封装薄膜的厚度会较其他地方薄，在采用刻蚀工艺去除无机封装薄膜时，无机封装薄膜易被刻蚀干净，容易与硬质载板1上的无机封装薄膜彻底断开，从而可减少后续取下工艺时硬质载板1上的无机封装薄膜对孔区300侧壁处无机封装薄膜的拉扯而造成的裂纹等损伤。此外，将边缘区的无机封装薄膜与硬质载板上的无机封装薄膜在靠近基底背侧(基底的背离显示侧的侧面)的第一台阶侧面上断开，使得最终边缘区无机封装层的边缘靠近基底背侧，这样，一方面如前所述第一台阶侧面处无机封装薄膜的厚度较薄，刻蚀过程中无机封装薄膜容易刻蚀干净，有利于无机封装薄膜的彻底断开，另一方面，可保证边缘区无机封装层的封装长度，保证封装性能。
基于前文内容，本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔，所述制备方法包括：
在硬质载板上形成所述显示基板的基底；
在所述岛区或/和所述桥区的与所述孔区相邻的边缘区的基底上形成复合结构层；其中，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面；
在所述边缘区和所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面形成无机封装薄膜，所述无机封装薄膜设置在所述复合结构层上并设置在所述台阶结构上；
将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，或者，将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除，使所述边缘区的所述无机封装薄膜与所述硬质载板上的所述无机封装薄膜断开；其中，所述相交位置是指所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的相交位置；
将所述硬质载板与所述基底相剥离，得到所述显示基板，其中，所述显示基板的所述边缘区的所述无机封装薄膜为无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
在一些示例中，所述将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，包括：将所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域或者全部区域的所述无机封装薄膜去除。
在一些示例中，所述将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除的同时，所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域的所述无机封装薄膜在厚度方向上被部分去除。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔，其特征在于：
所述岛区或/和所述桥区包括与所述孔区相邻的边缘区；
所述边缘区包括设置在基底上的复合结构层，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面；
所述第一台阶侧面包括相交的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面相交处形成朝向所述孔区凸出的凸棱；
所述边缘区还包括设置在所述复合结构层上，并设置在所述台阶结构上的无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面中对应所述基底的区域上。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述复合结构层包括设置在所述基底上的无机复合绝缘层和设于所述无机复合绝缘层上的有机复合层，所述台阶结构包括形成在所述无机复合绝缘层上的至少一个台阶和形成在所述有机复合层上的至少一个台阶。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于：所述无机复合绝缘层包括依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；所述有机复合层包括依次叠设在所述第四绝缘层上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于：所述台阶结构包括由所述第一绝缘层和所述基底形成的所述第一台阶，由所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层形成的第二台阶，由所述第一有机绝缘层形成的第三台阶，以及由所述第二有机绝缘层形成的第四台阶；
或者，所述台阶结构包括由所述基底和所述无机复合绝缘层形成的所述第一台阶，由所述第一有机绝缘层形成的第二台阶，以及由所述第二有机绝缘层形成的第三台阶。
6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于：所述第一有机绝缘层与所述岛区的平坦层同层且同材料，所述第二有机绝缘层与所述岛区的像素界定层同层且同材料。
7.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括彼此隔开的多个岛区、多个孔区，以及连接相邻岛区的桥区，所述孔区包括一个或多个贯穿所述显示基板的开孔，其特征在于，所述制备方法包括：
在硬质载板上形成所述显示基板的基底；
在所述岛区或/和所述桥区的与所述孔区相邻的边缘区的基底上形成复合结构层；其中，所述复合结构层的朝向所述孔区的侧面形成有台阶结构，所述台阶结构中台阶的高度在沿朝向所述孔区的方向逐渐减小，所述台阶结构中高度最低的第一台阶包括所述基底，所述第一台阶的朝向所述孔区的侧面为第一台阶侧面；所述第一台阶侧面包括相交的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面相交处形成朝向所述孔区凸出的凸棱；
在所述边缘区和所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面形成无机封装薄膜，所述无机封装薄膜设置在所述复合结构层上并设置在所述台阶结构上；
将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，或者，将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除，使所述边缘区的所述无机封装薄膜与所述硬质载板上的所述无机封装薄膜断开；其中，所述相交位置是指所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的相交位置；
将所述硬质载板与所述基底相剥离，得到所述显示基板，其中，所述显示基板的所述边缘区的所述无机封装薄膜为无机封装层，所述无机封装层的边缘位于所述第一台阶侧面上，且所述无机封装层暴露出所述第一台阶侧面的至少部分区域。
9.如权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述将所述第一台阶侧面与所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面相交位置处的所述无机封装薄膜去除，包括：将所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域或者全部区域的所述无机封装薄膜去除。
10.如权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述将所述第一台阶侧面上靠近相交位置的所述无机封装薄膜去除的同时，所述硬质载板的被所述孔区暴露的表面的周向边缘区域的所述无机封装薄膜在厚度方向上被部分去除。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112490272B (zh) * 2020-11-27 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN112863339B (zh) * 2021-01-12 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可拉伸显示面板及显示装置
KR20240004207A (ko) * 2021-04-30 2024-01-11 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 신축 가능한 디스플레이 기판 및 이의 제조 방법, 디스플레이 장치
CN115411067A (zh) * 2021-05-27 2022-11-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113838872B (zh) * 2021-09-26 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR20230101112A (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115152031B (zh) * 2022-05-30 2023-09-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2024087199A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102175991B1 (ko) * 2014-12-26 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102653000B1 (ko) * 2016-03-04 2024-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101973163B1 (ko) * 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180021306A (ko) * 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN107808896B (zh) * 2017-10-27 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
WO2020181415A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible display panel and flexible display apparatus
US11563195B2 (en) * 2019-04-10 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Stretchable display panel having encapsulated islands with light emitting elements on stretchable base substrate, stretchable display apparatus, and methods of fabricating stretchable display panel having the same
CN110970483A (zh) * 2019-12-20 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示基板及其制造方法
CN111554714B (zh) * 2020-05-13 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111584589B (zh) * 2020-05-20 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其补偿方法
CN111564482B (zh) * 2020-05-21 2023-06-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN111554831B (zh) * 2020-06-15 2023-01-13 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、显示装置
CN111755627B (zh) * 2020-07-08 2023-03-21 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN112490272B (zh) * 2020-11-27 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

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