CN111554714B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括基底，所述基底上设置有彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述连接桥区上形成有第一围坝、沟槽以及覆盖所述沟槽的封装层，所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧，所述第一围坝用于阻止固化前的封装层材料进入所述孔区，所述沟槽用于引导所述固化前的封装层材料沿着所述第一围坝的延伸方向流动，以防止所述固化前的封装层材料溢出所述第一围坝；以解决显示装置封装失效等问题。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低功耗、宽色域、轻薄化、可异形化等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示和透明显示中。透明显示是显示技术的一个重要分支，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可实现虚拟现实/增强现实(VirtualReality/AugmentedReality，VR/AR)和3D显示功能。

目前，柔性OLED显示装置通常采用岛桥结构。岛桥结构是将发光单元设置在像素岛区，像素岛区间连接线设置在连接桥区，施加外力拉伸时，形变主要发生在连接桥区，像素岛区的发光单元基本保持形状，可以保证像素岛区的发光单元不会受到破坏。同时，为了增加柔性显示装置的可变形量，还开设有一系列微孔，形成孔区。孔区可以为屏下光探头、屏下摄像等器件留出光线通道。孔区还可以提高显示屏的柔性，实现可拉伸显示屏，以达到3D曲面贴附、动态小角度弯折等效果。因而柔性OLED显示装置是由发光单元所在的像素岛区、岛间连接线所在的连接桥区以及贯通柔性基底的孔区组成。

对于带有微孔结构的柔性OLED显示装置，孔区会破坏OLED器件的封装，必须对OLED器件进行侧封装，以隔绝水氧入侵通道。然而，在一些技术中，在对OLED器件进行侧封装工艺时，封装材料在固化前会发生溢流导致的封装失效。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决显示装置封装失效等问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，包括基底，所述基底上设置有彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述连接桥区上形成有第一围坝、沟槽以及覆盖所述沟槽的封装层，所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧，所述第一围坝用于阻止固化前的封装层材料进入所述孔区，所述沟槽用于引导所述固化前的封装层材料沿着所述第一围坝的延伸方向流动，以防止所述固化前的封装层材料溢出所述第一围坝。

可选地，所述沟槽呈直线形，所述沟槽的两端分别与相邻像素岛区连通。

可选地，所述封装层包括叠加设置的至少一层无机层和至少一层有机层，所述无机层将所述有机层的边缘包裹。

可选地，所述连接桥区包括形成于所述基底上的阳极层，所述阳极层上形成所述沟槽。

可选地，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层以及形成所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成所述沟槽。

可选地，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层、形成所述平坦层上的像素定义层以及形成于所述像素定义层上的支撑柱层，所述支撑柱层形成所述沟槽。

可选地，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层，所述平坦层形成所述沟槽。

可选地，所述封装层上设置有将所述像素岛区和所述连接桥区覆盖的保护层，所述保护层用于阻止水汽入侵。

可选地，所述封装层覆盖所述像素岛区。

可选地，所述像素岛区上形成有第二围坝，所述第二围坝位于所述像素岛区靠近所述孔区的一侧，所述第二围坝用于阻止所述固化前封装层材料进入所述孔区。

可选地，所述像素岛区包括形成于所述基底上的阻挡层、形成于所述阻挡层上的驱动电路层以及形成于所述驱动电路层上的发光结构层。

可选地，所述驱动电路层包括形成于所述阻挡层上的有源层、形成于所述有源层上的第一栅极介质层、形成于所述第一栅极介质层上的第一栅极、形成于所述第一栅极上的第二栅极介质层、形成于所述第二栅极介质层上的层间介质层以及形成于所述层间介质层上的源漏极，所述层间介质层上设置有与所述有源层连通的过孔，所述源漏极通过所述过孔与所述有源层连接。

可选地，所述发光结构层包括形成于所述源漏极上的平坦层、形成于所述平坦层上的阳极层、形成于所述阳极层上的像素定义层以及形成所述像素定义层上的电致发光材料层，所述平坦层上开设有将所述源漏极暴露的第一开孔，所述阳极层通过所述第一开孔与所述源漏极连接，所述像素定义层上开设有将所述阳极层暴露的第二开孔，所述电致发光材料层通过所述第二开孔与所述阳极层连接。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；

在所述连接桥区上形成第一围坝以及沟槽，使所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，使所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧；

在连接桥区上形成覆盖所述沟槽的封装层。

本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在连接桥区上形成沟槽，沟槽具有毛细效应的表面特性，能够使固化前的封装材料向平行沟槽的方向流动，实现对固化前的封装材料进行导流，防止固化前的封装层材料溢出第一围坝，固化前的封装材料向孔区扩散，防止封装材料的溢流导致的封装失效，从而保证封装效果的有效性和可靠性。

本发明实施例的显示基板的制备方法，利用现有的工序，无额外投入，利用显示基板的现有膜层结构，即可在连接桥区上形成沟槽，实现对固化前的封装材料进行导流，工艺简单，改造成体低，容易实现。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明实施例显示基板的结构示意图一；

图2为本发明实施例显示基板的结构示意图二；

图3为图1中I-I’截面的示意图；

图4为图1中II-II’截面截面的示意图一；

图5为图1中II-II’截面截面的示意图二；

图6为图1中II-II’截面截面的示意图三。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

经本申请发明人研究发现，带有微孔结构的柔性OLED显示装置需要在像素岛区和连接桥区上形成封装层，封装层包括叠加设置的无机层和有机层，有机层采用喷墨打印(IJP)后固化工艺制成，在有机层的制备过程中，先在像素岛区和连接桥区上沉积固化前的有机材料油墨，固化前的有机材料油墨会朝着孔区方向扩散，并在连接桥区的围坝处溢流，进入孔区，导致封装失效。

为了解决带有微孔结构的柔性OLED显示装置存在封装失效等问题，本发明实施例提供了一种显示基板。本发明实施例显示基板的主体结构包括基底，所述基底上设置有彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述连接桥区上形成有第一围坝、沟槽以及覆盖所述沟槽的封装层，所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧，所述第一围坝用于阻止固化前的封装层材料进入所述孔区，所述沟槽用于引导所述固化前的封装层材料沿着所述第一围坝的延伸方向流动，以防止所述固化前的封装层材料溢出所述第一围坝。

图1为本发明实施例显示基板的结构示意图一；图2为本发明实施例显示基板的结构示意图二。如图1和图2所示，显示基板的平面结构包括呈阵列分布且彼此隔开的多个像素岛区1，位于相邻像素岛区1之间的孔区3，以及使相邻像素岛区1彼此连接的连接桥区2。像素岛区1用于图像显示。孔区3可以为屏下光探头、屏下摄像等器件留出光线通道，还可以用于在拉伸时提供变形空间，提高显示屏的柔性，实现可拉伸显示屏。连接桥区2用于走线和传递拉力。其中，每个像素岛区1包括显示区和非显示区，显示区可以包括一个或多个像素单元，每个像素单元包括3个(如红绿蓝，即R、G、B)或4个(如红绿蓝白)出射不同颜色光的发光单元。在平行于基底的平面，每个像素岛区1可以是六边形、矩形或正方形。每个像素岛区外围的孔区3由穿透基底的多个微槽或微孔组成。连接桥区2位于像素岛区1和孔区3之间，或者位于相邻的孔区3之间，与相邻的像素岛区1连接。连接桥区2的宽度为10μm～500μm，本实施例实施例不做限制。

在连接桥区2和像素岛区1上形成有封装层，封装层用于隔绝水氧入侵。连接桥区2上形成有第一围坝4，第一围坝4位于连接桥区2靠近孔区3的一侧，用于阻止固化前的封装层材料进入孔区3。连接桥区2上位于第一围坝4远离孔区3的一侧形成有沟槽5，沟槽5用于引导固化前的封装层材料沿着第一围坝4的延伸方向流动，以防止固化前的封装层材料溢出第一围坝4。

本发明实施例通过在连接桥区2上形成沟槽5，沟槽5具有毛细效应的表面特性，能够使固化前的封装材料向平行沟槽5的方向流动，实现对固化前的封装材料进行导流，防止固化前的封装层材料溢出第一围坝4，减少固化前的封装材料向孔区3扩散，防止封装材料的溢流导致的封装失效，从而保证封装效果的有效性和可靠性。

如图1所示，像素岛区1上形成有第二围坝160，第二围坝160位于像素岛区1靠近孔区3的一侧，用于阻止固化前的封装层材料进入孔区3。第二围坝160与连接桥区2上的第一围坝4连接，形成围绕孔区3四周的连续坝体。第二围坝160与第一围坝4形成的连续坝体用于阻止像素岛区1和连接桥区2上的固化前的封装层材料进入孔区3。

在垂直于基底的平面，每个发光单元包括在基底上叠设的驱动结构层和发光结构层，驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组成的像素驱动电路，发光结构层主要包括阳极层、有机发光层和阴极层。每个连接桥区主要包括连接线和覆盖连接线的结构层，连接线用于实现相邻像素岛区之间的信号连通，结构层用于传递拉力，相邻像素岛区之间的信号连通是指一个像素岛区中的发光单元与相邻的另一个像素岛区中的发光单元之间的信号连通。例如，连接线可以连接相邻像素岛区中的栅线，也可以连接相邻像素岛区中的数据线。每个孔区包括多个微槽或微孔，每个微槽或微孔中的结构膜层和基底被去掉，用于在拉伸时提供变形空间，实现本发明实施例具有一定拉伸性的显示结构。

如图1和图2所示，沟槽5呈直线形，沟槽5的两端分别与相邻像素岛区连通。沟槽5的延伸方向与第一围坝的延伸方向相同，使沟槽5能够引导固化前的封装层材料沿着第一围坝的延伸方向流动，从而防止固化前的封装层材料向孔区3方向扩散，溢出第一围坝4。

在一些实施例中，沟槽也可以采用其他规则形状或不规则形状，只要能够引导固化前的封装层材料沿着第一围坝的延伸方向流动即可。本实施例在此不再赘述。

实施例中，封装层包括叠加设置的至少一层无机层和至少一层有机层，无机层将有机层的边缘包裹，以充分发挥无机层的阻水性能。有机层采用喷墨打印(IJP)后固化工艺制成。比如，封装层包括叠加设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，有机封装层采用喷墨打印(IJP)后固化工艺制成，有机封装层设置于第一无机封装层和第二无机封装层之间，且有机封装层的边缘被第一无机封装层和第二无机封装层包裹。

下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

图3为图1中I-I’截面的示意图。如图3所示，显示基板中像素岛区的制备过程包括：

(1)在玻璃载板上形成基底100。基底100为柔性衬底，基底100可以采用双层结构，包括叠加设置的第一柔性基板层1001和第二柔性基板层1004。基底100的制备过程包括：在玻璃载板上涂布柔性材料，固化成膜，形成第一柔性基板层1001，在第一柔性基板层1001之上沉积一层缓冲薄膜，形成第一缓冲层1002图案，在第一缓冲层1002上涂布一层缓冲薄膜，形成第二缓冲层1003图案，在第二缓冲层1003上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第二柔性基板层1004。其中，第一缓冲层1002的材质为金属材质，第二缓冲层1003的材质为无机物，第一缓冲层1002与第二缓冲层1003的叠加相对位置可互换。第一缓冲层1002用以形成底部光线遮挡层并在器件外围形成光刻图形化的第一层对位标记。第二缓冲层1003用于吸收后续激光剥离时的能量。第一缓冲层1002与第二缓冲层1003均在孔区刻蚀去除。实施例中，第一柔性基板层1001和第二柔性基板层1004的柔性材料可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。

(2)在上述基底100上制备驱动电路层以及发光结构层。具体地，驱动电路层的制备过程包括：

先在基底100上沉积一层阻挡薄膜，形成阻挡(Barrier)层101图案。阻挡薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。本实施例中，阻挡层101用于提高基底100的抗水氧能力。

随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在像素岛区形成设置在阻挡层101上的有源层110图案。

随后在有源层110上依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜和第一金属薄膜进行构图，使第一绝缘薄膜在像素岛区形成覆盖有源层110的第一栅极介质层111，使第一金属薄膜在像素岛区形成设置在第一栅极介质层111上的第一栅极112以及第二栅极112’。

随后在第一栅极112以及第二栅极112’上依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜和第二金属薄膜进行构图，使第二绝缘薄膜在像素岛区形成覆盖第一栅极112和第二栅极112’的第二栅极介质层113，使第二金属薄膜在像素岛区形成设置在第二栅极介质层113上的电容电极114，电容电极114的位置与第二栅电极112’的位置相对应，电容电极114与第二栅电极112’构成电容。

随后在第二栅极介质层113和电容电极114上沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，使第三绝缘薄膜在像素岛区形成开设有两个第一过孔的层间介质层115，两个第一过孔分别与有源层110连通。

随后在层间介质层115上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，使第三金属薄膜在像素岛区形成源漏极，即源极121和漏极122，源极121和漏极122分别通过两个第一过孔与有源层110连接。

至此，在基底100上制备完成驱动电路层。

发光结构层的制备过程包括：

在形成前述图案的基底100上，在源漏极上涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺，使第四绝缘薄膜在像素岛区形成覆盖源极121和漏极122的平坦层131，平坦层131开设有将漏极122暴露的第一开孔。

随后在平坦层131上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，使透明导电薄膜在像素岛区形成阳极层132，阳极层132通过第一开孔与漏极122连接。其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。

随后在阳极层132上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层133(PixelDefineLayer)图案，像素定义层133上开设有将阳极层132暴露的第二开孔。其中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

随后在像素定义层133上形成支撑柱层134，支撑柱层134位于像素定义层133第二开孔的外围区域。支撑柱层134用于在蒸镀形成电致发光材料层140时支撑掩膜版，掩膜版可以采用半色调掩膜版，通过半色调掩膜版一步制备形成电致发光材料层140。

随后在像素定义层133上蒸镀形成电致发光材料层140，电致发光材料层140通过第二开孔与阳极层132连接。电致发光材料层140包括叠加设置的有机发光层141(RGB发光材料)、共用有机各层142、阴极及光学调整层143。其中，阴极可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。

至此，在基底100上制备完成发光结构层。

(3)在形成前述图案的基底100上，形成覆盖发光结构层的封装层150。该封装层150覆盖像素岛区和连接桥区。封装层150包括依次叠加设置的第一无机封装层151、有机封装层152和第二无机封装层153。有机封装层152采用喷墨打印(IJP)后固化工艺制成，有机封装层152设置于第一无机封装层151和第二无机封装层153之间，且有机封装层152的边缘被第一无机封装层151和第二无机封装层153包裹。

(4)完成上述各膜层后，在孔区进行光刻掩膜，并采用干法刻蚀开孔，去除孔区的第一无机封装层151、第二无机封装层153和光学调整层143；随后将孔区上剩下的有机膜层，采用氧化灰化的方式去除，同时灰化表面的光刻胶。

(5)在形成前述图案的基底100上，在像素岛区和连接桥区的封装层150上沉积透明无机阻水膜，使无机阻水膜形成保护层170，保护层170用于阻止水汽入侵。

如图3所示，像素岛区上形成有第二围坝160，第二围坝160位于像素岛区靠近孔区的一侧，第二围坝160用于阻止固化前封装层中有机材料进入孔区，使无机层相接。第二围坝160包括三层结构，由像素岛区中的平坦层131、像素定义层133和支撑柱层134叠加形成。

图4为图1中II-II’截面截面的示意图一。如图4所示，本实施例显示基板的连接桥区包括形成于基底的阻挡层、形成于阻挡层上的第一栅极介质层、形成于第一栅极介质层的第三栅极、形成于第三栅极上的第二栅极介质层、形成于第二栅极介质层上的层间介质层、形成于层间介质层上的源漏极、形成于源漏极上的平坦层、形成于平坦层上的阳极层132’、形成于阳极层上的像素定义层以及形成像素定义层上的电致发光材料层，电致发光材料层上设置有覆盖连接桥区的封装层150，封装层150上设置有保护层。连接桥区中阳极层132’形成沟槽5，从而使阳极层132’上的各膜层依次形成凹槽。连接桥区中阳极层132’与像素岛区中的阳极层断开。其中，连接桥区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层与像素岛区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层采用相同的材质，并通过同一制备工艺制备形成。

图5为图1中II-II’截面截面的示意图二。在一些实施例中，如图5所示，本实施例显示基板的主体结构与前述实施例基本相同，与前述实施例不同的是，本实施例显示基板的连接桥区包括形成于基底的阻挡层、形成于阻挡层上的第一栅极介质层、形成于第一栅极介质层的第三栅极、形成于第三栅极上的第二栅极介质层、形成于第二栅极介质层上的层间介质层、形成于层间介质层上的源漏极、形成于源漏极上的平坦层、形成于平坦层上的阳极层132’、形成于阳极层上的像素定义层以及形成像素定义层上的电致发光材料层，电致发光材料层上设置有覆盖连接桥区的封装层150，封装层150上设置有保护层。连接桥区中像素定义层133’形成沟槽5，从而使像素定义层133’上的各膜层依次形成凹槽。其中，连接桥区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层与像素岛区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层采用相同的材质，并通过同一制备工艺制备形成。

在一些实施例中，本实施例显示基板的主体结构与前述实施例基本相同，与前述实施例不同的，连接桥区还包括括形成于像素定义层上的支撑柱层。连接桥区的支撑柱层形成沟槽5。

图6为图1中II-II’截面截面的示意图三。在一些实施例中，如图6所示，本实施例显示基板的主体结构与前述实施例基本相同，与前述实施例不同的是，本实施例显示基板的连接桥区包括形成于基底的阻挡层、形成于阻挡层上的第一栅极介质层、形成于第一栅极介质层的第三栅极、形成于第三栅极上的第二栅极介质层、形成于第二栅极介质层上的层间介质层、形成于层间介质层上的源漏极、形成于源漏极上的平坦层131’、形成于平坦层上的阳极层、形成于阳极层上的像素定义层以及形成像素定义层上的电致发光材料层，电致发光材料层上设置有覆盖连接桥区的封装层150，封装层150上设置有保护层。连接桥区中平坦层131’形成沟槽5，从而使平坦层131’上的各膜层依次形成凹槽。连接桥区的平坦层131’需覆盖与像素岛区中源漏层连接的源漏层导线，以形成绝缘层。其中，连接桥区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层与像素岛区中的阻挡层、第一栅极介质层、第三栅极、第二栅极介质层、层间介质层、源漏极、平坦层、阳极层、像素定义层以及电致发光材料层采用相同的材质，并通过同一制备工艺制备形成。

如图4所示，连接桥区上的第一围坝4包括三层结构，由连接桥区中的平坦层、像素定义层以及像素岛区中的支撑柱层叠加形成。

在前述显示基板的技术构思基础上，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法。本发明实施例显示基板的制备方法包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；

在所述连接桥区上形成第一围坝以及沟槽，使所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，使所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧；

在连接桥区上形成覆盖所述沟槽的封装层。

本发明实施例的显示基板的制备方法，利用现有的工序，无额外投入，利用显示基板的现有膜层结构，即可在连接桥区上形成沟槽，实现对固化前的封装材料进行导流，工艺简单，改造成体低，容易实现。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，也可以为具有VR、AR和3D显示功能的产品或部件。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括基底，所述基底上设置有彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述连接桥区上形成有第一围坝、沟槽以及覆盖所述沟槽的封装层，所述封装层上设置有将所述像素岛区和所述连接桥区覆盖的保护层，所述保护层用于阻止水汽入侵；所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧，所述第一围坝用于阻止固化前的封装层材料进入所述孔区，所述沟槽用于引导所述固化前的封装层材料沿着所述第一围坝的延伸方向流动，以防止所述固化前的封装层材料溢出所述第一围坝。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述沟槽呈直线形，所述沟槽的两端分别与相邻像素岛区连通。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装层包括叠加设置的至少一层无机层和至少一层有机层，所述无机层将所述有机层的边缘包裹。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接桥区包括形成于所述基底上的阳极层，所述阳极层上形成所述沟槽。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层以及形成所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成所述沟槽。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层、形成所述平坦层上的像素定义层以及形成于所述像素定义层上的支撑柱层，所述支撑柱层形成所述沟槽。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接桥区包括形成于所述基底上的平坦层，所述平坦层形成所述沟槽。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装层覆盖所述像素岛区。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述像素岛区上形成有第二围坝，所述第二围坝位于所述像素岛区靠近所述孔区的一侧，所述第二围坝用于阻止所述固化前封装层材料进入所述孔区。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素岛区包括形成于所述基底上的阻挡层、形成于所述阻挡层上的驱动电路层以及形成于所述驱动电路层上的发光结构层。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层包括形成于所述阻挡层上的有源层、形成于所述有源层上的第一栅极介质层、形成于所述第一栅极介质层上的第一栅极、形成于所述第一栅极上的第二栅极介质层、形成于所述第二栅极介质层上的层间介质层以及形成于所述层间介质层上的源漏极，所述层间介质层上设置有与所述有源层连通的过孔，所述源漏极通过所述过孔与所述有源层连接。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括形成于所述源漏极上的平坦层、形成于所述平坦层上的阳极层、形成于所述阳极层上的像素定义层以及形成所述像素定义层上的电致发光材料层，所述平坦层上开设有将所述源漏极暴露的第一开孔，所述阳极层通过所述第一开孔与所述源漏极连接，所述像素定义层上开设有将所述阳极层暴露的第二开孔，所述电致发光材料层通过所述第二开孔与所述阳极层连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～12任一所述的显示基板。

14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的孔区以及连接相邻像素岛区的连接桥区；

在所述连接桥区上形成第一围坝以及沟槽，使所述第一围坝位于所述连接桥区靠近所述孔区的一侧，使所述沟槽在所述连接桥区上位于所述第一围坝远离所述孔区的一侧；

在连接桥区上形成覆盖所述沟槽的封装层；

在所述封装层上形成将所述像素岛区和所述连接桥区覆盖的保护层，所述保护层用于阻止水汽入侵。

Images