CN113013207B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。本实施例提供的方案，实现第一颜色光亮度随水平视角增大先增加后减小的效果，从而缓解第一颜色光第一方向大视角L‑Decay，改善色偏。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机电致发光器件(Active Matrix Organic Light Emitting Device，AMOLED)具有宽视角、低功耗、柔性(折叠、卷曲)显示等优点。随着传统便携式和大尺寸有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示产品的日趋普及，消费者立足省电和长时间续航，对低功耗尤为看重；同时柔性显示作为AMOLED相比传统液晶显示(LiquidCrystal Display，LCD)显示的独有特色，更是亟待开发。彩色滤光膜(Color filter OnEncapsulation，COE)结构替代传统的偏光片(polarizer，POL)结构，可同时满足低功耗和柔性显示。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法，显示装置，改善大视角色偏。

一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。

在一示例性实施例中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠的边界包括分别位于所述子像素开口区域中线两侧的第一边界和第二边界，所述第一边界包括直线，所述第二边界包括直线。

在一示例性实施例中，所述第一边界与平行于所述基底的平面的第一夹角，和所述第二边界与平行于所述基底的平面的第二夹角相同。

在一示例性实施例中，所述第一夹角或第二夹角为2°至5°。

在一示例性实施例中，所述第一颜色发光层包括出射红光的红色发光层。

在一示例性实施例中，所述显示基板还包括平坦层，所述第一阳极设置在所述平坦层表面，所述平坦层与所述第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一阳极与所述平坦层的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界与所述基底的距离依次增大。

在一示例性实施例中，所述第二颜色子像素包括依次设置在基底上的第二阳极和设置在子像素开口区域的第二颜色发光层，所述第二阳极的表面与所述基底平行；所述第三颜色子像素包括依次设置在基底上的第三阳极和设置在子像素开口区域的第三颜色发光层，所述第三阳极的表面与所述基底平行。

又一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。

再一方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述制备方法包括：

在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，其中，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。

在一示例性实施例中，在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素包括：

通过精细掩膜工艺在所述基底上形成平坦层，所述平坦层与所述第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一阳极与所述平坦层的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界与所述基底的距离依次增大；所述平坦层与所述第一颜色子像素对应的区域外，所述平坦层的表面与所述基底平行；

在所述平坦层沉积阳极金属薄膜，构图形成阳极层图案，所述阳极层图案包括所述第一阳极、所述第二颜色子像素的第二阳极和所述第三颜色子像素的第三阳极；

在所述阳极层上沉积发光层薄膜，构图形成发光层图案，所述发光层图案包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色子像素的第二颜色发光层和所述第三颜色子像素的第三颜色发光层。

本申请实施例包括一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。本实施例提供的方案，引入第一颜色子像素阳极沿第一方向中间内凸的表面形貌，实现第一颜色光亮度随水平视角增大先增加后减小的效果，从而缓解第一颜色光第一方向大视角L-Decay，改善色偏，且无需改变发光器件微腔长度，不牺牲第一颜色光效率，且无需增大第一方向BM开口，不降低器件对比度。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1a为COE技术的显示基板俯视图；

图1b为COE技术的显示基板侧视图；

图2为BM引入及不同开口尺寸对水平方向红光大视角L-Decay影响的示意图；

图3a为COE技术的显示基板白光大视角色偏改善方案的结构示意图；

图3b为COE技术的显示基板白光大视角色偏改善方案的另一结构示意图；

图4为本公开实施例提供的显示基板平面图；

图5为本公开实施例提供的显示基板截面图；

图6为本公开实施例提供的第一颜色子像素示意图；

图7a为本公开实施例提供的第一方向红光大视角L-Decay改善效果示意图；

图7b为本公开实施例提供的第一方向白光大视角色偏改善效果示意图；

图7c为本公开实施例提供的第一方向白光大视角色偏改善CIE1976轨迹示意图；

图8为本公开实施例提供的显示基板的制备方法流程图。

具体实施方式

下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

图1a和图1b分别为包含COE结构的显示基板的俯视图和侧视图。如图1a和图1b所示，显示基板包括在基底上依次设置的驱动结构层1、发光器件2、封装层3和COE组件4。COE膜层厚度(比如为5微米(um))明显薄于POL(≥60um)，有效降低模组堆叠结构厚度，从而降低弯折R角和大幅增加可弯折次数。同时COE相比POL有效提高红绿蓝(RGB)三原色光的透过率，因而集成COE的显示器达到相同亮度所需的驱动电流更小，有效降低功耗。

但是，COE结构为减小环境光反射提高对比度，在非像素区引入黑色矩阵(BM，Black Matrix)吸光结构，导致子像素出光随视角增大亮度衰减(L-Decay,Luminancedecay)加剧。而且，RGB子像素形状和长宽比的差异化设计导致BM对RGB L-Decay的加剧程度不同。考虑当前大视角略发青相比大视角略发粉的显示产品更易被消费者接受，这类产品中绿光的大视角L-Decay小于红光。BM吸光结构会进一步加剧水平方向红光大视角L-Decay，从而导致白光大视角视效从略微发青劣化到显著发青。图2为BM引入及不同开口尺寸对水平方向红光大视角L-Decay影响的示意图，相比POL，BM吸光会显著加剧水平方向红光大视角L-Decay，但随着BM开口增大，L-Decay得到缓解。由图2可知增大红色子像素水平方向的BM开口，能减缓红光L-Decay优化白光色偏，但BM开口下方的背板金属走线裸露将增大息屏状态下的环境光反射，降低对比度。

另外，为了改善白光大视角色偏，可以对器件结构进行调整。一种方法是大幅增加红光发光器件微腔长度减小L-Decay，如图3a所示，OLED发光器件包括依次设置的阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(Prime)、发光层、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、阴极(Cathode)、光取出层(CPL)和保护层(可使用氟化锂(LiF)实现)。本实施例中，增大红色发光器件的电子阻挡层的厚度，使得红色发光器件微腔长度增大，导致Rx偏大以及红光亮度和效率的牺牲。另一种方法是同时适度调整红光和绿光器件微腔长度平衡两者L-Decay，如图3b所示，OLED发光器件包括依次设置的阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(Prime)、发光层、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、阴极(Cathode)、光取出层(CPL)和保护层(可使用氟化锂(LiF)实现)，本实施例中，增大了红色发光器件的电子阻挡层的厚度(厚度增加量小于第一种方法中红色发光器件的电子阻挡层的厚度)，减小了绿色发光器件的电子阻挡层的厚度。本实施例中，绿光大视角L-Decay加快导致白光L-Decay同步加快，且会牺牲绿光效率和白光功耗。图3为COE技术AMOLED白光大视角色偏传统改善方案的结构示意图，由于R大视角L-Decay明显大于G L-Decay，单独调整R器件微腔结构需要大幅增加微腔长度；或者同时调整RG器件，即增大R微腔长度的同时减小G微腔长度。以上两种方法都不可避免地会牺牲其他光学特性。

图4为本公开实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图。如图4所示，显示基板可以包括沿第一方向X和第二方向Y阵列分布的多个像素P，多个像素P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一颜色子像素P1、出射第二颜色光线的第二颜色子像素P2和出射第三颜色光线的第三颜色子像素P3，第一颜色子像素P1、第二颜色子像素P2和第三颜色子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一颜色子像素P1、第二颜色子像素P2和第三颜色子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。发光器件可以包括阳极、发光层和阴极。所述显示基板可以是OLED显示基板，比如AMOLED显示基板。

在一示例性实施例中，所述像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者，所述像素可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。所述像素包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，所述像素包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开实施例在此不做限定。

在一示例性实施例中，所述第一颜色子像素P1可以出射红光，所述第二颜色子像素P2可以出射绿光，所述第三颜色子像素P3可以出射蓝光。

第一方向X和第二方向Y交叉。在一示例性实施例中，第一方向X和第二方向Y垂直。

在一示例性实施例中，将所述显示基板的绑定区所在的一侧称为第一侧，所述第一方向X平行于所述第一侧，所述第二方向Y垂直于所述第一侧。但本申请实施例不限于此。

图5为本公开实施例提供的一种显示基板的示意图，图6为第一颜色子像素的示意图。如图5和图6所示，本公开实施例提供的显示基板包括基底9、设置在基底9上的驱动结构层10，设置在驱动结构层10远离基底9一侧的平坦层11、设置在平坦层11远离基底9一侧的阳极层，所述阳极层包括第一阳极21、第二阳极22和第三阳极23，以及，设置在所述阳极层远离基底9一侧的像素定义层40(图5中未示出)、设置在所述像素定义层40远离基底9一侧的发光层，依次设置在所述发光层远离基底9一侧的阴极和封装层(图5中未示出)，还可包括设置在所述封装层远离所述基底9一侧的COE结构层(图5中未示出)。所述像素定义层40限定出多个子像素开口区域，所述发光层包括第一颜色发光层31、第二颜色发光层32和第三颜色发光层33，所述第一颜色发光层31、第二颜色发光层32和第三颜色发光层33分别设置在所述子像素开口区域。在垂直于所述基底9且平行于第一方向X的平面上，从远离所述子像素开口区域中线O方向至靠近所述子像素开口区域中线O方向，所述第一颜色发光层31与所述第一阳极21的重叠且位于所述子像素开口区域中线O同侧的边界至所述基底9的距离依次增大。所述第一颜色发光层31与所述第一阳极21重叠的边界50可以包括位于所述子像素开口区域中线O一侧的第一边界51和位于所述子像素开口区域中线O另一侧的第二边界52，所述第一边界51从远离所述中线O的一端至靠近所述中线O的一端，与所述基底9的距离依次增大，所述第一边界52从远离所述中线O的一端至靠近所述中线O的一端，与所述基底9的距离依次增大。即，所述第一阳极21被第一颜色发光层31覆盖的表面，沿平行于第一方向X的方向，从第一阳极21的两端(远离中线O的两端)向所述第一阳极31的中部(中线O所在位置)，所述第一阳极21的表面与基底9的距离依次增大，第一阳极21从两端向中部，逐渐向远离基底一侧凸起，从而在中线O沿第一方向X的两侧，形成两个斜面。

本实施例提供的方案，引入第一颜色子像素阳极沿第一方向中间内凸的表面形貌，实现第一颜色光亮度随水平视角增大先增加后减小的效果，从而缓解第一颜色光第一方向大视角L-Decay，改善色偏，且无需改变发光器件微腔长度，不牺牲第一颜色光效率，且无需增大第一方向BM开口，不降低器件对比度。

在一示例性实施例中，所述第一颜色发光层31与所述第一阳极21重叠的边界51或52至所述基底9的距离依次增大，可以是线性增大，或者，可以是非线性增大。当距离线性增大时，第一阳极21远离所示基底9的一侧的表面可以为中线O两侧的两个斜面，所述第一边界51可以为直线，所述第二边界52可以为直线。当距离非线性增大时，第一阳极21远离所示基底9的一侧的表面可以为中线O两侧的两个曲面，即在垂直于所述基底9且平行于第一方向X的平面上，所述第一阳极21与所述第一颜色发光层31相交的边界50可以为位于中线O两侧的两段弧线。在一示例性实施例中，中线O两侧的第一阳极21的表面可以一个是斜面，一个是曲面，等等。

在一示例性实施例中，所述第一边界51与平行于所述基底9的平面的第一夹角，和所述第二边界52与平行于所述基底9的平面的第二夹角可以相同，或者，可以不同。

在一示例性实施例中，所述第一夹角、第二夹角可以是2°至5°，但本申请实施例不限于此，可以是其他值。

以第一颜色为红色，第二颜色为绿色，第三颜色为蓝色为例进行说明。如图5所示，本实施例中，正视角A与红色子像素的阳极法线Q间的夹角为θ。随着观察视角从正视角A沿第一方向(比如为水平方向)增大，视线与红色子像素阳极法线Q的夹角经历先减小后增大(先靠近阳极法线Q然后又远离阳极法线Q)的过程，相应的，红光亮度先增大后减小；且当蓝光和绿光的视角增大为Φ时，红光实际的视角增大仅为Φ-θ；因此该结构设计能大幅减缓红光第一方向大视角L-Decay，显著改善白光大视角发青。本实施例提供的方案，引入红色子像素阳极沿第一方向中间内凸的表面形貌，实现红光亮度随第一方向视角增大先增加后减小的效果，从而大幅缓解红光第一方向大视角L-Decay，改善白光大视角发青，且无需大幅度增加红光发光器件微腔长度，不牺牲红光效率，且无需增大第一方向BM开口，不降低器件对比度。

在一示例性实施例中，第一颜色可以是其他颜色，从而改善其他颜色的亮度衰减。

在一示例性实施例中，所述第二阳极22与所述第二颜色发光层32相交的表面可以与基底9平行，所述第三阳极23与所述第三颜色发光层33相交的表面可以与基底9平行。本实施例提供的方案，不影响蓝光发光器件和绿光发光器件的微腔结构，不牺牲绿光L-Decay和效率，即不牺牲白光功耗和大视角亮度。

在一示例性实施例中，第一阳极21位于子像素开口区域的表面中，可以是靠近中线O的表面为斜面，远离中线O的表面为与基底9平行的平面，即仅部分区域为斜面，另一部分区域为平面。即可以只将第一阳极21靠近中线O的部分区域设计成斜面，其他部分仍设计为平面。此时，仅对色偏进行了部分改善。

在一示例性实施例中，所述显示基板可通过RGB子像素的驱动背板差异化制备实现，即蓝色子像素和绿色子像素背板采用常规工艺保持阳极表面平坦，仅单独通过精细掩膜工艺制备与红色子像素对应的区域中沿第一方向中间外凸的平坦层，在平坦层上沉积阳极实现红色子像素的第一阳极中部外凸的表面相貌。如图6所示，所述平坦层11与所述第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域(可以是子像素开口区域靠近基底一侧的开口的正投影覆盖的平坦层区域)中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线O方向至靠近所述子像素开口区域中线O方向，所述第一阳极21与所述平坦层11重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界与所述基底9的距离依次增大，即平坦层11与第一阳极21类似，形成向子像素开口区域中线O方向凸起的斜面，在该平坦层11上上沉积阳极金属薄膜并构图即可形成上述向子像素开口区域中线O方向凸起的第一阳极21。传统平坦层制备工艺同样需要精细掩膜版，本方案可直接利用该掩膜版，因此本方案的制备方法没有额外增加成本。本实施例提供的制备方法仅为示例，可以通过其他方式制备，本公开实施例对此不作限定。

图7a为水平方向红光大视角L-Decay改善效果示意图。图7a中左侧图为子像素阳极平坦时的亮度衰减示意图，图7a中右侧图为红色子像素阳极凸起时的亮度衰减示意图。由图7a可知，水平方向随视角增大红光亮度先增大后减小，L-Decay大幅减小(视角为30度时，红色子像素的阳极为平面时，亮度衰减50％，红色子像素的阳极为本公开实施例中所示的从两端向中部逐渐凸起时，亮度衰减20％(归一化亮度为最大亮度的80％))，且随视角增大红光的L-Decay甚至小于绿光的L-Decay。本实施例提供的方案，可以减少大视角下红光亮度衰减，减少色偏。

图7b和7c分别为水平方向白光大视角色偏改善效果和CIE1976轨迹示意图。如图7b所示，参考器件为红色子像素阳极平坦的显示基板，本公开实施例提供的显示基板，其白光大视角色偏JNCD值相对于参考器件大幅减小(比如，45度时，JNCD值从参考器件的8.2减少到3.6)。图7c中，线条c1为参考器件的CIE1976轨迹图，线条c2为本公开实施例提供的显示基板的CIE1976轨迹图。由图7c所示的CIE1976轨迹图可知，本公开实施例提供的显示基板，随视角增大白光CIE轨迹先发紫(0度至30度，说明红光L-Decay显著减小)再发青(30度至80度)，有效缓解大视角发青的视效。

图8为本公开实施例提供的显示基板的制备方法流程图。如图8所示，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述制备方法包括：

步骤801，在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，其中，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。

在一示例性实施例中，在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素包括：

通过精细掩膜工艺在所述基底上形成平坦层，所述平坦层与所述第一颜色子像素对应的区域中，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述平坦层的表面至所述基底的距离依次增大；所述平坦层与所述第一颜色子像素对应的区域外，所述平坦层的表面与所述基底平行；

在所述平坦层沉积阳极金属薄膜，构图形成阳极层图案，所述阳极层图案包括所述第一阳极、第二颜色子像素的第二阳极和第三颜色子像素的第三阳极；

在所述阳极层上沉积发光层薄膜，构图形成发光层图案，所述发光层图案包括所述第一颜色发光层、第二颜色子像素的第二颜色发光层和第三颜色子像素的第三颜色发光层。

下面通过本实施例显示基板的制备过程说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

(1)形成基底9，基底9可以包括依次设置的第一基底和第二基底。

形成基底图案包括：先在玻璃载板上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底。随后，在第一基底上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第一基底的缓冲层图案。柔性材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底。缓冲薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。此处仅为示例，基底也可以是其他类型的基底，比如硅基基底，等等。

(2)形成驱动结构层10。驱动结构层10包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个阵列排布的子像素，3个子像素组成一个像素，每个子像素包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。本实施例中，一个像素包括第一颜色子像素P1、第二颜色子像素P2和第三颜色子像素P3。当然，本实施例方案也适用于一个像素包括更多子像素情形。本实施例中，形成驱动结构层10的制备过程可以包括：通过构图工艺在每个子像素的基底9上制备出有源层，随后形成覆盖有源层的第一绝缘层，在每个子像素的第一绝缘层上形成栅线和栅电极，随后形成覆盖栅线和栅电极的第二绝缘层，在每个子像素的第二绝缘层上形成数据线、源电极和漏电极，其中，栅电极、有源层、源电极和漏电极构成薄膜晶体管，薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，在此不做具体的限定。

(3)形成平坦层11图案。

使用精细掩膜工艺形成平坦层图案，包括：在形成前述图案的基底上沉积平坦层薄膜，在平坦层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用灰色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在过孔位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域形成部分曝光区域，保留部分光刻胶，在其他位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，对完全曝光区域和部分曝光区域的平坦层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成带有过孔的平坦层，且所述平坦层与第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域中，形成向第一颜色子像素的子像素开口区域中线O方向凸起的斜面，其余区域中，平坦层形成与基底平行的平面。

(4)形成阳极层图案。

所述形成阳极层图案包括：在形成上述结构的基础上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极层图案，所述阳极层图案包括第一阳极21图案、第二阳极22图案和第三阳极23图案。由于第一颜色子像素的子像素开口区域对应的平坦层为向第一颜色子像素的子像素开口区域中线O方向凸起的斜面，相应的沉积在上面的第一阳极21的表面形成向第一颜色子像素的子像素开口区域中线O方向凸起的斜面结构。第二阳极22图案远离基底9的表面和第三阳极23图案远离基底9的表面则与基底9平行。

(5)形成发光层和阴极图案。

在形成前述图案的衬底上涂覆像素定义薄膜，采用掩膜、曝光和显影后形成像素定义层40图案，像素定义层40在每个子像素限定出开口区域，开口区域露出阳极层。随后，在每个子像素的开口区域形成发光层，所述发光层包括第一颜色发光层31、第二颜色发光层32和第三颜色发光层33。最后，在形成前述图案的基底上沉积金属薄膜，形成阴极。其中，与第一阳极21类似，第一颜色发光层31相应的形成向第一颜色子像素的子像素开口区域中线O方向凸起的斜面结构。第一阳极21、第一颜色发光层31和阴极构成第一颜色子像素P1，第二阳极22、第二颜色发光层32和阴极构成第二颜色子像素P2，第三阳极23、第三颜色发光层33构成第三颜色子像素P3。

(6)形成封装层图案。

形成封装层图案包括：在形成前述图案的衬底上，通过沉积无机材料、涂覆有机材料或喷墨打印有机材料等，形成密封发光结构层的封装层。封装层比如为无机/有机/无机三层结构。当然，封装层可以是其他结构。

通过上述制备流程可以看出，本实施例所提供的显示基板，通过形成向第一颜色子像素的子像素开口区域的中线方向凸起的阳极，可以减缓第一颜色光第一方向大视角L-Decay，改善色偏。此外，本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。

本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠的边界包括分别位于所述子像素开口区域中线两侧的第一边界和第二边界，所述第一边界包括直线，所述第二边界包括直线。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一边界与平行于所述基底的平面的第一夹角，和所述第二边界与平行于所述基底的平面的第二夹角相同。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一夹角或第二夹角为2°至5°。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色发光层包括出射红光的红色发光层。

6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层，所述第一阳极设置在所述平坦层表面，所述平坦层与所述第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一阳极与所述平坦层的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界与所述基底的距离依次增大。

7.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述第二颜色子像素包括依次设置在基底上的第二阳极和设置在子像素开口区域的第二颜色发光层，所述第二阳极远离所述基底一侧的表面与所述基底平行；所述第三颜色子像素包括依次设置在基底上的第三阳极和设置在子像素开口区域的第三颜色发光层，所述第三阳极远离所述基底一侧的表面与所述基底平行。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括多个像素，所述多个像素沿彼此交叉的第一方向和第二方向阵列分布，所述像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，所述制备方法包括：

在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，其中，所述第一颜色子像素包括依次设置在基底上的第一阳极和设置在子像素开口区域的第一颜色发光层，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一颜色发光层与所述第一阳极的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界至所述基底的距离依次增大。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在基底上形成第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素包括：

通过精细掩膜工艺在所述基底上形成平坦层，所述平坦层与所述第一颜色子像素的子像素开口区域对应的区域中，在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面上，从远离所述子像素开口区域中线方向至靠近所述子像素开口区域中线方向，所述第一阳极与所述平坦层的重叠且位于所述子像素开口区域中线同侧的边界与所述基底的距离依次增大；所述平坦层与所述第一颜色子像素对应的区域外，所述平坦层远离所述基底一侧的表面与所述基底平行；

在所述平坦层沉积阳极金属薄膜，构图形成阳极层图案，所述阳极层图案包括所述第一阳极、所述第二颜色子像素的第二阳极和所述第三颜色子像素的第三阳极；

在所述阳极层上沉积发光层薄膜，构图形成发光层图案，所述发光层图案包括所述第一颜色发光层、所述第二颜色子像素的第二颜色发光层和所述第三颜色子像素的第三颜色发光层。