CN111785744A - 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括显示区域，显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素；显示区域包括设置在基底上的第一电极层、像素界定层、有机功能层和第二电极层，有机功能层包括位于第一子像素内的第一发光层、位于第二子像素内的第二发光层，以及覆盖所述显示区域且为一体结构的第三发光层；第一发光层和第二发光层各自在基底上的正投影包含像素界定层的限定相应子像素的开口在基底上的正投影，且与像素界定层的其余开口在基底上的正投影不交叠，第三发光层设置在第一发光层和第二发光层的背离所述基底的表面上。所述显示面板在制备过程中可减少高精细金属掩膜版的使用数量。

Description

一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
一些有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板主要采用红绿蓝子像素的方案，及白光OLED加彩膜的方案。区别于白光OLED加彩膜的方案，红绿蓝子像素的方案中，红、绿、蓝三个子像素主要是通过真空蒸镀工艺来分别制备，在蒸镀过程中需用到高精细金属掩膜版(FMM)。由于高精细金属掩膜版的制作难度非常大，特别是显示产品的分辨率越高，高精细金属掩膜版的制作就越难，因此高精细金属掩膜版的价格非常昂贵。另外，高精细金属掩膜版的不良会导致有机电致发光显示器件出现混色等缺陷，而且制备过程中用的高精细金属掩膜版越多，越容易出现产品不良(比如混色不良)，从而降低产品的良率，并且增加制造成本。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示面板，可以降低高精细金属掩膜版(FMM)的使用频率和数量，从而可降低制造成本和提升产品良率。
本申请实施例提供一种OLED显示面板，所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层、第一电极层、像素界定层、有机功能层和第二电极层，所述第一电极层设置在所述驱动结构层上，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极与所述驱动结构层内的像素驱动电路连接，所述像素界定层设置在所述第一电极层上并设有用于分别限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底的表面，所述有机功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述有机功能层上；所述有机功能层包括位于所述第一子像素内的第一发光层、位于所述第二子像素内的第二发光层，以及覆盖所述显示区域且为一体结构的第三发光层；所述第一发光层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；所述第二发光层在所述基底上的正投影包含所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；所述第三发光层设置在所述第一发光层和所述第二发光层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层设置为分别发红光、绿光和蓝光。
可选地，所述有机功能层还包括至少位于所述第三子像素和所述第二子像素内的电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底上的正投影，所述第二发光层，以及所述第三子像素内的所述第三发光层均设置在所述电子阻挡层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述有机功能层还包括位于所述第一子像素内的缓冲层，所述缓冲层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠，所述第一发光层设置在所述缓冲层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影与所述第一开口在所述基底上的正投影不交叠。
可选地，所述有机功能层还包括设置在所述电子阻挡层和所述缓冲层的朝向所述第一电极层一侧、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
可选地，所述设置在所述电子阻挡层和所述缓冲层的朝向所述第一电极层一侧、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设在所述第一电极上的所述空穴注入层和所述空穴传输层，所述电子阻挡层和所述缓冲层均设置在所述空穴传输层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述电子阻挡层覆盖所述显示区域且为一体结构，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影还包含所述第一开口在所述基底上的正投影，所述缓冲层设置在所述电子阻挡层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述有机功能层还包括设置在所述第一电极层和所述电子阻挡层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
可选地，所述设置在所述第一电极层和所述电子阻挡层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设在所述第一电极上的所述空穴注入层和所述空穴传输层，所述电子阻挡层设置在所述空穴传输层的背离所述基底的表面上。
可选地，所述有机功能层还包括设置所述第三发光层和所述第二电极层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
可选地，所述设置所述第三发光层和所述第二电极层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设的所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层，所述空穴阻挡层设置在所述第三发光层的背离所述基底的表面上，所述第二电极层设置在所述电子注入层的背离所述第一电极层的表面上。
可选地，所述第三子像素内的所述有机功能层的所有膜层均覆盖所述显示区域且为一体结构。
本申请实施例还提供一种显示装置，包括任一实施例所述的OLED显示面板。
本申请实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述制备方法包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
在所述驱动结构层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极与所述像素驱动电路连接；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层设有用于分别限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底的表面；
在所述第一电极层上形成有机功能层，在所述有机功能层上形成第二电极层，其中，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，包括：
在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层，所述第一发光层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠，所述第二发光层在所述基底上的正投影包含所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；
在所述第一发光层和所述第二发光层的背离所述基底的表面上形成第三发光层，所述第三发光层覆盖所述显示区域且为一体结构。
可选地，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层设置为分别发红光、绿光和蓝光。
可选地，所述在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第三子像素和所述第二子像素内形成电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口在所述基底上的正投影不交叠。
可选地，所述在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：形成覆盖所述显示区域且为一体结构的电子阻挡层。
可选地，所述在所述第一子像素内形成第一发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第一子像素内形成缓冲层，所述缓冲层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠。
可选地，形成所述电子阻挡层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：
在所述第一电极层上形成覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
本申请实施例的OLED显示面板，第一发光层和第二发光层分别设置在第一子像素和第二子像素内，第三发光层设置在第一发光层和第二发光层的背离基底的表面上，并且第三发光层覆盖显示面板的显示区域且为一体结构，如此，在采用蒸镀工艺制备第三发光层过程中，可以采用开放式掩膜板(open mask)，而不必采用高精细金属掩膜版(FMM)，相较于一些技术的显示面板，本申请实施例的OLED显示面板，至少可节约一道使用FMM的工艺，可减少FMM的使用次数和数量，可降低生产成本，提高产品良率。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一些技术中的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例的一种OLED显示面板的结构示意图；
图3为在一些示例性实施例中图2所示的OLED显示面板的截面结构示意图；
图4为本申请实施例的另一种OLED显示面板的结构示意图；
图5为在一些示例性实施例中图4所示的OLED显示面板的截面结构示意图；
图6为在制备图3所示的OLED显示面板过程中，在基底上形成驱动结构层、第一电极层、空穴注入层和空穴传输层后的结构示意图；
图7为在图6的空穴传输层上形成电子阻挡层、第二发光层、缓冲层和第一发光层后的结构示意图；
图8为在制备图5所示的OLED显示面板过程中，在基底上形成驱动结构层、第一电极层、空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层后的结构示意图；
图9为在图8的电子阻挡层上形成第二发光层、缓冲层和第一发光层后的结构示意图；
图10为本申请实施例的一种OLED显示面板的显示区域内的子像素排布结构示意图；
附图标记为：
01、基底，02、驱动结构层，03、第一电极层，04、空穴注入层，05、空穴传输层，06、第三阻挡层，07、第三发光层，08、第二阻挡层，09、第二发光层，010、第一阻挡层，011、第一发光层，012、空穴阻挡层，013、电子传输层，014、电子注入层，015、第二电极层，016、封装结构层；
1、基底，2、驱动结构层，3、第一电极层，4、空穴注入层，5、空穴传输层，6、电子阻挡层，7、第二发光层，8、缓冲层，9、第一发光层，10、第三发光层，11、空穴阻挡层，12、电子传输层，13、电子注入层，14、第二电极层，15、封装结构层，16、像素界定层；
201、驱动晶体管，202、存储电容；
P1、第一子像素，P2、第二子像素，P3、第三子像素，P、像素单元。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本申请的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。
图1示出了一些采用红绿蓝子像素方案的OLED显示面板的结构示意图，如图1所示，OLED显示面板的显示区域内阵列排布有多个像素单元，每个像素单元包括第一子像素P1(比如红色子像素)、第二子像素P2(比如绿色子像素)、第三子像素P3(比如蓝色子像素)。每个像素单元包括叠设在基底01上的第一电极层03、空穴注入层04、空穴传输层05、设置在空穴传输层05上并位于第一子像素P1内的第一阻挡层010和第一发光层011、位于第二子像素P2内的第二阻挡层08和第二发光层09、位于第三子像素P3内的第三阻挡层06和第三发光层07，以及覆盖第一发光层011、第二发光层09和第三发光层07的空穴阻挡层012、电子传输层013、电子注入层014、第二电极层015和封装结构层016。每个像素单元内第一电极层03包括分别位于三个子像素内的三个第一电极，每个第一电极与第一电极层03下方的驱动结构层02内对应的像素驱动电路连接，以驱动对应的一个子像素发光。如图1所示，每个子像素所独有的膜层，例如，位于第一子像素P1内的第一阻挡层010和第一发光层011、位于第二子像素P2内的第二阻挡层08和第二发光层09，以及位于第三子像素P3内的第三阻挡层06和第三发光层07，在采用蒸镀工艺制备过程中均需要用到FMM，这样，整个显示面板制备过程中至少需要用到6张FMM，FMM使用数量多，增加了显示面板的制造成本，还会降低产品良率。
本申请实施例提供一种OLED显示面板，如图2、图3所示，图2为显示面板的简化结构示意图，所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。
所述显示区域包括设置在基底1上的驱动结构层2、第一电极层3、像素界定层16(图3示出)、有机功能层和第二电极层14，所述第一电极层3设置在所述驱动结构层2上，所述第一电极层3包括多个第一电极，所述第一电极与所述驱动结构层2内的像素驱动电路连接，所述像素界定层16设置在所述第一电极层3上并设有用于分别限定所述第一子像素P1、所述第二子像素P2和所述第三子像素P3的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底1的表面，所述有机功能层设置在所述第一电极层3上，所述第二电极层14设置在所述有机功能层上。
所述有机功能层包括位于所述第一子像素P1内的第一发光层9、位于所述第二子像素P2内的第二发光层7，以及覆盖所述显示区域且为一体结构的第三发光层10。
所述第一发光层9在所述基底1上的正投影包含所述第一开口在所述基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底1上的正投影不交叠；所述第二发光层7在所述基底1上的正投影包含所述第二开口在所述基底1上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底1上的正投影不交叠。
所述第三发光层10设置在所述第一发光层9和所述第二发光层7的背离所述基底1的表面上。
本申请实施例的OLED显示面板，第一发光层9和第二发光层7分别设置在第一子像素P1和第二子像素P2内，第三发光层10设置在第一发光层9和第二发光层7的背离基底的表面上，并且第三发光层10覆盖显示面板的显示区域且为一体结构，如此，在采用蒸镀工艺制备第三发光层10过程中，可以采用开放式掩膜板(open mask)，而不必采用高精细金属掩膜版(FMM)，相较于一些技术的显示面板，本申请实施例的OLED显示面板，至少可节约一道使用FMM的工艺，可减少FMM的使用次数和数量，可降低生产成本，提高产品良率。
本文中，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3在平行于基底1方向上的区域分别为：像素界定层16的第一开口在基底1上的正投影区域、像素界定层16的第二开口在基底1上的正投影区域、像素界定层16的第三开口在基底1上的正投影区域。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括：在平行于基底1方向上的区域内自第一电极至第二电极层14的所有膜层。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，第一电极层3包括多个第一电极，第一电极可以为阳极，第二电极层14可以为阴极。驱动结构层2可以包括多个像素驱动电路，每个像素驱动电路驱动对应的一个子像素进行显示。每个像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管，其中一个薄膜晶体管的漏电极与对应的一个子像素的第一电极连接。
第一电极层3可为反射层，第二电极层14可为半反射层。第一电极层3可以包括高反射率的金属层(比如银金属层)和透明氧化物层，透明氧化物层的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)中的至少一种。第二电极层14的材料可以包括以下任一种或多种：镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、镁银合金。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述第一发光层9、所述第二发光层7和所述第三发光层10设置为分别发红光、绿光和蓝光。
本示例中，第一发光层9为红色发光层，第二发光层7为绿色发光层，第三发光层10为蓝色发光层，即蓝色发光层为所有子像素的共用膜层，且蓝色发光层位于红色发光层和绿色发光层的朝向第二电极层14一侧。由于蓝色发光材料的带隙相较于红色发光材料和绿色发光材料的带隙大，因此，第一子像素P1内，分别来自第一电极层3和第二电极层14的空穴和电子更容易在带隙较小的红色发光层进行复合发红光，而蓝色发光层不发光，第二子像素P2内，分别来自第一电极层3和第二电极层14的空穴和电子更容易在带隙较小的绿色发光层进行复合发绿光，而蓝色发光层不发光。此外，由于红光、绿光和蓝光波长依次减小，需要激发的能量依次增大，因此，红色发光层和绿色发光层分别发出的红光和绿光照射在蓝色发光层上时不会光致激发蓝色发光层发蓝光，如此，第一子像素P1可正常显示红色，第二子像素P2可正常显示绿色。第三子像素P3内分别来自第一电极层3和第二电极层14的空穴和电子在蓝色发光层进行复合并发蓝光，第三子像素P3显示蓝色。本示例中，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3内的有机功能层的膜层总数可以逐渐减少。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述有机功能层还包括至少位于所述第三子像素P3和所述第二子像素P2内的电子阻挡层6，所述电子阻挡层6在所述基底1上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底1上的正投影，所述第二发光层7，以及所述第三子像素P3内的所述第三发光层10均设置在所述电子阻挡层6的背离所述基底1的表面上。其中，电子阻挡层6可以起到阻挡第二发光层7和第三发光层10内的电子向第一电极层(阳极)3方向迁移的作用，可以提高第二发光层7和第三发光层10的发光效率。电子阻挡层6的材料可以为空穴迁移率高于电子迁移率的材料，比如，咔唑类材料。电子阻挡层6的主体材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以高于5.3eV，三线态能级(T1)可以高于2.5eV。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述电子阻挡层6在所述基底1上的正投影与所述第一开口在所述基底1上的正投影不交叠。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述有机功能层还包括位于所述第一子像素P1内的缓冲层8，所述缓冲层8在所述基底1上的正投影包含所述第一开口在所述基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底1上的正投影不交叠，所述第一发光层9设置在所述缓冲层8的背离所述基底1的表面上。其中，缓冲层8可以起到阻挡电子或激子的作用，缓冲层8的材料可以为空穴迁移率高于电子迁移率的材料，比如，咔唑类材料。缓冲层8的主体材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以高于5.3eV，三线态能级(T1)可以高于2.5eV。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述有机功能层还包括设置在所述电子阻挡层6和所述缓冲层8的朝向所述第一电极层3一侧、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层4、空穴传输层5。
本实施例的一个示例中，空穴注入层4和空穴传输层5依次叠设在所述第一电极层3上，所述电子阻挡层6和所述缓冲层8均设置在所述空穴传输层5的背离所述基底1的表面上。其中，空穴注入层4的作用是降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。空穴传输层5的作用是提高空穴传输速率，还可以降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述有机功能层还包括设置所述第三发光层10和所述第二电极层14之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13。
本实施例的一个示例中，空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13依次叠设在所述第三发光层10的背离所述基底1的表面上，所述第二电极层14设置在所述电子注入层13的背离所述第一电极层3的表面上。其中，空穴阻挡层11可以阻挡空穴向第二电极层14所在侧迁移。电子传输层12可以提高电子传输速率。电子注入层13可以降低电子注入势垒，提高电子注入效率。
在一些示例性实施例中，如图2、图3所示，所述第三子像素P3内的所述有机功能层的所有膜层均覆盖所述显示区域且为一体结构。
在一些示例性实施例中，如图4、图5所示，所述电子阻挡层6覆盖所述显示区域且为一体结构，所述电子阻挡层6在所述基底1上的正投影包含所述第三开口、所述第二开口和所述第一开口在所述基底1上的正投影，所述缓冲层8设置在所述第一子像素P1内的所述电子阻挡层6的背离所述基底1的表面上。
在一些示例性实施例中，如图4、图5所示，所述有机功能层还包括设置在所述第一电极层3和所述电子阻挡层6之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层4、空穴传输层5。
本实施例的一个示例中，空穴注入层4和空穴传输层5依次叠设在所述第一电极上，所述电子阻挡层6设置在所述空穴传输层5的背离所述基底1的表面上。
在一些示例性实施例中，显示面板可以为顶发射OLED显示面板。显示面板还可以包括设置在驱动结构层2和第一电极层3之间的反射层，以及设置在第二电极层14和封装结构层15之间的光取出层。如此，可提高显示面板的出光效率。
在一些示例性实施例中，电子阻挡层6和缓冲层8的材料可以均是空穴迁移率远高于电子迁移率的材料，第一发光层9、第二发光层7和第三发光层10的材料可以均是电子迁移率高于空穴迁移率的材料，如此，每个子像素内从第二电极层(阴极)14注入的电子和从第一电极层(阳极)3注入的空穴到达该子像素的发光层与电子阻挡层6或缓冲层8的界面时，均在该界面靠近发光层一侧复合，实现发光。在第一子像素P1和第二子像素P2内，第三发光层10不发光并起到传输电子的作用。
在一些示例性实施例中，为获得高出光效率、高色纯度的顶发射OLED显示面板，在对OLED显示面板的膜层结构设计时需考虑光学微腔结构特性。每个子像素在第一电极层3和第二电极层14之间可形成微腔结构，可通过调节每个子像素的有机功能层的膜层总厚度，使每个子像素形成的微腔结构满足微腔干涉条件，从而获得每个子像素所需的最佳光学电学特性。示例性地，如图2所示，对于第一子像素(可为红色子像素)P1而言，缓冲层8和第一发光层9为第一子像素P1的独有膜层，可通过调节缓冲层8和第一发光层9的厚度来调节第一子像素P1的微腔结构的微腔长度，从而获得第一子像素P1所需的最佳光学电学特性。其中，缓冲层8的存在可以减小第一发光层9的厚度，可避免因为第一发光层9厚度过厚而增加第一子像素P1的驱动电压。可通过调节电子阻挡层6和第二发光层7的厚度，来对第二子像素(可为绿色子像素)P2的微腔长度进行调节，从而获得第二子像素P2所需的最佳光学电学特性。对于第三子像素P3而言，需综合考虑第三子像素(可为蓝色子像素)P3的有机功能层的每个膜层厚度，进而获得第三子像素P3的最佳光学电学特性。通过有效利用微腔效应，可获得所需的最佳光学电学特性，还可减少有机功能层的厚度、材料用量及工艺时间。
下面结合图3和图5所示的显示面板的结构来说明本申请实施例显示面板的制备方法。为了详细说明显示面板的掩膜次数，下文中用“图案化工艺”表示每次形成图案化的过程，每一次图案化工艺对应一次掩膜工艺。对于无机材质(例如金属层、无机层等)，“图案化工艺”可以包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等工序；对于有机材质(例如光刻胶、有机树脂等)，“图案化工艺”可以包括掩膜曝光、显影等工序。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成。膜层的“厚度”为膜层在垂直于基板方向上的尺寸。
(1)在基底1上形成驱动结构层2，所述驱动结构层2包括像素驱动电路。示例性地，如图6所示，驱动结构层2的制备过程可以包括：
在基底1上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖基底1的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案至少包括每个子像素的有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括每个子像素的栅电极和第一电容电极。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括每个子像素的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。第一电容电极和第二电容电极组成存储电容202。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，每个子像素的第四绝缘层上开设有至少两个过孔，两个过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出每个子像素的有源层的表面。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层至少包括每个子像素的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过穿过第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层的两个过孔与有源层连接。
随后，在形成前述图案的基底1上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，在每个子像素的平坦薄膜上形成过孔，该过孔内的平坦薄膜被显影掉，暴露出漏电极的表面，从而形成覆盖基底1的平坦层(PLN)。
至此，在基底1上制备完成驱动结构层2，如图6所示。驱动结构层2中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成像素驱动电路的驱动晶体管201，第一电容电极和第二电容电极组成像素驱动电路的存储电容202。像素驱动电路对每个子像素的OLED器件(OLED器件包括叠设的第一电极、有机功能层和第二电极层)的驱动可以采用有源矩阵OLED(AMOLED)驱动方式。像素驱动电路可以为2T1C像素电路，即利用两个TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)和一个存储电容Cs来实现驱动OLED发光的功能。
本示例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底1的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本申请适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(2)在所述驱动结构层2上形成第一电极层3。如图6所示，示例性地，在形成前述图案的基底1上沉积第一电极薄膜，通过构图工艺对第一电极薄膜进行构图，形成包括多个第一电极的第一电极层3，第一电极形成在驱动结构层2的平坦层上，并通过平坦层上的过孔与驱动晶体管202的漏电极连接。第一电极可以为阳极。
(3)在所述第一电极层3上形成像素界定层16。如图6所示，在形成前述图案的基底1上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成具有第一开口、第二开口和第三开口的像素界定层(PDL)16，其中，第一开口、第二开口和第三开口内的像素界定薄膜被显影掉，暴露出相应子像素的第一电极的背离基底1的表面。第一开口、第二开口和第三开口用于分别限定所述第一子像素P1、所述第二子像素P2和所述第三子像素P3。像素定义层16的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
(4)在第一电极层3上依次形成空穴注入层4和空穴传输层5。如图6所示，在形成前述图案的基底1上先形成空穴注入层4，然后在空穴注入层4上形成空穴传输层5。空穴注入层4和空穴传输层5可以均采用真空蒸镀工艺制备，蒸镀过程中可以采用开放式掩膜版(open mask)，将形成空穴注入层4或空穴传输层5的有机材料蒸镀在显示面板的显示区域内。空穴注入层4和空穴传输层5均覆盖显示面板的整个显示区域且为一体结构，空穴注入层4和空穴传输层5为第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的共用膜层。在其它示例中，空穴注入层4和空穴传输层5可以均采用溶液法制备，比如旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、喷墨打印法等。
(5)形成电子阻挡层6、第二发光层7、缓冲层8和第一发光层9。
在制备图3所示的显示面板过程中，该步骤的制备过程可以为：
如图7所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第二子像素P2和第三子像素P3内的空穴传输层5上形成电子阻挡层6，电子阻挡层6在基底1上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在基底1上的正投影，且与所述第一开口在基底1上的正投影不交叠。
如图7所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第二子像素P2内的电子阻挡层6上形成第二发光层7，第二发光层7在基底1上的正投影包含所述第二开口在基底1上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。
如图7所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第一子像素P1内的空穴传输层5上形成缓冲层8，缓冲层8在基底1上的正投影包含所述第一开口在基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。
如图7所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第一子像素P1内的缓冲层8上形成第一发光层9，第一发光层9在基底1上的正投影包含所述第一开口在基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。
其中，图7中，采用真空蒸镀工艺形成电子阻挡层6、第二发光层7、缓冲层8或第一发光层9过程中，可以采用相应的FMM。
在制备图5所示的显示面板过程中，该步骤的制备过程可以为：
如图8所示，可以采用真空蒸镀工艺，利用开放式掩膜版(open mask)在空穴传输层5上形成覆盖整个显示区域且为一体结构的电子阻挡层6，电子阻挡层6在基底1上的正投影包含所述第三开口、所述第二开口和所述第一开口在基底1上的正投影。电子阻挡层6为第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的共用膜层。在其它示例中，电子阻挡层6可以采用溶液法制备，比如旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、喷墨打印法等。
如图9所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第二子像素P2内的电子阻挡层6上形成第二发光层7，第二发光层7在基底1上的正投影包含所述第二开口在基底1上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。
如图9所示，可以采用真空蒸镀工艺，在第一子像素P1内的电子阻挡层6上形成缓冲层8，然后在缓冲层8上形成第一发光层9。其中，缓冲层8在基底1上的正投影包含所述第一开口在基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。第一发光层9在基底1上的正投影包含所述第一开口在基底1上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在基底1上的正投影不交叠。
其中，图9中，采用真空蒸镀工艺形成第二发光层7、缓冲层8或第一发光层9过程中，可以采用相应的高精细金属掩膜版(FMM)。
(6)形成第三发光层10、空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13。
如图3、图5所示，可以采用蒸镀工艺，利用开放式掩膜版(open mask)在形成第一发光层9和第二发光层7后的基底1上，依次形成覆盖显示面板的整个显示区域且为一体结构的第三发光层10、空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13。第三发光层10、空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13均为第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的共用膜层。在其它示例中，第三发光层10、空穴阻挡层11、电子传输层12和电子注入层13可以均采用溶液法制备，比如旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、喷墨打印法等。
(7)在电子注入层13上形成第二电极层14。如图3、图5所示，可以采用真空蒸镀工艺，利用开放式掩膜版(open mask)在电子注入层13上形成覆盖显示面板的整个显示区域且为一体结构的第二电极层14。第二电极层14可以是阴极。
(8)在第二电极层14上形成封装结构层15。如图3、图5所示，可以在第二电极层14上依次形成第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层组成封装结构层15。在一些示例中，可以在形成封装结构层15之前，在第二电极层14上形成光取出层，光取出层可以采用蒸镀工艺或溶液法制备。
在一些示例性实施例中，如图10所示，OLED显示面板的显示区域内阵列排布有多个像素单元P，每个像素单元P包括呈品字型排布的三个子像素，分别为显示不同颜色的第一子像素P1(可以是红色子像素)、第二子像素P2(可以是绿色子像素)和第三子像素P3(可以是蓝色子像素)。像素单元P为能够显示不同颜色的最小显示单元，也称显示图像的像素点。图10只是示出了显示面板的子像素的一种排布方式，但是本申请实施例中，对子像素的排布方式，以及像素单元P内子像素的数目不作限制。
在一些示例性实施例中，图2、图3所示的OLED显示面板在制备过程中，电子阻挡层6、第二发光层7、缓冲层8和第一发光层9四个膜层采用蒸镀工艺制备过程中均需要用到FMM，其它膜层的制备则不需要FMM，相较于图1的OLED显示面板，在显示面板制备过程中可节省2张FMM，简化了制作工艺，降低了显示面板的制造成本，并可提升产品良率。
在一些示例性实施例中，图4、图5所示的OLED显示面板在制备过程中，第二发光层7、缓冲层8和第一发光层9三个膜层采用蒸镀工艺制备过程中均需要用到FMM，其它膜层的制备则不需要FMM，相较于图1的OLED显示面板，在显示面板制备过程中可节省3张FMM，简化了制作工艺，降低了显示面板的制造成本，并可提升产品良率。
基于上文内容，本申请实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述制备方法包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
在所述驱动结构层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极与所述像素驱动电路连接；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层设有用于分别限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底的表面；
在所述第一电极层上形成有机功能层，在所述有机功能层上形成第二电极层，其中，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，包括：
在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层，所述第一发光层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠，所述第二发光层在所述基底上的正投影包含所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；
在所述第一发光层和所述第二发光层的背离所述基底的表面上形成第三发光层，所述第三发光层覆盖所述显示区域且为一体结构。
在一些示例性实施例中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层设置为分别发红光、绿光和蓝光。
在一些示例性实施例中，所述在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第三子像素和所述第二子像素内形成电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口在所述基底上的正投影不交叠。
在一些示例性实施例中，所述在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：形成覆盖所述显示区域且为一体结构的电子阻挡层。
在一些示例性实施例中，所述在所述第一子像素内形成第一发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第一子像素内形成缓冲层，所述缓冲层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠。
在一些示例性实施例中，形成所述电子阻挡层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：
在所述第一电极层上形成覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
本申请实施例还提供一种显示装置，包括前述任一实施例所述的OLED显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

Claims (20)

1.一种OLED显示面板，其特征在于：所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层、第一电极层、像素界定层、有机功能层和第二电极层，所述第一电极层设置在所述驱动结构层上，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极与所述驱动结构层内的像素驱动电路连接，所述像素界定层设置在所述第一电极层上并设有用于分别限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底的表面，所述有机功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述有机功能层上；
所述有机功能层包括位于所述第一子像素内的第一发光层、位于所述第二子像素内的第二发光层，以及覆盖所述显示区域且为一体结构的第三发光层；
所述第一发光层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；所述第二发光层在所述基底上的正投影包含所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；
所述第三发光层设置在所述第一发光层和所述第二发光层的背离所述基底的表面上。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于：所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层设置为分别发红光、绿光和蓝光。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于：所述有机功能层还包括至少位于所述第三子像素和所述第二子像素内的电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底上的正投影，所述第二发光层，以及所述第三子像素内的所述第三发光层均设置在所述电子阻挡层的背离所述基底的表面上。
4.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于：所述有机功能层还包括位于所述第一子像素内的缓冲层，所述缓冲层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠，所述第一发光层设置在所述缓冲层的背离所述基底的表面上。
5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于：所述电子阻挡层在所述基底上的正投影与所述第一开口在所述基底上的正投影不交叠。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于：所述有机功能层还包括设置在所述电子阻挡层和所述缓冲层的朝向所述第一电极层一侧、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于：所述设置在所述电子阻挡层和所述缓冲层的朝向所述第一电极层一侧、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设在所述第一电极上的所述空穴注入层和所述空穴传输层，所述电子阻挡层和所述缓冲层均设置在所述空穴传输层的背离所述基底的表面上。
8.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于：所述电子阻挡层覆盖所述显示区域且为一体结构，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影还包含所述第一开口在所述基底上的正投影，所述缓冲层设置在所述电子阻挡层的背离所述基底的表面上。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于：所述有机功能层还包括设置在所述第一电极层和所述电子阻挡层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
10.如权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于：所述设置在所述第一电极层和所述电子阻挡层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设在所述第一电极上的所述空穴注入层和所述空穴传输层，所述电子阻挡层设置在所述空穴传输层的背离所述基底的表面上。
11.如权利要求1-10任一项所述的OLED显示面板，其特征在于：所述有机功能层还包括设置所述第三发光层和所述第二电极层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
12.如权利要求11所述的OLED显示面板，其特征在于：所述设置所述第三发光层和所述第二电极层之间、并覆盖所述显示区域且为一体结构的膜层包括：依次叠设的所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层，所述空穴阻挡层设置在所述第三发光层的背离所述基底的表面上，所述第二电极层设置在所述电子注入层的背离所述第一电极层的表面上。
13.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于：所述第三子像素内的所述有机功能层的所有膜层均覆盖所述显示区域且为一体结构。
14.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1-13任一项所述的OLED显示面板。
15.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于：所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括分别显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述制备方法包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
在所述驱动结构层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极与所述像素驱动电路连接；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层设有用于分别限定所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口均裸露出其限定的子像素的所述第一电极的背离所述基底的表面；
在所述第一电极层上形成有机功能层，在所述有机功能层上形成第二电极层，其中，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，包括：
在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层，所述第一发光层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠，所述第二发光层在所述基底上的正投影包含所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠；
在所述第一发光层和所述第二发光层的背离所述基底的表面上形成第三发光层，所述第三发光层覆盖所述显示区域且为一体结构。
16.如权利要求15所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于：所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层设置为分别发红光、绿光和蓝光。
17.如权利要求16所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于：所述在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第三子像素和所述第二子像素内形成电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述基底上的正投影包含所述第三开口和所述第二开口在所述基底上的正投影，且与所述第一开口在所述基底上的正投影不交叠。
18.如权利要求16所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于：所述在所述第一子像素内形成第一发光层，以及在所述第二子像素内形成第二发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：形成覆盖所述显示区域且为一体结构的电子阻挡层。
19.如权利要求17或18所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于：所述在所述第一子像素内形成第一发光层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：在所述第一子像素内形成缓冲层，所述缓冲层在所述基底上的正投影包含所述第一开口在所述基底上的正投影，且与所述第二开口和所述第三开口在所述基底上的正投影不交叠。
20.如权利要求17或18所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于：形成所述电子阻挡层之前，所述在所述第一电极层上形成有机功能层，还包括：
在所述第一电极层上形成覆盖所述显示区域且为一体结构的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层。
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