CN110718571A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN110718571A CN201910975083.9A CN201910975083A CN110718571A CN 110718571 A CN110718571 A CN 110718571A CN 201910975083 A CN201910975083 A CN 201910975083A CN 110718571 A CN110718571 A CN 110718571A
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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述发光结构层包括反射阳极层、像素定义层、发光层和阴极，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。本发明通过将同时作为反射层和辅助阴极的金属层设置在驱动电路层上，既避免了阴极和作为辅助阴极的金属层之间的接触不良，也避免了现有结构易出现的短路等电路方面不良，有效提高了产品良率，解决了现有技术存在的产品良率较低等问题。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有主动发光、超薄、宽视角、高对比度、高亮度、高响应速度、低驱动电压及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，PM)型和有源矩阵驱动(Active Matrix，AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。依据出光方向的不同，OLED可分为底发射型OLED和顶发射型OLED，其中，顶发射型OLED可以实现更高的分辨率(PPI)，符合高分辨率显示的发展趋势，在业界广为采用。
随着氧化物(Oxide)技术、喷墨打印技术以及强微腔技术的发展，现已实现了全打印方式制备OLED，大幅度降低了大尺寸OLED的生产成本。但实际生产表明，采用全打印方式制备OLED的现有工艺存在产品良率较低的问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决现有技术存在的产品良率较低等问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述发光结构层包括反射阳极层、像素定义层、发光层和阴极，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
可选地，所述驱动电路层包括在基底上叠设的驱动层、钝化层和平坦层，所述驱动层包括薄膜晶体管；所述金属层设置在所述平坦层上，所述金属层上设置有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层设置有第一过孔，所述第一过孔内的钝化层设置有暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
可选地，所述复合绝缘层设置在所述金属层远离所述驱动层一侧的表面上和所述过渡孔内的表面上。
可选地，所述像素定义层设置在所述透明阳极上，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔，设置在所述开口区域内的发光层与所述透明阳极连接，设置在所述像素定义层上的阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
可选地，所述金属层为面状，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
可选地，所述金属层的材料包括至少其中之一：铝、铪和钽，所述复合绝缘层的材料包括至少其中之一：氧化铝、氧化铪和氧化钽。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成驱动电路层，在所述驱动电路层上形成反射阳极层，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极；
依次形成像素定义层、发光层和阴极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
可选地，在基底上形成驱动电路层，在所述驱动电路层上形成反射阳极层，包括：
在基底上形成驱动层，所述驱动层包括薄膜晶体管；
在所述驱动层上形成叠设的钝化层、平坦层和金属层，所述金属层上形成有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层形成有暴露出所述钝化层的第一过孔；
对所述金属层进行氧化处理，形成覆盖所述金属层的复合绝缘层；
在所述第一过孔内形成暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔；
形成透明阳极，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
可选地，在所述驱动层上形成叠设的钝化层、平坦层和金属层，所述金属层上形成有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层形成有暴露出所述钝化层的第一过孔，包括：
在所述驱动层上沉积整面的钝化层；
在所述钝化层上涂覆整面的平坦层；
在所述平坦层上沉积整面的金属层；
通过构图工艺对所述金属层进行构图，在所述金属层上形成暴露出所述平坦层的过渡孔；
对所述过渡孔中暴露出的平坦层进行刻蚀，形成暴露出所述钝化层的第一过孔。
可选地，对所述金属层进行氧化处理，形成覆盖所述金属层的复合绝缘层，包括：
对所述金属层进行氧化处理，在所述金属层远离所述驱动层一侧的表面上和所述过渡孔中暴露的表面上形成复合绝缘层。
可选地，依次形成像素定义层、发光层和阴极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接，包括：
在所述透明阳极上形成像素定义层，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔；
形成发光层，所述发光层通过所述开口区域与所述透明阳极连接；
形成阴极，所述阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
可选地，所述金属层为面状，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
可选地，所述金属层的材料包括至少其中之一：铝、铪和钽，所述复合绝缘层的材料包括至少其中之一：氧化铝、氧化铪和氧化钽。
本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过将同时作为反射层和辅助阴极的金属层设置在驱动电路层上，既避免了作为辅助阴极的金属层与阴极之间的接触不良，又避免了现有结构易出现的短路等电路方面不良，有效提高了产品良率，解决了现有技术存在的产品良率较低等问题。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例显示基板的结构示意图；
图2为本发明形成驱动层图案后的示意图；
图3为本发明形成平坦薄膜和反射金属薄膜后的示意图；
图4为本发明形成金属层图案后的示意图；
图5为本发明形成平坦层图案后的示意图；
图6为本发明形成复合绝缘层图案后的示意图；
图7为本发明形成第二过孔图案后的示意图；
图8为本发明形成透明阳极图案后的示意图；
图9为本发明形成像素定义层图案后的示意图；
图10为本发明实施例显示基板的平面示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—驱动层； 12—薄膜晶体管；
13—第三绝缘层； 14—金属层； 15—平坦层；
16—复合绝缘层； 21—透明阳极； 22—像素定义层；
23—发光层； 24—阴极； 40—第三绝缘薄膜；
41—平坦薄膜； 42—反射金属薄膜。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
经本申请发明人研究发现，采用全打印方式制备OLED的现有工艺存在产品良率较低等问题，与辅助阴极的设置位置有较大关系。具体地，与采用蒸镀方式制备OLED不同的是，采用全打印方式制备的顶发射型OLED结构，通常是利用栅金属层(Gate)或源漏金属层(S/D)形成辅助阴极(Auxiliary Cathode，AUX)走线，阴极通过过孔与辅助阴极走线连接。这种结构形式中，由于辅助阴极走线与栅金属层或源漏金属层图形同步制备，易发生短路等不良，由于阴极与辅助阴极走线之间间隔较厚的平坦层和像素定义层，使得连接阴极与辅助阴极走线的过孔较深，采用透明导电材料的阴极在通过较深的过孔与辅助阴极走线搭接时容易出现断裂，易发生阴极和辅助阴极走线接触不良。此外，设置的辅助阴极走线和过孔还牺牲了开口率。这些短路和搭接接触不良等电路方面问题，降低了产品良率。
为了解决现有技术存在的产品良率较低等问题，本发明实施例提供一种显示基板。本发明实施例显示基板的主体结构包括：在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述发光结构层包括反射阳极层、像素定义层、发光层和阴极，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
其中，所述驱动电路层包括在基底上叠设的驱动层、钝化层和平坦层，所述驱动层包括薄膜晶体管；所述金属层设置在所述平坦层上，所述金属层上设置有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层设置有第一过孔，所述第一过孔内的钝化层设置有暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
所述像素定义层设置在所述透明阳极上，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔，设置在所述开口区域内的发光层与所述透明阳极连接，设置在所述像素定义层上的所述阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
所述金属层为面状，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
图1为本发明实施例显示基板的结构示意图，示意了一种顶发射型显示基板。如图1所示并结合图2～图9，本发明实施例显示基板包括：
基底10；
设置在基底10上的驱动层11，驱动层11包括薄膜晶体管12；
覆盖驱动层11的钝化层13，其上开设有暴露出薄膜晶体管12的漏电极的第二过孔；
覆盖钝化层13的平坦层15，其上开设有暴露出第二过孔的第一过孔；
设置在平坦层15上的金属层14，其上开设有暴露出第一过孔的过渡孔；所述金属层同时作为透明阳极的反射层和阴极的辅助阴极；
覆盖金属层14的复合绝缘层16，复合绝缘层16设置在金属层14远离基底10一侧的表面上和过渡孔内的表面上；
设置在复合绝缘层16上的透明阳极21，透明阳极21通过过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管12的漏电极连接；
设置在透明阳极21上的像素定义层22，像素定义层22上设置有开口区域和连接过孔，开口区域暴露出透明阳极21，连接过孔暴露出金属层14；
设置在开口区域内的发光层23，发光层23与透明阳极21连接；
设置在发光层23和像素定义层22上的阴极24，阴极24与发光层23连接，同时通过连接过孔与金属层14连接。
其中，同时作为反射层和辅助阴极的金属层、复合绝缘层和透明阳极的叠层结构组成本发明实施例的反射阳极层。
其中，复合绝缘层16是通过氧化工艺对金属层14进行氧化形成，因而金属层14在远离驱动层11一侧的表面上和过渡孔中暴露的表面上形成有复合绝缘层16。金属层14的材料包括至少其中之一：铝、铪和钽，复合绝缘层16的材料包括至少其中之一：氧化铝、氧化铪和氧化钽。
本发明实施例提出了一种显示基板，通过将同时作为反射层和辅助阴极的金属层设置在驱动电路层上，既避免了作为辅助阴极的金属层与阴极之间的接触不良，又避免了现有结构易出现的短路等电路方面不良，有效提高了产品良率，解决了现有技术存在的产品良率较低等问题。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
(1)形成驱动层图案。本实施例中，驱动层11形成在基底10上，包括薄膜晶体管12，如图2所示。形成驱动层的过程与相关技术相同，包括依次形成有源层、栅电极、源电极和漏电极图案。作为一个示例，形成驱动层图案的过程可以包括：
A、在基底上沉积有源(Active)薄膜，通过构图工艺对有源薄膜进行构图，形成有源层图案。
B、在形成有前述图案的基底上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜和第一金属薄膜进行构图，在有源层上形成第一绝缘层和栅电极图案；随后，以栅电极图案作为遮挡，对有源层两侧的暴露区域进行导体化处理，使有源层的两侧形成掺杂区。通常，第一绝缘层称之为栅绝缘(GI)层。
C、在形成有前述图案的基底上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成覆盖栅电极的第二绝缘层，第二绝缘层上开设有两个过孔，两个过孔中的第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层两侧的掺杂区。通常，第二绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。
D、在形成有前述图案的基底上，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，在第二绝缘层上形成源电极和漏电极，源电极通过一个过孔与有源层一侧的掺杂区连接，漏电极通过另一个过孔与有源层另一侧的掺杂区连接。
这样，即在基底10上形成了包括薄膜晶体管12的驱动层11。其中，第一、第二金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本实施例同时适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的薄膜晶体管。第一、第二绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，也可以采用高介电常数Highk材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。实际实施时，可以先在基底上形成一层缓冲层，然后在缓冲层上形成有源层。
(2)形成平坦层和金属层图案。形成平坦层和金属层图案包括：在形成有前述图案的基底上，先沉积第三绝缘薄膜40，然后在第三绝缘薄膜40上涂覆整面的平坦薄膜41，最后在平坦薄膜41上沉积整面的反射金属薄膜42，如图3所示。随后，通过构图工艺对反射金属薄膜进行构图，形成面状的金属层14图案，金属层14上开设有暴露出平坦薄膜41的过渡孔K，如图4所示。随后，以金属层14图案作为掩膜，通过干刻方法对过渡孔K中暴露出的平坦薄膜41进行刻蚀，形成开设有第一过孔K1的平坦层15图案，第一过孔K1内的平坦薄膜被刻蚀掉，暴露出第三绝缘薄膜40的表面，如图5所示。本实施例中，金属层14为面状，既作为透明阳极的反射层，又作为阴极的辅助阴极。其中，第三绝缘薄膜40可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等材料，也可以采用高介电常数Highk材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。平坦薄膜的材料包含但不限于聚硅氧烷系材料、亚克力系材料或聚酰亚胺系材料等具有平坦化效果的材料。反射金属薄膜可以采用金属材料，如铝Al、铪Hf、钽Ta等。优选地，本实施例反射金属薄膜采用铝Al。
(3)形成复合绝缘层图案。形成复合绝缘层图案包括：在形成有前述图案的基底上，在高氧环境下对金属层14暴露的表面进行氧化处理，形成包裹金属层14的复合绝缘层16图案，如图6所示。其中，金属层14暴露的表面包括金属层14远离驱动层11一侧的表面以及过渡孔K中暴露的表面，因此所形成复合绝缘层16不仅形成在金属层14远离驱动层11一侧的表面上，而且形成在过渡孔K的侧壁上，使过渡孔K的侧壁仅暴露出复合绝缘层16。其中，氧化处理可以采用反应离子刻蚀(Reactive IonEtching，RIE)、退火(Anneal)或阳极氧化(anodic oxidation)等工艺。当金属层14采用铝Al材料时，复合绝缘层16为由铝Al氧化形成的氧化铝AlOx，如作为高介电常数K绝缘材料的三氧化二铝Al2O3。当金属层14采用铪Hf或钽Ta时，复合绝缘层16为由铪Hf或钽Ta氧化形成的氧化铪HfOx或氧化钽TaOx。本实施例通过采用氧化金属层的方式形成高介电常数K的复合绝缘层，简化了制备工艺。
(4)形成第二过孔图案。形成第二过孔图案包括：通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成开设有第二过孔K2的第三绝缘层13图案，第二过孔K2中的第三绝缘薄膜被刻蚀掉，暴露出薄膜晶体管12的漏电极，如图7所示。通常，第三绝缘层13也称之为钝化(PVX)层，第二过孔K2的面积小于第一过孔K1的面积。
(5)形成透明阳极图案。形成透明阳极图案包括：在形成有前述图案的基底上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成透明阳极21图案，透明阳极21通过过渡孔K、第一过孔K1和第二过孔K2与薄膜晶体管12的漏电极连接，如图8所示。其中，透明阳极的材料可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO等。对于顶发射结构，阳极是反射电极，虽然本实施例透明阳极是透明结构，但本实施例透明阳极与前述工艺中形成的金属层和复合绝缘层一起构成反射阳极层，相当于本实施例的阳极是采用金属层/复合绝缘层/透明导电材料三层堆栈结构，具有高反射率的铝Al、铪Hf或钽Ta既作为辅助阴极，又作为透明阳极的反射层，用于反射有机发光层发出的光。由铝Al、铪Hf或钽Ta直接氧化而成的氧化铝AlOx、氧化铪HfOx或氧化钽TaOx作为复合绝缘层，具有良好的绝缘性，保证了金属层与透明阳极之间的绝缘。只有透明导电材料的透明阳极与后续形成的有机发光层直接连接，作为真正的OLED阳极。
(6)形成像素定义层图案。形成像素定义层图案包括：在形成有前述图案的基底上，涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影，形成像素定义层22图案，像素定义层22上形成有开口区域K0和连接过孔K4，开口区域K0的像素定义薄膜被显影掉，暴露出透明阳极21的表面，连接过孔K4的像素定义薄膜被显影掉，暴露出复合绝缘层16的表面。随后，通过刻蚀工艺刻蚀连接过孔K4内较薄的复合绝缘层16，暴露出金属层14的表面，如图9所示。
(7)形成发光层和阴极图案。形成发光层和阴极图案包括：在形成有前述图案的基底上，采用喷墨打印方式依次打印形成发光层23和阴极24图案，发光层23形成在开口区域K0，与开口区域K0内暴露出的透明阳极21连接，阴极24形成在发光层23和像素定义层22上，与发光层23连接，同时通过连接过孔K4与作为辅助阴极的金属层14连接，如图1所示。其中，发光层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、有机发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，有机发光层包括红色发光层(REML)、绿色发光层(GEML)和蓝色发光层(BEML)。对于顶发射结构，阴极是透明电极，阴极的材料可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO等。
后续制备过程还包括形成封装层等结构，制备方法与相关技术相同，这里不再赘述。
图10为本发明实施例显示基板的平面示意图。如图10所示，作为辅助阴极的金属层14为整面结构，阴极只需一个连接过孔K4与金属层14连接。透明阳极21也为整面结构，通过第二过孔K2与薄膜晶体管的漏电极连接，透明阳极21在基底上的正投影位于作为反射层的金属层14在基底上的正投影范围内，在开口区域K0，透明阳极21、复合绝缘层和金属层14形成层叠结构的反射阳极层。
通过本发明实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，由于同时作为反射层和辅助阴极的金属层设置在平坦层上，使金属层与阴极之间仅间隔像素定义层和较薄的复合绝缘层，金属层与阴极之间的距离较小，因而连接阴极与金属层的连接过孔较浅，阴极通过较浅的连接过孔与金属层搭接时，不会出现断裂情况，避免了阴极和金属层之间的接触不良。同时，由于金属层是形成在平坦层上，既没有与栅金属层或源漏金属层同层，也没有与栅金属层或源漏金属层同时制备，因而避免了现有结构易出现的短路等电路方面不良。因此，本发明实施例有效提高了产品良率，解决了现有技术存在阴极和辅助阴极接触不良等问题。
进一步地，由于作为辅助阴极的金属层为整面结构，与现有走线结构相比，本发明实施例有效降低了阴极的电阻压降(IR Drop)，提高了阴极电压的分布均匀性，提高了亮度均匀性。同时，由于金属层为整面结构，使得阴极与金属层连接更加容易，减少了走线和开孔数目，因而减小了对开口率和分辨率的限制，可以有效提升像素开口率，适用于高分辨率显示面板的制备。
进一步地，由于作为透明阳极反射层的金属层是形成在平坦层上，相当于阳极是采用金属层/复合绝缘层/透明导电材料三层堆栈结构。具有高反射率的金属层用于反射发光层发出的光，金属层和透明阳极之间通过复合绝缘层绝缘，因而与发光层直接连接的透明阳极可以采用透明导电材料，形成堆栈结构的反射阳极层。与采用金属材料作为阳极的现有结构相比，本实施例提出的反射阳极层的层叠结构，透明导电材料与发光层直接连接，有效避免了阳极功函数被金属电极拉低等情况，提升了发光效率。
进一步地，本实施例通过氧化金属层的方式形成高介电常数的复合绝缘层，实现金属层与透明阳极之间的绝缘，简化了制备工艺，简化了显示基板的制备流程。本实施例显示基板的制备不需改变现有工艺设备，不需要改变现有工艺流程，工艺兼容性好，工艺可实现性高，实用性强，方法简单，效果明显，具有良好的应用前景。
需要说明的是，图1所示顶发射显示基板的结构仅仅是一种示例，本发明实施例显示基板还可以包括其它结构层，如封装层、遮光层等，驱动层中的薄膜晶体管既可以是顶栅结构，也可以采用底栅结构，既可以是背沟道刻蚀(Back Channel Etch Type，BCE)型结构，也可以是刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)型结构，本发明在此不做限定。
基于本发明实施例显示基板的技术构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，以制备出图1所示的显示基板。
本发明实施例显示基板的制备方法包括：
S1、在基底上形成驱动电路层，在所述驱动电路层上形成反射阳极层，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极；
S2、依次形成像素定义层、发光层和阴极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
其中，步骤S1包括：
S11、在基底上形成驱动层，所述驱动层包括薄膜晶体管；
S12、在所述驱动层上形成叠设的钝化层、平坦层和金属层，所述金属层上形成有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层形成有暴露出所述钝化层的第一过孔；
S13、对所述金属层进行氧化处理，形成覆盖所述金属层的复合绝缘层；
S14、在所述第一过孔内形成暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔；
S15、形成透明阳极，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
其中，步骤S12包括：
S121、在所述驱动层上沉积整面的钝化层；
S122、在所述钝化层上涂覆整面的平坦层；
S123、在所述平坦层上沉积整面的金属层；
S124、通过构图工艺对所述金属层进行构图，在所述金属层上形成暴露出所述平坦层的过渡孔；
S125、对所述过渡孔中暴露出的平坦层进行刻蚀，形成暴露出所述钝化层的第一过孔。
其中，步骤S13包括：对所述金属层进行氧化处理，在所述金属层远离所述驱动层一侧的表面上和所述过渡孔中暴露的表面上形成复合绝缘层。
其中，步骤S2包括：
S21、在所述透明阳极上形成像素定义层，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔；
S22、形成发光层，所述发光层通过所述开口区域与所述透明阳极连接；
S23、形成阴极，所述阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
其中，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
其中，所述金属层的材料包括铝、铪或钽，所述复合绝缘层的材料包括氧化铝、氧化铪或氧化钽。
本发明实施例提出了一种显示基板的制备方法，通过将同时作为反射层和辅助阴极的金属层设置在驱动电路层上，既避免了作为辅助阴极的金属层与阴极之间的接触不良，又避免了现有结构易出现的短路等电路方面不良，有效提高了产品良率，解决了现有技术存在的产品良率较低等问题。进一步地，本实施例通过氧化金属层的方式形成高介电常数的复合绝缘层，实现金属层与透明阳极之间的绝缘，简化了制备工艺，简化了显示基板的制备流程。本实施例显示基板的制备方法不需改变现有工艺设备，不需要改变现有工艺流程，工艺兼容性好，工艺可实现性高，实用性强，方法简单，效果明显，具有良好的应用前景。
有关显示基板的具体制备过程，已在前述显示基板的实施例中详细说明，这里不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间件间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述发光结构层包括反射阳极层、像素定义层、发光层和阴极，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层包括在基底上叠设的驱动层、钝化层和平坦层，所述驱动层包括薄膜晶体管；所述金属层设置在所述平坦层上，所述金属层上设置有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层设置有第一过孔，所述第一过孔内的钝化层设置有暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述复合绝缘层设置在所述金属层远离所述驱动层一侧的表面上和所述过渡孔内的表面上。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层设置在所述透明阳极上，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔，设置在所述开口区域内的发光层与所述透明阳极连接，设置在所述像素定义层上的阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属层为面状，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
6.根据权利要求1～5任一所述的显示基板，其特征在于，所述金属层的材料包括至少其中之一：铝、铪和钽，所述复合绝缘层的材料包括至少其中之一：氧化铝、氧化铪和氧化钽。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6任一所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成驱动电路层，在所述驱动电路层上形成反射阳极层，所述反射阳极层包括同时作为反射层和辅助阴极的金属层、覆盖所述金属层的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层上的透明阳极；
依次形成像素定义层、发光层和阴极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在基底上形成驱动电路层，在所述驱动电路层上形成反射阳极层，包括：
在基底上形成驱动层，所述驱动层包括薄膜晶体管；
在所述驱动层上形成叠设的钝化层、平坦层和金属层，所述金属层上形成有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层形成有暴露出所述钝化层的第一过孔；
对所述金属层进行氧化处理，形成覆盖所述金属层的复合绝缘层；
在所述第一过孔内形成暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的第二过孔；
形成透明阳极，所述透明阳极通过所述过渡孔、第一过孔和第二过孔与薄膜晶体管的漏电极连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述驱动层上形成叠设的钝化层、平坦层和金属层，所述金属层上形成有过渡孔，所述过渡孔内的平坦层形成有暴露出所述钝化层的第一过孔，包括：
在所述驱动层上沉积整面的钝化层；
在所述钝化层上涂覆整面的平坦层；
在所述平坦层上沉积整面的金属层；
通过构图工艺对所述金属层进行构图，在所述金属层上形成暴露出所述平坦层的过渡孔；
对所述过渡孔中暴露出的平坦层进行刻蚀，形成暴露出所述钝化层的第一过孔。
11.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行氧化处理，形成覆盖所述金属层的复合绝缘层，包括：
对所述金属层进行氧化处理，在所述金属层远离所述驱动层一侧的表面上和所述过渡孔中暴露的表面上形成复合绝缘层。
12.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，依次形成像素定义层、发光层和阴极，所述阴极通过像素定义层上的连接过孔与所述金属层连接，包括：
在所述透明阳极上形成像素定义层，其上设置有暴露出透明阳极的开口区域和暴露出金属层的连接过孔；
形成发光层，所述发光层通过所述开口区域与所述透明阳极连接；
形成阴极，所述阴极通过所述连接过孔与所述金属层连接。
13.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述金属层为面状，所述透明阳极在基底上的正投影位于所述金属层在基底上的正投影范围内。
14.根据权利要求8～13任一所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括至少其中之一：铝、铪和钽，所述复合绝缘层的材料包括至少其中之一：氧化铝、氧化铪和氧化钽。
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