CN111668158A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板的制备方法包括：形成基底，在所述基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括薄膜晶体管；在所述驱动结构层远离所述基底一侧形成平坦层，对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后，形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔；在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层。本实施提供的方案，实现了阳极平坦化，且孔径比变化较小，提高了显示效果。
Description
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
近年来，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)屏幕以其轻薄，优异显示效果，高对比度，广色域，柔性等一系列的优点受到人们的广泛关注，被认为是有望取代液晶的下一代显示器方案。随着对全面屏的需求，对屏幕厚度减薄的技术越来越受到消费者的需求。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面，本申请实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
形成基底，在所述基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括薄膜晶体管；
在所述驱动结构层远离所述基底一侧形成平坦层，对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后，形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔；
在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层。
在一示例性实施例中，在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层前，还包括：
在所述平坦层和所述发光结构层之间形成辅助层。
在一示例性实施例中，所述形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔包括：使用所述辅助层作为掩膜版刻蚀形成所述第一过孔。
在一示例性实施例中，所述辅助层的材料包括金属。
在一示例性实施例中，所述辅助层包括彼此独立的第一辅助电极和第二辅助电极；
在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层包括：
在所述辅助层远离所述基底一侧形成第一电极，所述第一电极电连接所述第一辅助电极和所述薄膜晶体管的第一极；
在所述第一电极远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层开设有暴露所述第二辅助电极的第二过孔；
在所述像素界定层远离所述基底一侧依次形成有机发光层和第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔电连接所述第二辅助电极。
在一示例性实施例中，所述平坦层的材料包括黑色材料。
又一方面，本申请实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、平坦层和发光结构层；所述驱动结构层包括薄膜晶体管，所述平坦层设置有暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔，且所述第一过孔在对所述平坦层固化和抛光磨平后形成。
在一示例性实施例中，所述显示基板还包括：设置在所述平坦层和所述发光结构层之间的辅助层。
在一示例性实施例中，所述辅助层的材料包括金属。
在一示例性实施例中，所述辅助层包括彼此独立的第一辅助电极和第二辅助电极；
所述发光结构层包括从靠近所述辅助层一侧到远离所述辅助层一侧依次设置的第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第一电极电连接所述第一辅助电极；所述像素界定层开设有暴露所述第二辅助电极的第二过孔；所述第二电极通过所述第二过孔电连接所述第二辅助电极。
在一示例性实施例中，所述平坦层的材料包括黑色材料。
在一示例性实施例中，所述平坦层的材料包括非光敏性材料。
再一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述实施例所述的显示基板。
本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：形成基底，在所述基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括薄膜晶体管；在所述驱动结构层远离所述基底一侧形成平坦层，对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后，形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔；在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层。本申请实施例提供的方案，对平坦层进行固化和抛光磨平处理，提高了平坦层的平坦度，避免色分离导致显示不均，提高显示效果。另外，在固化和抛光磨平后再打孔，一方面避免抛光剂(或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)的残留，另一方面相比固化前打孔，可以降低孔径变化，避免影响接触电阻，提高显示效果。
本申请实施例其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请实施例的目的和优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请实施例技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释技术方案，并不构成对技术方案的限制。
图1为一技术方案提供的显示基板示意图；
图2为一实施例提供的显示基板的制备方法流程图；
图3为一实施例形成基底图案后的示意图；
图4为一实施例形成驱动结构层后的示意图；
图5为一实施例形成平坦层后的示意图；
图6为一实施例沉积辅助层后的示意图；
图7为一实施例形成辅助层图案后的示意图；
图8为一实施例形成第一过孔后的示意图；
图9为一实施例形成阳极后的示意图；
图10为一实施例形成发光结构层后的示意图；
图11为一实施例形成封装层后的示意图；
图12为一实施例提供的显示基板示意图；
图13为另一实施例提供的显示基板示意图；
图14为又一实施例提供的显示基板示意图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极；或者，第一电极可以是阴极，第二电极可以是阳极，根据显示基板的发光结构而定。
有机发光显示基板中，通常用涂布RGB Color filter(彩膜基板)来替代偏光片(Polarizer，POL)的作用，但因现有工艺水平的影响，阳极的不平坦会造成色分离，使得显示不均。
图1为一种技术方案中提供的显示基板的示意图。如图1所示，所述显示基板包括基底1、驱动结构层2和平坦层3，驱动结构层包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，因为区域化TFT设计的影响，TFT上方的平坦层区域虽经过流平设计，但因为工艺偏差(floating)的影响，此处的高度相较于其他区域要高出0.2微米(μm)至1.2微米，造成平坦层3的不平坦化，从而造成色分离，使得显示不均。另外，该设计中，平坦层3打孔设计之后还要经过热烘烤固化，会造成孔径比的变化，变化范围大致在1％～10％之间，孔径比变化较大，导致阳极与薄膜晶体管接触电阻改变，影响显示效果。
本申请实施例中提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以满足使阳极平坦的要求，防止彩色滤光片(Color Filter on Encapsulation，COE)设计时因阳极不平坦造成的色分离现象，且能确保孔径比。
图2为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法流程图。如图2所示，本申请实施例提供的显示基板的制备方法包括：
步骤201，形成基底，在所述基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括薄膜晶体管；
步骤202，在所述驱动结构层远离所述基底一侧形成平坦层，对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后，形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔；
步骤203，在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层。
本实施例提供的方案，对平坦层进行固化和抛光磨平处理，提高了平坦层的平坦度，避免色分离导致显示不均，提高显示效果。另外，在固化和抛光磨平后再打孔，一方面避免抛光剂(或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)的残留，另一方面相比固化前打孔，可以降低孔径变化，避免影响接触电阻，提高显示效果。
在一示例性实施例中，所述第一极比如为漏电极，所述第一电极比如为阳极。但本申请实施例不限于此，显示基板使用结构改变时，第一极可以是源电极，第一电极可以是阴极。
在一示例性实施例中，在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层前，还包括：在所述平坦层和所述发光结构层之间形成辅助层。所示辅助层可以是绝缘的，或者，可以是导电的，或者，可以部分绝缘部分导电，等等。在其他实施例中，可以无辅助层。辅助层可以作为辅助电极，或者，可以作为后续流程中的掩膜版。
在一示例性实施例中，所述形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔包括：使用所述辅助层作为掩膜版刻蚀形成所述第一过孔。辅助层在形成第一过孔前形成。本实施例中，使用辅助层作为掩膜版，可以简化制备流程，降低成本。在另一实施例中，可以不使用辅助层作为掩膜版。
在一示例性实施例中，所述辅助层的材料包括金属。辅助层使用金属时，可以作为辅助电极。比如，作为阳极的辅助电极，或者，作为阴极的辅助电极，或者，作为阳极和阴极的辅助电极，本实施例中，使用辅助电极，可以降低IR压降(IR Drop)。在其他实施例中，辅助层可以使用非金属。
在一示例性实施例中，所述辅助层包括彼此独立的第一辅助电极和第二辅助电极；
在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层包括：
在所述辅助层远离所述基底一侧形成第一电极，所述第一电极电连接所述第一辅助电极和所述薄膜晶体管的第一极；
在所述第一电极远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层开设有暴露所述第二辅助电极的第二过孔；
在所述像素界定层远离所述基底一侧依次形成有机发光层和第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔电连接所述第二辅助电极。本实施例中，辅助层作为第一极的辅助电极和第二极的辅助电极，降低了IR Drop。另一实施例中，可以只有第一辅助电极。
下面通过一示例说明显示基板的制备过程。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
图3至图12为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括：
(1)形成基底图案。形成基底图案包括：在玻璃载板9上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底10。在第一基底10沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第一基底10的缓冲层11图案。其中，柔性材料可以采用压敏胶(Pressure Sensitive Adhesive，简称PSA)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底，如图3所示。缓冲薄膜可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。
(2)在基底上形成有源层、栅电极、源电极和漏电极图案。
如图4所示，在基底上形成有源层、栅电极、源电极和漏电极图案包括：
在形成上述结构的基础上，沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在显示区域形成设置在缓冲层11上的有源层12图案；
依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14、第二栅电极(未示出)和栅线(未示出)图案。
依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极14和第二栅电极的第二绝缘层16以及设置在第二绝缘层16上的电容电极(未示出)图案，电容电极的位置与第二栅电极的位置相对应，电容电极与第二栅电极构成电容。
在形成上述结构的基础上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，在显示区域形成开设有过孔的第三绝缘层18图案，过孔中的第三绝缘层18、第二绝缘层16和第一绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12；
沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在显示区域形成源电极19、漏电极20和数据线(未示出)图案，源电极19和漏电极20分别通过过孔与有源层12连接。
通过上述过程，在基底上完成了显示区域的驱动结构层的制备。其中，驱动结构层包括有源层12、第一栅电极14、第二栅电极、电容电极、源电极19、漏电极20、栅线和数据线，栅线和数据线垂直交叉限定出子像素，由有源层12、第一栅电极14、源电极19和漏电极20构成的薄膜晶体管设置在子像素内。其中，第一绝缘层和第二绝缘层也称之为栅绝缘层(GI)，第三绝缘层也称之为层间绝缘层(ILD)。
(4)形成平坦层图案。
形成平坦层图案包括：在形成上述结构的基础上，涂覆第四绝缘薄膜，进行烘烤固化成型，抛光磨平形成覆盖源电极19和漏电极20的平坦层21图案，如图5所示。本实施例中，通过抛光磨平可以提高平坦度，使得后续阳极平坦度相应提高。
在一示例性实施例中，抛光磨平可以是使用化学(使用抛光剂)或机械的方式进行。
在一示例性实施例中，所述第四绝缘薄膜可以使用黑色材料，防止光照对栅极走线造成影响，而且可以降低走线的反射率。此处黑色材料包括黑色和接近黑色的材料。所述黑色材料比如包括黑色的PI，硅氧烷基粘合剂，或者黑色的颜料，染料等。本申请实施例不限于此，可以使用非黑色材料，比如，透明材料，非黑色的防反射材料等等。
在一示例性实施例中，所述第四绝缘薄膜可以使用非光敏性材料，由于光敏性材料成本较高，使用非光敏性材料可以降低成本。常规的平坦层材料包含光敏性材料，因此，可以使用不含光敏性材料的材料制作平坦层。可以是黑色的非光敏性材料，或者，是非黑色的非光敏性材料。
(5)形成辅助层图案
所述形成辅助层图案包括：
沉积辅助层薄膜，如图6所示。所述辅助层薄膜比如为导电材料或绝缘材料，所述导电材料比如包括金属或导电薄膜(比如氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO等)，所述金属比如包括镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。所述绝缘材料比如包括无机绝缘材料，比如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx、氮氧化硅等。
通过构图工艺对辅助层薄膜进行构图，生成第一辅助电极221和第二辅助电极222，如图7所示。其中，第一辅助电极221可以与阳极电连接，第二辅助电极222可以与阴极电连接，从而降低IR压降。本申请实施例不限于此，可以只有第一辅助电极221与阳极电连接，或者，只有第二辅助电极222与阴极电连接。当只有第一辅助电极221与阳极电连接时，无第二过孔。当只有第二辅助电极222与阴极电连接时，辅助层可以部分使用绝缘材料(第一辅助电极221对应的部分)，部分使用金属(第二辅助电极222对应的部分)，等等。
以辅助层作为掩膜版，刻蚀(比如干刻)形成贯穿所述平坦层的第一过孔23，所述第一过孔暴露出漏电极20，如图8所示。
本实施例中，使用辅助层作为掩膜版，避免了额外使用掩膜版，简化了流程，降低了成本。另外，在平坦层抛光磨平之后再形成过孔，相比形成第一过孔后再进行抛光磨平，本实施例提供的方案，不会有抛光剂的残留(抛光剂或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)，不会对源漏电极造成损伤。另外，在烘烤固化后再打孔，对孔径比的影响变化量在2％以内，大大降低了孔径比的变化量，避免造成阳极与漏电极的接触电阻变化，提高了显示效果。
(6)形成阳极图案。
沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在显示区域形成阳极31图案，阳极31通过第一过孔23与漏电极20连接，如图9所示。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO或者ITO/Al(铝)/ITO多层复合材料。在另一实施例中，第二辅助电极222可以和阳极31同层设置。
(5)形成像素界定层、有机发光层和阴极图案。
形成像素界定层、有机发光层和阴极图案包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素界定薄膜，通过光刻工艺在显示区域形成像素界定层(Pixel Define Layer，简称PDL)32图案，像素界定层32在每个子像素限定出暴露阳极31的像素开口区域以及第二过孔，所述第二过孔暴露出第二辅助电极222，其中，像素界定层32的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
依次蒸镀有机发光材料及阴极金属，形成有机发光层33和阴极34图案，有机发光层33与像素界定层32限定出的像素开口区域内的阳极31连接，阴极34设置在有机发光层33上，阴极34与第二辅助电极222电连接，如图10所示。其中，有机发光层33主要包括发光层(EML)。实际实施时，有机发光层33可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，提高电子和空穴注入发光层的效率，阴极34可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。
(6)形成封装层图案。形成封装层图案包括：在形成前述图案的基底上，先沉积第一无机薄膜，形成第一无机层图案，随后，采用喷墨打印方式在显示区域形成有机层，有机层仅形成在显示区域的第一无机层上。最后，沉积第二无机薄膜，第二无机薄膜覆盖显示区域和非显示区域，形成第二无机层图案，如图11所示。这样，即完成包括无机/有机/无机三层结构的封装层35，中间的有机层仅形成在显示区域，上下两层无机层覆盖显示区域和非显示区域。其中，第一无机薄膜比如为氮氧化硅(SiON)，第二无机薄膜比如为氮化硅(SiNx)。
(9)最后，剥离玻璃载板9，完成显示基板的制备，如图12所示。
本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，显示基板不仅可以顶发射结构，也可以是底发射结构。又如，薄膜晶体管可以是顶栅结构，或者，可以是底栅结构，或者，可以是双栅结构，或者，可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层。
图12为另一实施例提供的显示基板示意图。如图12所示，本实施例提供的显示基板包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、平坦层21、辅助层22和发光结构层；所述基底包括第一基底10和缓冲层11，所述驱动结构层包括有源层12、第一绝缘层13、第一栅电极14、第二绝缘层16、第三绝缘层18、源电极19和漏电极20，所述平坦层21设置有暴露所述漏电极20的第一过孔，且所述第一过孔在对所述平坦层21固化和抛光磨平后形成。所述辅助层22包括彼此独立的第一辅助电极221和第二辅助电极222，所述发光结构层包括阳极31、像素界定层32、有机发光层33和阴极34。所述阳极31设置在所述第一辅助电极221远离基底一侧的表面，与所述第一辅助电极221电连接，所述阳极31还通过所述第一过孔电连接到所述漏电极20。所述像素界定层32设置有暴露所述第二辅助电极222的第二过孔，所述阴极34通过第二过孔与所述第二辅助电极222电连接。
本实施例提供的显示基板，对平坦层进行固化和抛光磨平处理，使得平坦层更为平坦，避免了色分离，导致显示不均。另外，在固化和抛光磨平后再打孔，一方面避免抛光剂(或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)的残留，另一方面相比固化前打孔，可以降低孔径变化，避免影响接触电阻，提高显示效果。另外，第一辅助电极221和第二辅助电极降低了IR压降，且辅助层在制作过程中可以作为掩膜版，简化了制备过程，降低成本。
在一示例性实施例中，所述平坦层的材料包括黑色材料，防止光照对栅极走线造成影响，以及，可以降低反射率。
在一示例性实施例中，所述平坦层的材料包括非光敏性材料。即可以不包含光敏性材料，降低成本。
图13为另一实施例提供的显示基板示意图。如图13所示，本实施例提供的显示基板包括基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、平坦层21和发光结构层；所述基底包括第一基底10和缓冲层11，所述驱动结构层包括有源层12、第一绝缘层13、第一栅电极14、第二绝缘层16、第三绝缘层18、源电极19和漏电极20，所述平坦层21设置有暴露所述漏电极20的第一过孔，且所述第一过孔在对所述平坦层21固化和抛光磨平后形成。所述发光结构层包括阳极31、像素界定层32、有机发光层33和阴极34。所述阳极31设置在所述第一辅助电极221远离基底一侧的表面，所述阳极31通过所述第一过孔电连接到所述漏电极20。
本实施例提供的显示基板，对平坦层进行固化和抛光磨平处理，使得平坦层更为平坦，避免了色分离，导致显示不均。另外，在固化和抛光磨平后再打孔，一方面避免抛光剂(或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)的残留，另一方面相比固化前打孔，可以降低孔径变化，避免影响接触电阻，提高显示效果。
如图14所示，本申请实施例提供一种显示基板，包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、平坦层21、辅助层22和发光结构层；所述基底包括第一基底10和缓冲层11，所述驱动结构层包括有源层12、第一绝缘层13、第一栅电极14、第二绝缘层16、第三绝缘层18、源电极19和漏电极20，所述平坦层21设置有暴露所述漏电极20的第一过孔，且所述第一过孔在对所述平坦层21固化和抛光磨平后形成。所述发光结构层包括阳极31、像素界定层32、有机发光层33和阴极34。所述阳极31设置在所述辅助层22远离基底一侧的表面，与所述辅助层22电连接，所述阳极31还通过所述第一过孔电连接到所述漏电极20。
本实施例提供的显示基板，对平坦层进行固化和抛光磨平处理，使得平坦层更为平坦，避免了色分离，导致显示不均。另外，在固化和抛光磨平后再打孔，一方面避免抛光剂(或酸或碱会造成一定的腐蚀，影响TFT特性)的残留，另一方面相比固化前打孔，可以降低孔径变化，避免影响接触电阻，提高显示效果。另外，辅助层在制备过程中可以作为掩膜版，简化了制作流程，降低成本。辅助层作为阳极的辅助电极，可以降低IR压降。
基于本申请实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。所述显示装置可以是OLED显示装置，或者，其他显示装置。所述显示装置可以为：智能手环，手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
(1)本申请实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本申请实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本申请实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示基板的制备方法，包括：
形成基底，在所述基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括薄膜晶体管；
在所述驱动结构层远离所述基底一侧形成平坦层，对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后，形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔；
在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层前，还包括：
在所述平坦层和所述发光结构层之间形成辅助层。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述平坦层且暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔包括：使用所述辅助层作为掩膜版刻蚀形成所述第一过孔。
4.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述辅助层的材料包括金属。
5.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述辅助层包括彼此独立的第一辅助电极和第二辅助电极；
在所述平坦层远离所述基底一侧形成发光结构层包括：
在所述辅助层远离所述基底一侧形成第一电极，所述第一电极电连接所述第一辅助电极和所述薄膜晶体管的第一极；
在所述第一电极远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层开设有暴露所述第二辅助电极的第二过孔；
在所述像素界定层远离所述基底一侧依次形成有机发光层和第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔电连接所述第二辅助电极。
6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述平坦层的材料包括黑色材料。
7.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、平坦层和发光结构层；所述驱动结构层包括薄膜晶体管，所述平坦层设置有暴露所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔，且所述第一过孔在对所述平坦层进行固化和抛光磨平处理后形成。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述平坦层和所述发光结构层之间的辅助层。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述辅助层的材料包括金属。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，
所述辅助层包括彼此独立的第一辅助电极和第二辅助电极；
所述发光结构层包括从靠近所述辅助层一侧到远离所述辅助层一侧依次设置的第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第一电极电连接所述第一辅助电极；所述像素界定层开设有暴露所述第二辅助电极的第二过孔；所述第二电极通过所述第二过孔电连接所述第二辅助电极。
11.根据权利要求7至10任一所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层的材料包括黑色材料。
12.根据权利要求7至10任一所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层的材料包括非光敏性材料。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7至12任一所述的显示基板。
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