CN111312732A - 一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，该显示面板包括：衬底基板；金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括多个半导体部；第一金属层，设于所述金属氧化物半导体层上；所述第一金属层包括多个栅极；第二金属层，设于所述第一金属层上，所述第二金属层包括多个源极和多个漏极；其中在俯视角下，所述显示面板包括多个薄膜晶体管；多个阳极，设于所述第二金属层上，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。本发明的显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，能够提高薄膜晶体管的导电性能。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置。
【背景技术】
由于金属氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，成为研究的热点。
顶栅结构的金属氧化物薄膜晶体管由于无法在其上方覆盖刚性的彩膜基板，因此外部光源很容易直接照射到金属氧化物半导体层，使器件的电性劣化，也即使得薄膜晶体管的导电性能较差，进而降低了显示面板的显示效果。
因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，能够提高薄膜晶体管的导电性能和显示效果。
为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括多个半导体部；
第一金属层，设于所述金属氧化物半导体层上；所述第一金属层包括多个栅极；
第二金属层，设于所述第一金属层上，所述第二金属层包括多个源极和多个漏极；其中在俯视角下，所述显示面板包括多个薄膜晶体管；
多个阳极，设于所述第二金属层上，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
在本发明的显示面板中，所述第二金属层和所述阳极之间设置有光阻层，所述光阻层覆盖所述阳极。
在本发明的显示面板中，所述光阻层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述阳极在所述衬底基板上的正投影的面积，所述阳极在所述衬底基板上的正投影的面积大于对应的薄膜晶体管所在的区域在所述衬底基板上的正投影的面积。
在本发明的显示面板中，在俯视角下，所述显示面板包括多个间隔设置的像素，每个像素对应一阳极，所述光阻层还覆盖相邻两个阳极之间的间隙处。
在本发明的显示面板中，所述光阻层的材料包括红色色阻材料和黑色色阻材料。
在本发明的显示面板中，所述光阻层和所述阳极之间还设置有平坦层；
所述平坦层上设置有过孔，所述过孔贯穿所述平坦层和所述光阻层，所述阳极通过所述过孔与所述漏极连接。
在本发明的显示面板中，所述阳极的材料为ITO、Ag以及ITO的堆栈组合结构。
本发明还提供一种显示模组，其包括上述显示面板。
本发明还提供一种电子装置，其包括上述显示模组。
本发明还提供一种显示面板的制作方法，其中在俯视角下，所述显示面板包括多个薄膜晶体管，所述方法包括：
在衬底基板上制作金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行图案化处理，形成多个半导体部；
在所述金属氧化物半导体层上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理形成多个栅极；
采用所述栅极作为遮挡体对所述半导体部进行导体化处理，以使与所述栅极位置对应的半导体部形成沟道；
在所述金属氧化物半导体层以及栅极上制作第二金属层，对第二金属层进行图案化处理形成多个源极和多个漏极；
在所述第二金属层上制作多个阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
本发明的显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，包括多个阳极，设于所述第二金属层上，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域；由于将阳极的面积制作的比较大，因此能够覆盖薄膜晶体管所在的区域，以将外界的光反射回去，从而避免光线直接照射到金属氧化物半导体层，提高了薄膜晶体管的导电性能以及显示效果。
【附图说明】
图1为现有的显示面板的剖面示意图；
图2为图1所示的显示面板的俯视图；
图3为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图；
图4为图3所示的显示面板的俯视图；
图5为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图；
图6为图5所示的显示面板的俯视图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
如图1所示，现有的显示面板包括衬底基板10、阻挡层12’、遮光层11、缓冲层12、金属氧化物半导体层13、第一绝缘层14、第一金属层15、第二绝缘层16、第二金属层17、第三绝缘层18、平坦层19以及阳极20、像素定义层21、发光层以及阴极(图中均未示出)。
如图2所示，在俯视角下，显示面板包括多个像素，其包括红色像素31、蓝色像素32以及绿色像素33，其中每个像素的阳极20在衬底基板10上的正投影区域如102所示，该像素的薄膜晶体管在衬底基板10上的正投影区域如101所示。其中薄膜晶体管的投影区域101位于所述阳极的投影区域102以外。
请参照图3和图4，图3为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。
如图3所示，本实施例的显示面板包括衬底基板10、金属氧化物半导体层13、第一金属层15、第二金属层17、阳极40，此外还可包括阻挡层12’、遮光层11、缓冲层12、第一绝缘层14、第二绝缘层16、第三绝缘层18以及平坦层19。
其中衬底基板10可为玻璃基板。
阻挡层12’设于所述衬底基板10上。所述阻挡层12’用于阻挡水和氧。
遮光层11设于所述阻挡层12’上，在一实施方式中，所述遮光层11的材料包括Mo，其中为了进一步提高遮光效果，遮光层11的厚度范围可为
缓冲层12设于所述遮光层11上。在一实施方式中，所述缓冲层12的材料包括SiO2、SiNx以及SiON中的至少一种。为了进一步减少缓冲层与半导体层之间的界面缺陷，所述缓冲层12的材料为SiON。在一实施方式中，所述缓冲层12的厚度范围为
金属氧化物半导体层13设于所述缓冲层12上。金属氧化物半导体层13包括半导体部131，其中所述金属氧化物半导体层13的材料包括IGZO、IGZTO以及ITZO中的至少一种。所述金属氧化物半导体层13的厚度范围为
所述遮光层11覆盖所述金属氧化物半导体层13。金属氧化物半导体层13包括沟道区域。
第一绝缘层14设于所述金属氧化物半导体层13上，所述第一绝缘层14包括图案化的绝缘部(图中未标出)。
所述第一绝缘层14的材料包括SiNx和SiO2中的至少一种。所述第一绝缘层14的厚度范围为
图案化的绝缘部与沟道区的位置对应。
第一金属层15设于所述第一绝缘层14上；所述第一金属层15包括栅极151。第一金属层15的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种，第一金属层15的厚度范围为
栅极151的位置与图案化的绝缘部的位置对应。
第二绝缘层16设于所述第一金属层15上，所述第二绝缘层16的材料包括SiNx和SiO2中的至少一种。所述第二绝缘层16的厚度范围为
第二金属层17设于所述第二绝缘层16上；所述第二金属层17包括源极171和漏极172。第二金属层17的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种，第二金属层17的厚度范围为
在一实施方式中，为了进一步提高导电性能，漏极172与遮光层11连接。在俯视角下，显示面板包括多个薄膜晶体管，其中一栅极、一半导体部以及一源极和一漏极构成一薄膜晶体管。
第三绝缘层18设于所述第二金属层17上，所述第三绝缘层18的材料包括SiNx和SiO2中的至少一种。第三绝缘层18的厚度范围为
平坦层19设于所述第三绝缘层18上，所述平坦层19上设置有过孔(图中未标出)，所述过孔贯穿所述平坦层19和所述第三绝缘层18。平坦层19的厚度范围为
阳极40设于平坦层19上。阳极40与薄膜晶体管对应。所述阳极40覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域，薄膜晶体管由所述栅极、半导体部、以及源极和漏极组成。如图4所示，在俯视角下，显示面板包括多个像素，比如可包括红色像素41、蓝色像素42以及绿色像素43，其中每个像素的阳极40在衬底基板10上的正投影区域如103所示，结合图2，也即每个像素的阳极40覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
其中为了进一步有提高对外界光的反射，所述阳极40在所述衬底基板10上的正投影的面积大于对应的薄膜晶体管在所述衬底基板10上的正投影的面积。阳极40的材料可为透明导电材料，为了进一步提高对外界光的反射，所述阳极40的材料可为ITO、Ag、ITO的堆栈组合结构。阳极40通过过孔与所述漏极172连接。
显示面板还可包括像素定义层21、发光层以及阴极(图中均未示出)
像素定义层21设于所述阳极40上，所述像素定义层21包括开口区域。像素定义层21的厚度范围为
发光层位于所述开口区域内；阴极设于所述发光层上。其中所述阴极的材料可为是镁银合金(Mg/Ag)，所述阴极的厚度不限。
此外，该显示面板还可包括封装层。
在一实施方式中，上述显示面板的制作方法包括：
S101、在衬底基板上制作金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行图案化处理，形成半导体部；
在一实施方式中，例如在衬底基板10上依次制作阻挡层12’、遮光层11、缓冲层12以及金属氧化物半导体层13；
比如，对玻璃基板进行清洗和预烘烤。之后在其上沉积遮光材料，形成遮光层11。在遮光层11上依次沉积缓冲层12的材料和金属氧化物材料，分别得到缓冲层和金属氧化物半导体层，用黄光和蚀刻定义出金属氧化物半导体层的图形，作为半导体部131。
S102、在所述金属氧化物半导体层13上制作第第一金属层15，对第一金属层15进行图案化处理形成栅极151。
例如，利用一道黄光制程，先蚀刻出栅极151的图案，
S103、采用所述栅极作为遮挡体对所述半导体部进行导体化处理，以使与所述栅极位置对应的半导体部形成沟道；
例如，对所述半导体部131进行等离子体处理，使得上方没有第一绝缘层14和栅极151保护的部分被处理后电阻明显降低，形成N+导体层，而位于栅极151正下方的部分没有被处理到，保持半导体特性，作为薄膜晶体管的导电沟道。
S104、在所述金属氧化物半导体层以及所述栅极上制作第二金属层，对第二金属层进行图案化处理形成源极和漏极；
例如，在所述金属氧化物半导体层13上制作第二绝缘层16、第二金属层17，对第二金属层17进行图案化处理形成源极171和漏极172。
第二绝缘层16和第二金属层17均可通过沉积工艺制作得到。
S105、在所述第二金属层上制作阳极。
在一实施方式中，该步骤可包括：
S1051、在第二金属层17上依次制作第三绝缘层18和平坦层19。第三绝缘层18和平坦层19均可通过沉积工艺制作得到，其中第三绝缘层18和平坦层19上均制作有过孔。
S1052、在平坦层19上制作阳极。
在平坦层19上沉积导电材料，并利用黄光工艺定义出图形，形成阳极40。其中阳极40覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
接着涂布像素定义层材料，对其进行图案化处理形成开口区域，之后在所述像素定义层21的开口区域内蒸镀发光材料，并在发光层上蒸镀阴极材料。
上述在所述金属氧化物半导体层上制作第一金属层的步骤还可包括：
S201、在所述金属氧化物半导体层13上制作第一绝缘层14。
S202、在所述第一绝缘层14上形成第一金属层15，对第一金属层15进行图案化处理形成栅极151。
S203、采用所述栅极作为遮挡体对所述第一绝缘层进行图案化处理，以将其上未覆盖栅极的第一绝缘层去除。
例如，利用栅极151的图案为自对准图案，蚀刻第一绝缘层14，将与栅极151位置对应的第一绝缘层保留，而将其余部分去除，得到所需的图案。
由于将阳极的面积制作的比较大，因此能够覆盖薄膜晶体管所在的区域，以将外界的光反射回去，从而避免光线直接照射到金属氧化物半导体层，提高了薄膜晶体管的导电性能以及显示效果。
请参照图5和图6，图5本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
在另一实施例中，如图5所示，本实施例的显示面板与上一实施例的显示面板的区别在于，本实施例的显示面板还可包括光阻层50，其中所述光阻层50覆盖所述阳极40。在一实施方式中，所述光阻层50可位于平坦层19和第三绝缘层18之间。其中所述平坦层19上的过孔贯穿平坦层19、光阻层50以及第三绝缘层18。
在一实施方式中，为了提高外界光的吸收效果，所述光阻层50在所述衬底基板10上的正投影的面积大于所述阳极40在所述衬底基板10上的正投影的面积。
为了进一步提高外界光的吸收效果，如图6所示，在俯视角下，所述显示面板包括多个间隔设置的像素41至43，每个像素对应一阳极40，所述光阻层50还可覆盖相邻两个阳极40之间的间隙处。其中所述阳极40的面积可小于或等于所述像素的面积。优选地，所述光阻层50在衬底基板10上的面积大于所述像素在所述衬底基板10上的面积。
为了进一步提高外界光的吸收效果，所述光阻层50的材料可包括红色色阻材料和黑色色阻材料。当然，光阻层50的材料不限于此。所述光阻层50可为整层结构，也可为图案化的结构。
本实施例的显示面板的制作方法与上一实施例的区别在于，将上述步骤S1051替换为S206：
S206、在第二金属层17上依次制作第三绝缘层18、光阻层50以及平坦层19。
在一实施方式中，可在第三绝缘层18上涂布遮光材料，并通过黄光工艺定义出图案，形成光阻层50，光阻层50覆盖阳极40。
其中第三绝缘层18、光阻层50以及平坦层19上均制作有过孔。
此外由于在薄膜晶体管上方设置光阻层，且光阻层的面积大于阳极的面积，因此可以将相邻两个阳极之间的间隙处的光线进行吸收，进一步提高了薄膜晶体管的导电性能以及显示效果。
可以理解的，尽管图3和图5仅以单个薄膜晶体管和单个阳极为例进行说明，但是并不能对本发明构成限定，实际中，显示面板可以包括多个薄膜晶体管和多个阳极，且阳极与对应薄膜晶体管对应，优选地每个阳极对应一薄膜晶体管。
本发明还提供一种显示模组，其包括上述任意一种显示面板。该显示模组还可包括触控层。
本发明还提供一种电子装置，其包括上述任意一种显示模组。该电子装置可以为手机、平板电脑、电脑等设备。
本发明的显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置，包括多个阳极，设于所述第二金属层上，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域；由于将阳极的面积制作的比较大，因此能够覆盖薄膜晶体管所在的区域，以将外界的光反射回去，从而避免光线直接照射到金属氧化物半导体层，提高了薄膜晶体管的导电性能以及显示效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
金属氧化物半导体层，设于所述衬底基板上，所述金属氧化物半导体层包括多个半导体部；
第一金属层，设于所述金属氧化物半导体层上；所述第一金属层包括多个栅极；
第二金属层，设于所述第一金属层上，所述第二金属层包括多个源极和多个漏极；其中在俯视角下，所述显示面板包括多个薄膜晶体管；
多个阳极，设于所述第二金属层上，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二金属层和所述阳极之间设置有光阻层，所述光阻层覆盖所述阳极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述光阻层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述阳极在所述衬底基板上的正投影的面积，所述阳极在所述衬底基板上的正投影的面积大于对应的薄膜晶体管所在的区域在所述衬底基板上的正投影的面积。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
在俯视角下，所述显示面板包括多个间隔设置的像素，每个像素对应一阳极，所述光阻层还覆盖相邻两个阳极之间的间隙处。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述光阻层的材料包括红色色阻材料和黑色色阻材料。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述光阻层和所述阳极之间还设置有平坦层；
所述平坦层上设置有过孔，所述过孔贯穿所述平坦层和所述光阻层，所述阳极通过所述过孔与所述漏极连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述阳极的材料为ITO、Ag以及ITO的堆栈组合结构。
8.一种显示模组，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示模组。
10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，其中在俯视角下，所述显示面板包括多个薄膜晶体管，所述方法包括：
在衬底基板上制作金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行图案化处理，形成多个半导体部；
在所述金属氧化物半导体层上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理形成多个栅极；
采用所述栅极作为遮挡体对所述半导体部进行导体化处理，以使与所述栅极位置对应的半导体部形成沟道；
在所述金属氧化物半导体层以及栅极上制作第二金属层，对第二金属层进行图案化处理形成多个源极和多个漏极；
在所述第二金属层上制作多个阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管对应，所述阳极覆盖对应的薄膜晶体管所在的区域。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115377204A (zh) * | 2022-10-25 | 2022-11-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170186831A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| CN107170762A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN107681063A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN108257972A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN109300917A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN109461763A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-03-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN109860306A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种晶体管、阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| CN110718571A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-03-04 CN CN202010142734.9A patent/CN111312732B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170186831A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| CN107039491A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-08-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN108257972A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107170762A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN107681063A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109300917A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN109461763A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-03-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN109860306A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种晶体管、阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| CN110718571A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115377204A (zh) * | 2022-10-25 | 2022-11-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN115377204B (zh) * | 2022-10-25 | 2023-04-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
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