CN109461763A - 显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示面板的制备方法及显示面板，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。

Description

显示面板的制备方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏按光的取出方式可分为底发光型和顶发光型，由于主动式OLED发光器件是由薄膜晶体管来驱动的，底发光型OLED出光的光线会经过阵列基板，被阵列基板上的薄膜晶体管和金属线路所阻挡，所以实际发光面积受到限制，而在顶发光型OLED器件中，光线不经过阵列基板，不会受到驱动电路的阻挡，相比底发光型结构，顶发光型OLED器件具有更高的开口率，且其色彩饱和度、发光纯度及亮度更高，产品寿命相对更长，因此顶发光型OLED逐渐成为主动式OLED发光器件的主流。

由于顶发光型OLED发光器件的光是从顶端取出，为了使光的取出效率达到最大，因此器件一般采用反射率较高的金属阳极作为底面反射镜，而顶端则为便于光发出而采用透明或半透电极作为阴极，但是，由于阵列基板的上方没有设置遮光层，OLED发光层发出的光线经阴极金属层反射，导致有部分光线进入TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)器件中，且环境光也会从OLED器件透过进入TFT器件，对TFT器件的电学特性造成影响。

综上所述，在顶发光型OLED显示面板中，来自OLED发光器件方向的环境光和从顶部阴极反射回来的光线会进入TFT器件，使得TFT器件的电性劣化，进而影响显示。

发明内容

本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板，能够保护TFT器件免受光线的照射而导致TFT器件电性劣化，以解决现有的顶发光型显示面板，由于OLED工作时发出的光线需要穿过上层阴极金属层，导致部分光线从金属层反射回来进入阵列基板，致使TFT器件的电性受到光照影响从而劣化，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；

S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；

S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。

根据本发明一优选实施例，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备。

根据本发明一优选实施例，所述光吸收层的厚度为1～3微米。

根据本发明一优选实施例，所述S10包括：

S101，在所述基板上制备缓冲层；

S102，在所述缓冲层上制备所述有源层；

S103，在所述有源层表面制备栅极绝缘层；

S104，在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；

S105，在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；

S106，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层；

根据本发明一优选实施例，所述S10还包括：

S107，在所述源漏金属层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏金属层。

根据本发明一优选实施例，所述S20中，在所述钝化层表面制备所述光吸收层。

根据本发明一优选实施例，在所述S30之前还包括：

在所述光吸收层表面制备平坦层；

在所述平坦层上制备像素定义层。

根据本发明一优选实施例，所述S30包括：

S301，在所述像素定义层上制备阳极；

S302，在所述阳极上制备有机发光层；

S303，在所述有机发光层上制备半透明阴极。

本发明还提供一种显示面板，包括：

薄膜晶体管层，设置于一基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层；

光吸收层，设置于所述薄膜晶体管层上；

顶发光OLED器件，设置于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层覆盖所述有源层。

根据本发明一优选实施例，所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备。

本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的显示面板的制备方法的步骤流程图；

图2为本发明的优选实施例一的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明针对现有的顶发光型OLED显示面板，由于OLED发光层发出的光线经过上方阴极金属层，有部分光线反射回来进入阵列基板内，导致TFT器件受到光照，致使TFT电性劣化，进而影响显示的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。

如图1所示，本优选实施例提供一种显示面板的制备方法，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；

S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；

S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。

如图2所示，下面对所述显示面板100的制备方法进行详细说明。

所述S10具体包括以下步骤：

S101，在一基板10上制备缓冲层12；S102，在所述缓冲层12上制备所述有源层141；S103，在所述有源层141表面制备栅极绝缘层142；S104，在所述栅极绝缘层142表面制备栅极金属层143；S105，在所述栅极金属层143上制备层间绝缘层13，所述层间绝缘层13覆盖所述栅极金属层143；S106，在所述层间绝缘层13上制备源漏金属层144；S107，在所述源漏金属层144上制备钝化层15，所述钝化层15覆盖所述源漏金属层144。

其中，所述基板11为玻璃基板，为了防止底部漏光对所述TFT器件造成影响，在所述基板11的表面设置有遮光层11，所述遮光层11在所述基板11上的正投影覆盖所述有源层141在所述基板11上的正投影。

所述层间绝缘层13上设置有多个过孔，所述源漏金属层144上的源极或者漏极通过该过孔与所述有源层接触，所述层间绝缘层13采用氮化硅或氧化硅制备，所述层间绝缘层13的厚度为0.2～1微米，所述源漏金属层144采用钼、铝、铜、钛中的一种金属制备，所述源漏金属层144的厚度为0.2～0.8微米。

所述栅极绝缘层142采用氧化硅或氮化硅制备，所述栅极绝缘层142的厚度为0.1～0.3微米，所述栅极金属层143采用钼、铝、铜、钛中的一种制备，所述栅极金属层143的厚度为0.2～0.8微米。

在制备所述栅极绝缘层142与所述栅极金属层143时，可先沉积一层氧化硅薄膜，然后在该氧化硅薄膜上沉积一层铜金属薄膜，之后对所述铜金属薄膜进行光罩制程，得到图案化的所述栅极金属层143，再以所述栅极金属层143为掩膜版，对所述氧化硅薄膜进行刻蚀，最终得到图案化的所述栅极绝缘层142。

所述有源层141采用IGZO(铟镓锌氧化物)制备，IGZO具有迁移率高、均一性好等优点，所述有源层141的厚度为0.03～0.1微米。

在所述有源层141上制备所述所述栅极绝缘层142与所述栅极金属层143之后，对所述有源层141进行Plasma表面处理，使得所述有源层141的未被覆盖部分的电阻值降低，制备N⁺导体层，而被覆盖的部分没有被处理，保持半导体特性，作为TFT导电沟道层。

钝化层15上设置有过孔，用以连接TFT器件与OLED发光器件，所述钝化层15采用氧化硅或氮化硅制备，所述钝化层15的厚度为0.1～0.5微米。

在所述S20中，具体地，在所述钝化层15表面制备所述光吸收层16，所述光吸收层上设置有过孔，用以连接TFT器件与OLED发光器件，虽然所述光吸收层16上设置有过孔，但是由于过孔相对整个光吸收层16来说，所占的比例很小，不会影响所述光吸收层16的吸光性能，本实施例中的尺寸比例不代表实际比例，仅供参考。

所述光吸收层16为红色或者黑色光阻，也可以为其他能够吸收光的有机材料，黑色色阻能够吸收所有可见光的波长，红色色阻在可见光中的波长较长，能够吸收短波长的光，本实施例中，在所述钝化层15表面沉积黑色光阻层，然后经过曝光、显影、刻蚀等光罩制程，形成图案化的所述光吸收层16。

当所述光吸收层16上方的所述顶发光OLED器件发出的光经过OLED阴极时会有部分光线反射回来向下射出，透过OLED阳极到达所述光吸收层16上，所述光吸收层16能够吸收大部分的光线，避免光线进入TFT器件，对TFT器件造成影响，主要为对所述有源层141的电性造成影响，具体表现为对阈值电压、开关比、饱和迁移率等的影响；另外，所述光吸收层16也能吸收自OLED器件上方透过的环境光，优选地，所述光吸收层16的厚度为1～3微米。

在制备所述顶发光OLED器件之前，所述制备方法还包括：在所述光吸收层表面制备平坦层17，用以为OLED器件提供一平坦的基底，在所述平坦层17上制备像素定义层19，所述像素定义层19上设置有过孔，用以容纳OLED器件的部分结构。

所述S30具体包括以下步骤：S301，在所述像素定义层19上制备阳极181；S302，在所述阳极181上制备有机发光层182；S303，在所述有机发光层182上制备半透明阴极183。

所述像素定义层19、所述平坦层17以及所述光吸收层16上的过孔均连通，用以连接所述OLED器件的所述阳极181与所述源漏金属层144上的源极或漏极。

其中，由于所述OLED器件为顶发光型，因此所述阳极181要求具有高反射性和高功函数，所述阴极183具有高透过性和低功函数，本实施例中的所述阳极181采用ITO(Indiumtin oxide，氧化铟锡)和银共掺杂制备，ITO具有高功函数，银能够增强阳极的反射性能。

所述阴极183采用镁和银共掺杂制备，在蒸镀所述阴极183之前，在所述有机发光层182表面制备第一增透层184，再在所述第一增透层184表面制备所述阴极183，之后在所述阴极183表面制备第二增透层185，其中，所述第一增透层184和第二增透层185采用氧化铟锌制备，在所述阴极183的与所述有机发光层182的出光面平行的两侧表面设置增透层，用以增强所述阴极183的透过性。

所述有机发光层182包括依次制备在所述阳极181上的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层。

本发明提供的制备方法还包括在所述阴极183上制备彩色滤光膜，在所述彩色滤光膜表面制备保护层。

本发明还提供一种采用上述制备方法制备的显示面板，此处不再赘述。

有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；

S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；

S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光吸收层的厚度为1～3微米。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S10包括：

S101，在所述基板上制备缓冲层；

S102，在所述缓冲层上制备所述有源层；

S103，在所述有源层表面制备栅极绝缘层；

S104，在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；

S105，在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；

S106，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述S10还包括：

S107，在所述源漏金属层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏金属层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述S20 中，在所述钝化层表面制备所述光吸收层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述S30之前还包括：

在所述光吸收层表面制备平坦层；

在所述平坦层上制备像素定义层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述S30包括：

S301，在所述像素定义层上制备阳极；

S302，在所述阳极上制备有机发光层；

S303，在所述有机发光层上制备半透明阴极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

薄膜晶体管层，设置于一基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层；

光吸收层，设置于所述薄膜晶体管层上；

顶发光OLED器件，设置于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层覆盖所述有源层。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备。