CN110649037B - 一种阵列基板的制备方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了阵列基板的制备方法及显示面板，其中阵列基板的制备方法包括以下步骤：S1)提供一基板；S2)在所述基板上制备一层遮光层；S3)在所述遮光层上覆盖一层第一绝缘层；S4)在所述第一绝缘层上形成一层IGZO层，通过构图工艺形成有源层和阳极层；S5)在所述第一绝缘层上形成一层第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述IGZO层。本发明的有益效果在于本发明的阵列基板的制备方法及显示面板通过一张光罩制备第一绝缘层和第二绝缘层，节省了光罩的成本，利用同种材料同时制备有源层和阳极层，采用高反射金属制备遮光层，既达到遮光的目的，同时也可作为像素走线，将现有技术中的多道阵列制程的方法缩减至只有5道阵列制程，既节省了时间也节约了成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法及显示面板。
背景技术
AMOLED(英语：Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)是一种显示屏技术。其中OLED(有机发光二极体)是描述薄膜显示技术的具体类型：有机电激发光显示；AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术。目前AMOLED技术主要用于智能手机，并继续朝低功耗、低成本、大尺寸方向发展。
目前AMOLED顶栅薄膜晶体管阵列基板制程由于结构复杂，制程较多，众所周知，每增加一道阵列制程，不仅增加了时间成本、物料成本，也同时伴随着制程良率带来的损失。
发明内容
解决上述问题的技术方案是：本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
S1)提供一基板；
S2)在所述基板上制备一层遮光层；
S3)在所述遮光层上覆盖一层第一绝缘层；
S4)在所述第一绝缘层上形成一层IGZO层，通过构图工艺形成有源层和阳极层；
S5)在所述第一绝缘层上形成一层第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述IGZO层。
进一步的，所述阵列基板的制备方法还包括:
S6)在所述第二绝缘层上通过掩膜板形成一层光刻胶层，所述光刻胶层对应所述有源层上设有第一凹槽，所述光刻胶层对应所述阳极层上设有第二凹槽，在所述第一凹槽和所述第二凹槽之间设有至少一第一开孔，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均有一底面；
S7)采用干刻蚀法去除所述第一开孔下的所述第二绝缘层；
S8)去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面部分直至所述第一凹槽和所述第二凹槽贯穿所述光刻胶层形成第二开孔和第三开孔；
S9)采用干刻蚀法去除所述第一开孔下的所述第一绝缘层直至所述第一开孔的底面接触所述遮光层，采用干刻蚀法去除所述第二开孔和所述第三开孔下的所述第二绝缘层；
S10)去除残余所述光刻胶层并将裸露于所述第二开孔和所述第三开孔处的IGZO层导体化；
S11)在所述第二绝缘层上形成源极、漏极和栅极，其中源极和漏极通过所述第二开孔与所述有源层连接，栅极设于所述源极和漏极之间。
进一步的，在所述S11)步骤中，所述源极通过所述第一开孔与所述遮光层连接，所述源极通过所述第三开孔与所述阳极层连接。
进一步的，所述阵列基板的制备方法还包括S12)在所述第二绝缘层上形成一层像素定义层，所述像素定义层覆盖所述源极、所述漏极和所述栅极，其中，在所述像素定义层对应所述第三开孔处开设第四开孔，所述第四开孔设于所述阳极层上；S13)在所述像素定义层形成一层有机发光层，所述有机发光层覆盖所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，并覆盖所述第四开孔的内表面及裸露于所述第四开孔的所述阳极层表面；S14)在所述有机发光层上形成一层阴极层，所述阴极层覆盖所述有机发光层。
进一步的，在所述S2)步骤中，所述遮光层的具体制备步骤包括在所述基板上形成一层金属层，将所述金属层进行图案化后形成所述遮光层。
进一步的，所述遮光层的材料包括Ag、Cu等金属材料。
进一步的，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层对应所述有源层，所述第二遮光层对应所述阳极层。
进一步的，所述源极、所述漏极和所述栅极的所用材料包括Al、Mo、Ti、Cu及其合金金属。
本发明还提供了一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板根据所述阵列基板的制备方法制备形成。
进一步的，所述显示面板还包括彩膜基板，与所述阵列基板相对设置。
本发明的优点是：本发明的阵列基板的制备方法及显示面板通过一张光罩制备第一绝缘层和第二绝缘层，节省了光罩的成本，利用同种材料同时制备有源层和阳极层，采用高反射金属制备遮光层，既达到遮光的目的，同时也可作为像素走线，将现有技术中的多道阵列制程的方法缩减至只有5道阵列制程，既节省了时间也节约了成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是阵列基板制备方法中的S2)步骤示意图。
图2是实施例中的阵列基板制备方法中的S3)步骤示意图。
图3是实施例中的阵列基板制备方法中的S4)步骤示意图。
图4是实施例中的阵列基板制备方法中的S5)步骤示意图。
图5是实施例中的阵列基板制备方法中的S6)步骤示意图。
图6是实施例中的阵列基板制备方法中的S8)步骤示意图。
图7是实施例中的阵列基板制备方法中的S9)步骤示意图。
图8是实施例中的阵列基板制备方法中的S10)步骤示意图。
图9是实施例中的阵列基板制备方法中的S11)步骤示意图。
图10是实施例中的阵列基板制备方法中的S12)步骤示意图。
图11是实施例中的阵列基板制备方法中的S14)步骤示意图。
图12是实施例中的显示面板示意图。
图中
1 显示面板； 20 彩膜基板
10 阵列基板； 110 基板；
120 遮光层； 130 第一绝缘层；
140 IGZO层； 141 有源层；
142 阳极层； 150 第二绝缘层；
160 光刻胶层； 161 第一凹槽；
162 第二凹槽； 163 第一开孔；
1601 第二开孔； 1602 第三开孔；
171 源极； 172 漏极；
173 栅极； 1711 第一引脚；
1712 第二引脚； 1713 第三引脚；
180 像素定义层； 181 第四开孔；
190 有机发光层； 191 阴极层；
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
实施例
本发明的阵列基板10的制备方法包括以下步骤：
S1)提供一基板110，所述基板110为玻璃基板，便于承接之后的薄膜晶体管制程。
S2)如图1所示，在所述基板110上制备一层遮光层120，所述遮光层120为高反射金属材料，如银、铜等所述遮光层120通过反射从所述阵列基板110背面入射的光线达到遮光的目的，以防止光线照射所述遮光层上方的有源层，防止有源层因光照产生光生载流子，影响器件性能。
S3)如图2所示，在所述遮光层120上覆盖一层第一绝缘层130，由于所述遮光层120采用金属材质，所述第一绝缘层130覆盖所述遮光层120从而避免短路现象。
S4)如图3所示，在所述第一绝缘层130上形成一层IGZO层140，通过构图工艺形成有源层141和阳极层142，节省制程时间，节约了成本。
S5)如图4所示，在所述第一绝缘层130上形成一层第二绝缘层150，所述第二绝缘层150覆盖所述IGZO层140，用以防止所述IGZO层140发生短路现象，同时所述第二绝缘层150和所述第一绝缘层130采用同一张光罩制备形成，极大节约了制程成本。
S6)如图5所示，在所述第二绝缘层150上通过掩膜板形成一层光刻胶层160，所述掩膜板采用半色调掩膜板以便在形成所述光刻胶层160时在其上形成多个凹槽，节省光罩成本，所述光刻胶层160对应所述有源层141上设有第一凹槽161，所述光刻胶层160对应所述阳极层142上设有第二凹槽162，在所述第一凹槽161和所述第二凹槽162之间设有至少一第一开孔163，其中，所述第一凹槽161和所述第二凹槽162均有一底面。
S7)采用干刻蚀法去除所述第一开孔163下的所述第二绝缘层150直至裸露出与所述第一开孔163对应的所述遮光层120。
S8)如图6所示，去除所述第一凹槽161和所述第二凹槽162的底面部分直至所述第一凹槽161和所述第二凹槽162贯穿所述光刻胶层160形成第二开孔1601和第三开孔1602，所述第二开孔1601和所述第三开孔1602的底面均落于所述有源层141上。
S9)如图7所示，采用干刻蚀法去除所述第一开孔163下的所述第一绝缘层130直至所述第一开孔163的底面接触所述遮光层120，采用干刻蚀法去除所述第二开孔1601和所述第三开孔1602下的所述第二绝缘层150。
S10)如图8所示，去除残余所述光刻胶层160并将裸露于所述第二开孔1601和所述第三开孔1602处的IGZO层150导体化。
S11)如图9所示，在所述第二绝缘层150上形成源极171、漏极172和栅极173，所述源极171、所述漏极172和所述栅极173的所用材料包括Al、Mo、Ti、Cu及其合金金属，其中源极171和漏极173通过所述第二开孔1601与所述有源层141连接，栅极173设于所述源极171和漏极172之间。
其中，所述源极171包括第一引脚1711、第二引脚1712和第三引脚1713，所述第一引脚1711通过第二开孔1601与所述有源层141相连，所述第二引脚1712通过所述第一开孔163与所述遮光层120相连，所述第三引脚1713与所述阳极层142相连，实现有源层141、源极171和阳极层142的电路导通。
S12)如图10所示，在所述第二绝缘层150上形成一层像素定义层180，所述像素定义层180覆盖所述源极171、所述漏极172和所述栅极173，其中，在所述像素定义层180对应所述第三开孔1602处开设第四开孔181，所述第四开孔181设于所述阳极层142上，所述像素定义层180用于限定像素的位置，使其固定于所述阳极层142上，所述阳极层142用以将电能转换为光能使所述像素发光。
S13)在所述像素定义层180形成一层有机发光层190，所述有机发光层190覆盖所述像素定义层180远离所述基板110一侧的表面，并覆盖所述第四开孔181的内表面及裸露于所述第四开孔181的所述阳极层141表面。
S14)如图11所示，在所述有机发光层190上形成一层阴极层191，所述阴极层191覆盖所述有机发光层190。
本实施例，本发明的显示面板1包括根据本实施例中阵列基板的制备方法制备形成的阵列基板10和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板20，如图12所示，其中，所述显示面板的主要技术特征和主要技术效果均集中体现在所述阵列基板10上，对于所述显示面板1的其余部件，如彩膜基板20就不在一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1) 提供一基板；
S2) 在所述基板上制备一层遮光层；
S3) 在所述遮光层上覆盖一层第一绝缘层；
S4) 在所述第一绝缘层上形成一层IGZO层，通过构图工艺形成有源层和阳极层；
S5) 在所述第一绝缘层上形成一层第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述IGZO层；
S6) 在所述第二绝缘层上通过掩膜板形成一层光刻胶层，所述光刻胶层对应所述有源层上设有第一凹槽，所述光刻胶层对应所述阳极层上设有第二凹槽，在所述第一凹槽和所述第二凹槽之间设有至少一第一开孔，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均有一底面；
S7) 采用干刻蚀法去除所述第一开孔下的所述第二绝缘层；
S8) 去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面部分直至所述第一凹槽和所述第二凹槽贯穿所述光刻胶层形成第二开孔和第三开孔；
S9) 采用干刻蚀法去除所述第一开孔下的所述第一绝缘层直至所述第一开孔的底面接触所述遮光层，采用干刻蚀法去除所述第二开孔和所述第三开孔下的所述第二绝缘层；
S10) 去除残余所述光刻胶层并将裸露于所述第二开孔和所述第三开孔处的IGZO层导体化；
S11) 在所述第二绝缘层上形成源极、漏极和栅极，其中源极和漏极通过所述第二开孔与所述有源层连接，栅极设于所述源极和漏极之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在S11)步骤中，所述源极通过所述第一开孔与所述遮光层连接，所述源极通过所述第三开孔与所述阳极层连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括
S12) 在所述第二绝缘层上形成一层像素定义层，所述像素定义层覆盖所述源极、所述漏极和所述栅极，其中，在所述像素定义层对应所述第三开孔处开设第四开孔，所述第四开孔设于所述阳极层上；
S13) 在所述像素定义层形成一层有机发光层，所述有机发光层覆盖所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，并覆盖所述第四开孔的内表面及裸露于所述第四开孔的所述阳极层表面；
S14) 在所述有机发光层上形成一层阴极层，所述阴极层覆盖所述有机发光层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在S2)步骤中，所述遮光层的具体制备步骤包括在所述基板上形成一层金属层，将所述金属层进行图案化后形成所述遮光层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述遮光层的材料包括Ag、Cu金属材料。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层对应所述有源层，所述第二遮光层对应所述阳极层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述源极、所述漏极和所述栅极的所用材料包括Al、Mo、Ti、Cu及其合金金属。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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