CN109801952B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板，该显示面板包括透光基板、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极、介电层和可透光的遮光层，其中，可透光的遮光层设于透光基板与金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与第一遮光部连接的透光部，第一遮光部设于沟道部与透光基板之间，透光部设于非沟道部与透光基板之间。本发明还公开了一种显示面板制作方法。本发明旨在提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。

Description

显示面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode)显示装置是利用有机电致发光二极管制成的显示屏，由于其优异特性而具有良好的应用前景。主动式OLED显示装置可以分为顶发光和底发光两种方式，但对电阻电容延迟较为敏感的OLED驱动背板，往往采用寄生电容很小的顶栅薄膜晶体管结构，以实现大尺寸高分辨率的显示面板。顶栅薄膜晶体管结构大多采用半导体材料作为有源层，但半导体材料被外界光照射会导致其沟道特性改变，因此一般采用遮光层完全覆盖有源层，以避免有源层的沟道区域受到光照。然而，半导体虽然具有良好的导电率，但半导体的导电率仍不及于导体的导电率，使薄膜晶体管的开态电流受到限制，从而使显示面板具有较高的功耗。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种显示面板，旨在提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括：

透光基板；

金属氧化物半导体层，设于所述透光基板上方；

栅极绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上方且覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域，所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部，所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部；

栅极，覆盖所述栅极绝缘层；

介电层，覆盖于所述栅极和所述金属氧化物半导体层上方；

源极，设于所述介电层上方且与所述非沟道部连接；

漏极，与所述源极间隔设于所述介电层上方、且与所述非沟道部连接；

可透光的遮光层，设于所述透光基板与所述金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与所述第一遮光部连接的透光部，所述第一遮光部设于所述沟道部与所述透光基板之间，所述透光部设于所述非沟道部与所述透光基板之间。

可选地，所述可透光的遮光层还包括第二遮光部，所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部。

可选地，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积大于或等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积。

可选地，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积，所述源极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第一距离设置，所述漏极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第二距离设置，所述第一遮光部靠近所述源极的一端与所述第二遮光部间隔第三距离设置，所述第一遮光部靠近所述漏极的一端与所述第二遮光部间隔第四距离设置，所述第三距离大于或等于所述第一距离，所述第四距离大于或等于所述第二距离。

可选地，所述金属氧化物半导体层在所述透光基板上的投影面积小于所述透光基板靠近所述金属氧化物半导体层的表面的面积，所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述可透光的遮光层。

可选地，所述透光部在所述透光基板上的投影面积小于或等于所述非沟道部在所述透光基板上的投影面积。

可选地，所述金属氧化物半导体层与所述可透光的遮光层之间设有缓冲层，所述缓冲层覆盖于所述可透光的遮光层，所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述缓冲层上方；且/或，

所述源极、所述漏极和所述介电层上方覆盖有钝化层，所述钝化层的上方设有与所述源极连接的像素电极。

此外，为了实现上述目的，本申请还提出一种显示面板制作方法，用于制作如上任一项所述的显示面板，所述显示面板制作方法包括以下步骤：

提供一透光基板；

在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部和透光部的可透光的遮光层；

在所述可透光的遮光层上沉积金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上依次沉积绝缘薄膜和第一金属层；

以所述第一遮光部的边缘形成的图形为第一对准图形，先后对所述第一金属层和所述绝缘薄膜进行图案化处理，处理后的所述第一金属层形成栅极，处理后的所述绝缘薄膜形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域，所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部，所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部；

在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层并进行图案化处理，使所述介电层贯穿有与所述非沟道部连通的源极接触孔和漏极接触孔；

在所述介电层上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成间隔设置的源极和漏极，所述源极通过所述源极接触孔与所述非沟道部连接，所述漏极通过所述漏极接触孔与所述非沟道部连接。

可选地，在所述以所述第一遮光部为第一对准图形，先后对所述第一金属层和所述绝缘薄膜进行图案化处理，处理后的所述第一金属层形成栅极，处理后的所述绝缘薄膜形成栅极绝缘层的步骤之后，且，在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层并进行图案化处理的步骤之前，还包括：

对所述金属氧化物半导体层进行导体化处理，使所述非沟道部具有导体特性，使所述沟道部在所述栅极绝缘层的保护下保留半导体特性。

可选地，所述在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部和透光部的可透光的遮光层的步骤包括：

在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部、透光部和第二遮光部的可透光的遮光层，所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部；

所述在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层并进行图案化处理，使所述介电层贯穿设有源极接触孔和漏极接触孔的步骤包括：

以所述第二遮光部靠近所述第一遮光部一端的边缘形成第二对准图形；

选取所述第二对准图形上相对设置的两点作为基准点；

在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层；

以所述基准点为对准点，对所述介电层进行图案化处理，形成所述源极接触孔和漏极接触孔。

本发明实施例提出的一种显示面板，该显示面板在透光基板上依次设有可透光的遮光层、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极，在栅极和金属氧化物半导体层上方覆盖有介电层，其中，一部分金属氧化物半导体层被栅极绝缘层覆盖形成沟道部，另一部分金属氧化物半导体层未被栅极绝缘层覆盖形成非沟道部，沟道部为半导体，可透光的遮光层中的第一遮光部对应沟道部设置，可避免光照使金属氧化物半导体层与栅极绝缘层接触面的电荷处于不稳定的缺陷态，可透光的遮光层中的透光部对应非沟道部设置，可通过光照作用使非沟道部产生更多的电子空穴，增加电导率，可使栅极打开后驱动数据从漏极输入使漏极与源极接通后，开态电流增加，使与源极相连的有机发光层中的激子增多，显示面板采用更小的功耗便可达到所需的亮度。

附图说明

图1是本发明显示面板第一实施例的结构示意图；

图2为本发明显示面板第二实施例的结构示意图；

图3为本发明显示面板制作方法第一实施例的流程示意图；

图4为本发明图2中的可透光的遮光层的俯视结构示意图；

图5为本发明显示面板制作方法第二实施例的流程示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例的主要解决方案是：在顶栅结构的显示面板中，对应金属氧化物半导体层20的沟道部21设置第一遮光部81，对应金属氧化物半导体层20的非沟道部22设置透光部82。

由于为了避免有源层的沟道区域受到光照，采用遮光层完全覆盖有源层时，半导体虽然具有良好的导电率，但半导体的导电率仍不及于导体的导电率，使薄膜晶体管的开态电流受到限制，从而使显示面板具有较高的功耗。

本发明上述的解决方案可提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。

本发明实施例提出一种显示面板，尤其是应用于OLED显示装置中的显示面板。

参照图1和图2，该显示面板1包括透光基板10、金属氧化物半导体层20、栅极绝缘层30、栅极40、介电层50、源极60、漏极70、可透光的遮光层80和缓冲层90等。

具体的，金属氧化物半导体层20设于所述透光基板10上方。栅极绝缘层30设于所述金属氧化物半导体层20上方且覆盖所述金属氧化物半导体层20的部分区域，栅极40覆盖所述栅极绝缘层30。所述金属氧化物半导体层20被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成沟道部21，所述金属氧化物半导体层20未被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成非沟道部22。其中，非沟道部22可在制程过程中经过导体化处理，使非沟道部22具有较高电导率，从而提高其电子迁移率。

介电层50覆盖于所述栅极40和所述金属氧化物半导体层20上方，所述介电层50贯穿设有源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔和所述漏极接触孔分别位于所述栅极绝缘层30和所述栅极40的两侧、且分别与所述非沟道部22连通。

源极60设于所述介电层上方且与所述非沟道部连接。具体的，源极60包括源极层61和源极连接部62，所述源极层61部分覆盖于所述介电层50上方，所述源极连接部62设于所述源极接触孔、且连接所述源极层61与所述非沟道部22。漏极70与所述源极间隔设于所述介电层上方、且与所述非沟道部连接。具体的，漏极70包括漏极层71和漏极连接部72，所述漏极层71部分覆盖于所述介电层50上方且与所述源极层61间隔设置，所述漏极连接部72设于所述漏极接触孔、且连接所述漏极层71与所述非沟道部22。

此外，显示面板还可包括钝化层01，钝化层01可根据需要设置有一层或多层，所述源极、所述漏极和所述介电层上方覆盖有钝化层，以保证由透光基板10、金属氧化物半导体层20、栅极绝缘层30、栅极40、介电层50、源极60、漏极70、可透光的遮光层80和缓冲层90等结构形成的薄膜晶体管(TFT)的可靠性。钝化层01的上方设有与所述源极60连接的像素电极02。具体的，钝化层01贯穿设有像素电极接触孔，钝化层01上对应像素电极接触孔的位置设有通过像素电极接触孔与源极60连接的像素电极02，有机发光层通过像素电极02与源极60连接。

显示面板还包括扫描控制线、驱动数据线和有机发光层，栅极40与扫描控制线连接，漏极70与驱动数据线连接，源极60通过上述源极层61与有机发光层连接。栅极驱动电压可通过扫描控制线输入至栅极40，栅极40接收到栅极驱动电压后与金属氧化物半导体层20的沟道部21形成P-N结使源极60和漏极70接通。显示驱动数据从漏极70输入，使源极60和漏极70之间产生开态电流，开态电流从源极60传输到显示面板的有机发光层，使有机发光层产生激子，使有机发光层中的发光分子跳跃到应激态，当发光分子从应激态回到基本态时，以光的形式释放能量，从而实现显示面板发光显像。

其中，光照作用使半导体的沟道部21中的电子被光子激发出电流，使沟道层与栅极绝缘层30界面捕获了光生载流子导致较大的关电流和迟滞出现，影响到显示面板显像的稳定性。因此，在沟道部21与透光基板10或缓冲层90之间设置第一遮光部81，保证自然光不可照射到沟道部21，保证显示面板显像的稳定性。而在源极60与漏极70连通时，自然光可依次经过透明基板、缓冲层90和透光部82照射的到非沟道部22，非沟道部22收到光激发作用产生更多的电子空穴，使非沟道部22的导电率增加，从而提高开态电流。

本发明实施例提出的一种显示面板，该显示面板在透光基板10上依次设有可透光的遮光层80、金属氧化物半导体层20、栅极绝缘层30、栅极40，在栅极40和金属氧化物半导体层20上方覆盖有介电层50，其中，一部分金属氧化物半导体层20被栅极绝缘层30覆盖形成沟道部21，另一部分金属氧化物半导体层20未被栅极绝缘层30覆盖形成非沟道部22，沟道部21为半导体，可透光的遮光层80中的第一遮光部81对应沟道部21设置，可避免光照使金属氧化物半导体层20与栅极绝缘层30接触面的电荷处于不稳定的缺陷态，可透光的遮光层80中的透光部82对应非沟道部22设置，可通过光照作用使非沟道部22产生更多的电子空穴，增加电导率，可使栅极40打开后驱动数据从漏极70输入使漏极70与源极60接通后，开态电流增加，使与源极60相连的有机发光层中的激子增多，显示面板采用更小的功耗便可达到所需的亮度。

缓冲层90设于所述金属氧化物半导体层20与所述可透光的遮光层80之间，所述缓冲层90覆盖于所述可透光的遮光层80，所述介电层50覆盖于所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20和所述缓冲层90上方。可透光的遮光层80为金属等可导电的物质时，缓冲层90的设置有利于降低可透光的遮光层80与金属氧化物半导体层20之间的寄生电容。缓冲层90的设置还有利于提高显示面板的品质，避免可透光的遮光层80致密性等性能不足影响到显示面板的可靠性。此外，若可透光的遮光层80的质量足够好，可透光的遮光层80与金属氧化物半导体层20之间也可不设置缓冲层90。需要说明的是，缓冲层90为可透光的物质。

进一步的，为了避免显示面板从透明基板漏光，影响其图像显示质量。所述可透光的遮光层80还包括第二遮光部83，所述第一遮光部81与所述第二遮光部83间隔设置形成所述透光部82。透光部82可填充有透光材质(如玻璃、有机玻璃等)，也可直接镂空，缓冲层90的部分或金属氧化物半导体层20非沟道部22的部分填充到透光部82。

其中，第一遮光部81在透光基板10上的投影面积可大于或等于沟道部21在透光基板10上的投影面积，以保证沟道部21任何一部分都不会受到光照导致显示面板的不稳定。

第一遮光部81、第二遮光部83和透光部82在透光基板10上的投影总面积可等于透光基板10靠近可透光的遮光层80的表面的总面积。透光部82的大小可根据需要进行设置，透光部82在透光基板10上的投影面积可小于或等于非沟道部22在透光基板10上的投影面积，除了第一遮光部81的位置，可透光的遮光层80的其余部分均可设置有第二遮光部83，以提高金属氧化物半导体层20的导电率的同时，避免显示面板的漏光。

进一步的，参照图1，所述第一遮光部81在所述透光基板10上的投影面积等于所述沟道部21在所述透光基板10上的投影面积，所述源极接触孔与所述栅极绝缘层30间隔第一距离设置，所述漏极接触孔与所述栅极绝缘层30间隔第二距离设置，所述第一遮光部81靠近所述源极60的一端与所述第二遮光部83间隔第三距离设置，所述第一遮光部81靠近所述漏极70的一端与所述第二遮光部83间隔第四距离设置，所述第三距离大于或等于所述第一距离，所述第四距离大于或等于所述第二距离。由于电流在源极60与漏极70电流之间流动。第一距离为电流从漏极70流至沟道部21的距离，第二距离为电流从沟道部21流至源极60的距离，通过上述设置，第一遮光部81只会遮挡沟道部21，同时第三距离大于或等于所述第一距离，第四距离大于或等于第二距离，以保证非沟道部22有电流流过的范围都能受到光照作用减低阻抗，提高导电率，从而进一步的提高开态电流，降低显示面板的功耗。

具体的，所述金属氧化物半导体层20在所述透光基板10上的投影面积小于所述透光基板10靠近所述金属氧化物半导体层20的表面的面积，所述介电层50覆盖于所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20和所述可透光的遮光层80。由于显示面板中每个像素可分别对应设有一个由上述金属氧化物半导体层20、栅极绝缘层30、栅极40、源极60和漏极70等构成的薄膜晶体管结构，每个薄膜晶体管结构依据扫描控制线、驱动数据线输入的信号运行，以实现对应像素的显像控制。因此，金属氧化物半导体层20在所述透光基板10上的投影面积小于所述透光基板10靠近所述金属氧化物半导体层20的表面的面积，一方面可节约材料，另一方面可保证不同像素的薄膜晶体管结构的独立控制。

基于上述金属氧化物半导体层20的设置，所述透光部82在所述透光基板10上的投影面积小于或等于所述非沟道部22在透光基板10上的投影面积，不需要光照的区域均通过第二遮光部83进行遮光，保证开态电流提高的同时可有效的避免显示面板的漏光。

由于第一距离和第二距离为电流在非沟道区流动的有效距离，参照图2，在第三距离等于第一距离，第四距离等于第二距离时，兼顾开态电流增大和防止面板漏光的综合效果可达到最好。

参照图3，本发明实施例提供一种显示面板制作方法，用于制作上述的显示面板，所述显示面板制作方法包括：

步骤S10，提供一透光基板10；

透光基板10由可透光材料制成，如玻璃、有机玻璃等。

步骤S20，在所述透光基板10上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部81和透光部82的可透光的遮光层80；

对透光基板10进行清洗后，可在透光基板10上沉积不透光材料(如铝、铜等不透光的金属，PET等不透光的高分子薄膜，氧化锌等不透光的化合物等)，通过光蚀刻等方法进行图案化处理，被蚀刻的部分镂空作为透光部82，未被蚀刻的部分保留不透光材料形成第一遮光部81，从而形成包括第一遮光部81和透光部82的可透光的遮光层80。可透光的遮光层80形成后，在步骤S30之前，还可使用物理气相沉积法或等离子气相沉积法在可透光的遮光层80上沉积一层氮化硅或氧化硅作为缓冲层90，由于透光部82经过光蚀刻后镂空，因此部分缓冲层90可填充于透光部82且覆盖于透光基板10上。

步骤S30，在所述可透光的遮光层80上沉积金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体层20；

金属氧化物半导体层20可具体为具有半导体特性的金属氧化物，如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、铟锌锡氧化物(Indium Zinc Tin Oxide，IZTO)、铟镓锌锡氧化物(Indium Gallium Zinc Tin Oxide，IGZTO)中的一种。金属氧化物半导体层20为通电时可提供载流子的层状结构。

步骤S40，在所述金属氧化物半导体层20上依次沉积绝缘薄膜和第一金属层；

绝缘薄膜可具体为氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。第一金属层具体可采用铝、铜、钛等中的一种金属或几种金属形成的合金。

步骤S50，以所述第一遮光部81的边缘形成的图形为第一对准图形001，先后对所述第一金属层和所述绝缘薄膜进行图案化处理，处理后的所述第一金属层形成栅极40，处理后的所述绝缘薄膜形成栅极绝缘层30，所述栅极绝缘层30覆盖所述金属氧化物半导体层20的部分区域，所述金属氧化物半导体层20被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成沟道部21，所述金属氧化物半导体层20未被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成非沟道部22；

如图4所示，第一遮光部81与透光部82的边界围合形成第一对准图形001。具体的，在第一金属层上方对准第一遮光部81的位置涂布与第一对准图形001形状、大小相等的光阻，并经过曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，所述第一金属层形成栅极40，所述绝缘薄膜形成栅极绝缘层30，所述栅极绝缘层30覆盖所述金属氧化物半导体层20的部分区域，所述金属氧化物半导体层20被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成沟道部21，所述金属氧化物半导体层20未被所述栅极绝缘层30覆盖的部分形成非沟道部22。并且，所形成的栅极40沟道部21在透光基板10上的投影面积与第一遮光部81在透光基板10上的投影面积相等。

步骤S60，在所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20上沉积介电层50并进行图案化处理，使所述介电层50贯穿有所述非沟道部连通的源极接触孔和漏极接触孔；

所述源极接触孔和所述漏极接触孔分别位于所述栅极绝缘层30和所述栅极40的两侧、且分别与所述非沟道部22连通；

在前述所形成的层叠的层状结构上方沉积氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成介电层50，在介电层50对应栅极绝缘层30所在区域的两侧的非沟道部22的范围内，选取两个点作为基准点，并分别基于两基准点划分一小个区域作为基准区域，介电层50在基准区域以外的区域涂布光阻，再经过曝光、显影及剥离的光刻工艺之后形成源极接触孔和漏极接触孔。

步骤S70，在所述介电层50上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成间隔设置的源极60和漏极70，所述源极60通过所述源极接触孔与所述非沟道部22连接，所述漏极70通过所述漏极接触孔与所述非沟道部22连接。

所述源极60包括源极层61和源极连接部62，所述源极层61部分覆盖于所述介电层50上方，所述源极连接部62设于所述源极接触孔、且连接所述源极层61与所述非沟道部22；所述漏极70包括漏极层71和漏极连接部72，所述漏极层71部分覆盖于所述介电层50上方且与所述源极层61间隔设置，所述漏极连接部72设于所述漏极接触孔、且连接所述漏极层71与所述非沟道部22。

在贯穿设有栅极40接触孔和漏极接触孔的介电层50上沉积铝、铜、钛等中的一种金属或几种金属形成的合金，形成第二金属层。沉积过程中，第二金属层填充于源极接触孔内的部分形成源极连接部62与金属氧化物半导体层20的非沟道部22连接，第二金属层填充于漏极接触孔内的部分形成漏极连接部72且与金属氧化物半导体层20的非沟道部22连接，对第二金属层位于介电层50表面的部分进行涂布光阻、曝光、显影及剥离的光刻工艺之后形成间隔设置的源极层61和漏极层71。连接的源极层61与源极连接部62形成源极60，连接的漏极层71与漏极连接部72形成漏极70。

进一步的，在源极60和漏极70形成后，可在介电层50、源极60和漏极70上沉积一层或多层绝缘材料形成钝化层01，对钝化层01进行图案化处理，使钝化层01贯穿设有与源极60连通的像素电极接触孔。在钝化层01的上方沉积金属层并进行图案化，形成像素电极02。像素电极02包括像素电极层和与像素电极层连接的像素电极连接部。沉积的金属层在像素电极连接孔中填充的部分形成与源极60连通的像素电极连接部，沉积的金属层在介电层50上方经过图案化形成像素电极层。

在本实施例中，采用透光基板10，在透光基板10上沉积形成的可透光的遮光层80进行图案化，使可透光的遮光层80包括第一遮光部81和透光部82，在可透光的遮光层80上方沉积形成的半导体金属氧化物半导体层20，金属氧化物半导体层20上方沉积绝缘薄膜和第一金属层，并以第一遮光部81为第一对准图形001进行图案化处理形成的栅极绝缘层30与栅极40，从而保证不会有光照照射到金属氧化物半导体层20被栅极绝缘层30覆盖的部分，避免金属氧化物半导体层20与栅极绝缘层30接触的界面产生电荷陷阱导致显示面板现象的不稳定，而金属氧化物半导体层20没有与栅极绝缘层30接触的部分，由于可透光的遮光层80中透光部82的存在，自然光可照射到该部分使该部分的电子空穴增多，导电率增大，从而使开态电流增大，降低显示面板的功耗。

进一步的，在上述实施例中，在所述以所述第一遮光部81为第一对准图形001，先后对所述第一金属层和所述绝缘薄膜进行图案化处理的步骤之后，且，在所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20上沉积介电层50并进行图案化处理的步骤之前，还包括：

步骤S51，对所述金属氧化物半导体层20进行导体化处理，使所述非沟道部22具有导体特性，使所述沟道部21在所述栅极绝缘层30的保护下保留半导体特性。

在涂布光阻形成栅极40和栅极绝缘层30后，保留光阻，对金属氧化物半导体层20使用惰性气体(如氦气、氩气等)或进行等离子体处理，处理后非沟道部22被导体化，具有导体特性，处理后的的沟道部21由于栅极绝缘层30的保护保留半导体特性。

由于导体的电子迁移率较高，因此，将非沟道部22进行导体化，有利于进一步提高导电率，从而提高开态电流，进一步降低显示面板的功耗。

进一步的，参照图5，基于上述实施例，所述在所述透光基板10上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部81和透光部82的可透光的遮光层80的步骤包括：

步骤S21，在所述透光基板10上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部81、透光部82和第二遮光部83的可透光的遮光层80，所述第一遮光部81与所述第二遮光部83间隔设置形成所述透光部82；

第一遮光部81、透光部82和第二遮光部83的大小可根据显示面板的实际设计进行确定。对缓冲层90上的不透光材料通过光蚀刻等方法进行图案化处理，被蚀刻的部分镂空作为透光部82，未被蚀刻的部分保留不透光材料形成第一遮光部81和第二遮光部83，从而形成包括第一遮光部81、第二遮光部83和透光部82的可透光的遮光层80。

所述在所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20上沉积介电层50并进行图案化处理，使所述介电层50贯穿设有源极接触孔和漏极接触孔的步骤包括：

步骤S61，以所述第二遮光部83靠近所述第一遮光部81一端的边缘形成第二对准图形002；

如图4所示，第二遮光部83与透光部82的边界围合形成第二对准图形002。

步骤S62，选取所述第二对准图形002上相对设置的两点作为基准点；

在第二对准图形002上选取第一遮光部81两侧的区域内，相对设置的两点作为基准点，如图4中的A点。

步骤S63，在所述栅极40、所述金属氧化物半导体层20上沉积介电层50；

步骤S64，以所述基准点为对准点003，对所述介电层50进行图案化处理，形成所述源极接触孔和漏极接触孔。

在介电层50表面，对准两基准点的位置的第一区域作为基准区域。第一区域可具体为以介电层50表面与基准点对准的两点为圆心一定半径范围内所形成的图形区域。在介电层50的基准区域以外的区域涂布光阻，再经过曝光、显影及剥离的光刻工艺之后，基准区域中的介电层50被光蚀刻形成源极接触孔和漏极接触孔。

在本实施例中，通过在第一遮光部81和透光部82的基础上设置第二遮光部83，保证开态电流增大、显示面板功耗降低的同时，避免显示面板的漏光。其中，以第二遮光部83靠近第一遮光部81一端的边缘形成第二对准图形002对介电层50进行图案化处理形成源极接触孔和漏极接触孔，从而使所制作出来的显示面板兼顾开态电流增大和防止面板漏光的综合效果可达到最好。

需要说明的是，在本发明实施例中，通过上述显示面板的制作方法所形成的的栅极40、栅极绝缘层30与第一遮光部81中任意两层之间的对准误差不超过3微米。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

以上仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

透光基板；

金属氧化物半导体层，设于所述透光基板上方；

栅极绝缘层，设于所述金属氧化物半导体层上方且覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域，所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部，所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部；

栅极，覆盖所述栅极绝缘层；

介电层，覆盖于所述栅极和所述金属氧化物半导体层上方；

源极，设于所述介电层上方且与所述非沟道部连接；

漏极，与所述源极间隔设于所述介电层上方、且与所述非沟道部连接；

可透光的遮光层，设于所述透光基板与所述金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与所述第一遮光部连接的透光部，所述第一遮光部设于所述沟道部与所述透光基板之间，所述透光部设于所述非沟道部与所述透光基板之间；

所述可透光的遮光层还包括第二遮光部，所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部；所述第一遮光部、所述第二遮光部和所述透光部在所述透光基板上的投影总面积等于所述透光基板靠近可透光的遮光层的表面的总面积；其中，除了所述第一遮光部和所述透光部的位置，所述可透光的遮光层的其余部分均设置有第二遮光部。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积大于或等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光部在所述透光基板上的投影面积等于所述沟道部在所述透光基板上的投影面积，所述源极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第一距离设置，所述漏极接触孔与所述栅极绝缘层间隔第二距离设置，所述第一遮光部靠近所述源极的一端与所述第二遮光部间隔第三距离设置，所述第一遮光部靠近所述漏极的一端与所述第二遮光部间隔第四距离设置，所述第三距离大于或等于所述第一距离，所述第四距离大于或等于所述第二距离。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层在所述透光基板上的投影面积小于所述透光基板靠近所述金属氧化物半导体层的表面的面积，所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述可透光的遮光层。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述透光部在所述透光基板上的投影面积小于或等于所述非沟道部在所述透光基板上的投影面积。

6.如权利要求1至5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层与所述可透光的遮光层之间设有缓冲层，所述缓冲层覆盖于所述可透光的遮光层，所述介电层覆盖于所述栅极、所述金属氧化物半导体层和所述缓冲层上方；且/或，

所述源极、所述漏极和所述介电层上方覆盖有钝化层，所述钝化层的上方设有与所述源极连接的像素电极。

7.一种显示面板制作方法，用于制作如权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板制作方法包括以下步骤：

提供一透光基板；

在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部和透光部的可透光的遮光层；

在所述可透光的遮光层上沉积金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上依次沉积绝缘薄膜和第一金属层；

以所述第一遮光部的边缘形成的图形为第一对准图形，先后对所述第一金属层和所述绝缘薄膜进行图案化处理，处理后的所述第一金属层形成栅极，处理后的所述绝缘薄膜形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述金属氧化物半导体层的部分区域，所述金属氧化物半导体层被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成沟道部，所述金属氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成非沟道部；

采用惰性气体或等离子体对所述金属氧化物半导体层进行导体化处理，使所述非沟道部具有导体特性，使所述沟道部在所述栅极绝缘层的保护下保留半导体特性；

在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层并进行图案化处理，使所述介电层贯穿有与所述非沟道部连通的源极接触孔和漏极接触孔；

在所述介电层上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成间隔设置的源极和漏极，所述源极通过所述源极接触孔与所述非沟道部连接，所述漏极通过所述漏极接触孔与所述非沟道部连接；

其中，所述在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部和透光部的可透光的遮光层的步骤包括：

在所述透光基板上沉积不透光材料并进行图案化处理，形成包括第一遮光部、透光部和第二遮光部的可透光的遮光层，所述第一遮光部与所述第二遮光部间隔设置形成所述透光部；所述第一遮光部、所述第二遮光部和所述透光部在所述透光基板上的投影总面积等于所述透光基板靠近可透光的遮光层的表面的总面积；其中，除了所述第一遮光部和所述透光部的位置，所述可透光的遮光层的其余部分均设置有第二遮光部。

8.如权利要求7所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层并进行图案化处理，使所述介电层贯穿设有源极接触孔和漏极接触孔的步骤包括：

以所述第二遮光部靠近所述第一遮光部一端的边缘形成第二对准图形；

选取所述第二对准图形上相对设置的两点作为基准点；

在所述栅极、所述金属氧化物半导体层上沉积介电层；

以所述基准点为对准点，对所述介电层进行图案化处理，形成所述源极接触孔和漏极接触孔。

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