KR102328494B1 - Oled 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

OLED 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법은, IGZO TFT의 상부에 활성층(41)을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 설치하여 IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 IGZO의 활성층(41)에 대한 영향을 감소시킴으로써 광 누설 전류 발생을 방지하여 IGZO TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 동시에, 활성층(41)의 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)은 IGZO TFT의 활성층에 영향을 미치는 고에너지의 단파 척색광만 차단하고 다른 범위의 광을 정상적으로 투과시킬 수 있으므로 OLED 디스플레이 패널 발광 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.

Description

OLED 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 OLED 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이 기술이 발전함에 따라, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 및 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED) 디스플레이 등 평면 디스플레이 장치는 이미 디스플레이 장치에서 주요한 부분으로 되고 있다. 여기서, 유기 발광 다이오드 디스플레이는 유기 전계 발광 디스플레이로도 불리우는데, 신규한 평면 디스플레이 장치이고, 이는 제조 공정이 간단하고, 원가가 낮으며, 전력소모가 낮고, 발광 휘도가 높으며, 작동 온도 적응 범위가 넓고, 부피가 가볍고 얇으며, 반응 속도가 빠를 뿐만 아니라, 컬러 디스플레이와 대형 스크린 디스플레이를 쉽게 구현할 수 있고, 집적 회로 드라이버와 쉽게 매칭되며, 플렉시블 디스플레이를 쉽게 구현하는 등 장점을 구비하므로, 광범위한 응용 전망을 구비한다.
OLED 디스플레이는 구동 방식에 따라 패시브 매트릭스 OLED(Passive Matrix OLED, PMOLED)와 액티브 매트릭스OLED(Active Matrix OLED, AMOLED)의 2가지 타입으로 크게 나뉘는데, 즉, 직접 어드레스 지정 및 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스 지정의 2가지 타입으로 나뉜다. 여기서, AMOLED는 어레이식으로 배열된 픽셀을 구비하고, 액티브 디스플레이 타입에 속하며, 발광 효율이 높고, 일반적으로 고화질의 큰 사이즈 디스플레이 장치로 사용된다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)는 현재 액정 디스플레이 장치 및 액티브 매트릭스 구동식 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 주요한 구동 소자이고, 고성능 평면 디스플레이 장치의 발전 방향과 직접적인 관계가 있다.
AMOLED는 일반적으로 TFT 기판 및 OLED 소자를 포함하고, 상기 OLED 소자는, TFT기판 위에 설치되는 양극, 양극에 설치되는 정공주입층, 정공주입층 위에 설치되는 정공수송층, 정공수송층 위에 설치되는 발광층, 발광층 위에 설치되는 전자수송층, 전자수송층 위에 설치되는 전자주입층 및 전자주입층 위에 설치되는 음극으로 구성된다. OLED 디스플레이 소자의 발광 원리는 반도체 재료와 유기 발광 재료가 전기장 구동 하에, 캐리어를 통해 주입 및 복합되어 발광에 이르는 것이다. 구체적으로, AMOLED 디스플레이 소자는 일반적으로 ITO 픽셀 전극 및 금속 전극을 각각 소자의 양극 및 음극으로 하고, 일정한 전압 구동 하에, 전자 및 정공은 각각 음극 및 양극으로부터 전자주입층 및 정공주입층으로 주입되고, 전자 및 정공은 각각 전자수송층 및 정공수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 만나, 엑시톤을 형성하고 발광 분자를 여기시키며, 후자는 복사 완화를 통해 가시 광선을 발사한다.
평면 패널 산업에 있어서, 현재 디스플레이 업계의 중대형 사이즈화, 고해상도에 대한 수요가 점점 강해짐에 따라, 활성층 반도체 소자 충방전에 대해 보다 높은 요구가 제기되었다. 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide, IGZO) 재료는 높은 이동률, 높은 온(on) 상태 전류, 낮은 오프(off) 상태 전류로 인해 신속하게 온오프할 수 있는 등 특징을 구비하여, 상기 수요를 효과적으로 만족시킬 수 있으므로, 현재 박막 트랜지스터 기술 분야에서 인기있는 연구 대상이 되고 있다. 하지만 IGZO-TFT의 IGZO 활성층은 공정 및 환경에 대해 매우 예민하고, IGZO의 에너지 갭(약 3.4 eV)과 자외선(UV) 광의 에너지 갭(3.1 eV보다 높음)이 비슷하므로, IGZO는 UV 광에 대해 아주 좋은 흡수 작용이 있고, IGZO 활성층은 UV 광의 조사 하에 원자가띠 전자 등이 에너지를 쉽게 흡수하여 전도띠로 전이되도록 하여, TFT의 임계값 전압이 편이되도록 함으로써, 디스플레이 디스플레이 효과가 불안정하게 된다. 따라서, 기존의 탑 게이트(top gate) IGZO-TFT 제조 과정에서, 드라이버(driver) TFT의 IGZO 활성층이 TFT 저부 광조사의 영향을 받아 광 누설 전류를 발생하는 것을 방지하기 위하여, 일반적으로 그 저부에 광조사를 차단하는 한 층의 차광(shielding) 금속층을 제조하지만, 배면 발광형 OLED(bottom emittion-OLED)의 디스플레이 패널에 있어서, IGZO 활성층은 TFT 최상부로부터 입사되는 광선의 영향을 받음으로써, 활성층이 광 누설 전류를 발생하도록 유도하므로, TFT의 특성에 영향을 미치고, 심지어 TFT 임계값 전압Vth의 편이를 초래하여, TFT의 정상적인 작동에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 목적은, IGZO TFT의 상부에 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 설치하여, IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 활성층에 대한 영향을 감소시킴으로써, 광 누설 전류 발생을 방지하여 TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 OLED 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, IGZO TFT의 상부에 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 설치하여, IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 활성층에 대한 영향을 감소시킴으로써, 광 누설 전류 발생을 방지하여 TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 우선 OLED 디스플레이 패널을 제공하고, 상기 OLED 디스플레이 패널은, 베이스 기판; 베이스 기판 위에 설치되는 차광 금속 블록; 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판 위에 설치되는 완충층; 상기 완충층 위에 설치되고 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층; 상기 활성층 위에 설치되는 그리드 절연층; 상기 그리드 절연층 위에 설치되는 그리드; 상기 그리드, 활성층 및 완충층 위에 설치되는 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉하는 소스 및 드레인; 소스, 드레인 및 층간 절연층 위에 설치되는 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록; 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층 위에 설치되는 평탄층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀; 상기 평탄층 및 패시베이션층 위에 설치되고 제3 관통홀을 통해 상기 드레인과 접촉하는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 패시베이션층 위에 설치되는 픽셀 정의층; 픽셀 정의층 위에 설치되고 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀; 및 아래로부터 위로 상기 제4 관통홀 내에 설치되는 OLED 발광층 및 제2 전극을 포함하되;
상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성하고; 상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이다.
상기 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮는다.
상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자이다.
상기 OLED 디스플레이 패널은, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층에 설치되고 상기 패시베이션층 위에 설치되는 컬러 여과층을 더 포함하고;
상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이다.
상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물이다.
본 발명은 또한 아래와 같은 단계를 포함하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다.
단계 S1로서, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판에 증착 및 패턴화를 통해 차광 금속 블록을 형성하며, 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판에 완충층을 증착하고, 상기 완충층에 증착 및 패턴화를 통해 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층을 형성하며, 상기 활성층 및 완충층에 무기 재료 필름 및 제1 금속층을 순차적으로 증착하고, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하며, 무기 재료 필름에 의해 상기 활성층에 위치하는 그리드 절연층을 얻고, 제1 금속층에 의해 상기 그리드 절연층에 위치하는 그리드를 얻으며, 상기 그리드 절연층과 그리드는 상기 활성층의 양측에 노출되고;
상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이며;
단계 S2로서, 상기 그리드, 활성층 및 완충층에 층간 절연층을 증착하고, 상기 층간 절연층에 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 형성하며, 상기 층간 절연층에 제2 금속층을 증착하고, 상기 제2 금속층에 대해 패턴화 처리하여 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉하는 소스 및 드레인을 얻으며;
단계 S3로서, 상기 소스, 드레인 및 층간 절연층에 패시베이션층을 증착하고, 상기 활성층 상부에 대해 패턴화 처리하여 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 상기 패시베이션층에 형성하며;
단계 S4로서, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층에 패턴화를 통해 평탄층을 형성하고, 상기 패시베이션층에 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀을 형성하며, 상기 평탄층 및 패시베이션층에 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극은 상기 제3 관통홀을 경유하여 상기 드레인과 접촉하며, 상기 제1 전극 및 패시베이션층에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층에 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀을 형성하며, 상기 제4 관통홀 내에 아래로부터 위로 순차적으로 OLED 발광층 및 제2 전극을 형성하되;
상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성한다.
상기 단계 S3에서, 형성된 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮는다.
상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자이다.
상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고;
상기 단계 S3은, 상기 패시베이션층에 패턴화를 통해 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층인 컬러 여과층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 차광 금속 블록, 활성층, 그리드, 소스, 드레인 및 제1 전극은 모두 물리 기상 증착법에 의해 증착되고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층은 모두 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되며;
상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물이고;
상기 단계 S1은, 상기 그리드 및 그리드 절연층을 차단층으로 하고, 상기 활성층에 대해 플라즈마 처리하여 도체화시키는 단계를 더 포함하며;
상기 단계 S1에서, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하는 구체적인 과정은, 습식 식각을 통해 상기 제1 금속층을 식각하여 상기 활성층 상부에 대응되는 그리드를 얻은 다음, 상기 그리드를 차단층으로 하고, 건식 식각을 통해 상기 무기 재료 필름을 식각하여 상기 그리드와 동일한 형상인 그리드 절연층을 얻는 것이다.
본 발명은 또한 OLED 디스플레이 패널을 제공하고, 상기 OLED 디스플레이 패널은, 베이스 기판; 베이스 기판 위에 설치되는 차광 금속 블록; 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판 위에 설치되는 완충층; 상기 완충층 위에 설치되고 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층; 상기 활성층 위에 설치되는 그리드 절연층; 상기 그리드 절연층 위에 설치되는 그리드; 상기 그리드, 활성층 및 완충층 위에 설치되는 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉하는 소스 및 드레인; 소스, 드레인 및 층간 절연층 위에 설치되는 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록; 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층 위에 설치되는 평탄층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀; 상기 평탄층 및 패시베이션층 위에 설치되고 제3 관통홀을 통해 상기 드레인과 접촉하는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 패시베이션층 위에 설치되는 픽셀 정의층; 픽셀 정의층 위에 설치되고 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀; 및 아래로부터 위로 상기 제4 관통홀 내에 설치되는 OLED 발광층 및 제2 전극을 포함하되;
상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성하고; 상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이며;
여기서, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮고;
여기서, 상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자이고;
상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층에 설치되고 상기 패시베이션층 위에 설치되는 컬러 여과층을 더 포함하며;
상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고;
여기서, 상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물이다.
본 발명의 유리한 효과는 하기와 같다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법은, IGZO TFT의 상부에 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 설치하여 IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 IGZO의 활성층에 대한 영향을 감소시킴으로써 광 누설 전류 발생을 방지하므로 IGZO TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 동시에, 활성층의 적색광 차단 포토레지스트 블록은 IGZO TFT의 활성층에 영향을 미치는 고에너지의 단파 척색광만 차단하고 다른 범위의 광을 정상적으로 투과시킬 수 있으므로 OLED 디스플레이 패널 발광 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.
본 발명의 특징 및 기술내용을 보다 상세하게 이해할 수 있도록, 본 발명에 관한 아래의 상세한 설명 및 도면을 참조하되, 도면은 단지 참조 및 설명용으로, 본 발명에 대하여 한정을 가하기 위한 것이 아니다.
아래 도면을 결부하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 통해 상세하게 설명함으로써, 본 발명의 기술적 해결수단 및 다른 유리한 효과가 자명해지도록 한다.
도면 중에서,
도 1은 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 흐름 모식도이다.
도 2는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S1의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S2의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S3의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S4의 모식도 및 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 구조 모식도이다.
본 발명에서 사용한 기술적 수단 및 그 효과를 더 설명하기 위하여, 아래 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 도면을 결부하여 상세하게 설명하도록 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 우선 OLED 디스플레이 패널을 제공하고, 상기 OLED 디스플레이 패널은, 베이스 기판(10); 베이스 기판(10)에 설치되는 차광 금속 블록(21); 상기 차광 금속 블록(21) 및 베이스 기판(10)에 설치되는 완충층(30); 상기 완충층(30)에 설치되고 상기 차광 금속 블록(21) 상부에 대응되는 활성층(41); 상기 활성층(41)에 설치되는 그리드 절연층(42); 상기 그리드 절연층(42)에 설치되는 그리드(43); 상기 그리드(43), 활성층(41) 및 완충층(30)에 설치되는 층간 절연층(44); 상기 층간 절연층(44)에 설치되고 상기 활성층(41) 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀(441) 및 제2 관통홀(442); 상기 층간 절연층(44)에 설치되고 각각 제1 관통홀(441) 및 제2 관통홀(442)을 통해 상기 활성층(41) 양측과 접촉되는 소스(45) 및 드레인(46); 소스(45), 드레인(46) 및 층간 절연층(44)에 설치되는 패시베이션층(51); 상기 패시베이션층(51)에 설치되고 상기 활성층(41)을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록(61); 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록(61) 및 패시베이션층(51)에 설치되는 평탄층(52); 상기 패시베이션층(51)에 설치되고 상기 드레인(46) 상부에 대응되는 제3 관통홀(511); 상기 평탄층(52) 및 패시베이션층(51)에 설치되고 제3 관통홀(511)을 통해 상기 드레인(46)과 접촉되는 제1 전극(71); 상기 제1 전극(71) 및 패시베이션층(51)에 설치되는 픽셀 정의층(80); 픽셀 정의층(80)에 설치되고 상기 제1 전극(71) 상부에 대응되는 제4 관통홀(811); 및 아래로부터 위로 상기 제4 관통홀(811) 내에 설치되는 OLED 발광층(72) 및 제2 전극(73)을 포함하고;
상기 제1 전극(71), OLED 발광층(72) 및 제2 전극(73)은 공동으로 OLED 소자(70)를 구성하며; 상기 활성층(41)의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO)이고, 상기 활성층(41), 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)은 공동으로 IGZO TFT인 박막 트랜지스터로 구성한다.
본 발명의 OLED 디스플레이 패널은, IGZO TFT의 상부에 활성층(41)을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 설치하여 IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 IGZO의 활성층(41)에 대한 영향을 감소시킴으로써 광 누설 전류 발생을 방지하므로 IGZO TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 동시에, 활성층(41)의 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)은 IGZO의 활성층(41)에 영향을 미치는 고에너지의 단파 척색광만 차단하고 다른 범위의 광을 정상적으로 투과시킬 수 있으므로 OLED 디스플레이 패널 발광 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.
구체적으로, 상기 실시예에서, 상기 TFT는 OLED 소자(70)를 구동시키는 구동 TFT이고, OLED 디스플레이 패널에서의 스위치 TFT(Switch TFT)에 대해, 이는 마찬가지로 상기 방법을 이용하여 이에 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 설치하여 청색광의 조사를 차단할 수 있지만, OLED 디스플레이 패널은 일반적으로 스위치 TFT의 성능에 대한 요구가 높지 않으므로, 스위치 TFT에 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 설치하지 않을 수도 있다.
구체적으로, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)은 활성층(41) 상부에서 활성층(41)에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장되는데, 즉 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)의 각각의 측변이 상기 활성층(41)에서의 상응한 측변보다 2 ~ 5 μm 넓음으로써, 활성층(41)을 완전히 덮는다.
구체적으로, 상기 OLED 소자(70)는 배면 발광형 OLED 소자이다.
구체적으로, 상기 OLED 소자(70)는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고; 상기 OLED 디스플레이 패널은, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)과 동일한 층에 설치되고 상기 패시베이션층(51)에 설치되는 컬러 여과층(62)을 더 포함한다.
구체적으로, 상기 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)의 재료는 각각 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 크롬(Gr) 중 하나 또는 복수를 포함하고; 바람직하게, 상기 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)의 재료는 모두 구리층과 몰리브덴-티타늄 합금층의 스택 조합층(Cu+Mo-Ti)이다.
구체적으로, 상기 완충층(30), 그리드 절연층(42), 층간 절연층(44) 및 패시베이션층(51)의 재료는 각각 산화규소(SiOx) 및 질화규소(SiNx) 중 하나 또는 복수를 포함하고; 바람직하게, 상기 완충층(30), 그리드 절연층(42), 층간 절연층(44) 및 패시베이션층(51)의 재료는 모두 산화규소이다.
구체적으로, 상기 제1 전극(71), 제2 전극(73)은 각각 OLED 소자(70)의 양극 및 음극이고, 상기 제1 전극(71)의 재료는 투명 전도 금속 산화물이며; 바람직하게, 상기 제1 전극(71)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다.
구체적으로, 상기 차광 금속 블록(21)의 재료는 금속이고; 바람직하게, 상기 차광 금속 블록(21)의 재료는 몰리브덴-티타늄 합금(Mo-Ti)이다.
도 1을 참조하면, 상기 OLED 디스플레이 패널에 기반하여, 본 발명은 하기와 같은 단계를 포함하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 더 제공한다.
단계 S1에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(10)을 제공하고, 상기 베이스 기판(10)에 증착 및 패턴화를 통해 차광 금속 블록(21)을 형성하며, 상기 차광 금속 블록(21) 및 베이스 기판(10)에 완충층(30)을 증착하고, 상기 완충층(30)에 증착 및 패턴화를 통해 상기 차광 금속 블록(21) 상부에 대응되는 활성층(41)을 형성하며, 상기 활성층(41) 및 완충층(30)에 무기 재료 필름 및 제1 금속층을 순차적으로 증착하고, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하며, 무기 재료 필름에 의해 상기 활성층(41)에 위치하는 그리드 절연층(42)을 얻고, 제1 금속층에 의해 상기 그리드 절연층(42)에 위치하는 그리드(43)를 얻으며, 상기 그리드 절연층(42)과 그리드(43)는 상기 활성층(41)의 양측에 노출되고; 상기 그리드(43) 및 그리드 절연층(42)을 차단층으로 하며, 상기 활성층(41)에 대해 플라즈마 처리하여 도체화시킨다.
구체적으로, 상기 활성층(41)의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이다.
구체적으로, 상기 단계 S1에서, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하는 구체적인 과정은, 습식 식각을 통해 상기 제1 금속층을 식각하여 상기 활성층(41) 상부에 대응되는 그리드(43)를 얻은 다음, 상기 그리드(43)를 차단층으로 하고, 건식 식각을 통해 상기 무기 재료 필름을 식각하여 상기 그리드(43)와 동일한 형상인 그리드 절연층(42)을 얻는 것이다.
단계 S2에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 그리드(43), 활성층(41) 및 완충층(30)에 층간 절연층(44)을 증착하고, 상기 층간 절연층(44)에 상기 활성층(41) 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀(441) 및 제2 관통홀(442)을 형성하며, 상기 층간 절연층(44)에 제2 금속층을 증착하고, 상기 제2 금속층에 대해 패턴화 처리하여 각각 제1 관통홀(441) 및 제2 관통홀(442)을 통해 상기 활성층(41) 양측과 접촉하는 소스(45) 및 드레인(46)을 얻는다.
구체적으로, 상기 활성층(41), 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)은 공동으로 IGZO TFT인 TFT를 구성한다.
단계 S3에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 소스(45), 드레인(46) 및 층간 절연층(44)에 패시베이션층(51)을 증착하고, 상기 활성층 상부(41)에 대해 패턴화 처리하여 상기 활성층(41)을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 상기 패시베이션층(51)에 형성한다.
구체적으로, 상기 단계 S3에서, 형성된 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)은 활성층(41) 상부에서 활성층(41)에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장되어 활성층(41)을 완전히 덮는다.
단계 S4에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록(61) 및 패시베이션층(51)에 패턴화를 통해 평탄층(52)을 형성하고, 상기 패시베이션층(51)에 상기 드레인(46) 상부에 대응되는 제3 관통홀(511)을 형성하며, 상기 평탄층(52) 및 패시베이션층(51)에 제1 전극(71)을 형성하고, 상기 제1 전극(71)은 상기 제3 관통홀(511)을 경유하여 상기 드레인(46)과 접촉하며, 상기 제1 전극(71) 및 패시베이션층(51)에 픽셀 정의층(80)을 형성하고, 상기 픽셀 정의층(80)에 상기 제1 전극(71) 상부에 대응되는 제4 관통홀(811)을 형성하며, 상기 제4 관통홀(811) 내에 아래로부터 위로 순차적으로 OLED 발광층(72) 및 제2 전극(73)을 형성하고; 상기 제1 전극(71), OLED 발광층(72) 및 제2 전극(73)은 공동으로 OLED 소자(70)를 구성하며, 상기 제1 전극(71), 제2 전극(73)은 각각 OLED 소자(70)의 양극 및 음극이다.
본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법은, IGZO TFT의 상부에 활성층(41)을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)을 설치하여 IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 IGZO의 활성층(41)에 대한 영향을 감소시킴으로써 광 누설 전류 발생을 방지하므로 IGZO TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 동시에, 활성층(41)의 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)은 IGZO의 활성층(41)에 영향을 미치는 고에너지의 단파 척색광만 차단하고 다른 범위의 광을 정상적으로 투과시킬 수 있으므로 OLED 디스플레이 패널 발광 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.
구체적으로, 상기 OLED 소자(70)는 배면 발광형 OLED 소자이다.
구체적으로, 상기 OLED 소자(70)는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고; 상기 단계 S3은, 패시베이션층(51)에 패턴화를 통해 적색광 차단 포토레지스트 블록(61)과 동일한 층인 컬러 여과층(62)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
구체적으로, 상기 차광 금속 블록(21), 활성층(41), 그리드(43), 소스(45), 드레인(46) 및 제1 전극(71)은 모두 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)에 의해 증착되고; 상기 완충층(30), 그리드 절연층(42), 층간 절연층(44) 및 패시베이션층(51)은 모두 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)에 의해 증착된다.
구체적으로, 상기 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 바람직하게, 상기 그리드(43), 소스(45) 및 드레인(46)의 재료는 모두 구리층과 몰리브덴-티타늄 합금층의 스택 조합층이다.
구체적으로, 상기 완충층(30), 그리드 절연층(42), 층간 절연층(44) 및 패시베이션층(51)의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하고; 바람직하게, 상기 완충층(30), 그리드 절연층(42), 층간 절연층(44) 및 패시베이션층(51)의 재료는 모두 산화규소이다.
구체적으로, 상기 제1 전극(71)의 재료는 투명 전도 금속 산화물이고; 바람직하게, 상기 제1 전극(71)의 재료는 인듐 주석 산화물이다.
구체적으로, 상기 차광 금속 블록(21)의 재료는 금속이고; 바람직하게, 상기 차광 금속 블록(21)의 재료는 몰리브덴-티타늄 합금(Mo-Ti)이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 OLED 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법을 제공하고, 이는 IGZO TFT의 상부에 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 설치하여 IGZO TFT 최상부로부터 입사되는 고에너지의 청색광이 IGZO의 활성층에 대한 영향을 감소시킴으로써 광 누설 전류 발생을 방지하므로 IGZO TFT의 특성을 확보하고 IGZO TFT의 정상적인 작동을 유지할 수 있는 동시에, 활성층의 적색광 차단 포토레지스트 블록은 IGZO TFT의 활성층에 영향을 미치는 고에너지의 단파 척색광만 차단하고 다른 범위의 광을 정상적으로 투과시킬 수 있으므로 OLED 디스플레이 패널 발광 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 분야의 통상의 기술자에게 있어서, 본 발명의 기술적 해결수단과 기술 구상에 따라 다른 다양한 상응한 변경 및 변형을 진행할 수 있고 모든 이러한 변경 및 변형은 응당 모두 본 발명의 청구범위의 보호범위에 속한다.

Claims (11)

  1. OLED 디스플레이 패널로서, 베이스 기판; 베이스 기판 위에 설치되는 차광 금속 블록; 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판 위에 설치되는 완충층; 상기 완충층 위에 설치되고 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층; 상기 활성층 위에 설치되는 그리드 절연층; 상기 그리드 절연층 위에 설치되는 그리드; 상기 그리드, 활성층 및 완충층 위에 설치되는 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉하는 소스 및 드레인; 소스, 드레인 및 층간 절연층 위에 설치되는 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록; 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층 위에 설치되는 평탄층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀; 상기 평탄층 및 패시베이션층 위에 설치되고 제3 관통홀을 통해 상기 드레인과 접촉하는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 패시베이션층 위에 설치되는 픽셀 정의층; 픽셀 정의층 위에 설치되고 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀; 및 아래로부터 위로 상기 제4 관통홀 내에 설치되는 OLED 발광층 및 제2 전극을 포함하되;
    상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성하고; 상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이고;
    상기 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮고;
    상기 제1 전극은 상기 OLED 소자의 양극이고 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 위에 형성되는, OLED 디스플레이 패널.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자인, OLED 디스플레이 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층에 설치되고 상기 패시베이션층 위에 설치되는 컬러 여과층을 더 포함하고;
    상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자인, OLED 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물인, OLED 디스플레이 패널.
  6. OLED 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 아래와 같은 단계:
    단계 S1로서, 베이스 기판을 제공하고, 상기 베이스 기판에 증착 및 패턴화를 통해 차광 금속 블록을 형성하며, 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판에 완충층을 증착하고, 상기 완충층에 증착 및 패턴화를 통해 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층을 형성하며, 상기 활성층 및 완충층에 무기 재료 필름 및 제1 금속층을 순차적으로 증착하고, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하며, 무기 재료 필름에 의해 상기 활성층에 위치하는 그리드 절연층을 얻고, 제1 금속층에 의해 상기 그리드 절연층에 위치하는 그리드를 얻는 단계 S1 - 상기 그리드 절연층과 그리드는 상기 활성층의 양측에 노출되고; 상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물임 -;
    단계 S2로서, 상기 그리드, 활성층 및 완충층에 층간 절연층을 증착하고, 상기 층간 절연층에 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 형성하며, 상기 층간 절연층에 제2 금속층을 증착하고, 상기 제2 금속층에 대해 패턴화 처리하여 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉되는 소스 및 드레인을 얻는 단계 S2;
    단계 S3로서, 상기 소스, 드레인 및 층간 절연층에 패시베이션층을 증착하고, 상기 활성층 상부에 대해 패턴화 처리하여 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록을 상기 패시베이션층에 형성하는 단계 S3;
    단계 S4로서, 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층에 패턴화를 통해 평탄층을 형성하고, 상기 패시베이션층에 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀을 형성하며, 상기 평탄층 및 패시베이션층에 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극은 상기 제3 관통홀을 경유하여 상기 드레인과 접촉하며, 상기 제1 전극 및 패시베이션층에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층에 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀을 형성하며, 상기 제4 관통홀 내에 아래로부터 위로 순차적으로 OLED 발광층 및 제2 전극을 형성하는 단계 S4
    를 포함하되;
    상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성하고;
    상기 단계 S3에서, 형성된 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮고;
    상기 제1 전극은 상기 OLED 소자의 양극이고 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 위에 형성되는, OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자인, OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고;
    상기 단계 S3은, 상기 패시베이션층에 패턴화를 통해 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층인 컬러 여과층을 형성하는 단계를 더 포함하는, OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 차광 금속 블록, 활성층, 그리드, 소스, 드레인 및 제1 전극은 모두 물리 기상 증착법에 의해 증착되고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층은 모두 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되며;
    상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물이고;
    상기 단계 S1은, 상기 그리드 및 그리드 절연층을 차단층으로 하고, 상기 활성층에 대해 플라즈마 처리하여 도체화시키는 단계를 더 포함하며;
    상기 단계 S1에서, 상기 무기 재료 필름 및 제1 금속층에 대해 패턴화 처리하는 구체적인 과정은, 습식 식각을 통해 상기 제1 금속층을 식각하여 상기 활성층 상부에 대응되는 그리드를 얻은 다음, 상기 그리드를 차단층으로 하고, 건식 식각을 통해 상기 무기 재료 필름을 식각하여 상기 그리드와 동일한 형상인 그리드 절연층을 얻는 것인, OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. OLED 디스플레이 패널로서, 베이스 기판; 베이스 기판 위에 설치되는 차광 금속 블록; 상기 차광 금속 블록 및 베이스 기판 위에 설치되는 완충층; 상기 완충층 위에 설치되고 상기 차광 금속 블록 상부에 대응되는 활성층; 상기 활성층 위에 설치되는 그리드 절연층; 상기 그리드 절연층 위에 설치되는 그리드; 상기 그리드, 활성층 및 완충층 위에 설치되는 층간 절연층; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 상기 활성층 양측 상부에 대응되는 제1 관통홀 및 제2 관통홀; 상기 층간 절연층 위에 설치되고 각각 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 통해 상기 활성층 양측과 접촉되는 소스 및 드레인; 소스, 드레인 및 층간 절연층 위에 설치되는 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 활성층을 완전히 덮는 적색광 차단 포토레지스트 블록; 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 및 패시베이션층 위에 설치되는 평탄층; 상기 패시베이션층 위에 설치되고 상기 드레인 상부에 대응되는 제3 관통홀; 상기 평탄층 및 패시베이션층 위에 설치되고 제3 관통홀을 통해 상기 드레인과 접촉되는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 패시베이션층 위에 설치되는 픽셀 정의층; 픽셀 정의층 위에 설치되고 상기 제1 전극 상부에 대응되는 제4 관통홀; 및 아래로부터 위로 상기 제4 관통홀 내에 설치되는 OLED 발광층 및 제2 전극을 포함하되;
    상기 제1 전극, OLED 발광층 및 제2 전극은 공동으로 OLED 소자를 구성하고; 상기 활성층의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물이며;
    상기 적색광 차단 포토레지스트 블록은 활성층 상부에서 활성층에 대응되는 가장자리로부터 외부로 2 ~ 5 μm 연장됨으로써, 활성층을 완전히 덮고;
    상기 OLED 소자는 배면 발광형 OLED 소자이고;
    상기 적색광 차단 포토레지스트 블록과 동일한 층에 설치되고 상기 패시베이션층 위에 설치되는 컬러 여과층을 더 포함하며;
    상기 OLED 소자는 백광을 발사하는 백광 OLED 소자이고;
    상기 그리드, 소스 및 드레인의 재료는 각각 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 티타늄, 크롬 중 하나 또는 복수를 포함하고; 상기 완충층, 그리드 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층의 재료는 각각 산화규소 및 질화규소 중 하나 또는 복수를 포함하며; 상기 제1 전극의 재료는 투명 전도 금속 산화물이고;
    상기 제1 전극은 상기 OLED 소자의 양극이고 상기 적색광 차단 포토레지스트 블록 위에 형성되는, OLED 디스플레이 패널.
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